JP2008235756A - 受光素子およびそれを備えた表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板10の一面側にp型半導体よりなるP領域20と、n型半導体よりなるN領域30と、そのP領域20およびN領域30の間に設けられたi型半導体よりなるI領域40とを有している。P領域20およびN領域30は、結晶質の半導体により構成されている。I領域40は、P領域20およびN領域30より厚い非晶質半導体層を含んで構成されている。これにより、可視光領域の波長を効率よく吸収する。
【選択図】 図1
Description
図1(A)は、本発明の第1の実施の形態に係る表示装置に搭載される受光素子1の断面模式図であり、図1(B)は、受光素子1の動作時(逆バイアス電圧印可時)の状態を表している。また、図2は、受光素子1の平面模式図である。この受光素子1は、基板10の一面側に、第1導電型半導体領域としてのp型半導体よりなるP領域20と、第2導電型半導体領域としてのn型半導体よりなるN領域30と、そのP領域およびN領域の間に設けられた中間半導体領域としてのi型半導体よりなるI領域40とが形成された構成を有している。この受光素子1は、いわゆるPIN型フォトダイオードを有する光センサであり、P領域20にはアノード電極21が、N領域30にはカソード電極31が接続され、絶縁層50がP領域20、N領域30およびI領域40を覆うように設けられている。なお、図2では、簡略化のためにアノード電極21およびカソード電極31を省略して表している。受光素子1では、アノード電極21とカソード電極31との間に通常動作時に印可される電圧範囲内の逆バイアス電圧が電圧源(図示せず)により印可されており、この逆バイアス電圧により、図1(B)に示した空乏層40Aが形成される。
図7(A)は、第1の実施の形態の変形例としての表示装置に搭載される受光素子2の断面模式図であり、図7(B)は、受光素子2の動作時(逆バイアス電圧印可時)の状態を表している。また、図8は受光素子2の平面模式図である。この受光素子2は、I領域40の構成が異なる点を除き、第1の実施の形態の受光素子と同様の構成および作用を有している。なお、図8では、簡略化のためにアノード電極21およびカソード電極31を省略して表している。受光素子2では、アノード電極21とカソード電極31との間に通常動作時に印可される電圧範囲内の逆バイアス電圧が電圧源(図示せず)により印可されており、この逆バイアス電圧により、図7(B)に示した空乏層40Bが形成される。
図9は、第2の実施の形態としての表示装置に搭載される受光素子3の断面模式図を表している。この受光素子3は、基板10が反射膜15を有する点と、絶縁層50とP領域20、N領域30およびI領域40との間に各領域を覆う反射防止膜60を設けた点とを除き、第1の実施の形態と同様の構成を有している。受光素子3では、受光素子1および受光素子2と同様にアノード電極21とカソード電極31との間に通常動作時に印可される電圧範囲内の逆バイアス電圧が印可されている。
第2の実施の形態では、上記した反射膜15および反射防止膜60の双方を有する構成としたが、図11に示した反射防止膜60を有さない構成の受光素子4や、図12に示した反射膜15を有さない構成の受光素子5においても、反射膜15および反射防止膜60の双方を有しない受光素子1と比較して、より高い効果が得られる。
図15は、第3の実施の形態としての表示装置に搭載される受光素子8の一断面を表し、図16は、図15における受光素子8のA−A線に沿った断面を表している。この受光素子8は、基板10に反射膜15を備えると共に、この反射膜15と対向するようにI領域40および絶縁層50を介して絶縁層50の中に反射膜62を設けたものである。また、この受光素子8は、絶縁層50側から入射する光をI領域40に集光するように第2の反射膜として反射膜63を有している。
Claims (13)
- 素子形成面上に形成された結晶質の第1導電型半導体領域と、
前記素子形成面上に形成された結晶質の第2導電型半導体領域と、
前記第1導電型半導体領域と前記第2導電型半導体領域との間の素子形成面上に、これらの2つの半導体領域よりも不純物濃度が低く形成された中間半導体領域と
を有し、
前記中間半導体領域が、前記第1導電型半導体領域および前記第2導電型半導体領域よりも厚い非晶質半導体層を含む
ことを特徴とする受光素子。 - 前記中間半導体領域は、前記第1導電型半導体領域および前記第2導電型半導体領域の一部を覆って設けられている
ことを特徴とする請求項1記載の受光素子。 - 前記中間半導体領域は、さらに結晶質半導体層を含む
ことを特徴とする請求項1記載の受光素子。 - 前記第1導電型半導体領域および前記第2導電型半導体領域は多結晶シリコンにより構成され、
前記非晶質半導体層は非晶質シリコンおよび炭化シリコンのうちの少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項1記載の受光素子。 - 前記中間半導体領域における前記素子形成面側またはその反対面側に遮光膜を有する
ことを特徴とする請求項1記載の受光素子。 - 前記中間半導体領域における前記素子形成面側またはその反対面側に反射膜を有する
ことを特徴とする請求項1記載の受光素子。 - 前記中間半導体領域における前記素子形成面側またはその反対面側に反射防止膜を有する
ことを特徴とする請求項1記載の受光素子。 - 前記中間半導体領域における前記素子形成面側およびその反対面側のうち、一面側に反射膜を有し、他方側に反射防止膜を有する
ことを特徴とする請求項1記載の受光素子。 - 前記中間半導体領域に絶縁膜を介して電圧を印可可能な電極を有する
ことを特徴とする請求項1記載の受光素子。 - 前記電極は、遮光膜、反射膜または反射防止膜として機能する
ことを特徴とする請求項9記載の受光素子。 - 前記第1導電型半導体領域、前記第2導電型半導体領域および前記中間半導体領域における前記素子形成面側またはその反対面側に回り込み防止膜を有し、
前記中間半導体領域における前記回り込み防止膜が形成された側に前記遮光膜を有する
ことを特徴とする請求項5記載の受光素子。 - 前記反射膜は、前記中間半導体領域における前記素子形成面の反対側の面に設けられ、
さらに、前記反射膜の側方に、前記反射膜と交差する方向に延びる第2の反射膜が設けられている
ことを特徴とする請求項6記載の受光素子。 - 配列された複数の表示素子および受光素子を備えた表示装置であって、
前記受光素子は、
素子形成面上に形成された結晶質の第1導電型半導体領域と、
前記素子形成面上に形成された結晶質の第2導電型半導体領域と、
前記第1導電型半導体領域と前記第2導電型半導体領域との間の素子形成面上に、これらの2つの半導体領域よりも不純物濃度が低く形成された中間半導体領域と
を有し、
前記中間半導体領域が、前記第1導電型半導体領域および前記第2導電型半導体領域よりも厚い非晶質半導体層を含む
ことを特徴とする表示装置。
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