JPH0256986A - マルチビーム半導体発光装置 - Google Patents
マルチビーム半導体発光装置Info
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- JPH0256986A JPH0256986A JP63207581A JP20758188A JPH0256986A JP H0256986 A JPH0256986 A JP H0256986A JP 63207581 A JP63207581 A JP 63207581A JP 20758188 A JP20758188 A JP 20758188A JP H0256986 A JPH0256986 A JP H0256986A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 119
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、光デイスク装置、光プリンタなどの光源に用
い得るマルチビーム半導体発光装置に関し、とくに、多
数の光ビームを各別に出射するように構成されたマルチ
ビーム半導体発光装置に関する。
い得るマルチビーム半導体発光装置に関し、とくに、多
数の光ビームを各別に出射するように構成されたマルチ
ビーム半導体発光装置に関する。
従来、第４図及び第５図を伴って次に述べるマルチビー
ム半導体発光装置が提案されている。 すなわち、活性層のとしての半導体１ｔ！！ｉ２を内部
に有する多数の半導体発光素子Ｄ１、Ｄ２・・・・・・
・・・をそれらに共通の基板体３上に並置して形成し且
つ平らな下面４を有する半導体発光素子形成チップ体１
を右する。 この場合、基板体３は、図示しないが、半導体桔板と、
その一方の平らな主面上に形成された多数の半導体Ｊｍ
Ｄ、Ｄ ・・・・・・・・・に対して共通な電極層と
を有し、そして、その共通電極層の半導体基板側とは反
対側の面が半導体発光素子形成デツプ体１の下面４を形
成している、という−例構成を有する。 また、多数の半導体発光素子Ｄ ％Ｄ２・・・・・・・
・・は、半導体発光素子形成チップ体１に基板体３側と
は反対側から、活性層としての半導体層２よりも深い位
置まで穿設されている素子力ＭＩＲ？＋ ５によって、
電気・光学的に互に分離され、そして、半導体発光素子
Ｄ 、Ｄ ・・・・・・・・・のそれぞれは、基板
体３が上）ホしたように半導体基板と共通電極層とを有
している構成を有する場合、縦断面でみて、上述した共
通電極層と、上述した半導体基板と、ガイド層としての
半導体層と、クラッド層としての半導体層と、上述した
活性層としての半導体層２（この半導体層２は、溝端が
、素子分離溝５に、実線図示のように、臨んでいない場
合と、点線図示のように臨んでいる場合とがある）と、
伯のクラッド層としての半導体層と、キャップ層として
の半導体層と、電極層とが、それらの順に積層され、ま
た、半導体発光素子り、Ｄ２・・・・・・・・・の基板
体３側とは反対側の電極層の上面が、それに共通な平面
上にある、という−例構成を有する。 また、半導体発光素子形成チップ体１は、半導体発光素
子り、Ｄ２・・・・・・・・・の、活性層としての半導
体層２からみて基板体３側及びそれとは反対側部を、そ
れぞれ基板部及びキャップ部と称し、そして、それら基
板部及びキャップ部の厚さをぞれぞれＢ及びＡとすると
き、Ｂが７０μｍ以上の厚い厚さを有し、また、Ａが、
Ａ／Ｂでみて、０．１以下という小さな値を有する。 また、上述した半導体発光素子形成チップ体１に対する
、平らな主面７を有するピー１〜シンク用体６を有する
。 そして、第４図に示すマルチビーム半導体発光装置の場
合、上述した￥−導体発光素子形成ヂツブ休体が、ヒー
トシンク用体６の主面７上に、基板体３側をヒートシン
ク団体６側にして溶着手段を用いて固着１δ載されてい
る。 また、第５図に示すマルチビーム里尋体発光装置の場合
、半導体発光素子形成チップ体１がヒートシンク周体６
上に、基板体３側とは反対側をヒートシンク団体６側に
して、予めビー１〜シンク用体６上に固着して設けられ
且つ上面に半導体発光素子Ｄ 、Ｄ２・・・・・・・・
・の上面に対応しているパッド部を右する配線層を形成
している薄い絶縁性シート８を介して、その絶縁性シー
ト８Ｆのバット部に溶着手段を用いて固定づることによ
