JPH10190069A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂パッケージにより発光素子チップが被覆
される半導体発光素子において、その熱放散を向上させ
ることにより、輝度の低下や色調の変動を防止し、発光
特性の優れた半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 第１のリード１と、該第１のリードのダ
イパッド部１１にボンディングされる発光素子チップ３
と、該発光素子チップの一方の電極と電気的に接続され
る第２のリード２と、前記発光素子チップおよび第２の
リードの先端部とを覆い前記発光素子チップからの光を
透過させる樹脂パッケージ５とからなり、前記第１のリ
ードのダイパッド部の近傍に放熱フィン１２および／ま
たは樹脂パッケージの底部に凹凸部が設けられている。
される半導体発光素子において、その熱放散を向上させ
ることにより、輝度の低下や色調の変動を防止し、発光
特性の優れた半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 第１のリード１と、該第１のリードのダ
イパッド部１１にボンディングされる発光素子チップ３
と、該発光素子チップの一方の電極と電気的に接続され
る第２のリード２と、前記発光素子チップおよび第２の
リードの先端部とを覆い前記発光素子チップからの光を
透過させる樹脂パッケージ５とからなり、前記第１のリ
ードのダイパッド部の近傍に放熱フィン１２および／ま
たは樹脂パッケージの底部に凹凸部が設けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子チップの
周囲が樹脂でモールドされた半導体発光素子に関する。
さらに詳しくは、発光素子チップで発生した熱を効率よ
く発散させる半導体発光素子に関する。
周囲が樹脂でモールドされた半導体発光素子に関する。
さらに詳しくは、発光素子チップで発生した熱を効率よ
く発散させる半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体発光素子は、たとえば図５
に示されるように、半導体の積層体からなる発光素子チ
ップ（以下、ＬＥＤチップという）３がアルミニウムな
どからなる第１のリード１の先端にボンディングされ、
一方の電極が第１のリード１と接続され、他方の電極が
第２のリード２と金線４などにより接続されてその周囲
がＬＥＤチップの光に対して透明な樹脂パッケージ５に
より覆われることにより形成されている。この樹脂パッ
ケージは、通常モールド金型への樹脂の流し込みなどに
より形成されており、光を集光することができるよう
に、頂部がドーム状に形成されている。そのため、樹脂
パッケージ５の全体の表面は凹凸が形成されないように
滑らかに形成されている。
に示されるように、半導体の積層体からなる発光素子チ
ップ（以下、ＬＥＤチップという）３がアルミニウムな
どからなる第１のリード１の先端にボンディングされ、
一方の電極が第１のリード１と接続され、他方の電極が
第２のリード２と金線４などにより接続されてその周囲
がＬＥＤチップの光に対して透明な樹脂パッケージ５に
より覆われることにより形成されている。この樹脂パッ
ケージは、通常モールド金型への樹脂の流し込みなどに
より形成されており、光を集光することができるよう
に、頂部がドーム状に形成されている。そのため、樹脂
パッケージ５の全体の表面は凹凸が形成されないように
滑らかに形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の樹脂パッケージ
