JPS63126287A - 半導体レ−ザアレイ装置 - Google Patents
半導体レ−ザアレイ装置Info
- Publication number
- JPS63126287A JPS63126287A JP27250286A JP27250286A JPS63126287A JP S63126287 A JPS63126287 A JP S63126287A JP 27250286 A JP27250286 A JP 27250286A JP 27250286 A JP27250286 A JP 27250286A JP S63126287 A JPS63126287 A JP S63126287A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- layer
- active layer
- etching
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 101150110330 CRAT gene Proteins 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は多波長の半導体レーザアレイ装置に関するもの
である。
である。
従来の技術
近年、可視光半導体レーザは光ディスクや光プリンタ用
光源として使用されている。結晶材料としては、ＡｌＧ
ａＡｓ系、 ＡｌＧａＩｎＰ系やＩ ｎＧａＡｓ Ｐ系
のものがある。Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ系はすでに波長
７８０ｎｍのものがコンパクトディスク用光源として実
用化されている。一方、レーザ光の波長が短いほど集光
スポット径を小さくでき光ディスクの記録密度は向上す
るため、発振波長の短波長化の研究が進められており、
最近特に６８０〜６９０ｎｍの波長範囲で発振可能なＡ
ｌＧａ１ｎＰ系が注目されている。
光源として使用されている。結晶材料としては、ＡｌＧ
ａＡｓ系、 ＡｌＧａＩｎＰ系やＩ ｎＧａＡｓ Ｐ系
のものがある。Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ系はすでに波長
７８０ｎｍのものがコンパクトディスク用光源として実
用化されている。一方、レーザ光の波長が短いほど集光
スポット径を小さくでき光ディスクの記録密度は向上す
るため、発振波長の短波長化の研究が進められており、
最近特に６８０〜６９０ｎｍの波長範囲で発振可能なＡ
ｌＧａ１ｎＰ系が注目されている。
他方、半導体レーザの用途の拡大にともない、同一チッ
プ上に構成された２つの異なる波長の光を放射する三波
長レーザに対する要求も高まりつつある。三波長レーザ
によると消録再可能な光ディスクや１本のファイバーで
複数の信号を同時に伝送する波長多重通信が可能となる
。
プ上に構成された２つの異なる波長の光を放射する三波
長レーザに対する要求も高まりつつある。三波長レーザ
によると消録再可能な光ディスクや１本のファイバーで
複数の信号を同時に伝送する波長多重通信が可能となる
。
この三波長レーザを実現するため、従来よりいくつかの
構造が提案されている。第３図は従来のＡｌＧａＡｓ系
二波長レー三波長例をＡＩ Ｇａ Ｉ ｎ Ｐ 系材
料で示した断面図である。第３図において１はｎ型Ｇ
ａ Ａ ｇ基板、２はｎ型（Ａｌｘ”１−ｘ）０．５
”０．５ ”クラッド層、３はノンドープ（ＡｌｙＧａ
１−ｙ）０．５ Ｉｎｏ、ｓ Ｐ活性層、４はｐ型（Ａ
ｌｘＧａ１−、）。、６Ｉｎ。、６Ｐクラッド層、５は
ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ分離層、６はＰ型（Ａｌｌ ！ｔ
Ｇａ １−ｘｒ ）ｏ 、 ６Ｉ ｎｏ 、 ｓ Ｐク
ラッド層、７はノンドープ（ＡｌｘＧａ１１− ｙ／
）ｏ、 ６Ｉ ｎｏ 、 ｓ Ｐ層、８はｎ型（Ａ６
ｘｔ Ｇａ １− ｘ／ ） ０．６ Ｉ ｎ ｏ、
ｓ Ｐクラッド層、９はｎ型ＧａＡｓキャップ層、１０
はｐ側オーミック電極、１１はｎ側オーミック電極（レ