って、固着搭載されている。 以上が、従来提案されているマルチビーム半導体発光装
置の構成である。 なお、このような構成を有するマルチビーム半導体発光
装置は、多数の半導体発光素子Ｄ１、Ｄ２・・・・・・
・・・を各別に駆動させることによって、それらの活性
層としての半導体層２またはその近傍を発光部として、
それら発光部から、各別に、光ビームを、紙面と垂直な
方向に、外部に出射させることができ、よって、マルチ
ビーム半導体発光装置としての機能を有する。
ム半導体発光装置が提案されている。 すなわち、活性層のとしての半導体１ｔ！！ｉ２を内部
に有する多数の半導体発光素子Ｄ１、Ｄ２・・・・・・
・・・をそれらに共通の基板体３上に並置して形成し且
つ平らな下面４を有する半導体発光素子形成チップ体１
を右する。 この場合、基板体３は、図示しないが、半導体桔板と、
その一方の平らな主面上に形成された多数の半導体Ｊｍ
Ｄ、Ｄ ・・・・・・・・・に対して共通な電極層と
を有し、そして、その共通電極層の半導体基板側とは反
対側の面が半導体発光素子形成デツプ体１の下面４を形
成している、という−例構成を有する。 また、多数の半導体発光素子Ｄ ％Ｄ２・・・・・・・
・・は、半導体発光素子形成チップ体１に基板体３側と
は反対側から、活性層としての半導体層２よりも深い位
置まで穿設されている素子力ＭＩＲ？＋ ５によって、
電気・光学的に互に分離され、そして、半導体発光素子
Ｄ 、Ｄ ・・・・・・・・・のそれぞれは、基板
体３が上）ホしたように半導体基板と共通電極層とを有
している構成を有する場合、縦断面でみて、上述した共
通電極層と、上述した半導体基板と、ガイド層としての
半導体層と、クラッド層としての半導体層と、上述した
活性層としての半導体層２（この半導体層２は、溝端が
、素子分離溝５に、実線図示のように、臨んでいない場
合と、点線図示のように臨んでいる場合とがある）と、
伯のクラッド層としての半導体層と、キャップ層として
の半導体層と、電極層とが、それらの順に積層され、ま
た、半導体発光素子り、Ｄ２・・・・・・・・・の基板
体３側とは反対側の電極層の上面が、それに共通な平面
上にある、という−例構成を有する。 また、半導体発光素子形成チップ体１は、半導体発光素
子り、Ｄ２・・・・・・・・・の、活性層としての半導
体層２からみて基板体３側及びそれとは反対側部を、そ
れぞれ基板部及びキャップ部と称し、そして、それら基
板部及びキャップ部の厚さをぞれぞれＢ及びＡとすると
き、Ｂが７０μｍ以上の厚い厚さを有し、また、Ａが、
Ａ／Ｂでみて、０．１以下という小さな値を有する。 また、上述した半導体発光素子形成チップ体１に対する
、平らな主面７を有するピー１〜シンク用体６を有する
。 そして、第４図に示すマルチビーム半導体発光装置の場
合、上述した￥−導体発光素子形成ヂツブ休体が、ヒー
トシンク用体６の主面７上に、基板体３側をヒートシン
ク団体６側にして溶着手段を用いて固着１δ載されてい
る。 また、第５図に示すマルチビーム里尋体発光装置の場合
、半導体発光素子形成チップ体１がヒートシンク周体６
上に、基板体３側とは反対側をヒートシンク団体６側に
して、予めビー１〜シンク用体６上に固着して設けられ
且つ上面に半導体発光素子Ｄ 、Ｄ２・・・・・・・・
・の上面に対応しているパッド部を右する配線層を形成
している薄い絶縁性シート８を介して、その絶縁性シー
ト８Ｆのバット部に溶着手段を用いて固定づることによ
って、固着搭載されている。 以上が、従来提案されているマルチビーム半導体発光装
置の構成である。 なお、このような構成を有するマルチビーム半導体発光
装置は、多数の半導体発光素子Ｄ１、Ｄ２・・・・・・
・・・を各別に駆動させることによって、それらの活性
層としての半導体層２またはその近傍を発光部として、
それら発光部から、各別に、光ビームを、紙面と垂直な
方向に、外部に出射させることができ、よって、マルチ
ビーム半導体発光装置としての機能を有する。
第４図に示すマルチビーム半導体発光装置の場合、半導
体発光素子形成チップ体１が、ヒートシンク周体６上に
搭載されているので、上述したマルチビーム半導体発光
装置の機能を得ているときに上述した発光部から主どし
て発せられる熱を、上述した基板部を通じて、ヒートシ
ンク用体６に放熱さゼることができるので、マルチビー
