JP2691173B2 - マルチビーム半導体発光装置 - Google Patents
マルチビーム半導体発光装置Info
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Description
本発明は、光デイスク装置、光プリンタなどの光源に
用い得るマルチビーム半導体発光装置に関し、とくに、
多数の光ビームを各別に出射するように構成されたマル
チビーム半導体発光装置に関する。
用い得るマルチビーム半導体発光装置に関し、とくに、
多数の光ビームを各別に出射するように構成されたマル
チビーム半導体発光装置に関する。
従来、第４図及び第５図を伴って次に述べるマルチビ
ーム半導体発光装置が提案されている。 すなわち、活性層のとしての半導体層２を内部に有す
る多数の半導体発光素子D1、D2………をそれらに共通す
る基板体３上に並置して形成し且つ平らな平面４を有す
る半導体発光素子形成チップ体１を有する。 この場合、基板体３は、図示しないが、半導体基板
と、その一方の平らな主面上に形成された多数の半導体
発光素子D1、D2………に対して共通な電極層とを有し、
そして、その共通電極層の半導体基板側とは反対側の面
が半導体発光素子形成チップ体１の下面４を形成してい
る、という一例構成を有する。 また、多数の半導体発光素子D1、D2………は、半導体
発光素子形成チップ体１に基板体３側とは反対側から、
活性層としての半導体層２よりも深い位置まで穿設され
ている素子分離溝５によって、電気・光学的に互に分離
され、そして、半導体発光素子D1、D2………のそれぞれ
は、基板体３が上述したように半導体基板と共通電極層
とを有している構成を有する場合、縦断面でみて、上述
した共通電極層と、上述した半導体基板と、ガイド層と
しての半導体層と、クラッド層としての半導体層と、上
述した活性層としての半導体層２（この半導体層２は、
遊端が、素子分離溝５に、実線図示のように、臨んでい
ない場合と、点線図示のように臨んでいる場合とがあ
る）と、他のクラッド層としての半導体層と、キャップ
層としての半導体層と、電極層とが、それらの順に積層
され、また、半導体発光素子D1、D2………の基板体３側
とは反対側の電極層の上面が、それに共通な平面上にあ
る、という一例構成を有する。 また、半導体発光素子形成チップ体１は、半導体発光
素子D1、D2………の、活性層としての半導体層２からみ
て基板体３側及びそれとは反対側部を、それぞれ基板部
及びキャップ部と称し、そして、それら基板部及びキャ
ップ部の厚さをそれぞれＢ及びＡとするとき、Ｂが70μ
ｍ以上の厚い厚さを有し、また、Ａが、A/Bでみて、0.1
以下という小さな値を有する。 また、上述した半導体発光素子形成チップ体１に対す
る、平らな主面７を有するヒートシンク用体６を有す
る。 そして、第４図に示すマルチビーム半導体発光装置の
場合、上述した半導体発光素子成型チップ体１が、ヒー
トシンク用体６の主面７上に、基板体３側をヒートシン
ク用体６側にして熔着手段を用いて固着搭載されてい
る。 また、第５図に示すマルチビーム半導体発光装置の場
合、半導体発光素子形成チップ体１がヒートシンク用体
６上に、基板体３側とは反対側をヒートシンク用体６側
にして、予めヒートシンク用体６上に固着して設けられ
且つ上面に半導体発光素子D1、D2………の上面に対応し
ているパッド部を有する配線層を形成している薄い絶縁
性シート８を介して、その絶縁性シート８上のパット部
に熔着手段を用いて固定することによって、固着搭載さ
れている。 以上が、従来提案されているマルチビーム半導体発光
装置の構成である。 なお、このような構成を有するマルチビーム半導体発
光装置は、多数の半導体発光素子D1、D2………を各別に
駆動させることによって、それらの活性層としての半導
体層２またはその近傍を発光部として、それら発光部か
ら、各別に、光ビームを、紙面と垂直な方向に、外部に
出射させることができ、よって、マルチビーム半導体発
光装置としての機能を有する。
ーム半導体発光装置が提案されている。 すなわち、活性層のとしての半導体層２を内部に有す
る多数の半導体発光素子D1、D2………をそれらに共通す
る基板体３上に並置して形成し且つ平らな平面４を有す
る半導体発光素子形成チップ体１を有する。 この場合、基板体３は、図示しないが、半導体基板
と、その一方の平らな主面上に形成された多数の半導体