ーザ１）。
構造が提案されている。第３図は従来のＡｌＧａＡｓ系
二波長レー三波長例をＡＩ Ｇａ Ｉ ｎ Ｐ 系材
料で示した断面図である。第３図において１はｎ型Ｇ
ａ Ａ ｇ基板、２はｎ型（Ａｌｘ”１−ｘ）０．５
”０．５ ”クラッド層、３はノンドープ（ＡｌｙＧａ
１−ｙ）０．５ Ｉｎｏ、ｓ Ｐ活性層、４はｐ型（Ａ
ｌｘＧａ１−、）。、６Ｉｎ。、６Ｐクラッド層、５は
ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ分離層、６はＰ型（Ａｌｌ ！ｔ
Ｇａ １−ｘｒ ）ｏ 、 ６Ｉ ｎｏ 、 ｓ Ｐク
ラッド層、７はノンドープ（ＡｌｘＧａ１１− ｙ／
）ｏ、 ６Ｉ ｎｏ 、 ｓ Ｐ層、８はｎ型（Ａ６
ｘｔ Ｇａ １− ｘ／ ） ０．６ Ｉ ｎ ｏ、
ｓ Ｐクラッド層、９はｎ型ＧａＡｓキャップ層、１０
はｐ側オーミック電極、１１はｎ側オーミック電極（レ
ーザ１）。
１２もｎ側オーミック電極（レーザ２）である。
以上の様に構成された従来の二波長レーザは通常の二重
ヘテロ構造のレーザを２段に積み重ねたもので、あらか
じめエピタキシャル成長の際に、活性層３と活性層７の
Ａｌの添加量を変えておけば、レーザ１とレーザ２から
異なる波長のレーザ光が得られる。
ヘテロ構造のレーザを２段に積み重ねたもので、あらか
じめエピタキシャル成長の際に、活性層３と活性層７の
Ａｌの添加量を変えておけば、レーザ１とレーザ２から
異なる波長のレーザ光が得られる。
発明が解決しようとする問題点
この様な従来の構成では、次に述べる様な問題点を有し
ている。まず、通常の半導体レーザに比べてエピタキシ
ャル層の数が多いため成長装置が大がかりとなる。また
、２つのレーザを駆動するためのエツチングや電極形成
等のプロセスが非常に複雑となシ、素子の歩留りやスル
ーブツトが低下する。
ている。まず、通常の半導体レーザに比べてエピタキシ
ャル層の数が多いため成長装置が大がかりとなる。また
、２つのレーザを駆動するためのエツチングや電極形成
等のプロセスが非常に複雑となシ、素子の歩留りやスル
ーブツトが低下する。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するため、有機金属を含んだ
原料ガスを用いて気相成長させたＩ ｎ ｏ、 ｓ Ｇ
ａｏ 、 ｓ Ｐエピタキシャル層を活性層とし、前記
活性層内に高濃度不純物領域と低濃度不純物領域を所定
の間隔を隔てて設け、それぞれの領域に駆動電流を注入
することを特徴とするものである。
原料ガスを用いて気相成長させたＩ ｎ ｏ、 ｓ Ｇ
ａｏ 、 ｓ Ｐエピタキシャル層を活性層とし、前記
活性層内に高濃度不純物領域と低濃度不純物領域を所定
の間隔を隔てて設け、それぞれの領域に駆動電流を注入
することを特徴とするものである。
作 用
この技術的手段による作用は次の様になる。すがら、気
相成長させたＩ ｎ ０． ａＧａ ｏ 、 ｓ Ｐエ
ピタキシャル層の禁制帯エネルギー幅の特異性を利用す
ることで二つの異なる波長の得られる三波長半導体レー
ザアレイ装置が実現できる。
相成長させたＩ ｎ ０． ａＧａ ｏ 、 ｓ Ｐエ
ピタキシャル層の禁制帯エネルギー幅の特異性を利用す
ることで二つの異なる波長の得られる三波長半導体レー
ザアレイ装置が実現できる。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面に基づいて説明す
る。第１図は本発明の一実施例における半導体レーザア
レイ装置の断面図である。
る。第１図は本発明の一実施例における半導体レーザア
レイ装置の断面図である。
ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板１上にトリメチルインジウム（
ＴＭＩ）、）リエチルガリウム（ＴＥＧ） とホスフ
ィン（ＰＨ３）を用いた気相成長法によりｎ型（Ａｌｘ
Ｇａ１−ｘ）ｏ、ｓ Ｉｎｏ、 ６Ｐ クラッド＃
２ （１μｍ）、／７ドープＩｎｏ、６Ｇａ０．６Ｐ活
性層１３ （０，１皿） 。