ム半導体発光装置の機能が比較的良好に得られる。 また、半導体発光素子形成チップ体１が、ヒートシンク
周体６上に半導体発光素子Ｄ１゛、Ｄ２・・・・・・・
・・に対して共通な基板体３側をヒートシンク周体６側
にして搭載されているので、半導体発光素子形成チップ
体１を、と−トシンクシン６上に容易に搭載させること
ができる、という特徴を有する。 しかしながら、第４図に示すマルチビーム半導体発光装
置の場合、上述した基板部の厚さＢが、７０μｍという
大きな値を有するため、上述した発光部からヒートシン
ク用体６までの間の熱抵抗が比較的大きい。 このため、上述した発光部から発せられる熱がヒートシ
ンク用体６に放熱されるとはいえ、発光部の温度が比較
的高い温度まで上貸し、光ビームが所期の発光強度で得
られなかったり、また、発光部が比較的早期に劣化する
、という欠点を有していた。 また、第４図に示す従来のマルチビーム半導体発光装置
の場合も、半導体発光素子形成チップ体１が、ヒートシ
ンク周体６上に搭載されているので、上述したマルチビ
ーム半導体発光装置の機能を得ているとぎに上述した発
光部から主として発せられる熱を、上述したキャップ部
を通じてヒートシンク用体６に放熱させることができる
。 そして、この場合、上述したキャップ部の厚さＡが、上
述したＡ／Ｂでみて０．１以下という小さな値しか有し
ていないため、上述した発光部からヒートシンク用体６
までの間の熱抵抗が、第４図に示す従来のマルチビーム
半導体発光装置の場合に比し、小さい。 このため、第４図に示す従来のマルチビーム半導体発光
装置の場合の上述した欠点が、緩和されている。 しかしながら、第５図に示す従来のマルチビーム半導体
発光装置の場合、ヒートシンク周体６上に、上述した薄
い絶縁性シート７を設ける必要があるとともに、半導体
発光素子形成チップ体１を搭載するに当り、半導体発光
素子Ｄ１Ｄ２・・・・・・・・・と絶縁性シート７上の
バット部との間で、煩雄な位置合せをする必要があり、
また、溶着手段に用いる溶着用材の流延によって、相隣
゛る半導体発光素子が短絡されたり、よって、半導体発
光素子形成チップ体１を、ヒートシンク周体６上に搭載
するのに多くの困難を伴うなどの欠点を有していた。 よっ′（、本発明は、上述した欠点のない新規なマルチ
ビーム半導体発光装置を提案せんとするものぐある。
体発光素子形成チップ体１が、ヒートシンク周体６上に
搭載されているので、上述したマルチビーム半導体発光
装置の機能を得ているときに上述した発光部から主どし
て発せられる熱を、上述した基板部を通じて、ヒートシ
ンク用体６に放熱さゼることができるので、マルチビー
ム半導体発光装置の機能が比較的良好に得られる。 また、半導体発光素子形成チップ体１が、ヒートシンク
周体６上に半導体発光素子Ｄ１゛、Ｄ２・・・・・・・
・・に対して共通な基板体３側をヒートシンク周体６側
にして搭載されているので、半導体発光素子形成チップ
体１を、と−トシンクシン６上に容易に搭載させること
ができる、という特徴を有する。 しかしながら、第４図に示すマルチビーム半導体発光装
置の場合、上述した基板部の厚さＢが、７０μｍという
大きな値を有するため、上述した発光部からヒートシン
ク用体６までの間の熱抵抗が比較的大きい。 このため、上述した発光部から発せられる熱がヒートシ
ンク用体６に放熱されるとはいえ、発光部の温度が比較
的高い温度まで上貸し、光ビームが所期の発光強度で得
られなかったり、また、発光部が比較的早期に劣化する
、という欠点を有していた。 また、第４図に示す従来のマルチビーム半導体発光装置
の場合も、半導体発光素子形成チップ体１が、ヒートシ
ンク周体６上に搭載されているので、上述したマルチビ
ーム半導体発光装置の機能を得ているとぎに上述した発
光部から主として発せられる熱を、上述したキャップ部
を通じてヒートシンク用体６に放熱させることができる
。 そして、この場合、上述したキャップ部の厚さＡが、上
述したＡ／Ｂでみて０．１以下という小さな値しか有し
ていないため、上述した発光部からヒートシンク用体６
までの間の熱抵抗が、第４図に示す従来のマルチビーム
半導体発光装置の場合に比し、小さい。 このため、第４図に示す従来のマルチビーム半導体発光
装置の場合の上述した欠点が、緩和されている。 しかしながら、第５図に示す従来のマルチビーム半導体
発光装置の場合、ヒートシンク周体６上に、上述した薄