により覆われる半導体発光素子は、前述のように光を集
光しやすくするため、樹脂パッケージの表面が滑らかに
形成されている。一方、この種のパッケージ樹脂は、Ｌ
ＥＤチップにより発光する光を透過させるエポキシ樹脂
などが一般に用いられ、熱伝導が余りよくない。そのた
め、ＬＥＤチップで発生した熱は細い第１のリードを伝
わって細々と放散される以外は樹脂パッケージに籠り、
ＬＥＤチップ自体もその温度が上昇する。とくに、ＬＥ
Ｄチップがチッ化ガリウム系化合物半導体からなる場合
は、そのバンドギャップエネルギーが大きいため、発熱
量が多く温度が上昇しやすい。ＬＥＤチップの温度が上
昇すると、ＬＥＤチップの発光効率も低下し、輝度が低
下したり、色調の変動が発生するという問題がある。
により覆われる半導体発光素子は、前述のように光を集
光しやすくするため、樹脂パッケージの表面が滑らかに
形成されている。一方、この種のパッケージ樹脂は、Ｌ
ＥＤチップにより発光する光を透過させるエポキシ樹脂
などが一般に用いられ、熱伝導が余りよくない。そのた
め、ＬＥＤチップで発生した熱は細い第１のリードを伝
わって細々と放散される以外は樹脂パッケージに籠り、
ＬＥＤチップ自体もその温度が上昇する。とくに、ＬＥ
Ｄチップがチッ化ガリウム系化合物半導体からなる場合
は、そのバンドギャップエネルギーが大きいため、発熱
量が多く温度が上昇しやすい。ＬＥＤチップの温度が上
昇すると、ＬＥＤチップの発光効率も低下し、輝度が低
下したり、色調の変動が発生するという問題がある。
【０００４】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
もので、樹脂パッケージにより発光素子チップが被覆さ
れる半導体発光素子において、その熱放散を向上させる
ことにより、輝度の低下や色調の変動を防止し、発光特
性の優れた半導体発光素子を提供することを目的とす
る。
もので、樹脂パッケージにより発光素子チップが被覆さ
れる半導体発光素子において、その熱放散を向上させる
ことにより、輝度の低下や色調の変動を防止し、発光特
性の優れた半導体発光素子を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体発光
素子は、第１のリードと、該第１のリードのダイパッド
部にボンディングされる発光素子チップと、該発光素子
チップの一方の電極と電気的に接続される第２のリード
と、前記発光素子チップおよび第２のリードの先端部と
を覆い前記発光素子チップからの光を透過させる樹脂パ
ッケージとからなり、前記第１のリードのダイパッド部
の近傍に放熱フィンが設けられている。この構造にする
ことにより、発光素子チップにより発生する熱は第１の
リードを伝わって、放熱フィンに広がり、その放熱フィ
ンから樹脂パッケージに伝わる。樹脂パッケージによる
熱の伝導はよくないが、放熱フィンにより樹脂パッケー
ジとの接触面積が大きく、樹脂側へ伝わる熱量も多くな
り、とくに発熱量の多いチッ化ガリウム系化合物半導体
を用いる発光素子チップの場合に効果的である。
素子は、第１のリードと、該第１のリードのダイパッド
部にボンディングされる発光素子チップと、該発光素子
チップの一方の電極と電気的に接続される第２のリード
と、前記発光素子チップおよび第２のリードの先端部と
を覆い前記発光素子チップからの光を透過させる樹脂パ
ッケージとからなり、前記第１のリードのダイパッド部
の近傍に放熱フィンが設けられている。この構造にする
ことにより、発光素子チップにより発生する熱は第１の
リードを伝わって、放熱フィンに広がり、その放熱フィ