ＴＭＩ）、）リエチルガリウム（ＴＥＧ） とホスフ
ィン（ＰＨ３）を用いた気相成長法によりｎ型（Ａｌｘ
Ｇａ１−ｘ）ｏ、ｓ Ｉｎｏ、 ６Ｐ クラッド＃
２ （１μｍ）、／７ドープＩｎｏ、６Ｇａ０．６Ｐ活
性層１３ （０，１皿） 。
ｐ型（Ａｌｃ”１−ｘ）０．５”０．５Ｐクラッド層４
（１μｍ）、ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓキャップ層１４ （１
μｍ）を順次エピタキシャル成長する。この時、エピタ
キシャル成長は１００Ｔｏｘｒの減圧下で成長温度７０
０℃、Ｖ／ＩＩＩ比２ｏｏの条件で行なう。成長速度は
各層で１ 、０／Ｉｍ／ｈである。
（１μｍ）、ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓキャップ層１４ （１
μｍ）を順次エピタキシャル成長する。この時、エピタ
キシャル成長は１００Ｔｏｘｒの減圧下で成長温度７０
０℃、Ｖ／ＩＩＩ比２ｏｏの条件で行なう。成長速度は
各層で１ 、０／Ｉｍ／ｈである。
次に表面のｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ層１４をストライブ状に
２ｏｏμｍ間隔で０．６μｍエツチングした後、表面よ
りｐ型不純物である亜鉛（Ｚｎ）をストライプ状に２０
０μｍ間隔で選択拡散し、拡散フロントがｎ型Ｇ ａ
Ａ ｓキャップ層１４を０．６μｍエツチングした領域
（レーザＡ）でノンドープＩｎ００６Ｇａ０．６Ｐ活性
層１３に達するようにする。この時、ｎ型Ｇ ａ Ａ
ｓキャップ層１４をエツチングしていない領域（レーザ
Ｂ）ではｐ型（”ｘＧ’１−ｘ）０．５ 工ｎＯ，６Ｐ
クラッド層４に達している。その後、これら２つの領域
間の分離エツチングを行ない、さらに分離エツチングで
形成された溝の壁に絶縁膜１６、例えばＳ ｉＯ２を形
成する。その後、ｐ側電極用金属、例えばＣｒ／Ａ ｕ
を蒸着し、レーザＡ、Ｂの２つの領域でそれぞれレーザ
駆動できるようにエツチングにより分離し、ｐ側オーミ
ック電極１６を形成する。ｎ型Ｇ ａ Ａ ａ基板１側
にはｎ側電極用金属、例えばＡｕＧｅ／Ａｕを蒸着し、
合金処理を行ってｎ側オーミック電極１ｏを形成する。
２ｏｏμｍ間隔で０．６μｍエツチングした後、表面よ
りｐ型不純物である亜鉛（Ｚｎ）をストライプ状に２０
０μｍ間隔で選択拡散し、拡散フロントがｎ型Ｇ ａ
Ａ ｓキャップ層１４を０．６μｍエツチングした領域
（レーザＡ）でノンドープＩｎ００６Ｇａ０．６Ｐ活性
層１３に達するようにする。この時、ｎ型Ｇ ａ Ａ
ｓキャップ層１４をエツチングしていない領域（レーザ
Ｂ）ではｐ型（”ｘＧ’１−ｘ）０．５ 工ｎＯ，６Ｐ
クラッド層４に達している。その後、これら２つの領域
間の分離エツチングを行ない、さらに分離エツチングで
形成された溝の壁に絶縁膜１６、例えばＳ ｉＯ２を形
成する。その後、ｐ側電極用金属、例えばＣｒ／Ａ ｕ
を蒸着し、レーザＡ、Ｂの２つの領域でそれぞれレーザ
駆動できるようにエツチングにより分離し、ｐ側オーミ
ック電極１６を形成する。ｎ型Ｇ ａ Ａ ａ基板１側
にはｎ側電極用金属、例えばＡｕＧｅ／Ａｕを蒸着し、
合金処理を行ってｎ側オーミック電極１ｏを形成する。
ところで、１００Ｔｏｒｒの減圧下でＴｌｖｌＩ 、
ＴＥＣｉとＰＨ３を用いた気相成長法で得られるＩ ｎ
ｏ 、 ５Ｇａｏ、 ｓ Ｐエピタキシャル層の禁制帯
エネルギー幅は、成長温度やＶ／ＩＩＩ比によって変化
することが知られている。第２図にＶ／ＩＩＩ比が２０
０１の場合の７オトルミネツセンス法によるバンド端の
ピークエネルギーと成長温度の関係を示す。ピークエネ
ルギーは成長温度が６５０〜７００’Ｃで特異的に変化
し、１．８６ｅＶと約５０ｍｅＶ低エネルギ゛−側に移
動する。この様な現象は成長時の結晶表面での成長機構
が変化を受け、ＧａとＩｎの原子配列が異なることによ
ると考えられている。一方、成長温度が７００’Ｃ１Ｖ
／ＩＩＩ比が２０ｏの場合、Ｚｎを高濃度にドーピング
するとピークエネルギーが約６０ｍｅＶ高エネルギー側
に移動する。
