JP2819160B2 - 多波長半導体レーザダイオード - Google Patents
多波長半導体レーザダイオードInfo
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- JP2819160B2 JP2819160B2 JP1202237A JP20223789A JP2819160B2 JP 2819160 B2 JP2819160 B2 JP 2819160B2 JP 1202237 A JP1202237 A JP 1202237A JP 20223789 A JP20223789 A JP 20223789A JP 2819160 B2 JP2819160 B2 JP 2819160B2
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- quantum well
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1092—Multi-wavelength lasing
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/3413—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers comprising partially disordered wells or barriers
- H01S5/3414—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers comprising partially disordered wells or barriers by vacancy induced interdiffusion
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光多重通信において、互いに異なる波長をそ
れぞれ有する複数の光による多重光を形成するのに好適
な多波長半導体レーザダイオードに関する。
れぞれ有する複数の光による多重光を形成するのに好適
な多波長半導体レーザダイオードに関する。
従来、量子井戸を用いた多波長半導体レーザダイオー
ドが提案されている。
ドが提案されている。
第４図は従来の多波長半導体レーザダイオードの説明
図であり、第５図は従来の多波長半導体レーザダイオー
ドの模式的構造図を示す。
図であり、第５図は従来の多波長半導体レーザダイオー
ドの模式的構造図を示す。
この多波長半導体レーザダイオードは、量子井戸レー
ザダイオードの電子と正孔の第一量子準位間の遷移１及
び電子と正孔の第二量子準位間の遷移２を用いる。第４
図は、多波長半導体レーザダイオードの発光原理を示し
たものである。通常の量子井戸レーザダイオードは、電
子と正孔の第一量子準位間の遷移１でレーザ発振する
が、レーザダイオードの共振器損失が大きくなると、利
得の小さな、電子と正孔の第一量子準位間の遷移１で
は、レーザ発振せず、大きな利得を持つ、電子と正孔の
第二量子準位間の遷移２で発振する。
ザダイオードの電子と正孔の第一量子準位間の遷移１及
び電子と正孔の第二量子準位間の遷移２を用いる。第４
図は、多波長半導体レーザダイオードの発光原理を示し
たものである。通常の量子井戸レーザダイオードは、電
子と正孔の第一量子準位間の遷移１でレーザ発振する
が、レーザダイオードの共振器損失が大きくなると、利
得の小さな、電子と正孔の第一量子準位間の遷移１で
は、レーザ発振せず、大きな利得を持つ、電子と正孔の
第二量子準位間の遷移２で発振する。
Tokuda等は、この原理にもとづく２波長レーダダイオ
ードを、19thConference on solid state Devices
and Materials（Extended Abstracts pp.516−52
0）で発表している。
ードを、19thConference on solid state Devices
and Materials（Extended Abstracts pp.516−52
0）で発表している。
第５図は、この従来の多波長半導体レーザダイオード
の模式的断面構造図である。第５図において、エミッタ
３及びエミッタ４は、量子井戸５を混晶化することによ
って、横方向の光閉じ込めを行った屈折率導波型ストラ