発光素子D1、D2………に対して共通な電極層とを有し、
そして、その共通電極層の半導体基板側とは反対側の面
が半導体発光素子形成チップ体１の下面４を形成してい
る、という一例構成を有する。 また、多数の半導体発光素子D1、D2………は、半導体
発光素子形成チップ体１に基板体３側とは反対側から、
活性層としての半導体層２よりも深い位置まで穿設され
ている素子分離溝５によって、電気・光学的に互に分離
され、そして、半導体発光素子D1、D2………のそれぞれ
は、基板体３が上述したように半導体基板と共通電極層
とを有している構成を有する場合、縦断面でみて、上述
した共通電極層と、上述した半導体基板と、ガイド層と
しての半導体層と、クラッド層としての半導体層と、上
述した活性層としての半導体層２（この半導体層２は、
遊端が、素子分離溝５に、実線図示のように、臨んでい
ない場合と、点線図示のように臨んでいる場合とがあ
る）と、他のクラッド層としての半導体層と、キャップ
層としての半導体層と、電極層とが、それらの順に積層
され、また、半導体発光素子D1、D2………の基板体３側
とは反対側の電極層の上面が、それに共通な平面上にあ
る、という一例構成を有する。 また、半導体発光素子形成チップ体１は、半導体発光
素子D1、D2………の、活性層としての半導体層２からみ
て基板体３側及びそれとは反対側部を、それぞれ基板部
及びキャップ部と称し、そして、それら基板部及びキャ
ップ部の厚さをそれぞれＢ及びＡとするとき、Ｂが70μ
ｍ以上の厚い厚さを有し、また、Ａが、A/Bでみて、0.1
以下という小さな値を有する。 また、上述した半導体発光素子形成チップ体１に対す
る、平らな主面７を有するヒートシンク用体６を有す
る。 そして、第４図に示すマルチビーム半導体発光装置の
場合、上述した半導体発光素子成型チップ体１が、ヒー
トシンク用体６の主面７上に、基板体３側をヒートシン
ク用体６側にして熔着手段を用いて固着搭載されてい
る。 また、第５図に示すマルチビーム半導体発光装置の場
合、半導体発光素子形成チップ体１がヒートシンク用体
６上に、基板体３側とは反対側をヒートシンク用体６側
にして、予めヒートシンク用体６上に固着して設けられ
且つ上面に半導体発光素子D1、D2………の上面に対応し
ているパッド部を有する配線層を形成している薄い絶縁
性シート８を介して、その絶縁性シート８上のパット部
に熔着手段を用いて固定することによって、固着搭載さ
れている。 以上が、従来提案されているマルチビーム半導体発光
装置の構成である。 なお、このような構成を有するマルチビーム半導体発
光装置は、多数の半導体発光素子D1、D2………を各別に
駆動させることによって、それらの活性層としての半導
体層２またはその近傍を発光部として、それら発光部か
ら、各別に、光ビームを、紙面と垂直な方向に、外部に
出射させることができ、よって、マルチビーム半導体発
光装置としての機能を有する。
第４図に示すマルチビーム半導体発光装置の場合、半
導体発光素子形成チップ体１が、ヒートシンク用体６上
に搭載されているので、上述したマルチビーム半導体発
光装置の機能を得ているときに上述した発光部から主と
して発せられる熱を、上述した基板部を通じて、ヒート
シンク用体６に放熱させることができるので、マルチビ
ーム半導体発光装置の機能が比較的良好に得られる。 また、半導体発光素子形成チップ体１が、ヒートシン
ク用体６上に半導体発光素子D1、D2………に対して共通
な基板体３側をヒートシンク用体６側にして搭載されて
いるので、半導体発光素子形成チップ体１を、ヒートシ
ンク用体６上に容易に搭載させることができる、という
特徴を有する。 しかしながら、第４図に示すマルチビーム半導体発光
装置の場合、上述した基板部の厚さＢが、70μｍという
大きな値を有するため、上述した発光部からヒートシン
ク用体６までの間の熱抵抗が比較的大きい。 このため、上述した発光部から発せられる熱がヒート
シンク用体６に放熱されるとはいえ、発光部の温度が比
較的高い温度まで上昇し、光ビームが所期の発光強度で
得られなかったり、また、発光部が比較的早期に劣化す
る、という欠点を有していた。 また、第５図に示す従来のマルチビーム半導体発光装
置の場合も、半導体発光素子形成チップ体１が、ヒート
シンク用体６上に搭載されているので、上述したマルチ
ビーム半導体発光装置の機能を得ているときに上述した
発光部から主として発せられる熱を、上述したキャップ