ＴＥＣｉとＰＨ３を用いた気相成長法で得られるＩ ｎ
ｏ 、 ５Ｇａｏ、 ｓ Ｐエピタキシャル層の禁制帯
エネルギー幅は、成長温度やＶ／ＩＩＩ比によって変化
することが知られている。第２図にＶ／ＩＩＩ比が２０
０１の場合の７オトルミネツセンス法によるバンド端の
ピークエネルギーと成長温度の関係を示す。ピークエネ
ルギーは成長温度が６５０〜７００’Ｃで特異的に変化
し、１．８６ｅＶと約５０ｍｅＶ低エネルギ゛−側に移
動する。この様な現象は成長時の結晶表面での成長機構
が変化を受け、ＧａとＩｎの原子配列が異なることによ
ると考えられている。一方、成長温度が７００’Ｃ１Ｖ
／ＩＩＩ比が２０ｏの場合、Ｚｎを高濃度にドーピング
するとピークエネルギーが約６０ｍｅＶ高エネルギー側
に移動する。
本発明はこの様な特異的な現象を積極的に利用したもの
で、以上の様な本実施例によれば、Ｉ ｎ ｏ 、 ６
Ｇ ａ ｏ 、 ｓ Ｐ活性層にＺｎを拡散したレーザ
Ｂの領域及びそうでないレーザＡの領域を形成し、それ
ぞれの領域に電流を注入することによって、低しきい値
電流で動作する発振波長が６８０ｎｍ（レーザＡ）と６
６０ｎｍ（レーザＢ）の三波長レーザアレイが容易に実
現できた。
で、以上の様な本実施例によれば、Ｉ ｎ ｏ 、 ６
Ｇ ａ ｏ 、 ｓ Ｐ活性層にＺｎを拡散したレーザ
Ｂの領域及びそうでないレーザＡの領域を形成し、それ
ぞれの領域に電流を注入することによって、低しきい値
電流で動作する発振波長が６８０ｎｍ（レーザＡ）と６
６０ｎｍ（レーザＢ）の三波長レーザアレイが容易に実
現できた。
本実施例は本発明を制限するものでない。すなわち、高
濃度不純物領域は、光照射による選択ドーピングにより
形成してもよく、ドーパントにはＺｎ以外のＣｄやＭｑ
を用いてもよい。なお、ここでは三波長レーザアレイに
限定して説明したが、活性層内の不純物濃度の制御によ
り多波長レーザアレイへの展開も可能である。
濃度不純物領域は、光照射による選択ドーピングにより
形成してもよく、ドーパントにはＺｎ以外のＣｄやＭｑ
を用いてもよい。なお、ここでは三波長レーザアレイに
限定して説明したが、活性層内の不純物濃度の制御によ
り多波長レーザアレイへの展開も可能である。
発明の効果
以上の様に、本発明は有機ガリウム、有機インジウムと
リン化合物を原料ガスとして気相成長させたＩ ｎ ｏ
、 ６Ｇａ ｏ、 ５重層を活性層とした２重ヘテロ
構造の前記活性層に高濃度不純物領域と低濃度不純物領
域を形成し、それぞれの領域に電流注入することにより
、２つの異なる波長を得ることができ、その実用上効果
は犬なるものがある。
リン化合物を原料ガスとして気相成長させたＩ ｎ ｏ
、 ６Ｇａ ｏ、 ５重層を活性層とした２重ヘテロ
構造の前記活性層に高濃度不純物領域と低濃度不純物領
域を形成し、それぞれの領域に電流注入することにより
、２つの異なる波長を得ることができ、その実用上効果
は犬なるものがある。
第１図は本発明の一実施例における三波長半導体レーザ
アレイ装置の断面図、第２図はフォトルミネッセンスス
ペクトルのピークエネルギーと成長温度依存性を示す特
性図、第３図は従来の三波長レーザの断面図である。 １−−−−−−ｎ型ＧａＡｓ基板、２−−−−−−ｎ型
（” ｘＧａｌ−ｘ）０．６ ”０．６Ｐクラッド層、
３・・・・・・ノンドープ（Ａ１１ ｙＧａ １−ア）
。ｓ Ｉｎ。、５Ｐ活性層、４−・−ｐ型（”７”１−
ｘ）０．５”０．６ ”クラッド層、６・・・・・・ｐ
型ＧａＡｇ分離層、６・・・・・・ｐ型（Ｎｘ’ Ｇａ
１−ｘｌ）ｏ、ｓ”ｂ、５’クラツト膚、７・・・・・
ノンドープ（Ａｌｙ／Ｇａ１−、ｌ）。、６Ｉｎ０．５
Ｐ活性層、Ｅ３−−−−−−ｎ型（Ａｌ、１Ｇａ１−ｘ
ｚ）、６Ｉｎ０．６Ｐクラット層、９・・・・・・ｎ型
Ｇ ａ Ａ ｓキャップ層、１０・・・・・・ｐ側オー
ミック電極、１１・・・・・・ｎ側オーミック電極、１
２・・・・・・ｎ側オーミック電極、１３・・・・・・
ノンドープＩ ｎｏ 、 ｓ Ｇａｏ、 ｓ Ｐ活性層
、１４−−−−−− ｎ型ＧａＡｓキャップ層、１５・