イプレーザダイオードに相当する。エミッタ４は、活性
層６の幅が、３μｍと細いため、量子井戸の活性層６と
混晶化領域７の境界での光散乱が大きく、共振器損失が
大きい。このため、利得の大きな、電子と正孔の第二量
子準位間の遷移２で発振する。これに対して、エミッタ
３は、量子井戸の活性層６の幅が６μｍと広いので、共
振器損失は増大せず、電子と正孔の第一量子準位間の遷
移１で発振する。
の模式的断面構造図である。第５図において、エミッタ
３及びエミッタ４は、量子井戸５を混晶化することによ
って、横方向の光閉じ込めを行った屈折率導波型ストラ
イプレーザダイオードに相当する。エミッタ４は、活性
層６の幅が、３μｍと細いため、量子井戸の活性層６と
混晶化領域７の境界での光散乱が大きく、共振器損失が
大きい。このため、利得の大きな、電子と正孔の第二量
子準位間の遷移２で発振する。これに対して、エミッタ
３は、量子井戸の活性層６の幅が６μｍと広いので、共
振器損失は増大せず、電子と正孔の第一量子準位間の遷
移１で発振する。
従来のこの型の多波長半導体レーザダイオードの欠点
は、共振器損失が大きいため、レーザダイオードのしき
い値が大きいことである。
は、共振器損失が大きいため、レーザダイオードのしき
い値が大きいことである。
本発明の目的は、この様なしきい値電流の増大を伴わ
ずかつ簡単な製造方法で製造可能な多波長半導体レーザ
ダイオードを提供することにある。
ずかつ簡単な製造方法で製造可能な多波長半導体レーザ
ダイオードを提供することにある。
本発明の構成は以下に示す通りである。即ち、光発光
層となる量子井戸構造の第一の半導体層（12）と、 前記第一の半導体層（12）を上下より挟み、前記第一
の半導体層（12）よりエネルギーギャップの広い第二の
半導体層（13）及び第三の半導体層（11）を有し、 前記第一の半導体層（12）は、前記第一の半導体層
（12）の面に平行な面方向に非混晶化領域及び混晶化量
子井戸領域（16）からなり、 前記非混晶化領域及び混晶化量子井戸領域（16）それ
ぞれの領域に前記第一の半導体層（12）を活性層、前記
第二の半導体層（13）及び第三の半導体層（11）を縦方
向のキャリアの閉じ込め層とする第１及び第２のレーザ
ダイオード（22,21）が形成され、 前記混晶化量子井戸領域（16）に形成された前記第２
のレーザダイオード（21）をレーザ光の放射側に、前記
非混晶化領域に形成された前記第１のレーザダイオード
（22）を前記第２のレーザダイオード（21）の後方に配
置したことを特徴とする多波長半導体レーザダイオード
としての構成を有する。
層となる量子井戸構造の第一の半導体層（12）と、 前記第一の半導体層（12）を上下より挟み、前記第一
の半導体層（12）よりエネルギーギャップの広い第二の
半導体層（13）及び第三の半導体層（11）を有し、 前記第一の半導体層（12）は、前記第一の半導体層
（12）の面に平行な面方向に非混晶化領域及び混晶化量
子井戸領域（16）からなり、 前記非混晶化領域及び混晶化量子井戸領域（16）それ
ぞれの領域に前記第一の半導体層（12）を活性層、前記
第二の半導体層（13）及び第三の半導体層（11）を縦方
向のキャリアの閉じ込め層とする第１及び第２のレーザ
ダイオード（22,21）が形成され、 前記混晶化量子井戸領域（16）に形成された前記第２
のレーザダイオード（21）をレーザ光の放射側に、前記
非混晶化領域に形成された前記第１のレーザダイオード
（22）を前記第２のレーザダイオード（21）の後方に配
置したことを特徴とする多波長半導体レーザダイオード
としての構成を有する。
本発明では光発光層となる第一の半導体層（12）と、
この第一の半導体層（12）を上下より挟み、第一の半導
体層（12）よりエネルギーギャップの広い第二及び第三
の半導体層（11,13）を有し、上記第一の半導体層（1
2）が、この半導体層（12）面に平行な面方向で非混晶
化及び混晶化量子井戸領域（16）からなる領域に分か
れ、それぞれの領域に第一の半導体層（12）を活性層、
第二及び第三の半導体層（11,13）を縦方向のキャリア
の閉じ込め層とするレーザダイオード（21,22）が形成
されている構造を備えている。
この第一の半導体層（12）を上下より挟み、第一の半導
体層（12）よりエネルギーギャップの広い第二及び第三
の半導体層（11,13）を有し、上記第一の半導体層（1
