JP2007241303A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】高感度の光センサを構成する。
【解決手段】走査線と信号線とが形成され、前記走査線と前記信号線との交差にスイッチ
ング素子が形成されてなる素子基板を含む表示パネルを備えた電気光学装置において、前
記素子基板に形成された第１の受光素子と、前記第１の受光素子に接続された第２の受光
素子と、前記第１の受光素子、又は第２の受光素子の下方に形成された反射部と、を具備
することを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、表示輝度の制御を行う表示装置等に好適な電気光学装置及び電子機器に関す
る。

液晶パネルは、ガラス基板、石英基板等の２枚の基板間に液晶を封入して構成される。
各基板には電極を設け、画像信号を電極に供給する。各基板の電極相互間の液晶は、画
像信号に応じて光学特性が変化する。即ち、各基板の電極相互間の液晶に画像信号に基づ
く電圧を印加することで、液晶分子の配列を変化させるのである。これにより、各画素に
おける光の透過率が画像信号に応じて変化することになり、画像信号に応じた画像表示が
行われる。

このような液晶パネルにおいて高輝度の表示を行うために、一般的には、液晶パネルの
背面にはバックライトが設けられている。このようなバックライトとして、導光板を用い
て、照明の均一性を向上させる装置も開発されている。バックライトによって液晶パネル
の表示領域を照明することで、十分な輝度で表示領域上の表示を観察することができる。

ところで、液晶パネルの表示の見易さは、周囲の明るさに応じて変化する。例えば、周
囲光が明るいほど、表示領域の照明を明るくした方が、表示は見やすい。逆に、周囲光が
十分に暗い場合には、表示領域を必要以上に明るくする必要はない。

特許文献１には、周囲の明るさに拘わらず見やすい表示を提供するために、周囲の光を
検知してそのフィードバック情報によりバックライトの輝度を制御する技術が開示されて
いる。

特開２００３−７８８３８号公報

ところで、特許文献１の装置においては、周囲光（外光）を検出する光センサとして、
ディスクリート部品を採用している。このため、光センサをフレキシブルプリント基板上
に実装する必要があり、工数及びコスト増を招来する。

そこで、液晶パネル等の表示パネルを構成する基板上に、ＰＩＮ型ダイオードを用いた
光センサを形成することが考えられる。この場合には、表示領域中の半導体層と同層にＰ
ＩＮ型ダイオードを形成する。

ところで、表示領域中の半導体層については、所望のトランジスタ特性を得るために、
比較的薄い膜厚に設定される。しかしながら、ＰＩＮ型ダイオード形成領域の半導体層が
薄い場合には、入射光が半導体層を通過してしまい効率的に光発生電荷を発生させること
ができない。即ち、イントリンシック層に効率的に光が入射されず、十分な光感度を得る
ことができないという問題点があった。

本発明は、イントリンシック層に効率的に光を入射させることを可能にすることにより
十分な光感度を得ることができる電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする
。

本発明に係る電気光学装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板に形成されたポリシリコン層
による半導体層と、前記絶縁基板と前記半導体層との間に形成されるゲート電極と、によ
って構成されるスイッチング素子と、前記絶縁基板に形成されたポリシリコン層による半
導体層によって構成されたＰＩＮ型ダイオードと、前記ゲート電極と同層で前記ＰＩＮ型
ダイオードを構成する半導体層に対向して形成された反射部と、を具備したことを特徴と
する。

このような構成によれば、絶縁基板には、半導体層と、絶縁基板と半導体層との間に形
成されるゲート電極とによってボトムゲート型のスイッチング素子が形成される。また、
絶縁基板にはＰＩＮ型ダイオードも形成されて、絶縁基板の受光側面を介して入射された
光を受光する。絶縁基板に入射した光の一部は、ＰＩＮ型ダイオードを構成する半導体素
子を突き抜ける。絶縁基板と半導体層との間には、半導体層に対向して反射部が設けられ
ており、半導体層を通過した光は反射部で反射して半導体層に再入射する。これにより、
絶縁基板の受光側面から入射する光の大部分をＰＩＮ型ダイオードに入射させることがで
き、高感度の外光検出が可能である。