・・・・・絶縁膜、１６・・・・・・ｐ側オーミック電
極、１７・・・・・・Ｚｎ拡散領域。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
−−ｎ￥Ｇｔ２．ハ基碩 ｑ−−ｎ ＩＩ ＱＪｓ ｆｆ〒・ｙ７’ジ琶Ｂ＋−−
−？ｊｉ！ドーミ、ｙ ７ ’ｔ＆イｌｊｌ！−−−ｎ
（１＋Ｈ＋。
アレイ装置の断面図、第２図はフォトルミネッセンスス
ペクトルのピークエネルギーと成長温度依存性を示す特
性図、第３図は従来の三波長レーザの断面図である。 １−−−−−−ｎ型ＧａＡｓ基板、２−−−−−−ｎ型
（” ｘＧａｌ−ｘ）０．６ ”０．６Ｐクラッド層、
３・・・・・・ノンドープ（Ａ１１ ｙＧａ １−ア）
。ｓ Ｉｎ。、５Ｐ活性層、４−・−ｐ型（”７”１−
ｘ）０．５”０．６ ”クラッド層、６・・・・・・ｐ
型ＧａＡｇ分離層、６・・・・・・ｐ型（Ｎｘ’ Ｇａ
１−ｘｌ）ｏ、ｓ”ｂ、５’クラツト膚、７・・・・・
ノンドープ（Ａｌｙ／Ｇａ１−、ｌ）。、６Ｉｎ０．５
Ｐ活性層、Ｅ３−−−−−−ｎ型（Ａｌ、１Ｇａ１−ｘ
ｚ）、６Ｉｎ０．６Ｐクラット層、９・・・・・・ｎ型
Ｇ ａ Ａ ｓキャップ層、１０・・・・・・ｐ側オー
ミック電極、１１・・・・・・ｎ側オーミック電極、１
２・・・・・・ｎ側オーミック電極、１３・・・・・・
ノンドープＩ ｎｏ 、 ｓ Ｇａｏ、 ｓ Ｐ活性層
、１４−−−−−− ｎ型ＧａＡｓキャップ層、１５・
・・・・・絶縁膜、１６・・・・・・ｐ側オーミック電
極、１７・・・・・・Ｚｎ拡散領域。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
−−ｎ￥Ｇｔ２．ハ基碩 ｑ−−ｎ ＩＩ ＱＪｓ ｆｆ〒・ｙ７’ジ琶Ｂ＋−−
−？ｊｉ！ドーミ、ｙ ７ ’ｔ＆イｌｊｌ！−−−ｎ
（１＋Ｈ＋。
Claims (1)
- 有機金属を含んだ原料ガスを用いて気相成長させたＩｎ
＿０＿．＿５Ｇａ＿０＿．＿５Ｐエピタキシャル層を活
性層とし、前記活性層の上下より前記活性層より禁制帯
エネルギー幅の大きい化合物半導体エピタキシャル層で
クラッドした二重ヘテロ接合構造を有し、前記活性層に
所定の間隔を隔てて高濃度不純物領域と低濃度不純物領
域を設け、前記高濃度不純物領域及び低濃度不純物領域
内にそれぞれ駆動電流の注入手段を備えてなる半導体レ
ーザアレイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27250286A JPS63126287A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27250286A JPS63126287A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63126287A true JPS63126287A (ja) | 1988-05-30 |
Family
ID=17514800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27250286A Pending JPS63126287A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63126287A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0256986A (ja) * | 1988-08-22 | 1990-02-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | マルチビーム半導体発光装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6066889A (ja) * | 1983-09-24 | 1985-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザアレイ装置 |
-
1986