い絶縁性シート７を設ける必要があるとともに、半導体
発光素子形成チップ体１を搭載するに当り、半導体発光
素子Ｄ１Ｄ２・・・・・・・・・と絶縁性シート７上の
バット部との間で、煩雄な位置合せをする必要があり、
また、溶着手段に用いる溶着用材の流延によって、相隣
゛る半導体発光素子が短絡されたり、よって、半導体発
光素子形成チップ体１を、ヒートシンク周体６上に搭載
するのに多くの困難を伴うなどの欠点を有していた。 よっ′（、本発明は、上述した欠点のない新規なマルチ
ビーム半導体発光装置を提案せんとするものぐある。
【課題を解決するための手段］
本願第１番目の発明及び本願第２番目の発明によるマル
チビーム半導体発光装置は、第４図で上述した従来のマ
ルチビーム半導体発光装置の場合と同様に、活性層とし
ての半導体層を内部に有する多数の半導体発光素子を、
それらに共通の基板体上に並置して形成している半導体
発光素子形成チップ体と、上記半導体発光素子形成チッ
プ体に対するヒートシンク用体とを有し、そして、上記
半導体発光素子形成チップ体が、上記ヒートシンク用体
上に、上記基板体側を上記ピートシンク用体側にして搭
載され、また、上記多数の半導体発光素子が、上記半導
体発光素子形成チップ体に上記基板体側とは反対側から
、上記活性層としての半導体層よりも深い位置まで穿設
されている素子分離用溝によって、電気・光学的に互に
分離されている、という構成を有する。 しかしながら、本願第１番目の発明によるマルチビーム
半導体発光装置は、このような構成を有するマルチビー
ム半導体発光装置において、上記素子分離用溝内に、絶
縁性を有する熱伝導性材が充填されている。 また、本願第２番目の発明によるマルチビーム半導体発
光装置は、上述した構成を有するマルチビーム半導体発
光装置において、上記素子分離用溝内に、薄い絶縁層を
介して、熱伝導性材が充填されている。 【作用・効果】 本願第１番目の発明及び本願第２番目の発明によるマル
チビーム半導体発光装置によれば、素子分離用溝内に、
絶縁性を有する熱伝導性材が充填されていることを除い
て、第４図で上述した従来のマルチビーム半導体発光装
置と同様の構成を有する。 また、本願第２番目の発明によるマルグービーム半導体
発光装置によれば、素子分離用溝内に、薄い絶縁層を介
して、熱伝導性材が充填されていることを除いて、第４
図で上述した従来のマルチビーム半導体発光装置と同様
の構成を有する。 このため、第４図で上述した従来のマルチビーム半導体
発光装置の場合と同様に、多数の半導体発光素子を、各
別に駆動させることによって、それらの活性層としての
半導体層または・この近傍を発光部として、それらの発
光部から、各別に光ビームを、紙面と垂直な方向に、外
部に出射させることができ、よって、第４図で上述した
従来のマルチビーム半導体発光装置の場合と同様に、マ
ルチビーム半導体発光装置としての機能を有する。 また、本願第１番目の発明及び本願第２番目の発明によ
るマルチビーム半導体発光装置の場合、半導体発光素子
形成チップ体が、ヒートシンク用体上に第４図で上述し
た従来のマルチビーム半導体発光装置の場合と同様に、
多数の半導体発光素子に対して共通な基板体側をヒート
シンク用体側にして搭載されているので、半導体発光素
子形成チップ体を、ヒートシンク用体上に第４図で上述
した従来のマルチビーム半導体発光装置の場合と同様に
、容易に搭載させることがで８きる。 しかしながら、本願第１番目の発明によるマルチビーム
半導体発光装置の場合、素子分離用溝内に、絶縁性を有
する熱伝導性材が充填されているので、また、本願第２
番「１の発明によるマルチビーム半導体発光装置の場合
、素子分離用溝内に、薄い絶縁層を介して、熱伝導性材
が充填されているので、本願第１番目の発明及び本願第
２番目の発明によるマルチビーム半導体発光装置の場合
も、第４図で上述したと同様に、半導体発光素子形成チ
ップ体の活性層としての半導体層からみて基板体側及そ
れとは反対側の部をそれぞれ基板部及びキ１ｒツブ部と
称するとき、上述した発光部から発せられる熱が、基板
部による熱伝導路を通ってヒートシンク用体に放熱さＵ
るとともに、キ１アップ部、素子分離溝内の熱伝導性材
及び基板部による熱伝導路をも通って、ヒートシンク用
体に放熱される。 このため、発光部からピーシンシンク用体までの間の熱
