JPH02146464U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH02146464U JPH02146464U JP5668289U JP5668289U JPH02146464U JP H02146464 U JPH02146464 U JP H02146464U JP 5668289 U JP5668289 U JP 5668289U JP 5668289 U JP5668289 U JP 5668289U JP H02146464 U JPH02146464 U JP H02146464U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- silicon carbide
- type
- emitting diode
- diode element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Description
第１図は本考案装置の一実施例を示す断面図第
２図は本考案装置の光強度分布図、第３図は本考
案装置の製造方法を説明するための工程別断面図
、第４図は従来装置を示す断面図、第５図は従来
装置の光強度分布図である。
２図は本考案装置の光強度分布図、第３図は本考
案装置の製造方法を説明するための工程別断面図
、第４図は従来装置を示す断面図、第５図は従来
装置の光強度分布図である。
Claims (1)
- ｎ型炭化ケイ素基板の一主面上に炭化ケイ素の
ｎ型層及びｐ型層がこの順序で積層され、上記ｎ
型基板の他主面上及び上記ｐ型層上にそれぞれｎ
型及びｐ型のオーミツク性電極が形成された炭化
ケイ素発光ダイオード素子と、該発光ダイオード
素子を囲繞する反射面を有し、当該発光ダイオー
ド素子を載置固着するステムと、を備えた炭化ケ
イ素発光ダイオード装置において、上記発光ダイ
オード素子は上記ｎ型炭化ケイ素基板側でステム
に固着されているとともにその側面は上記ステム
の反射面と同じ方向に傾斜していることを特徴と
する炭化ケイ素発光ダイオード装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5668289U JPH02146464U (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5668289U JPH02146464U (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02146464U true JPH02146464U (ja) | 1990-12-12 |
Family
ID=31580723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5668289U Pending JPH02146464U (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02146464U (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003523636A (ja) * | 2000-02-15 | 2003-08-05 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 放射線を発する半導体デバイス及びその製造方法 |
| JP2003523635A (ja) * | 2000-02-15 | 2003-08-05 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 放射線を発する半導体デバイス、その製造方法及び放射線を発する光学素子 |
-
1989
- 1989-05-17 JP JP5668289U patent/JPH02146464U/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003523636A (ja) * | 2000-02-15 | 2003-08-05 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 放射線を発する半導体デバイス及びその製造方法 |
| JP2003523635A (ja) * | 2000-02-15 | 2003-08-05 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 放射線を発する半導体デバイス、その製造方法及び放射線を発する光学素子 |