ンから樹脂パッケージに伝わる。樹脂パッケージによる
熱の伝導はよくないが、放熱フィンにより樹脂パッケー
ジとの接触面積が大きく、樹脂側へ伝わる熱量も多くな
り、とくに発熱量の多いチッ化ガリウム系化合物半導体
を用いる発光素子チップの場合に効果的である。
【０００６】ここにチッ化ガリウム系化合物半導体と
は、III 族元素のＧａとＶ族元素のＮとの化合物または
III 族元素のＧａの一部がＡｌ、Ｉｎなどの他のIII 族
元素と置換したものおよび／またはＶ族元素のＮの一部
がＰ、Ａｓなどの他のＶ族元素と置換した化合物からな
る半導体をいう。
は、III 族元素のＧａとＶ族元素のＮとの化合物または
III 族元素のＧａの一部がＡｌ、Ｉｎなどの他のIII 族
元素と置換したものおよび／またはＶ族元素のＮの一部
がＰ、Ａｓなどの他のＶ族元素と置換した化合物からな
る半導体をいう。
【０００７】前記樹脂パッケージの底部に凹凸部が形成
されていることが、樹脂からの放熱効果を助長するのに
効果がある。この凹凸部は、たとえば樹脂パッケージの
底面に溝が平行に設けられることにより形成されてもよ
いし、樹脂パッケージの側壁の底部に縦方向に溝が設け
られ、その溝が円周方向に複数個設けられてもよい。
されていることが、樹脂からの放熱効果を助長するのに
効果がある。この凹凸部は、たとえば樹脂パッケージの
底面に溝が平行に設けられることにより形成されてもよ
いし、樹脂パッケージの側壁の底部に縦方向に溝が設け
られ、その溝が円周方向に複数個設けられてもよい。
【０００８】本発明の半導体発光素子の他の形態は、第
１のリードと、該第１のリードのダイパッド部にボンデ
ィングされる発光素子チップと、該発光素子チップの一
方の電極と電気的に接続される第２のリードと、前記発
光素子チップおよび第２のリードの先端部とを覆い前記
発光素子チップからの光を透過させる樹脂パッケージと
からなり、前記樹脂パッケージの底部に凹凸部が形成さ
れている。この構造であれば、第１のリードから樹脂パ
ッケージへの熱の伝導は少ないが、樹脂パッケージに伝
導した熱は効率よく外部に放散される。この場合、発光
素子が取り付けられる回路基板側に樹脂パッケージの凹
凸部と嵌合する凸凹部が設けられておれば、樹脂パッケ
ージから回路基板への熱伝導による熱の逃げが生じ、一
層の熱放散の効果がある。
１のリードと、該第１のリードのダイパッド部にボンデ
ィングされる発光素子チップと、該発光素子チップの一
方の電極と電気的に接続される第２のリードと、前記発
光素子チップおよび第２のリードの先端部とを覆い前記
発光素子チップからの光を透過させる樹脂パッケージと
からなり、前記樹脂パッケージの底部に凹凸部が形成さ
れている。この構造であれば、第１のリードから樹脂パ
ッケージへの熱の伝導は少ないが、樹脂パッケージに伝
導した熱は効率よく外部に放散される。この場合、発光
素子が取り付けられる回路基板側に樹脂パッケージの凹
凸部と嵌合する凸凹部が設けられておれば、樹脂パッケ
ージから回路基板への熱伝導による熱の逃げが生じ、一
層の熱放散の効果がある。
【０００９】
【発明の実施の形態】つぎに、図面を参照しながら本発
明の半導体発光素子について説明をする。
明の半導体発光素子について説明をする。
【００１０】本発明の半導体発光素子は、図１に示され
るように、第１のリード１の先端部にＬＥＤチップ３が
ボンディングされ、図示しない一方の電極は第１のリー
ド１と電気的に接続され、他方の電極が第２のリード２
と金線４により電気的に接続されて、その周囲が樹脂パ
ッケージ５により覆われている。この実施形態の半導体
発光素子は、第１のリード１のダイパッド部１１の下側