また、本発明の一態様によれば、前記反射部は、前記半導体層の全域に対向するように
前記半導体層の平面サイズよりも広幅に形成されることを特徴とする。

このような構成によれば、半導体層を突き抜けた光の大部分を反射させて、半導体層に
再入射させることができる。また、半導体層の全域、即ち、カソードとアノードのいずれ
にも対向することから、反射部によるＰＩＮ型ダイオードへの影響による特性の変化を抑
制することができる。

また、本発明の一態様によれば、前記絶縁基板上には、前記ＰＩＮ型ダイオードが複数
配列されており、複数の前記ＰＩＮ型ダイオードを構成する半導体層に対向して、前記反
射部が夫々設けられることを特徴とする。

このような構成によれば、反射部によるＰＩＮ型ダイオードの特性の変化を、各ＰＩＮ
型ダイオードに対して均一化することができ、安定した特性を得ることができる。

また、本発明の一態様によれば、前記反射部は、所定の固定電位点に接続されているこ
とを特徴とする。

このような構成によれば、反射部がフローティング状態を脱しており、反射部の影響に
よってＰＩＮダイオードの特性が変化することを防止することができる。

また、本発明の一態様によれば、前記反射部が接続される所定の固定電位点は、前記Ｐ
ＩＮ型ダイオードのアノード又はカソードであることを特徴とする。

このような構成によれば、簡単な構成で、反射部を固定電位とすることができる。

本発明に係る電気光学装置は、前記絶縁基板に照明光を照射する照明部と、前記照明部
からの光が前記ＰＩＮ型ダイオードに入射されることを阻止するための遮光板とを具備し
たことを特徴とする。

このような構成によれば、遮光板によって照明部からの光がＰＩＮ型ダイオードに入射
することが阻止される。これにより、ＰＩＮ型ダイオードによって、外光の正確な検出が
可能である。

本発明に係る電気光学装置は、電気光学装置を用いて構成したことを特徴とする。

このような構成によれば、外光を高感度に検出することができ、外光の照度に応じて表
示を最適化すること等が可能である。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明の第
１の実施の形態に係る電気光学装置の断面を示す断面図である。図２は第１の実施の形態
に係る電気光学装置の概要を示す平面図である。図３は図２の電気光学装置として液晶パ
ネルを採用した場合において、液晶パネルをケースに収納した状態の断面構造の概略を説
明するための説明図である。図４は図２の電気光学装置に採用される表示パネルの平面パ
ターンを模式的に示す説明図である。

＜第１の実施の形態＞
先ず、図２乃至図４を参照して、本実施の形態に係る電気光学装置の全体構成について
説明する。

図２において、電気光学装置１１は、２枚の基板を貼り合わせて構成された表示パネル
２１によって構成されている。図３は表示パネル２１として液晶パネルを採用した場合の
構成を示し、この場合には、電気光学装置１１は表示パネル２１と照明装置２２とを備え
る。なお、電気光学装置として自発光型の表示パネルを採用することもでき、この場合に
は、照明装置は不要である。

図３に示すように、表示パネル２１は光を透過する素子基板２３及び対向基板２４相互
間に、液晶２５を封入して構成される。対向配置された素子基板２３と対向基板２４とは
、図示しないシール材によって貼り合わされている。表示パネル２１には、例えば水平方
向に延在して設けられた複数の走査線３３（図４参照）と、垂直方向に延在して設けられ
た複数のデータ線３４（図４参照）とを有し、複数の走査線３３と複数のデータ線３４と
の交差に対応して画素が構成される。