2）が、この半導体層（12）面に平行な面方向で非混晶
化及び混晶化量子井戸領域（16）からなる領域に分か
れ、それぞれの領域に第一の半導体層（12）を活性層、
第二及び第三の半導体層（11,13）を縦方向のキャリア
の閉じ込め層とするレーザダイオード（21,22）が形成
されている構造を備えている。
また混晶化とは、異なった組成の半導体を交互に積層
することによって形成される量子井戸（12）に、人為的
な操作を加え、各々の半導体層の構成元素を相互に他の
一方の半導体層に拡散させることをいう。この操作によ
って、第一の半導体層（12）中の電子の伝導帯から価電
子帯への遷移エネルギーを変化させることができる。本
発明はこの特徴を利用したものである。
することによって形成される量子井戸（12）に、人為的
な操作を加え、各々の半導体層の構成元素を相互に他の
一方の半導体層に拡散させることをいう。この操作によ
って、第一の半導体層（12）中の電子の伝導帯から価電
子帯への遷移エネルギーを変化させることができる。本
発明はこの特徴を利用したものである。
遷移エネルギーの変化は、構成元素の拡散の程度によ
って変えることができるので、これを制御することによ
って、遷移エネルギーの異なる領域を３つ以上同一基板
上に形成できる。従って、それぞれの領域にレーザダイ
オードを形成することによって、３波長以上の多波長レ
ーザダイオードを形成することもできる。
って変えることができるので、これを制御することによ
って、遷移エネルギーの異なる領域を３つ以上同一基板
上に形成できる。従って、それぞれの領域にレーザダイ
オードを形成することによって、３波長以上の多波長レ
ーザダイオードを形成することもできる。
この構造では、従来型とは異なりレーザダイオードの
共振器損失を増大させる必要がないので、しきい値は大
きくならない。また、混晶化は簡単なプロセスなので、
素子の製作も容易である。
共振器損失を増大させる必要がないので、しきい値は大
きくならない。また、混晶化は簡単なプロセスなので、
素子の製作も容易である。
第１図は、本発明の比較例としての並列型多波長半導
体レーザダイオードの模式的構造図であって、発振波長
の異なる２つのレーザダイオード8,9を並列に配置した
構成を有する。
体レーザダイオードの模式的構造図であって、発振波長
の異なる２つのレーザダイオード8,9を並列に配置した
構成を有する。
第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明の比較列としての並列
型多波長半導体レーザダイオードの製造工程図を示す。
型多波長半導体レーザダイオードの製造工程図を示す。
先ず、第２図（ａ）に示すような量子井戸レーザ構造
を分子線エピタキシヤル成長法によって成長する。この
量子井戸レーザ構造は、GaAs基板10上に１μｍのｎ型Si
ドープAl0.4Ga0.6Asクラッド層11、５層のGaAs/Al0.2Ga
0.8As量子井戸12、0.8μｍのｐ型BeドープAl0.4Ga0.6As
クラッド層13、0.1μｍのｐ型BeドープGaAsキャップ層1
4、ｐ型BeドープAl0.4Ga0.6As熱処理保護層15からなっ
ている。５層のGaAs/Al0.2Ga0.8As量子井戸12中のGaAs
及びAl0.2Ga0.8Asの厚さは、それぞれ10nm及び3nmであ
る。
を分子線エピタキシヤル成長法によって成長する。この
量子井戸レーザ構造は、GaAs基板10上に１μｍのｎ型Si
ドープAl0.4Ga0.6Asクラッド層11、５層のGaAs/Al0.2Ga
0.8As量子井戸12、0.8μｍのｐ型BeドープAl0.4Ga0.6As
クラッド層13、0.1μｍのｐ型BeドープGaAsキャップ層1
4、ｐ型BeドープAl0.4Ga0.6As熱処理保護層15からなっ
ている。５層のGaAs/Al0.2Ga0.8As量子井戸12中のGaAs
及びAl0.2Ga0.8Asの厚さは、それぞれ10nm及び3nmであ
る。
この試料上に、プラズマCVD法によって0.1μｍの厚さ
の窒化ケイ素膜17を堆積し、第２図（ｂ）のように、混
晶化する領域16に窒化ケイ素膜17を残して、非混晶化領
域とする部分の窒化ケイ素膜を、フォトリソグラフィー
技術と反応性イオンエッチングによって除去する。
の窒化ケイ素膜17を堆積し、第２図（ｂ）のように、混