の棒状部１３に放熱フィン１２が形成されていることに
特徴がある。
るように、第１のリード１の先端部にＬＥＤチップ３が
ボンディングされ、図示しない一方の電極は第１のリー
ド１と電気的に接続され、他方の電極が第２のリード２
と金線４により電気的に接続されて、その周囲が樹脂パ
ッケージ５により覆われている。この実施形態の半導体
発光素子は、第１のリード１のダイパッド部１１の下側
の棒状部１３に放熱フィン１２が形成されていることに
特徴がある。
【００１１】第１のリード１は、たとえば太さが０.５
〜２ｍｍ程度のアルミニウム棒の棒状部１３の先端部に
内面が湾曲上に形成されたダイパッド部１１が設けら
れ、そのダイパッド部１１の下側に放熱フィン１２が複
数個設けられている。このダイパッド部１１は、棒状部
１３の先端側から成形ジグを押し付けることにより湾曲
状に形成され、横方向に放射される光も効果的に発光面
側に反射させることができる。また、放熱フィン１２
は、図１（ｂ）に示されるように、外径が２〜５ｍｍ程
度で、厚さが０.５〜１ｍｍ程度の円板状のものを第１
のリード１に取り付けることにより形成される。第２の
リード２も第１のリード１と同様に、たとえばアルミニ
ウム板や銅板などを成形加工したリードフレームに形成
されている。
〜２ｍｍ程度のアルミニウム棒の棒状部１３の先端部に
内面が湾曲上に形成されたダイパッド部１１が設けら
れ、そのダイパッド部１１の下側に放熱フィン１２が複
数個設けられている。このダイパッド部１１は、棒状部
１３の先端側から成形ジグを押し付けることにより湾曲
状に形成され、横方向に放射される光も効果的に発光面
側に反射させることができる。また、放熱フィン１２
は、図１（ｂ）に示されるように、外径が２〜５ｍｍ程
度で、厚さが０.５〜１ｍｍ程度の円板状のものを第１
のリード１に取り付けることにより形成される。第２の
リード２も第１のリード１と同様に、たとえばアルミニ
ウム板や銅板などを成形加工したリードフレームに形成
されている。
【００１２】ＬＥＤチップ３は、たとえば青色系（紫外
線から黄色）の発光色を有するチップの一例の断面図が
図２に示されるように形成される。すなわち、たとえば
サファイア（Ａｌ2 Ｏ3 単結晶）などからなる基板３１
の表面に、ＧａＮからなる低温バッファ層３２が０.０
１〜０.２μｍ程度、クラッド層となるｎ形層３３が１
〜５μｍ程度、ＩｎＧａＮ系（ＩｎとＧａの比率が種々
変わり得ることを意味する、以下同じ）化合物半導体か
らなる活性層３４が０.００５〜０.３μｍ程度、ｐ形の
ＡｌＧａＮ系（ＡｌとＧａの比率が種々変わり得ること
を意味する、以下同じ）化合物半導体層３５ａおよびＧ
ａＮ層３５ｂからなるｐ形層（クラッド層）３５が０.
２〜１μｍ程度、それぞれ順次積層されて、その表面に
拡散メタル層３７を介してｐ側電極（上部電極）３８が
形成されている。また、積層された半導体層３３〜３５
の一部が除去されて露出したｎ形層３３にｎ側電極（下
部電極）３９が設けられることにより形成されている。
線から黄色）の発光色を有するチップの一例の断面図が
図２に示されるように形成される。すなわち、たとえば
サファイア（Ａｌ2 Ｏ3 単結晶）などからなる基板３１
の表面に、ＧａＮからなる低温バッファ層３２が０.０
１〜０.２μｍ程度、クラッド層となるｎ形層３３が１
〜５μｍ程度、ＩｎＧａＮ系（ＩｎとＧａの比率が種々
変わり得ることを意味する、以下同じ）化合物半導体か
らなる活性層３４が０.００５〜０.３μｍ程度、ｐ形の
ＡｌＧａＮ系（ＡｌとＧａの比率が種々変わり得ること
を意味する、以下同じ）化合物半導体層３５ａおよびＧ
ａＮ層３５ｂからなるｐ形層（クラッド層）３５が０.