素子基板２３上には、画素を構成する画素電極（ＩＴＯ）３６（図４参照）が配置され
る。また、対向基板２４側にも図示しない対向電極（共通電極（ＩＴＯ））が設けられる
。素子基板２３の画素電極上には、液晶２５に接して、ラビング処理が施された図示しな
い配向膜が設けられている。一方、対向基板２４側においても、液晶２５に接して、ラビ
ング処理が施された図示しない配向膜が設けられている。各配向膜は、例えば、ポリイミ
ド膜等の透明な有機膜からなる。また、対向基板２４にはデータ線３４及び走査線３３に
沿って、図示しない遮光膜が形成されている。

なお、図３では図示を省略しているが、対向基板２４の観察面側と、素子基板２３の素
子形成面（以下、受光側面ともいう）の反対側とには、夫々偏光板が設けられている。こ
れらの偏光板は、素子基板２３及び対向基板２４に形成された配向膜のラビング方向に対
応した偏光軸に設定される。

バックライトとして機能する照明装置２２は表示パネル２１の素子基板２３の下方から
光を出射する。照明装置２２は、例えば、光源を構成する複数の発光ダイオード（以下、
ＬＥＤという）と導光板とによって構成することができる。ＬＥＤからの光は導光板内に
導かれ、導光板の底面及び側面の反射層によって反射、散乱し、導光板の上面から出射さ
れる。こうして、照明装置２２の上方に配置された表示パネル２１にバックライト光が入
射されるようになっている。

照明装置２２と表示パネル２１とは積層された状態で、ケース２６内に収納される。ケ
ース２６は上面が開口しており、この開口部２７に表示パネル２１の表示画面１３が臨む
ように、表示パネル２１がケース２６内に固定されている。

表示パネル２１は、ケース２６の開口部２７によって規定された表示画面１３内の中央
に、有効表示領域１４が設けられている。有効表示領域１４内に、複数の走査線３３と複
数のデータ線３４との交差に対応して画素が構成されている。

表示パネル２１においては、データ線３４には画像信号が供給され、走査線３３には走
査信号が供給される。こうして、各画素は画像信号に基づいて駆動されて光の透過率が変
化する。照明装置２２から表示パネル２１に入射した光は、表示パネル２１の有効表示領
域１４において変調される。これにより、ケース２６の開口部２７側から有効表示領域１
４を観察することで、画像を視認することができる。なお、対向基板２４には対向基板２
４の周辺部を遮光するための遮光膜２８（図２の斜線部）が形成されている。有効表示領
域１４は、この遮光膜２８によって形状、サイズが規定される。

表示画面１３内の有効表示領域１４の周辺には、非表示領域１５が設けられている。こ
の非表示領域１５内には、照度を検出するための受光素子であるＰＩＮ型ダイオード２９
，３０が夫々配置される受光素子配置領域１６，１７が設けられている。受光素子配置領
域１７においては、対向基板２４上に遮光膜２８が形成されており、この遮光膜２８の形
成領域において、外光が素子基板２３側に入射することが阻止されるようになっている。

また、受光素子配置領域１６は、対向基板２４上の遮光膜２８が形成されていない開口
領域１９内に設けられており、対向基板２４の上面（観察面）側からの光を基板内に透過
させる領域である。

受光素子配置領域１６内には、ＰＩＮ型ダイオード２９が配置され、受光素子配置領域
１７内には、ＰＩＮ型ダイオード３０が配置される。ＰＩＮ型ダイオード２９は、対向基
板２４の観察面側から入射した外光が入射して、外光の照度検出が可能である。一方、Ｐ
ＩＮ型ダイオード３０は、遮光膜２８等によって外光の入射が阻止されており、例えば暗
電流の検出用、あるいは、照明装置２２からのバックライト光の照度検出用として用いる
ことができる。