部を通じてヒートシンク用体６に放熱させることができ
る。 そして、この場合、上述したキャップ部の厚さＡが、
上述したA/Bでみて0.1以下という小さな値しか有してい
ないため、上述した発光部からヒートシンク用体６まで
の間の熱抵抗が、第４図に示す従来のマルチビーム半導
体発光装置の場合に比し、小さい。 このため、第４図に示す従来のマルチビーム半導体発
光装置の場合の上述した欠点が、緩和されている。 しかしながら、第５図に示す従来のマルチビーム半導
体発光装置の場合、ヒートシンク用体６上に、上述した
薄い絶縁性シート７を設ける必要があるとともに、半導
体発光素子形成チップ体１を搭載するに当り、半導体発
光素子D1、D2………と絶縁性シート７上のパット部との
間で、煩雑な位置合せをする必要があり、また、熔着手
段に用いる熔着用材の流延によって、相隣る半導体発光
素子が短絡されたりし、よって、半導体発光素子形成チ
ップ体１を、ヒートシンク用体６に搭載するのに多くの
困難を伴うなどの欠点を有していた。 よって、本発明は、上述した欠点のない新規なマルチ
ビーム半導体発光装置を提供せんとするものである。
導体発光素子形成チップ体１が、ヒートシンク用体６上
に搭載されているので、上述したマルチビーム半導体発
光装置の機能を得ているときに上述した発光部から主と
して発せられる熱を、上述した基板部を通じて、ヒート
シンク用体６に放熱させることができるので、マルチビ
ーム半導体発光装置の機能が比較的良好に得られる。 また、半導体発光素子形成チップ体１が、ヒートシン
ク用体６上に半導体発光素子D1、D2………に対して共通
な基板体３側をヒートシンク用体６側にして搭載されて
いるので、半導体発光素子形成チップ体１を、ヒートシ
ンク用体６上に容易に搭載させることができる、という
特徴を有する。 しかしながら、第４図に示すマルチビーム半導体発光
装置の場合、上述した基板部の厚さＢが、70μｍという
大きな値を有するため、上述した発光部からヒートシン
ク用体６までの間の熱抵抗が比較的大きい。 このため、上述した発光部から発せられる熱がヒート
シンク用体６に放熱されるとはいえ、発光部の温度が比
較的高い温度まで上昇し、光ビームが所期の発光強度で
得られなかったり、また、発光部が比較的早期に劣化す
る、という欠点を有していた。 また、第５図に示す従来のマルチビーム半導体発光装
置の場合も、半導体発光素子形成チップ体１が、ヒート
シンク用体６上に搭載されているので、上述したマルチ
ビーム半導体発光装置の機能を得ているときに上述した
発光部から主として発せられる熱を、上述したキャップ
部を通じてヒートシンク用体６に放熱させることができ
る。 そして、この場合、上述したキャップ部の厚さＡが、
上述したA/Bでみて0.1以下という小さな値しか有してい
ないため、上述した発光部からヒートシンク用体６まで
の間の熱抵抗が、第４図に示す従来のマルチビーム半導
体発光装置の場合に比し、小さい。 このため、第４図に示す従来のマルチビーム半導体発
光装置の場合の上述した欠点が、緩和されている。 しかしながら、第５図に示す従来のマルチビーム半導
体発光装置の場合、ヒートシンク用体６上に、上述した
薄い絶縁性シート７を設ける必要があるとともに、半導
体発光素子形成チップ体１を搭載するに当り、半導体発
光素子D1、D2………と絶縁性シート７上のパット部との
間で、煩雑な位置合せをする必要があり、また、熔着手
段に用いる熔着用材の流延によって、相隣る半導体発光
素子が短絡されたりし、よって、半導体発光素子形成チ
ップ体１を、ヒートシンク用体６に搭載するのに多くの
困難を伴うなどの欠点を有していた。 よって、本発明は、上述した欠点のない新規なマルチ
ビーム半導体発光装置を提供せんとするものである。
本願第１番目の発明及び本願第２番目の発明によるマ
ルチビーム半導体発光装置は、第４図で上述した従来の
マルチビーム半導体発光装置の場合と同様に、活性層と
しての半導体層を内部に有する多数の半導体発光素子
を、それらに共通の基板体上に並置して形成している半
導体発光素子形成チップ体と、上記半導体発光素子形成
チップ体に対するヒートシンク用体とを有し、そして、
上記半導体発光素子形成チップ体が、上記ヒートシンク
用体上に、上記基板体側に上記ヒートシンク用体側にし
て搭載され、また、上記多数の半導体発光素子は、上記
半導体発光素子形成チップ体に上記基板体側とは反対側
から、上記活性層としての半導体層よりも深い位置まで