２〜１μｍ程度、それぞれ順次積層されて、その表面に
拡散メタル層３７を介してｐ側電極（上部電極）３８が
形成されている。また、積層された半導体層３３〜３５
の一部が除去されて露出したｎ形層３３にｎ側電極（下
部電極）３９が設けられることにより形成されている。
【００１３】このＬＥＤチップ３が図１に示されるよう
に、第１のリード１のダイパッド１１部に銀ペーストな
どの接着剤によりボンディングされ、図示されていない
がＬＥＤチップ３のｎ側電極３９（図２参照）とダイパ
ッド部１１とが図示しない金線により電気的に接続さ
れ、ＬＥＤチップ３のｐ側電極３８と第２のリード２の
先端部とが金線４によりワイヤボンディングされて電気
的に接続されている。そして、その周囲がエポキシ樹脂
によりモールドされることにより、樹脂パッケージ５で
被覆された本発明の半導体発光素子が得られる。樹脂パ
ッケージ５は、図１に示されるように、発光面側が凸レ
ンズになるようにドーム形状に形成されている。また、
このエポキシ樹脂は、ＬＥＤチップ３により発光する光
を透過する透明または乳白色の樹脂が用いられる。
に、第１のリード１のダイパッド１１部に銀ペーストな
どの接着剤によりボンディングされ、図示されていない
がＬＥＤチップ３のｎ側電極３９（図２参照）とダイパ
ッド部１１とが図示しない金線により電気的に接続さ
れ、ＬＥＤチップ３のｐ側電極３８と第２のリード２の
先端部とが金線４によりワイヤボンディングされて電気
的に接続されている。そして、その周囲がエポキシ樹脂
によりモールドされることにより、樹脂パッケージ５で
被覆された本発明の半導体発光素子が得られる。樹脂パ
ッケージ５は、図１に示されるように、発光面側が凸レ
ンズになるようにドーム形状に形成されている。また、
このエポキシ樹脂は、ＬＥＤチップ３により発光する光
を透過する透明または乳白色の樹脂が用いられる。
【００１４】本発明の半導体発光素子によれば、第１の
リード１のダイパッド部１１のすぐ下に放熱フィン１２
が設けられている。そのため、ＬＥＤチップ３により発
生した熱が第１のリード１を伝わって放熱フィン１２の
方に伝導し、放熱フィン１２の周囲を被覆する樹脂パッ
ケージ５に伝達する。樹脂パッケージ５を構成する樹脂
は、前述のようにＬＥＤチップ３の光を透過させる必要
があり、材料がある程度限定され、余り熱伝導のよいも
のを使用することができないが、放熱フィン１２による
広い面積で樹脂パッケージ５と接触しているため、多く
の熱が樹脂パッケージ５に伝達される。しかも放熱フィ
ン１２の先端は樹脂パッケージ５の外壁に近いところま
で延びているため、樹脂パッケージ５内を伝達する距離
が短く、樹脂パッケージ５の表面から効果的に放熱され
る。
リード１のダイパッド部１１のすぐ下に放熱フィン１２
が設けられている。そのため、ＬＥＤチップ３により発
生した熱が第１のリード１を伝わって放熱フィン１２の
方に伝導し、放熱フィン１２の周囲を被覆する樹脂パッ
ケージ５に伝達する。樹脂パッケージ５を構成する樹脂
は、前述のようにＬＥＤチップ３の光を透過させる必要
があり、材料がある程度限定され、余り熱伝導のよいも
のを使用することができないが、放熱フィン１２による
広い面積で樹脂パッケージ５と接触しているため、多く
の熱が樹脂パッケージ５に伝達される。しかも放熱フィ
ン１２の先端は樹脂パッケージ５の外壁に近いところま
で延びているため、樹脂パッケージ５内を伝達する距離
が短く、樹脂パッケージ５の表面から効果的に放熱され
る。
【００１５】図３は本発明の半導体発光素子の別の実施
形態を示す図である。この例は、樹脂パッケージ５の底
部に凹凸部５１を形成することにより、樹脂パッケージ
５からの放熱効果を向上させたものである。図３に示さ
れる例は、凹凸部５１が樹脂パッケージ５の底面からた
とえば幅Ａが１〜２ｍｍ程度で、深さＢが１〜６ｍｍ程
度に形成されたものである。図３において、図１と同じ
部分には同じ符号を付してその説明を省略する。
形態を示す図である。この例は、樹脂パッケージ５の底
部に凹凸部５１を形成することにより、樹脂パッケージ
５からの放熱効果を向上させたものである。図３に示さ
れる例は、凹凸部５１が樹脂パッケージ５の底面からた
とえば幅Ａが１〜２ｍｍ程度で、深さＢが１〜６ｍｍ程
度に形成されたものである。図３において、図１と同じ
部分には同じ符号を付してその説明を省略する。
【００１６】図３に示される例では、第１のリード１に
は放熱フィンが設けられていないが、図１に示される例
のように、放熱フィンが設けられることにより、ＬＥＤ
チップ３により発生する熱を効率よく樹脂パッケージ５
に伝熱し、樹脂パッケージ５に伝達された熱をさらに効
率よく放散する。
は放熱フィンが設けられていないが、図１に示される例
のように、放熱フィンが設けられることにより、ＬＥＤ
チップ３により発生する熱を効率よく樹脂パッケージ５
に伝熱し、樹脂パッケージ５に伝達された熱をさらに効
率よく放散する。
【００１７】図４は樹脂パッケージ５からの放熱効果を
向上させる他の例を示す図で、この例も樹脂パッケージ
５の底部に凹凸部５２が設けられている例であるが、こ
の凹凸部５２は、樹脂パッケージ５の側面の底面側にた
とえば幅Ｃが１〜３ｍｍ程度、長さＤが１〜６ｍｍ程
度、深さＥが１〜３ｍｍ程度に形成されている。このよ
うな凹凸部５２でも、樹脂パッケージ５の表面積が大き
くなり、効率よく放熱される。図４においても、図１と
同じ部分には同じ符号を付してその説明を省略する。
向上させる他の例を示す図で、この例も樹脂パッケージ
５の底部に凹凸部５２が設けられている例であるが、こ
の凹凸部５２は、樹脂パッケージ５の側面の底面側にた
とえば幅Ｃが１〜３ｍｍ程度、長さＤが１〜６ｍｍ程
度、深さＥが１〜３ｍｍ程度に形成されている。このよ
うな凹凸部５２でも、樹脂パッケージ５の表面積が大き
くなり、効率よく放熱される。図４においても、図１と
同じ部分には同じ符号を付してその説明を省略する。
【００１８】図３〜４に示される例は、樹脂パッケージ