図４に示すように、Ｙドライバ３１からは有効表示領域１４に向かって、複数の走査線
３３が延設され、Ｘドライバ３２からは有効表示領域１４に向かって、複数のデータ線３
４が延設されている。走査線３３とデータ線３４の交差に対応して、スイッチング素子３
５が設けられている。スイッチング素子３５は、Ｙドライバ３１から走査線３３に供給さ
れる走査信号によってオン，オフ制御される。オンとなったスイッチング素子３５は、Ｘ
ドライバ３２からデータ線３４に供給される画像信号を画素電極３６に供給する。

なお、図４は表示パネル２１がＴＦＴ液晶パネルである例について示しているが、有効
表示領域の画素がドライバによって駆動されるものであれば、他のアクティブマトリクス
表示パネルであっても同様に構成することができる。

近傍にＸドライバ３２が配置された表示パネル２１の一短辺には、端子部３７が設けら
れている。Ｙドライバ３１及びＸドライバ３２と端子部３７とは図示しない配線によって
接続されている。

図４に示すように、ＰＩＮ型ダイオード２９，３０は、夫々受光素子配置領域１６，１
７内に複数設けられている。このＰＩＮ型ダイオード２９，３０は、Ｐ型領域及びＮ型領
域相互間にＩ型領域を設けて形成される。ここで、Ｉ型領域は、「真性領域」の意味であ
るが、Ｎ型またはＰ型の濃度よりも十分に低い濃度の不純物が導入されていても良い。

図４に示すように、各ＰＩＮ型ダイオード２９のカソードは、共通接続されて端子４１
に接続されており、アノードは共通接続されて各ＰＩＮ型ダイオード３０のカソード及び
端子４２に共通接続される。また、各ＰＩＮ型ダイオード３０のアノードは、共通接続さ
れて端子４４に接続されている。

各ＰＩＮ型ダイオード２９は入射光の照度に基づく出力を出力する。また、各ＰＩＮ型
ダイオード３０は暗電流に基づく出力を出力する。この構成によれば、例えば、暗電流の
成分を除去して、外光の照度を検出することが可能である。

図５はこの場合のＰＩＮ型ダイオード２９，３０の接続状態を等価回路図によって示す
ものである。ＰＩＮ型ダイオード２９，３０は、夫々外光検出用又は暗電流検出用として
用いる。

図５の例では、端子４１は電源端子に接続され、端子４３は基準電位点に接続される。
ＰＩＮ型ダイオード２９，３０は、電源端子４１と基準電位点との間に直列接続される
ことになる。ＰＩＮ型ダイオード２９，３０同士の接続点が接続された端子４２と基準電
位点との間にはコンデンサＣ１１が設けられている。また、端子４２はアンプ４５を介し
て出力端子４６に接続されている。

この構成によれば、ダイオード３０は暗電流に基づく出力を発生し、ダイオード２９は
外光に応じた検出電流を発生する。こうして、ダイオード３０，２９の接続点に接続され
たアンプ４５には、暗電流と外光に応じた検出電流との差の電流が流れる。こうして、ア
ンプ４５からは、暗電流成分が除去された外光の検出電流が出力される。

本実施の形態においては、有効表示領域１４中の各スイッチング素子３５及び受光素子
配置領域１６，１７中の各ＰＩＮ型ダイオード２９，３０は、絶縁基板である素子基板２
３上のポリシリコン層による半導体層によって構成されるものである。また、本実施の形
態では、有効表示領域１４中の各スイッチング素子３５としては、ボトムゲート型のＴＦ
Ｔ（薄膜トランジスタ）を採用する。

図１はＰＩＮ型ダイオード２９，３０の断面構造の一例を示している。図１は図４のＡ
−Ａ'線における断面構造である。

図１において、表示パネル２１においては、絶縁基板である石英基板又はガラス基板等
の透明な基板２３上には、下地絶縁膜７１が形成されている。

先ず、有効表示領域１４を含む画素を形成する領域の構成について説明する。

画素の形成領域においては、下地絶縁膜７１上に、スイッチング素子であるＴＦＴを構
成するゲート電極７６が形成されている。ゲート電極７６は、例えばクロム、モリブデン
、チタン等の金属材料によって構成される。走査線３３に接続されている。下地絶縁膜７
１及びゲート電極７６上には、酸化膜７５が形成されている。