穿設されている素子分離用溝によって、電気・光学的に
互に分離されている、という構成を有する。 しかしながら、本願第１番目の発明によるマルチビー
ム半導体発光装置は、このような構成を有するマルチビ
ーム半導体発光装置において、上記素子分離用溝内に、
絶縁性を有する熱伝導性材が充填されている。 また、本願第２番目の発明によるマルチビーム半導体
発光装置は、上述した構成を有するマルチビーム半導体
発光装置において、上記素子分離用溝内に、薄い絶縁層
を介して、熱伝導性材が充填されている。
ルチビーム半導体発光装置は、第４図で上述した従来の
マルチビーム半導体発光装置の場合と同様に、活性層と
しての半導体層を内部に有する多数の半導体発光素子
を、それらに共通の基板体上に並置して形成している半
導体発光素子形成チップ体と、上記半導体発光素子形成
チップ体に対するヒートシンク用体とを有し、そして、
上記半導体発光素子形成チップ体が、上記ヒートシンク
用体上に、上記基板体側に上記ヒートシンク用体側にし
て搭載され、また、上記多数の半導体発光素子は、上記
半導体発光素子形成チップ体に上記基板体側とは反対側
から、上記活性層としての半導体層よりも深い位置まで
穿設されている素子分離用溝によって、電気・光学的に
互に分離されている、という構成を有する。 しかしながら、本願第１番目の発明によるマルチビー
ム半導体発光装置は、このような構成を有するマルチビ
ーム半導体発光装置において、上記素子分離用溝内に、
絶縁性を有する熱伝導性材が充填されている。 また、本願第２番目の発明によるマルチビーム半導体
発光装置は、上述した構成を有するマルチビーム半導体
発光装置において、上記素子分離用溝内に、薄い絶縁層
を介して、熱伝導性材が充填されている。
本願第１番目の発明及び本願第２番目の発明によるマ
ルチビーム半導体発光装置によれば、素子分離用溝内
に、絶縁性を有する熱伝導性材が充填されていることを
除いて、第４図で上述した従来のマルチビーム半導体発
光装置と同様の構成を有する。 また、本願第２番目の発明によるマルチビーム半導体
発光装置によれば、素子分離用溝内に、薄い絶縁層を介
して、熱伝導性材が充填されていることを除いて、第４
図で上述した従来のマルチビーム半導体発光装置と同様
の構成を有する。 このため、第４図で上述した従来のマルチビーム半導
体発光装置の場合と同様に、多数の半導体発光素子を、
各別に駆動させることによって、それらの活性層として
の半導体層またはその近傍を発光部として、それらの発
光部から、各別に光ビームを、紙面と垂直な方向に、外
部に出射させることができ、よって、第４図で上述した
従来のマルチビーム半導体発光装置の場合と同様に、マ
ルチビーム半導体発光装置としての機能を有する。 また、本願第１番目の発明及び本願第２番目の発明に
よるマルチビーム半導体発光装置の場合、半導体発光素
子形成チップ体が、ヒートシンク用体上に第４図で上述
した従来のマルチビーム半導体発光装置の場合と同様
に、多数の半導体発光素子に対して共通な基板体側をヒ
ートシンク用体側にして搭載されているので、半導体発
光素子形成チップ体を、ヒートシンク用体上に第４図で
上述した従来のマルチビーム半導体発光装置の場合と同
様に、容易に搭載させることができる。 しかしながら、本願第１番目の発明によるマルチビー
ム半導体発光装置の場合、素子分離用溝内に、絶縁性を
有する熱伝導性材が充填されているので、また、本願第
２番目の発明によるマルチビーム半導体発光装置の場
合、素子分離用溝内に、薄い絶縁層を介して、熱伝導性
材が充填されているので、本願第１番目の発明及び本願
第２番目の発明によるマルチビーム半導体発光装置の場
合も、第４図で上述したと同様に、半導体発光素子形成
チップ体の活性層としての半導体層からみて基板体側及
びそれとは反対側の部をそれぞれ基板部及びキャップ部
と称するとき、上述した発光部から発せられる熱が、基
板部による熱伝導部を通ってヒートシンク用体に放熱さ
せるとともに、キャップ部、素子分離溝内の熱伝導性材
及び基板部による熱伝導路をも通って、ヒートシンク用
体に放熱される。 このため、発光部からヒートシンク用体までの間の熱
抵抗が、第４図で上述した従来のマルチビーム半導体発
光装置の場合に比し格段的に小さい。 よって、発光部の温度が、第４図で上述したマルチビ
ーム半導体発光装置の場合のように高い温度まで上昇す
ることがなく、このため、光ビームを所期の発光強度で
