JPH0247067U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0247067U JPH0247067U JP12645088U JP12645088U JPH0247067U JP H0247067 U JPH0247067 U JP H0247067U JP 12645088 U JP12645088 U JP 12645088U JP 12645088 U JP12645088 U JP 12645088U JP H0247067 U JPH0247067 U JP H0247067U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current injection
- injection region
- active layer
- width
- edge
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 3
Description
第１図は本考案の一実施例の横断面図、第２図
は従来のＬＥＤの横断面図である。 ５，１５……Ｐ型ＩｎＰクラツド層、６，１６
……Ｐ＋型ＩｎＧａＡｓＰ活性層、７，１７……
ｎ型ＩｎＰ層、８，１８……ｎ型ＩｎＰ基板、９
……庇。
は従来のＬＥＤの横断面図である。 ５，１５……Ｐ型ＩｎＰクラツド層、６，１６
……Ｐ＋型ＩｎＧａＡｓＰ活性層、７，１７……
ｎ型ＩｎＰ層、８，１８……ｎ型ＩｎＰ基板、９
……庇。
Claims (1)
- 半導体基板上に、活性層を屈折率の大きなクラ
ツド層で挟んだ半導体へテロ接合構造を内包する
ストライプ状積層構造体から成るストライプ状の
電流注入領域を備えた端面発光型半導体発光装置
において、前記電流注入領域の表面の幅を前記電
流注入領域内の前記活性層の幅よりも広くしたこ
とを特徴とする端面発光型半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12645088U JPH0247067U (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12645088U JPH0247067U (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0247067U true JPH0247067U (ja) | 1990-03-30 |
Family
ID=31377987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12645088U Pending JPH0247067U (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0247067U (ja) |
-
1988
- 1988-09-27 JP JP12645088U patent/JPH0247067U/ja active Pending