- 1986-11-14 JP JP27250286A patent/JPS63126287A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6066889A (ja) * | 1983-09-24 | 1985-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0256986A (ja) * | 1988-08-22 | 1990-02-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | マルチビーム半導体発光装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3504742B2 (ja) | レーザダイオード | |
| US6141364A (en) | Semiconductor laser device and optical disk apparatus using the same | |
| JPS6180882A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| US4901326A (en) | Semiconductor laser device | |
| US5270246A (en) | Manufacturing method of semiconductor multi-layer film and semiconductor laser | |
| JPS63126287A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| JP2758598B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2819160B2 (ja) | 多波長半導体レーザダイオード | |
| JPH1187764A (ja) | 半導体発光装置とその製造方法 | |
| JP2512223B2 (ja) | 半導体レ―ザおよびその製造方法 | |
| US6670211B2 (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH0846283A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| EP0525971B1 (en) | A semiconductor device and a method for producing the same | |
| JPH09331105A (ja) | 半導体発光素子とその製造方法 | |
| JPH084175B2 (ja) | 多波長半導体レーザアレイ装置の製造方法 | |
| JPH07263796A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS6242592A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置およびその製造方法 | |
| JPH084176B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| JP2913652B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH0563293A (ja) | ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JP3602019B2 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPS62134986A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JP2527024B2 (ja) | 半導体レ―ザ | |
| JP2500588B2 (ja) | 半導体レ―ザおよびその製造方法 | |
| JPH0770784B2 (ja) | 横方向注入レーザおよびその製造方法 |