得ることができ、また、発光部を長期に亘り劣化させな
くてすむという特徴を有する。
ルチビーム半導体発光装置によれば、素子分離用溝内
に、絶縁性を有する熱伝導性材が充填されていることを
除いて、第４図で上述した従来のマルチビーム半導体発
光装置と同様の構成を有する。 また、本願第２番目の発明によるマルチビーム半導体
発光装置によれば、素子分離用溝内に、薄い絶縁層を介
して、熱伝導性材が充填されていることを除いて、第４
図で上述した従来のマルチビーム半導体発光装置と同様
の構成を有する。 このため、第４図で上述した従来のマルチビーム半導
体発光装置の場合と同様に、多数の半導体発光素子を、
各別に駆動させることによって、それらの活性層として
の半導体層またはその近傍を発光部として、それらの発
光部から、各別に光ビームを、紙面と垂直な方向に、外
部に出射させることができ、よって、第４図で上述した
従来のマルチビーム半導体発光装置の場合と同様に、マ
ルチビーム半導体発光装置としての機能を有する。 また、本願第１番目の発明及び本願第２番目の発明に
よるマルチビーム半導体発光装置の場合、半導体発光素
子形成チップ体が、ヒートシンク用体上に第４図で上述
した従来のマルチビーム半導体発光装置の場合と同様
に、多数の半導体発光素子に対して共通な基板体側をヒ
ートシンク用体側にして搭載されているので、半導体発
光素子形成チップ体を、ヒートシンク用体上に第４図で
上述した従来のマルチビーム半導体発光装置の場合と同
様に、容易に搭載させることができる。 しかしながら、本願第１番目の発明によるマルチビー
ム半導体発光装置の場合、素子分離用溝内に、絶縁性を
有する熱伝導性材が充填されているので、また、本願第
２番目の発明によるマルチビーム半導体発光装置の場
合、素子分離用溝内に、薄い絶縁層を介して、熱伝導性
材が充填されているので、本願第１番目の発明及び本願
第２番目の発明によるマルチビーム半導体発光装置の場
合も、第４図で上述したと同様に、半導体発光素子形成
チップ体の活性層としての半導体層からみて基板体側及
びそれとは反対側の部をそれぞれ基板部及びキャップ部
と称するとき、上述した発光部から発せられる熱が、基
板部による熱伝導部を通ってヒートシンク用体に放熱さ
せるとともに、キャップ部、素子分離溝内の熱伝導性材
及び基板部による熱伝導路をも通って、ヒートシンク用
体に放熱される。 このため、発光部からヒートシンク用体までの間の熱
抵抗が、第４図で上述した従来のマルチビーム半導体発
光装置の場合に比し格段的に小さい。 よって、発光部の温度が、第４図で上述したマルチビ
ーム半導体発光装置の場合のように高い温度まで上昇す
ることがなく、このため、光ビームを所期の発光強度で
得ることができ、また、発光部を長期に亘り劣化させな
くてすむという特徴を有する。
【実施例１ 第１図及び第２図は、本発明によるマルチビーム半導
体発光装置の実施例を示す。 第１図及び第２図において、第４図との対応部分には
同一符号を付し、詳細説明を省略する。 第１図に示す本発明によるマルチビーム半導体発光装
置は、素子分離溝５内に、SiC、BeOなどの絶縁性を有す
る熱伝導性材10が充填され、また、第２図に示す本発明
によるマルチビーム半導体発光装置は、素子分離溝５内
に、例えば、SiO2、ポリイミドなどでなる薄い絶縁層11
を介して、Au、Ni、Cu、In、WSiなどでなる高い熱伝導
率を有する熱伝導性材12が充填されていることを除い
て、第４図で上述した従来のマルチビーム半導体発光装
置の場合と同様の構成を有する。 以上が、本発明によるマルチビーム半導体発光装置の
実施例の構成である。 このような構成を有する本発明によるマルチビーム半
導体発光装置によれば、【作用・効果】の項で上述した
優れた作用効果が得られることは明らかである。 また、第１図及び第２図に示す本発明によるマルチビ
ーム半導体発光装置の構成において、第４図で上述した
と同様の基板部の厚さＢを、60μｍ以下の値にし、ま
た、上述したと同様のキャップ部の厚さＡを、A/Bでみ
て0.3以上とすれば、基板部の厚さＢが、第４図で上述
した従来のマルチビーム半導体発光装置の場合に比し薄
く、また、キャップ部及び熱伝導性材（10,12）を通る
前述した熱伝導路に、効果的に発光部からの熱を通すこ
とができるので、上述した本発明の優れた作用効果が、
このようにしない場合に比し、格段的に向上する。 このことは、上述したA/Bに対する発光部における上
