JPS63134557U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS63134557U JPS63134557U JP2601687U JP2601687U JPS63134557U JP S63134557 U JPS63134557 U JP S63134557U JP 2601687 U JP2601687 U JP 2601687U JP 2601687 U JP2601687 U JP 2601687U JP S63134557 U JPS63134557 U JP S63134557U
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- JP
- Japan
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- semiconductor region
- conductivity type
- type semiconductor
- intrinsic semiconductor
- intrinsic
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Description
第１図は本考案フオトセンサの一つの実施例を
示す断面図、第２図はフオトセンサの電圧・光電
流特性について本実施例の場合を従来の場合と比
較する電圧・光電流特性図、第３図は従来例を示
す断面図、第４図は問題点を説明するための真性
半導体領域内のポテンシヤル分布を示すポテンシ
ヤル分布図である。 符号の説明、１……絶縁基板、２……第１導電
型半導体領域、３……第２導電型半導体領域、４
……真性半導体領域、５……反射手段。
示す断面図、第２図はフオトセンサの電圧・光電
流特性について本実施例の場合を従来の場合と比
較する電圧・光電流特性図、第３図は従来例を示
す断面図、第４図は問題点を説明するための真性
半導体領域内のポテンシヤル分布を示すポテンシ
ヤル分布図である。 符号の説明、１……絶縁基板、２……第１導電
型半導体領域、３……第２導電型半導体領域、４
……真性半導体領域、５……反射手段。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 絶縁基板上に第１導電型半導体領域と第２導電
型半導体領域を離間して有し、 上記第１及び第２の半導体領域間に夫々と接続
された真性半導体領域を有し、 上記真性半導体領域の光の入射側と反対側の面
に入射光を反射する反射手段を有する ことを特徴とするフオトセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2601687U JPS63134557U (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2601687U JPS63134557U (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63134557U true JPS63134557U (ja) | 1988-09-02 |
Family
ID=30826703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2601687U Pending JPS63134557U (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63134557U (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007233027A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Epson Imaging Devices Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP2007241303A (ja) * | 2007-04-20 | 2007-09-20 | Epson Imaging Devices Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP2008235756A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Sony Corp | 受光素子およびそれを備えた表示装置 |
| JP2008277710A (ja) * | 2007-05-07 | 2008-11-13 | Sony Corp | 受光素子およびそれを備えた表示装置 |
| JP2011071491A (ja) * | 2009-08-25 | 2011-04-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| WO2011129234A1 (ja) * | 2010-04-16 | 2011-10-20 | シャープ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2011243912A (ja) * | 2010-05-21 | 2011-12-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体薄膜基板および半導体薄膜基板を用いた半導体装置の作製方法 |
-
1987
- 1987-02-24 JP JP2601687U patent/JPS63134557U/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007233027A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Epson Imaging Devices Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
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| JP4656082B2 (ja) * | 2007-04-20 | 2011-03-23 | ソニー株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
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| US8686480B2 (en) | 2010-04-16 | 2014-04-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for manufacturing same |
| JP2011243912A (ja) * | 2010-05-21 | 2011-12-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体薄膜基板および半導体薄膜基板を用いた半導体装置の作製方法 |