酸化膜７５上には、ＴＦＴを構成する半導体層７３が形成されている。半導体層７３は
、多結晶半導体としてのポリシリコンにて構成されている。なお、このポリシリコンは、
非単結晶半導体である非晶質半導体としてのアモルファスシリコンのレーザアニールによ
り結晶化されて形成されている。

半導体層７３の両端には、不純物が導入されてソース領域７２及びドレイン領域７４が
形成されている。

ソース領域７２及びドレイン領域７４は、ＬＤＤ構造を有している。即ち、ソース領域
７２及びドレイン領域７４は、ゲート電極７６上方のチャネル領域近傍に比較的不純物濃
度が薄い部分を有する。半導体層７３にＬＤＤ構造を構成するために、半導体層７３には
ソース領域７２及びドレイン領域７４の低濃度領域と高濃度領域とを形成するための２回
の不純物注入が行われる。１回目の不純物注入では、ソース領域７２及びドレイン領域７
４の全域に濃い濃度の不純物が注入される。次いで、半導体層７３のチャネル上にチャネ
ル保護膜７７を形成した後、２回目の不純物注入が行われる。２回目の不純物注入では、
ソース領域７２及びドレイン領域７４の両端側に比較的薄い濃度の不純物がチャネル保護
膜７７をマスクとして注入される。

半導体層７３及びチャネル保護膜７７上には、層間絶縁膜７８が形成されており、層間
絶縁膜７８には、ソース領域７２及びドレイン領域７４上に夫々コンタクトホール７８ａ
，７８ｂが形成されている。ソース領域７２はコンタクトホール７８ａを介してデータ線
３４に接続されている。

データ線３４が形成される配線層上及び層間絶縁膜７８上には層間絶縁膜７９が形成さ
れる。層間絶縁膜７９にはコンタクトホール８０が形成されており、ドレイン領域７４は
、コンタクトホール７８ｂ，８０を介して、層間絶縁膜７９上に形成された画素電極３６
に接続されている。

一方、受光素子配置領域１６，１７においては、下地絶縁膜７１上に、ＰＩＮ型のＰＩ
Ｎ型ダイオード２９，３０が形成されている。ＰＩＮ型ダイオード２９，３０は、有効表
示領域１４内のＴＦＴと同一の製造工程によって形成されている。

即ち、ＰＩＮ型ダイオード２９は、半導体層７３と同一層で形成された半導体層４９に
、Ｎ型不純物を導入したＮ型領域５１、Ｐ型不純物を導入したＰ型領域５３、及び、真性
半導体又は微量に不純物を導入したＩ型領域５２を有している。同様に、ＰＩＮ型ダイオ
ード３０は、半導体層７３と同一層で形成された半導体層５０に、Ｎ型不純物を導入した
Ｎ型領域５４、Ｐ型不純物を導入したＰ型領域５６、及び、真性半導体又は微量に不純物
を導入したＩ型領域５５を有している。

これらの領域５１〜５６は、有効表示領域１４と同一膜の酸化膜７５上に形成されてい
る。また、半導体層４９のチャネル上には、チャネル保護膜５７が形成されており、半導
体層５０のチャネル上には、チャネル保護膜５８が形成されている。チャネル保護膜５７
，５８はＴＦＴのチャネル保護膜７７と同一工程で形成されており、例えば、酸化シリコ
ン膜である。

上述したように、有効表示領域１４において半導体層７３にＬＤＤ構造を構成するため
に、２回の不純物導入工程が実施される。チャネル保護膜５７，５８は、２回目の不純物
導入工程において、Ｉ型領域５２，５５に薄い濃度の不純物が導入されることを阻止する
ことができる。