晶化する領域16に窒化ケイ素膜17を残して、非混晶化領
域とする部分の窒化ケイ素膜を、フォトリソグラフィー
技術と反応性イオンエッチングによって除去する。
その後、成長表面をGaAs基板に重ね熱処理炉中で100
℃/sの昇温速度で950℃まで急加熱し、950℃に到達後、
直ちに冷却する。この操作を繰り返すことによって、窒
化ケイ素膜17で覆われた混晶化する領域16の５層のGaAs
/Al0.2Ga0.8As量子井戸12は混晶化され、電子の遷移エ
ネルギーは増大する。
℃/sの昇温速度で950℃まで急加熱し、950℃に到達後、
直ちに冷却する。この操作を繰り返すことによって、窒
化ケイ素膜17で覆われた混晶化する領域16の５層のGaAs
/Al0.2Ga0.8As量子井戸12は混晶化され、電子の遷移エ
ネルギーは増大する。
この後、窒化ケイ素膜17とｐ型BeドープAl0.4Ga0.6As
熱処理保護層15を反応性イオンエッチングによって除去
する。続いて、第２図（ｃ）のようにGaAsキャップ層14
を10μｍ幅のストライプが残るようにエッチングする。
次に、0.1μｍの窒化ケイ素膜18をプラズマCVD法によっ
て堆積し、10μｍの幅の窓をあける。
熱処理保護層15を反応性イオンエッチングによって除去
する。続いて、第２図（ｃ）のようにGaAsキャップ層14
を10μｍ幅のストライプが残るようにエッチングする。
次に、0.1μｍの窒化ケイ素膜18をプラズマCVD法によっ
て堆積し、10μｍの幅の窓をあける。
その後、第２図（ｄ）のようにｎ型オーミック電極19
及びｐ型オーミック電極29を形成し、劈開によって端面
を形成して、多波長レーザダイオードとする。
及びｐ型オーミック電極29を形成し、劈開によって端面
を形成して、多波長レーザダイオードとする。
以上の説明で明らかなように、混晶化する領域16から
形成されたレーザダイオードは、非混晶化領域から形成
されたレーザダイオードより、遷移エネルギーの大きな
発光、即ち、短波長の光を放射する。
形成されたレーザダイオードは、非混晶化領域から形成
されたレーザダイオードより、遷移エネルギーの大きな
発光、即ち、短波長の光を放射する。
尚、３波長で発振するレーザダイオードを製作するた
めには、急加熱処理を必要な回数繰り返した後に、窒化
ケイ素膜17の半分だけ除去し、更に急加熱処理を施しそ
の後、上述の製造工程と同様の製造工程を行うことによ
って製作できる。
めには、急加熱処理を必要な回数繰り返した後に、窒化
ケイ素膜17の半分だけ除去し、更に急加熱処理を施しそ
の後、上述の製造工程と同様の製造工程を行うことによ
って製作できる。
同様に、３波長以上の多波長レーザダイオードの製作
も可能である。
も可能である。
また、各レーザの特性を向上させるためにｎ型Siドー
プAl0.4Ga0.6Asクラッド層11及び0.8μｍのｐ型Beドー
プAl0.4Ga0.6Asクラッド層13を、各々エネルギーギャッ
プが５層のGaAs/Al0.2Ga0.8As量子井戸12からなる活性
層より大きなｎ型GaAs/AlGaAs超格子及びｐ型GaAs/AlGa
As超格子に置き換えてもよい。
プAl0.4Ga0.6Asクラッド層11及び0.8μｍのｐ型Beドー
プAl0.4Ga0.6Asクラッド層13を、各々エネルギーギャッ
プが５層のGaAs/Al0.2Ga0.8As量子井戸12からなる活性
層より大きなｎ型GaAs/AlGaAs超格子及びｐ型GaAs/AlGa
As超格子に置き換えてもよい。
窒化ケイ素膜（Si3N4膜）等の薄膜を堆積し、繰り返
し急加熱する方法がInGaAs/InAlAs量子井戸やInGaAs/In
P量子井戸等の他の化合物半導体量子井戸の混晶化にも
有効であることは、宮澤らがJapanese Journal of A
pplied Physics Part 2,Vol.28,L730−733（1989）
やJapanese Journal of Applied Physics Part2
（掲載予定）に報告している。従って、GaAs−AlGaAs材
料系以外の材料系でも本発明が、実施可能である。
し急加熱する方法がInGaAs/InAlAs量子井戸やInGaAs/In
P量子井戸等の他の化合物半導体量子井戸の混晶化にも
有効であることは、宮澤らがJapanese Journal of A
pplied Physics Part 2,Vol.28,L730−733（1989）