に凹凸部が設けられることにより、樹脂パッケージの表
面積を大きくして放熱効果を向上させているが、この半
導体発光素子が取り付けられる基板に前述の凹凸部と嵌
合する凸凹部が設けられることにより、熱伝導のよい基
板側と広い面積で接触して伝熱により樹脂パッケージの
熱を基板側に一層効率的に放散することができる。
に凹凸部が設けられることにより、樹脂パッケージの表
面積を大きくして放熱効果を向上させているが、この半
導体発光素子が取り付けられる基板に前述の凹凸部と嵌
合する凸凹部が設けられることにより、熱伝導のよい基
板側と広い面積で接触して伝熱により樹脂パッケージの
熱を基板側に一層効率的に放散することができる。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、半導体発光素子のチッ
プから発生する熱を効率よく外部に放散させることがで
きるため、チッ化ガリウム系化合物半導体を用いた青色
系の発光素子のように、動作電圧の高い半導体発光素子
でも、発光素子チップに熱が籠ることがない。その結
果、素子の輝度低下や、色調変動を来すことがなく、高
特性の発光素子が得られる。しかも、熱による半導体層
の劣化も生じないため、寿命も長く、信頼性が向上す
る。
プから発生する熱を効率よく外部に放散させることがで
きるため、チッ化ガリウム系化合物半導体を用いた青色
系の発光素子のように、動作電圧の高い半導体発光素子
でも、発光素子チップに熱が籠ることがない。その結
果、素子の輝度低下や、色調変動を来すことがなく、高
特性の発光素子が得られる。しかも、熱による半導体層
の劣化も生じないため、寿命も長く、信頼性が向上す
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体発光素子の一実施形態の断面お
よび底面の説明図である。
よび底面の説明図である。
【図２】図１のＬＥＤチップの一例の断面説明図であ
る。
る。
【図３】本発明の半導体発光素子の他の実施形態の断面
および底面の説明図である。
および底面の説明図である。
【図４】本発明の半導体発光素子の他の実施形態の断面
および底面の説明図である。
および底面の説明図である。
【図５】従来の半導体発光素子の一例の説明図である。
１ 第１のリード ２ 第２のリード ３ ＬＥＤチップ ５ 樹脂パッケージ １１ ダイパッド部 １２ 放熱フィン ５１ 凹凸部 ５２ 凹凸部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 園部 雅之 京都市右京区西院溝崎町21番地 ローム株 式会社内 (72)発明者 伊藤 範和 京都市右京区西院溝崎町21番地 ローム株 式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 第１のリードと、該第１のリードのダイ
パッド部にボンディングされる発光素子チップと、該発
光素子チップの一方の電極と電気的に接続される第２の
リードと、前記発光素子チップおよび第２のリードの先
端部とを覆い前記発光素子チップからの光を透過させる
樹脂パッケージとからなり、前記第１のリードのダイパ
ッド部の近傍に放熱フィンが設けられてなる半導体発光
素子。 - 【請求項２】 前記樹脂パッケージの底部に凹凸部が形
成されてなる請求項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項３】 第１のリードと、該第１のリードのダイ
パッド部にボンディングされる発光素子チップと、該発
光素子チップの一方の電極と電気的に接続される第２の
リードと、前記発光素子チップおよび第２のリードの先
端部とを覆い前記発光素子チップからの光を透過させる
樹脂パッケージとからなり、前記樹脂パッケージの底部
に凹凸部が形成されてなる半導体発光素子。 - 【請求項４】 前記第１および第２のリードが挿入され
るスルーホールを有する基板を有し、該基板に前記凹凸
部と嵌合しうる凸凹部が設けられてなる請求項３記載の
半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34293996A JPH10190069A (ja) | 1996-12-24 | 1996-12-24 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34293996A JPH10190069A (ja) | 1996-12-24 | 1996-12-24 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10190069A true JPH10190069A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=18357693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34293996A Pending JPH10190069A (ja) | 1996-12-24 | 1996-12-24 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10190069A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005043637A1 (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-12 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | 発光装置 |
| JP2005283563A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-10-13 | Ccs Inc | 光照射装置 |