層間絶縁膜７８には、Ｎ型領域５１、Ｐ型領域５３、Ｎ型領域５４及びＰ型領域５６上
においてコンタクトホール７８ｃ〜７８ｆが開孔されている。層間絶縁膜７８上にはデー
タ線３４と同層で、端子４１〜４３に夫々接続される配線が形成されており、各領域５１
，５３，５４，５６は夫々コンタクトホール７８ｃ〜７８ｆを介してこれらの配線に接続
される。配線は、例えば、チタン、アルミニウム、チタンが積層された３層構造を有する
。なお、端子４２にはＮ型領域５４及びＰ型領域５３が共通接続される。

層間絶縁膜７８上の配線層及び層間絶縁膜７８上には、層間絶縁膜７９が形成されてい
る。画素電極３６及び層間絶縁膜７９上には、液晶２５に接して、配向膜８４が形成され
ている。配向膜８４は所定の方向にラビング処理されている。

一方、対向基板２４には、有効表示領域１４を区画すると共に、開口領域１９（図２参
照）を区画する遮光膜２８が形成されている。遮光膜２８上及び対向基板２４上には、共
通電極８５が形成され、共通電極８５上には、配向膜８６が形成されている。配向膜８６
は所定の方向にラビング処理されている。また、対向基板２４の観察面側には偏光板９２
が設けられている。

本実施の形態においては、外光の照度を検出するＰＩＮ型ダイオード２９の下方には、
反射部５９が形成されている。反射部５９は、有効表示領域１４のスイッチング素子を構
成するゲート電極７６と同一膜で形成されている。反射部５９は、酸化膜７５を介在させ
て半導体層４９に対向する領域に形成されている。反射部５９は、対向基板２４側から入
射した光のうち半導体層４９を透過して素子基板２３側に進行しようとする光を反射させ
て、Ｉ型領域５２に入射させるようになっている。

これにより、開口領域１９を介して入射する光の大部分をＩ型領域５２に入射させるこ
とが可能である。

一方、照明装置２２は、外枠３８の凹部に導光板３９が嵌め込まれている。導光板３９
上には、少なくとも有効表示領域１４において、光学シート４０が配設されており、光学
シート４０は、導光板３９からの光を拡散して上方に出射する。光学シート４０上に偏光
板９１が配設されている。

また、受光素子配置領域１６，１７に対向する領域には、外枠３８上及び導光板３９上
に、遮光板１８が設けられている。遮光板１８は、導光板３９からの光がＰＩＮ型ダイオ
ード２９，３０側に進行することを阻止する。また、反射部５９は照明装置２２からの光
がＰＩＮ型ダイオード２９に進行することを阻止する。

このような構成によれば、対向基板２４の観察面側から入射した光は、開口領域１９を
介して素子基板２３側に進行する。この入射光の一部は、ＰＩＮ型ダイオード２９の上方
からＩ型領域５２に入射する。しかし、入射光の一部は、半導体層４９を突き抜けて、素
子基板２３側に進行しようとする。本実施の形態においては、半導体層４９の下方に、反
射部５９が設けられている。半導体層４９を通過した外光は、半導体層４９の下方に配設
された反射部５９によって反射して、ＰＩＮ型ダイオード２９のＩ型領域５２に下方から
進入する。こうして、ＰＩＮ型ダイオード２９のＩ型領域５２に十分な外光を入射させる
ことができる。

ＰＩＮ型ダイオード２９はＩ型領域５７に生じた空乏層を介して光発生電荷に応じた検
出電流を流す。この検出電流が、領域５１，５３に接続された配線を介して外部に出力さ
れる。こうして、外光の照度を検出することができる。

なお、ＰＩＮ型ダイオード３０は、遮光膜２８によって外光の入射が阻止されており、
暗電流の検出が可能である。また、ＰＩＮ型ダイオード２９は、照明装置２２からのバッ
クライト光の照度検出も可能である。