やJapanese Journal of Applied Physics Part2
（掲載予定）に報告している。従って、GaAs−AlGaAs材
料系以外の材料系でも本発明が、実施可能である。
第３図は本発明の実施例としての直列型多波長半導体
レーザダイオードの模式的断面構造図を示す。発振波長
の異なる２つのレーザダイオードを直列に配置すること
も可能な直列型２波長レーザダイオードの例であり、２
つのレーザダイオード21,22を集積化した構成例を示
す。
レーザダイオードの模式的断面構造図を示す。発振波長
の異なる２つのレーザダイオードを直列に配置すること
も可能な直列型２波長レーザダイオードの例であり、２
つのレーザダイオード21,22を集積化した構成例を示
す。
この直列型多波長半導体レーザダイオードの構造で
は、レーザ光の放射端面に近いレーザダイオード21が、
波長の短い光で発振するようにし、放射端面に遠いレー
ザダイオード22から放射された光が、手前のレーザダイ
オード21の活性層23で吸収されないようにする。
は、レーザ光の放射端面に近いレーザダイオード21が、
波長の短い光で発振するようにし、放射端面に遠いレー
ザダイオード22から放射された光が、手前のレーザダイ
オード21の活性層23で吸収されないようにする。
製造工程の詳細は省略する比較例で示した混晶化法と
従来のレーザダイオードの製造工程を組み合わせること
によって、製作できる。
従来のレーザダイオードの製造工程を組み合わせること
によって、製作できる。
以上説明したように、本発明の多波長半導体レーザダ
イオードの構造では、従来型と異なりレーザダイオード
の共振器損失を増大させる必要がないので、しきい値は
大きくならない。また、混晶化は簡単な製造工程なの
で、素子の製作も容易である。
イオードの構造では、従来型と異なりレーザダイオード
の共振器損失を増大させる必要がないので、しきい値は
大きくならない。また、混晶化は簡単な製造工程なの
で、素子の製作も容易である。
本発明の多波長半導体レーザダイオードにより、しき
い値電流が低い多波長レーザダイオードを簡単に製作で
きる。これによって、光多重通信システムを簡略なもの
にでき、経済性及び信頼性を向上させることができる。
い値電流が低い多波長レーザダイオードを簡単に製作で
きる。これによって、光多重通信システムを簡略なもの
にでき、経済性及び信頼性を向上させることができる。
第１図は本発明の比較例としての並列型多波長半導体レ
ーザダイオードの模式的構造図、 第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明の比較例としての並列型
多波長半導体レーザダイオードの製作工程図、 第３図は本発明の実施例としての直列型多波長半導体レ
ーザダイオードの模式的構造図、 第４図は従来の多波長半導体レーザダイオードの説明
図、 第５図は従来の多波長半導体レーザダイオードの模式的
構造図である。 １……電子と正孔の第一量子準位間の遷移 ２……電子と正孔の第二量子準位間の遷移 3,4……エミッタ ５……量子井戸 ６……活性量 ７……混晶化領域 8,9……レーザダイオード 10……GaAs基板 11……SiドープAl0.4Ga0.6Asクラッド層 12……５層のGaAs/Al0.2Ga0.8As量子井戸 13……0.8μｍのｐ型BeドープAl0.4Ga0.6Asクラッド層 14……0.1μｍのｐ型BeドープGaAsキャップ層 15……ｐ型BeドープAl0.4Ga0.6As熱処理保護層 16……混晶化する領域 17,18……窒化ケイ素膜 19……ｎ型オーミック電極 20……ｐ型オーミック電極 21,22……レーザダイオード 23……レーザダイオード21の活性層
ーザダイオードの模式的構造図、 第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明の比較例としての並列型
多波長半導体レーザダイオードの製作工程図、 第３図は本発明の実施例としての直列型多波長半導体レ
ーザダイオードの模式的構造図、 第４図は従来の多波長半導体レーザダイオードの説明
図、 第５図は従来の多波長半導体レーザダイオードの模式的