| JP2008533716A (ja) * | 2005-03-11 | 2008-08-21 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | 直列接続された発光セルのアレイを有する発光ダイオードパッケージ |
| CN100438093C (zh) * | 2003-10-31 | 2008-11-26 | 丰田合成株式会社 | 发光器件 |
| JP2009200209A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Anritsu Corp | 半導体レーザ用パッケージおよび半導体レーザモジュール |
| US7948002B2 (en) * | 2005-11-21 | 2011-05-24 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting element |
| US8183592B2 (en) | 2004-12-14 | 2012-05-22 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting device having a pluralilty of light emitting cells and package mounting the same |
-
1996
- 1996-12-24 JP JP34293996A patent/JPH10190069A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100438093C (zh) * | 2003-10-31 | 2008-11-26 | 丰田合成株式会社 | 发光器件 |
| WO2005043637A1 (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-12 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | 発光装置 |
| JP2005283563A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-10-13 | Ccs Inc | 光照射装置 |
| JP4488873B2 (ja) * | 2004-03-02 | 2010-06-23 | シーシーエス株式会社 | 光照射装置 |
| US8536612B2 (en) | 2004-12-14 | 2013-09-17 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting device having a pluralilty of light emitting cells and package mounting the same |
| US8183592B2 (en) | 2004-12-14 | 2012-05-22 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting device having a pluralilty of light emitting cells and package mounting the same |
| US8227272B2 (en) | 2004-12-14 | 2012-07-24 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting device having a pluralilty of light emitting cells and package mounting the same |
| JP2008533716A (ja) * | 2005-03-11 | 2008-08-21 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | 直列接続された発光セルのアレイを有する発光ダイオードパッケージ |
| US8937326B2 (en) | 2005-03-11 | 2015-01-20 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | LED package having an array of light emitting cells coupled in series |
| US7948002B2 (en) * | 2005-11-21 | 2011-05-24 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting element |
| US8350287B2 (en) | 2005-11-21 | 2013-01-08 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting element |
| US8350286B2 (en) | 2005-11-21 | 2013-01-08 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting element |
| US8759869B2 (en) | 2005-11-21 | 2014-06-24 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting element |
| US9276182B2 (en) | 2005-11-21 | 2016-03-01 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting element |
| JP2009200209A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Anritsu Corp | 半導体レーザ用パッケージおよび半導体レーザモジュール |
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