これらのＰＩＮ型ダイオード２９，３０の検出結果を用いることで、例えば、外光の明
るさに応じて照明装置２２の明るさ制御が可能である。例えば、外光が明るいことが検出
された場合には、外光の明るさに応じて照明装置２２の明るさを明るくする。これにより
、表示の視認性を向上させることも可能である。

このように本実施の形態においては、ＰＩＮ型ダイオードの下方に反射部を設けており
、半導体層を突き抜けた外光についても、ＰＩＮ型ダイオードのＩ型領域に入射させるこ
とができる。また、反射部は画素領域のトランジスタを構成するゲート電極と同一膜で形
成しており、工程数を増加させることなく形成可能である。このように、本実施の形態で
は、十分な外光を受光ダイオードに入射させて外光の照度を確実に検出することが可能で
ある。

＜第２の実施の形態＞
図６は本発明の第２の実施の形態に係る電気光学装置の概要を示す斜視図である。図６
において図１と同一の構成要素には同一符号を付して説明を省略する。

第１の実施の形態における反射部５９は、金属材料で形成されており、フローティング
状態となっている。このため、ＰＩＮ型ダイオード２９のカソード（Ｎ型領域５１）と反
射部５９との間、及びアノード（Ｐ型領域５３）と反射部５９との間には不測の寄生容量
が生じる。また、反射部５９に静電気がチャージされてしまうことも考えられ、反射部５
９による電気的な影響がＰＩＮ型ダイオード２９のアノード及びカソードに与えられてし
まう。この場合において、反射部５９をアノードの下方及びカソードの下方まで同様に延
出させることによって、反射部５９がアノードに与える電気的な影響とカソードに与える
電気的な影響とを略一致させることができる。即ち、ＰＩＮ型ダイオード２９の特性が反
射部５９にチャージされる静電気の影響等によって変動することを抑制することができる
。

しかしながら、第１の実施の形態においては、ＰＩＮ型ダイオード２９のみに反射部５
９を設け、ＰＩＮ型ダイオード３０には反射部を設けていない。このため、ＰＩＮ型ダイ
オード２９，３０相互間で、特性に差が出てしまうことが考えられる。そこで、本実施の
形態は、ＰＩＮ型ダイオード３０の下方にも反射部６０を設けるものである。

図６において、ＰＩＮ型ダイオード３０の下方には、ＰＩＮ型ダイオード２９の下方に
設けた反射部５９と同様に、画素領域のゲート電極７６と同層で、反射部６０が形成され
ている。反射部６０は、酸化膜７５を介在させて半導体層５０に対向する領域に形成され
ている。

更に、本実施の形態においては、層間絶縁膜７８には、反射部５９，６０に通ずるコン
タクトホール７８ｇ，７８ｈが開孔されている。ＰＩＮ型ダイオード２９において、カソ
ードを構成するＮ型領域５１は、コンタクトホール７８ｃ，７８ｇを介して反射部５９に
接続されている。また、ＰＩＮ型ダイオード３０において、カソードを構成するＮ型領域
５４は、コンタクトホール７８ｅ，７８ｈを介して反射部６０に接続されている。

即ち、反射部５９，６０は、夫々ＰＩＮ型ダイオード２９，３０のＮ型領域５１，５４
に接続されており、フローティング状態を脱している。これにより、ＰＩＮ型ダイオード
２９，３０の特性を一層安定させることができる。

このように本実施の形態においては、外光検出用のＰＩＮ型ダイオードの近傍に配置さ
れた例えば暗電流検出用のＰＩＮ型ダイオードのいずれにも、下方に反射部を設けており
、これらの一対のＰＩＮ型ダイオードの特性を略一致させることができる。また、反射部
は、カソードに接続することによりフローティング状態を脱しており、一対のＰＩＮ型ダ
イオードの特性を一層安定させることが可能である。