抵抗が、第４図で上述した従来のマルチビーム半導体発
光装置の場合に比し格段的に小さい。 よって、発光部の温度が、第４図で上述したマルチビー
ム半導体発光装置の場合のように高い温度まで上昇する
ことがなく、このため、光ビームを所期の発光強度で得
ることができ、また、発光部を長ＩＩに亘り劣化させな
くてすむという特徴を有する。 【実施例１ 第１図及び第２図には、本発明によるマルチビーム半導
体発光装置の実施例を示寸。 第１図及び第２図において、第４図との対応部分には同
一符号を付し、詳ＩＩＩ説明を省略する。 第１図に示す本発明によるマルチビーム半導体発光装置
は、素子分離溝５内に、ｓｒｃ、ｓｅＯなどの絶縁性を
有する熱伝導性材１０が充填され、また、第２図に示す
本発明によるマルチビーム半導体発光装置は、素子分離
溝５内に、例えば、５１０２、ポリイミドなどでなる薄
い絶縁層１１を介して、Ａｕ、Ｎｉ、（：、ｕ、ｌｎ、
ＷＳｉなどでなる高い熱伝導率を揺する熱伝導性材１２
が充填されていることを除いて、第４図で上述した従来
のマルチビーム半導体発光装置の場合と同様の構成を有
する。 以上が、本発明によるマルチビーム半導体発光装置の実
施例の構成である。 このような構成を有する本発明によるマルチビーム半導
体発光装置によれば、【作用・効果］の項で上述した優
れた作用効果が得られることは明らかである。 また、第１図及び第２図に示す本発明によるマルチビー
ム半導体発光装置の構成において、第４図で上述したと
同様の基板部の厚ざＢを、６０μｍ以下の値にし、また
、上述したと同様のキャップ部の厚さＡを、Ａ／Ｂでみ
て０．３以上とすれば、基板部の厚さＢが、第４図で上
述した従来のマルチビーム半導体発光装置の場合に比し
薄く、また、キャップ部及び熱伝導性材（１０，１２・
）を通る前述した熱伝導路に、効果的に発光部からの熱
を通すことができるので、上述した本発明の優れた作用
効果が、このようにしない場合に比し、格段的に向上す
る。 このことは、上述したＡ／Ｂに対づる発光部における上
界温度を測定したところ、第３図に示すように、Ａ／Ｂ
が０．３１Ｊ、上であるとき顕著な結果が得られたとこ
ろから明らかである。
チビーム半導体発光装置は、第４図で上述した従来のマ
ルチビーム半導体発光装置の場合と同様に、活性層とし
ての半導体層を内部に有する多数の半導体発光素子を、
それらに共通の基板体上に並置して形成している半導体
発光素子形成チップ体と、上記半導体発光素子形成チッ
プ体に対するヒートシンク用体とを有し、そして、上記
半導体発光素子形成チップ体が、上記ヒートシンク用体
上に、上記基板体側を上記ピートシンク用体側にして搭
載され、また、上記多数の半導体発光素子が、上記半導
体発光素子形成チップ体に上記基板体側とは反対側から
、上記活性層としての半導体層よりも深い位置まで穿設
されている素子分離用溝によって、電気・光学的に互に
分離されている、という構成を有する。 しかしながら、本願第１番目の発明によるマルチビーム
半導体発光装置は、このような構成を有するマルチビー
ム半導体発光装置において、上記素子分離用溝内に、絶
縁性を有する熱伝導性材が充填されている。 また、本願第２番目の発明によるマルチビーム半導体発
光装置は、上述した構成を有するマルチビーム半導体発
光装置において、上記素子分離用溝内に、薄い絶縁層を
介して、熱伝導性材が充填されている。 【作用・効果】 本願第１番目の発明及び本願第２番目の発明によるマル
チビーム半導体発光装置によれば、素子分離用溝内に、
絶縁性を有する熱伝導性材が充填されていることを除い
て、第４図で上述した従来のマルチビーム半導体発光装
置と同様の構成を有する。 また、本願第２番目の発明によるマルグービーム半導体
発光装置によれば、素子分離用溝内に、薄い絶縁層を介
して、熱伝導性材が充填されていることを除いて、第４
図で上述した従来のマルチビーム半導体発光装置と同様
の構成を有する。 このため、第４図で上述した従来のマルチビーム半導体
発光装置の場合と同様に、多数の半導体発光素子を、各
別に駆動させることによって、それらの活性層としての
半導体層または・この近傍を発光部として、それらの発
光部から、各別に光ビームを、紙面と垂直な方向に、外
部に出射させることができ、よって、第４図で上述した
従来のマルチビーム半導体発光装置の場合と同様に、マ
