JPS6166971U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6166971U JPS6166971U JP15106984U JP15106984U JPS6166971U JP S6166971 U JPS6166971 U JP S6166971U JP 15106984 U JP15106984 U JP 15106984U JP 15106984 U JP15106984 U JP 15106984U JP S6166971 U JPS6166971 U JP S6166971U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- active layer
- plating film
- utility
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Description
第１図ａ〜ｅは本考案の第１の実施例の製作工
程を工程順に示す断面図、第２図および第３図は
、各々本考案の第２、第３の実施例を示す斜視図
である。 図中、１はｎ形GaAs層、２はｎ形GaAs０．６１
Ｐ０．３９層、３はｎ形InGaPバツフア層、４は
ノンドープInGaAsP活性層、５はｐ形InGaPクラツ
ド層、６はノンドープInGaAsPキヤツプ層、７は
Ｚｎの選択拡散領域、８はｐ側電極、９および１
１はＡｕメツキ膜、１０はｎ側電極、１２は熱放
散領域、１３は横割領域である。
程を工程順に示す断面図、第２図および第３図は
、各々本考案の第２、第３の実施例を示す斜視図
である。 図中、１はｎ形GaAs層、２はｎ形GaAs０．６１
Ｐ０．３９層、３はｎ形InGaPバツフア層、４は
ノンドープInGaAsP活性層、５はｐ形InGaPクラツ
ド層、６はノンドープInGaAsPキヤツプ層、７は
Ｚｎの選択拡散領域、８はｐ側電極、９および１
１はＡｕメツキ膜、１０はｎ側電極、１２は熱放
散領域、１３は横割領域である。
Claims (1)
- 一方の領域に膜厚３０μｍ以下の、活性層を含
む多層構造ウエハの両面にＡｕメツキ膜を形成し
たことを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15106984U JPS6166971U (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15106984U JPS6166971U (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6166971U true JPS6166971U (ja) | 1986-05-08 |
Family
ID=30709200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15106984U Pending JPS6166971U (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6166971U (ja) |
-
1984
- 1984-10-05 JP JP15106984U patent/JPS6166971U/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6166971U (ja) | ||
| JPS6364069U (ja) | ||
| JPS5822760U (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0521899Y2 (ja) | ||
| JPS6373691A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS61100160U (ja) | ||
| JPS6054360U (ja) | 半導体レ−ザ− | |
| JPS63200359U (ja) | ||
| JPS62182570U (ja) | ||
| JPS6186962U (ja) | ||
| JPS59140454U (ja) | 発光ダイオ−ド | |
| JPS58162660U (ja) | 光電変換半導体装置 | |
| JPS59107163U (ja) | 半導体レ−ザ・ダイオ−ド | |
| JPS63131159U (ja) | ||
| JPH0254592A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS62193756U (ja) | ||
| JPH02131367U (ja) | ||
| JPS6090861U (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS61100163U (ja) | ||
| JPS6411565U (ja) | ||
| JPH0740621B2 (ja) | 面発光型半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPS58140649U (ja) | 半導体発光ダイオ−ド | |
| JPH04101482A (ja) | ２重チャネル型プレーナ埋込み構造半導体レーザ | |
| JPS62163974U (ja) | ||
| JPH0247067U (ja) |