構造図である。 １……電子と正孔の第一量子準位間の遷移 ２……電子と正孔の第二量子準位間の遷移 3,4……エミッタ ５……量子井戸 ６……活性量 ７……混晶化領域 8,9……レーザダイオード 10……GaAs基板 11……SiドープAl0.4Ga0.6Asクラッド層 12……５層のGaAs/Al0.2Ga0.8As量子井戸 13……0.8μｍのｐ型BeドープAl0.4Ga0.6Asクラッド層 14……0.1μｍのｐ型BeドープGaAsキャップ層 15……ｐ型BeドープAl0.4Ga0.6As熱処理保護層 16……混晶化する領域 17,18……窒化ケイ素膜 19……ｎ型オーミック電極 20……ｐ型オーミック電極 21,22……レーザダイオード 23……レーザダイオード21の活性層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−125487（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−191089（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−59978（ＪＰ，Ａ) Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌ ｅｔｔｅｒｓ Ｖｏｌ．49，Ｎｏ．９, ｐｐ．510−512 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01S 3/18 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (1)
- 【請求項１】光発光層となる量子井戸構造の第一の半導
体層と、 前記第一の半導体層を上下より挟み、前記第一の半導体
層よりエネルギーギャップの広い第二の半導体層及び第
三の半導体層を有し、 前記第一の半導体層は、前記第一の半導体層の面に平行
な面方向に非混晶化領域及び混晶化量子井戸領域からな
り、 前記非混晶化領域及び混晶化量子井戸領域それぞれの領
域に前記第一の半導体層を活性層、前記第二の半導体層
及び第三の半導体層を縦方向のキャリアの閉じ込め層と
する第１及び第２のレーザダイオードが形成され、 前記混晶化量子井戸領域に形成された前記第２のレーザ
ダイオードをレーザ光の放射側に、前記非混晶化領域に
形成された前記第１のレーザダイオードを前記第２のレ
ーザダイオードの後方に配置したことを特徴とする多波
長半導体レーザダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1202237A JP2819160B2 (ja) | 1989-08-03 | 1989-08-03 | 多波長半導体レーザダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1202237A JP2819160B2 (ja) | 1989-08-03 | 1989-08-03 | 多波長半導体レーザダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0366188A JPH0366188A (ja) | 1991-03-20 |
| JP2819160B2 true JP2819160B2 (ja) | 1998-10-30 |
Family
ID=16454228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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-
1989
- 1989-08-03 JP JP1202237A patent/JP2819160B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
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|---|
| Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ Ｖｏｌ．４９，Ｎｏ．９，ｐｐ．５１０−５１２ |
Also Published As
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|---|---|
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