ルチビーム半導体発光装置としての機能を有する。 また、本願第１番目の発明及び本願第２番目の発明によ
るマルチビーム半導体発光装置の場合、半導体発光素子
形成チップ体が、ヒートシンク用体上に第４図で上述し
た従来のマルチビーム半導体発光装置の場合と同様に、
多数の半導体発光素子に対して共通な基板体側をヒート
シンク用体側にして搭載されているので、半導体発光素
子形成チップ体を、ヒートシンク用体上に第４図で上述
した従来のマルチビーム半導体発光装置の場合と同様に
、容易に搭載させることがで８きる。 しかしながら、本願第１番目の発明によるマルチビーム
半導体発光装置の場合、素子分離用溝内に、絶縁性を有
する熱伝導性材が充填されているので、また、本願第２
番「１の発明によるマルチビーム半導体発光装置の場合
、素子分離用溝内に、薄い絶縁層を介して、熱伝導性材
が充填されているので、本願第１番目の発明及び本願第
２番目の発明によるマルチビーム半導体発光装置の場合
も、第４図で上述したと同様に、半導体発光素子形成チ
ップ体の活性層としての半導体層からみて基板体側及そ
れとは反対側の部をそれぞれ基板部及びキ１ｒツブ部と
称するとき、上述した発光部から発せられる熱が、基板
部による熱伝導路を通ってヒートシンク用体に放熱さＵ
るとともに、キ１アップ部、素子分離溝内の熱伝導性材
及び基板部による熱伝導路をも通って、ヒートシンク用
体に放熱される。 このため、発光部からピーシンシンク用体までの間の熱
抵抗が、第４図で上述した従来のマルチビーム半導体発
光装置の場合に比し格段的に小さい。 よって、発光部の温度が、第４図で上述したマルチビー
ム半導体発光装置の場合のように高い温度まで上昇する
ことがなく、このため、光ビームを所期の発光強度で得
ることができ、また、発光部を長ＩＩに亘り劣化させな
くてすむという特徴を有する。 【実施例１ 第１図及び第２図には、本発明によるマルチビーム半導
体発光装置の実施例を示寸。 第１図及び第２図において、第４図との対応部分には同
一符号を付し、詳ＩＩＩ説明を省略する。 第１図に示す本発明によるマルチビーム半導体発光装置
は、素子分離溝５内に、ｓｒｃ、ｓｅＯなどの絶縁性を
有する熱伝導性材１０が充填され、また、第２図に示す
本発明によるマルチビーム半導体発光装置は、素子分離
溝５内に、例えば、５１０２、ポリイミドなどでなる薄
い絶縁層１１を介して、Ａｕ、Ｎｉ、（：、ｕ、ｌｎ、
ＷＳｉなどでなる高い熱伝導率を揺する熱伝導性材１２
が充填されていることを除いて、第４図で上述した従来
のマルチビーム半導体発光装置の場合と同様の構成を有
する。 以上が、本発明によるマルチビーム半導体発光装置の実
施例の構成である。 このような構成を有する本発明によるマルチビーム半導
体発光装置によれば、【作用・効果］の項で上述した優
れた作用効果が得られることは明らかである。 また、第１図及び第２図に示す本発明によるマルチビー
ム半導体発光装置の構成において、第４図で上述したと
同様の基板部の厚ざＢを、６０μｍ以下の値にし、また
、上述したと同様のキャップ部の厚さＡを、Ａ／Ｂでみ
て０．３以上とすれば、基板部の厚さＢが、第４図で上
述した従来のマルチビーム半導体発光装置の場合に比し
薄く、また、キャップ部及び熱伝導性材（１０，１２・
）を通る前述した熱伝導路に、効果的に発光部からの熱
を通すことができるので、上述した本発明の優れた作用
効果が、このようにしない場合に比し、格段的に向上す
る。 このことは、上述したＡ／Ｂに対づる発光部における上
界温度を測定したところ、第３図に示すように、Ａ／Ｂ
が０．３１Ｊ、上であるとき顕著な結果が得られたとこ
ろから明らかである。
第１図及び第２図は、本発明によるマルチビーム半導体
発光装置の実施例を示す略絵図である。 第３図は、半導体発光素子形成チップ体のキャップ部ぬ
の厚さＡに対する基板部の厚さＢの日に対する発光部で
の上昇温度の関係を示す図である。 第４図及び第５図は、従来のマルチビーム半導体発光装
置を示す路線図である。 １・・・・・・・・・半導体発光素子形成チップ体２・
・・・・・・・・活性層としての半導体層３・・・・・
・・・・ｊＪ板体 ５・・・・・・・・・素子分離溝 ６・・・・・・・・・ピーシンシンク用体１０・・・・
・・・・・熱伝導性材 １１・・・・・・・・・絶縁層 １２・・・・・・・・・熱伝導性材 笛１ 図 第２図 出願人 日本電信電話株式会社