昇温度を測定したところ、第３図に示すように、A/Bが
0.3以上であるとき顕著な結果が得られるところから明
らかである。
体発光装置の実施例を示す。 第１図及び第２図において、第４図との対応部分には
同一符号を付し、詳細説明を省略する。 第１図に示す本発明によるマルチビーム半導体発光装
置は、素子分離溝５内に、SiC、BeOなどの絶縁性を有す
る熱伝導性材10が充填され、また、第２図に示す本発明
によるマルチビーム半導体発光装置は、素子分離溝５内
に、例えば、SiO2、ポリイミドなどでなる薄い絶縁層11
を介して、Au、Ni、Cu、In、WSiなどでなる高い熱伝導
率を有する熱伝導性材12が充填されていることを除い
て、第４図で上述した従来のマルチビーム半導体発光装
置の場合と同様の構成を有する。 以上が、本発明によるマルチビーム半導体発光装置の
実施例の構成である。 このような構成を有する本発明によるマルチビーム半
導体発光装置によれば、【作用・効果】の項で上述した
優れた作用効果が得られることは明らかである。 また、第１図及び第２図に示す本発明によるマルチビ
ーム半導体発光装置の構成において、第４図で上述した
と同様の基板部の厚さＢを、60μｍ以下の値にし、ま
た、上述したと同様のキャップ部の厚さＡを、A/Bでみ
て0.3以上とすれば、基板部の厚さＢが、第４図で上述
した従来のマルチビーム半導体発光装置の場合に比し薄
く、また、キャップ部及び熱伝導性材（10,12）を通る
前述した熱伝導路に、効果的に発光部からの熱を通すこ
とができるので、上述した本発明の優れた作用効果が、
このようにしない場合に比し、格段的に向上する。 このことは、上述したA/Bに対する発光部における上
昇温度を測定したところ、第３図に示すように、A/Bが
0.3以上であるとき顕著な結果が得られるところから明
らかである。
第１図及び第２図は、本発明によるマルチビーム半導体
発光装置の実施例を示す略線図である。 第３図は、半導体発光素子形成チップ体のキャップ部の
厚さＡに対する基板部の厚さＢの比に対する発光部での
上昇温度の関係を示す図である。 第４図及び第５図は、従来のマルチビーム半導体発光装
置を示す略線図である。 １……半導体発光素子形成チップ体 ２……活性層としての半導体層 ３……基板体 ５……素子分離溝 ６……ヒートシンク用体 10……熱伝導性材 11……絶縁層 12……熱伝導性材
発光装置の実施例を示す略線図である。 第３図は、半導体発光素子形成チップ体のキャップ部の
厚さＡに対する基板部の厚さＢの比に対する発光部での
上昇温度の関係を示す図である。 第４図及び第５図は、従来のマルチビーム半導体発光装
置を示す略線図である。 １……半導体発光素子形成チップ体 ２……活性層としての半導体層 ３……基板体 ５……素子分離溝 ６……ヒートシンク用体 10……熱伝導性材 11……絶縁層 12……熱伝導性材
Claims (3)
- 【請求項１】活性層としての半導体層を内部に有する多
数の半導体発光素子を、それらに共通の基板体上に並置
して形成している半導体発光素子形成チップ体と、 上記半導体発光素子形成チップ体に対するヒートシンク
用体とを有し、 上記半導体発光素子形成チップ体が、上記ヒートシンク
用体上に、上記基板体側に上記ヒートシンク用体側にし
て搭載され、 上記多数の半導体発光素子は、上記半導体発光素子形成
チップ体に上記基板体側とは反対側から、上記活性層と
しての半導体層よりも深い位置まで穿設されている素子
分離用溝によって、電気・光学的に互に分離されている
マルチビーム半導体発光装置において、 上記素子分離用溝内に、絶縁性を有する熱伝導性材が充
填されていることを特徴とするマルチビーム半導体発光
装置。 - 【請求項２】活性層としての半導体層を内部に有する多
数の半導体発光素子を、それらに共通の基板体上に並置
して形成している半導体発光素子形成チップ体と、 上記半導体発光素子形成チップ体に対するヒートシンク
用体とを有し、 上記半導体発光素子形成チップ体が、上記ヒートシンク
用体上に、上記基板体側を上記ヒートシンク用体側にし
て搭載され、 上記多数の半導体発光素子は、上記半導体発光素子形成
チップ体に上記基板体側とは反対側から、上記活性層と
しての半導体層よりも深い位置まで穿設されている素子
分離用溝によって、電気・光学的に互に分離されている
マルチビーム半導体発光装置において、 上記素子分離用溝内に、薄い絶縁層を介して、熱伝導性
材が充填されていることを特徴とするマルチビーム半導