なお、本実施の形態においては、反射部５９，６０を、各ＰＩＮ型ダイオードのカソー
ドに接続することで、フローティング状態を脱するようにしたが、反射部５９，６０は、
所定の固定電位点に接続すればよい。例えば、反射部５９，６０を各ＰＩＮ型ダイオード
のアノードに接続してもよく、基準電位点等に接続してもよい。

また、上述の電気光学装置を用いた電子機器も本発明に含まれる。図７は上記各実施の
形態の電気光学装置を用いた携帯電話１２００の構成を示す斜視図である。

この図に示されるように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受
話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した液晶パネル１５０を備えるものである
。電気光学装置のうち、液晶パネル１５０以外の構成要素については電話器に内蔵される
ので、外観としては現れない。

他にも、電子機器としては、例えば、光源と該光源から出射された光を変調するライト
バルブと、該ライトバルブにより変調された光を投射するための光学系を備えた、投射型
表示装置である。さらに、電子機器としては、他にも、テレビジョンや、ビューファイン
ダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子
手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジ
タルスチルカメラ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各
種の電子機器に対して、本発明に係る電気光学装置が適用可能なのは言うまでもない。

また、本発明の電気光学装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）液晶パネルだけでなく、
ＴＦＤ（薄膜ダイオード）をスイッチング素子として備えた液晶表示パネルにも同様に適
用することが可能である。また、液晶表示パネルだけでなく、エレクトロルミネッセンス
装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディス
プレイ装置、電子放出を用いた装置（Field EmissionDisplay 及び Surface-ConductionE
lectron-Emitter Display 等）、ＤＬＰ（登録商標）（Digital Light Processing）（別
名ＤＭＤ：Digital Micromirror Device）等の各種の電気光学装置においても本発明を同
様に適用することが可能である。

本発明の第１の実施の形態に係る電気光学装置の断面を示す断面図。 第１の実施の形態に係る電気光学装置の概要を示す平面図。 図２の電気光学装置として液晶パネルを採用した場合において、液晶パネルをケースに収納した状態の断面構造の概略を説明するための説明図。 図２の電気光学装置に採用される表示パネルの平面パターンを模式的に示す説明図。 ＰＩＮ型ダイオード２９，３０の接続状態を等価回路図によって示す回路図。 本発明の第２の実施の形態に係る電気光学装置の概要を示す斜視図。 電子機器の例を示す斜視図。

符号の説明

２９，３０…ＰＩＮ型ダイオード、４９，５０…半導体層、５１，５４…Ｎ型領域、５
２，５５…Ｉ型領域、５３，５６…Ｐ型領域、５９…反射部、７３…半導体層、７６…ゲ
ート電極。

Claims (7)

1. 絶縁基板と、
   前記絶縁基板に形成されたポリシリコン層による半導体層と、前記絶縁基板と前記半導
   体層との間に形成されるゲート電極と、によって構成されるスイッチング素子と、
   前記絶縁基板に形成されたポリシリコン層による半導体層によって構成されたＰＩＮ型
   ダイオードと、
   前記ゲート電極と同層で前記ＰＩＮ型ダイオードを構成する半導体層に対向して形成さ
   れた反射部と、
   を具備したことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記反射部は、前記半導体層の全域に対向するように前記半導体層の平面サイズよりも
   広幅に形成されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記絶縁基板上には、前記ＰＩＮ型ダイオードが複数配列されており、
   複数の前記ＰＩＮ型ダイオードを構成する半導体層に対向して、前記反射部が夫々設け
   られることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
4. 前記反射部は、所定の固定電位点に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の
   電気光学装置。
5. 前記反射部が接続される所定の固定電位点は、前記ＰＩＮ型ダイオードのアノード又は
   カソードであることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
6. 前記絶縁基板に照明光を照射する照明部と、
   前記照明部からの光が前記ＰＩＮ型ダイオードに入射されることを阻止するための遮光
   板とを具備したことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか１つに記載の電気光学装置を用いて構成したことを特
   徴とする電子機器。

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