発光装置の実施例を示す略絵図である。 第３図は、半導体発光素子形成チップ体のキャップ部ぬ
の厚さＡに対する基板部の厚さＢの日に対する発光部で
の上昇温度の関係を示す図である。 第４図及び第５図は、従来のマルチビーム半導体発光装
置を示す路線図である。 １・・・・・・・・・半導体発光素子形成チップ体２・
・・・・・・・・活性層としての半導体層３・・・・・
・・・・ｊＪ板体 ５・・・・・・・・・素子分離溝 ６・・・・・・・・・ピーシンシンク用体１０・・・・
・・・・・熱伝導性材 １１・・・・・・・・・絶縁層 １２・・・・・・・・・熱伝導性材 笛１ 図 第２図 出願人 日本電信電話株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、活性層としての半導体層を内部に有する多数の半導
体発光素子を、それらに共通の基板体上に並置して形成
している半導体発光素子形成チップ体と、 上記半導体発光素子形成チップ体に対する ヒートシンク用体とを有し、 上記半導体発光素子形成チップ体が、上記 ヒートシンク用体上に、上記基板体側を上記ヒートシン
ク用体側にして搭載され、 上記多数の半導体発光素子は、上記半導体 発光素子形成チップ体に上記基板体側とは反対側から、
上記活性層としての半導体層よりも深い位置まで穿設さ
れている素子分離用溝によって、電気・光学的に互に分
離されているマルチビーム半導体発光装置において、 上記素子分離用溝内に、絶縁性を有する熱 伝導性材が充填されていることを特徴とするマルチビー
ム半導体発光装置。 ２、活性層としての半導体層を内部に有する多数の半導
体発光素子を、それらに共通の基板体上に並置して形成
している半導体発光素子形成チップ体と、 上記半導体発光素子形成チップ体に対する ヒートシンク用体とを有し、 上記半導体発光素子形成チップ体が、上記 ヒートシンク用体上に、上記基板体側を上記ヒートシン
ク用体側にして搭載され、 上記多数の半導体発光素子は、上記半導体 発光素子形成チップ体に上記基板体側とは反対側から、
上記活性層としての半導体層よりも深い位置まで穿設さ
れている素子分離用溝によって、電気・光学的に互に分
離されているマルチビーム半導体発光装置において、 上記素子分離用溝内に、薄い絶縁層を介し て、熱伝導性材が充填されていることを特徴とするマル
チビーム半導体発光装置。 ３、特許請求の範囲第１項または第２項記載のマルチビ
ーム半導体発光装置において、 上記半導体発光素子形成チップ体の、上記 活性層としての半導体層からみて上記基板体側及びそれ
とは反対側の部をそれぞれ基板部及びキャップ部と称す
るとき、上記基板部が、６０μｍ以下の厚さを有し、 上記キャップ部が、上記基板部の０．３倍 以上の厚さを有することを特徴とするマルチビーム半導
体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20758188A JP2691173B2 (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | マルチビーム半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20758188A JP2691173B2 (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | マルチビーム半導体発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0256986A true JPH0256986A (ja) | 1990-02-26 |
| JP2691173B2 JP2691173B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=16542126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20758188A Expired - Fee Related JP2691173B2 (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | マルチビーム半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2691173B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05259565A (ja) * | 1992-03-11 | 1993-10-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | マルチビーム半導体レーザ |