体発光装置。 - 【請求項３】特許請求の範囲第１項または第２項記載の
マルチビーム半導体発光装置において、 上記半導体発光素子形成チップ体の、上記活性層として
の半導体層からみて上記基板体側及びそれとは反対側の
部をそれぞれ基板部及びキャップ部と称するとき、上記
基板部が、60μｍ以下の厚さを有し、 上記キャップ部が、上記基板部の0.3倍以上の厚さを有
することを特徴とするマルチビーム半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20758188A JP2691173B2 (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | マルチビーム半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20758188A JP2691173B2 (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | マルチビーム半導体発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0256986A JPH0256986A (ja) | 1990-02-26 |
| JP2691173B2 true JP2691173B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=16542126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20758188A Expired - Fee Related JP2691173B2 (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | マルチビーム半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2691173B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2953177B2 (ja) * | 1992-03-11 | 1999-09-27 | 住友電気工業株式会社 | マルチビーム半導体レーザ及びその製造方法 |
| US5513200A (en) * | 1992-09-22 | 1996-04-30 | Xerox Corporation | Monolithic array of independently addressable diode lasers |
| US5729563A (en) * | 1994-07-07 | 1998-03-17 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for optically and thermally isolating surface emitting laser diodes |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5416992A (en) * | 1977-07-07 | 1979-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | Light emitting diode |
| JPS6365258U (ja) * | 1986-10-17 | 1988-04-30 | ||
| JPS63126287A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザアレイ装置 |
| JPS63179593A (ja) * | 1987-01-21 | 1988-07-23 | Nec Corp | 半導体レ−ザアレイ装置 |
-
1988
- 1988-08-22 JP JP20758188A patent/JP2691173B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0256986A (ja) | 1990-02-26 |
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|---|---|---|---|
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