| US5513200A (en) * | 1992-09-22 | 1996-04-30 | Xerox Corporation | Monolithic array of independently addressable diode lasers |
| US5729563A (en) * | 1994-07-07 | 1998-03-17 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for optically and thermally isolating surface emitting laser diodes |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5416992A (en) * | 1977-07-07 | 1979-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | Light emitting diode |
| JPS6365258U (ja) * | 1986-10-17 | 1988-04-30 | ||
| JPS63126287A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザアレイ装置 |
| JPS63179593A (ja) * | 1987-01-21 | 1988-07-23 | Nec Corp | 半導体レ−ザアレイ装置 |
-
1988
- 1988-08-22 JP JP20758188A patent/JP2691173B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5416992A (en) * | 1977-07-07 | 1979-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | Light emitting diode |
| JPS6365258U (ja) * | 1986-10-17 | 1988-04-30 | ||
| JPS63126287A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザアレイ装置 |
| JPS63179593A (ja) * | 1987-01-21 | 1988-07-23 | Nec Corp | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05259565A (ja) * | 1992-03-11 | 1993-10-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | マルチビーム半導体レーザ |
| US5513200A (en) * | 1992-09-22 | 1996-04-30 | Xerox Corporation | Monolithic array of independently addressable diode lasers |
| US5729563A (en) * | 1994-07-07 | 1998-03-17 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for optically and thermally isolating surface emitting laser diodes |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2691173B2 (ja) | 1997-12-17 |
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|---|---|---|---|
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