JPH11295691A - 液晶表示装置と液晶表示パネルの製造方法 - Google Patents

液晶表示装置と液晶表示パネルの製造方法

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JPH11295691A
JPH11295691A JP10321598A JP10321598A JPH11295691A JP H11295691 A JPH11295691 A JP H11295691A JP 10321598 A JP10321598 A JP 10321598A JP 10321598 A JP10321598 A JP 10321598A JP H11295691 A JPH11295691 A JP H11295691A
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JP
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light
display panel
backlight
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JP10321598A
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Yoshihiro Gohara
良寛 郷原
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 周囲の明るさやバックライトの輝度の状況に
応じて、使用者の輝度の調整に依らずに自動的にバック
ライトの輝度を調整する液晶表示装置と液晶表示パネル
を提供することを目的とする。 【解決手段】 液晶表示パネルとしてのTFT液晶表示
パネル1の内側で表示領域1aの外周部1bに形成され
そのTFT液晶表示パネル1に入射される光を検出する
光検出素子としての第1,第2の光検出素子2a,2b
を設け、この第1,第2の光検出素子2a,2bの出力
に基づいてバックライト3の輝度を調整するよう構成し
たものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、バックライトから
の光を液晶表示パネルの表示領域に照射して透過照明す
る液晶表示装置と液晶表示パネルに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の液晶表示装置は、図4に示すよう
に、液晶表示パネルとしてのアクティブマトリクス型の
TFT(Thin film Transistor)液晶表示パネル1と
バックライト3と制御回路6とインバータ回路8とで構
成されている。
【0003】このTFT液晶表示パネル1の他には、一
般的に、単純マトリクス型のSTN( Super Twisted
Nematic)液晶表示パネルなどもある。ここでは、従
来例としてTFT液晶表示パネル1を用いた液晶表示装
置について説明する。このTFT液晶表示パネル1は、
スイッチング素子としてのTFTを形成した一方のガラ
ス基板と、カラーフィルタを形成した他方のガラス基板
とを貼り合わせて液晶を充填した構造をしており、TF
T液晶表示パネル1の周辺部に設置した駆動回路により
順次表示電圧を印加して液晶の光学的透過率を変化させ
表示データをこのTFT液晶表示パネル1の上に書き込
む。この際に外部から送られてきた映像信号Gを制御回
路6によって信号変換しTFT液晶表示パネル1に必要
な制御信号を作り出す。バックライト3は、インバータ
回路8により点灯され、導光板などで構成される光学部
品により平面光源を実現しており、TFT液晶表示パネ
ル1を背面から透過照明してこのTFT液晶表示パネル
1に書き込まれたデータを表示するものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の液
晶表示装置では、使用する環境が非常に明るい場所、例
えば天気の良い屋外などでこの液晶表示装置を使用する
と、周囲の明るさが明るすぎるため、液晶表示装置の表
示が暗く見えてしまい、周囲の明るさによってバックラ
イト3の輝度を使用者が調整しなければならない。
【0005】このバックライト3には、光源として一般
的に蛍光灯が用いられているが、この蛍光灯は、点灯直
後は輝度が低く、時間と共に輝度が高くなったり、周囲
の気温によっても輝度が変化したりするので、液晶表示
装置に輝度調整機能が無い場合は視認性が悪く、液晶表
示装置に輝度調整機能を持たせた場合でも、使用者がバ
ックライト3の輝度を頻繁に調整しなければならない問
題がある。
【0006】本発明は、周囲の明るさやバックライトの
輝度の状況に応じて、使用者の輝度の調整に依らずに自
動的にバックライトの輝度を調整する液晶表示装置と液
晶表示パネルを提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、液晶表示パネルの内側で表示領域の外周部に形成さ
れその液晶表示パネルに入射される光を検出する光検出
素子を設け、この光検出素子の出力に基づいてバックラ
イトの輝度を調整するよう構成したものである。
【0008】本発明によると、周囲の明るさやバックラ
イトの輝度の状況に応じて、使用者の輝度の調整に依ら
ずに自動的にバックライトの輝度を調整することができ
る。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、バックライトからの光を液晶表示パネルの表示領域
に照射して透過照明する液晶表示装置において、前記液
晶表示パネルの内側で表示領域の外周部に形成されその
液晶表示パネルに入射される光を検出する光検出素子を
設け、前記光検出素子の出力に基づいて前記バックライ
トの輝度を調整するよう構成した液晶表示装置としたも
のであり、周囲の明るさやバックライトの輝度の状況に
応じて、使用者の輝度の調整に依らずに自動的にバック
ライトの輝度を調整することができる。
【0010】本発明の請求項2に記載の発明は、液晶表
示パネルの内側で表示領域の外周部に形成され光を検出
する光検出素子を、液晶表示パネルの表示画面側から入
射される光を検出する第1の光検出素子と、バックライ
トによって液晶表示パネルの背面から入射される光を検
出する第2の光検出素子とで構成した請求項1記載の液
晶表示装置としたものであり、周囲の明るさやバックラ
イトの輝度をそれぞれの光検出素子で検出することがで
き、周囲の明るさやバックライトの輝度の状況に応じ
て、使用者の輝度の調整に依らずに自動的にバックライ
トの輝度を調整することができる。
【0011】本発明の請求項3に記載の発明は、液晶表
示パネルの内側で表示領域の外周部に形成され光を検出
する光検出素子を、液晶表示パネルの表示画面側から入
射される光を検出する第1の光検出素子で構成した請求
項1記載の液晶表示装置としたものであり、周囲の明る
さに応じて、使用者の輝度の調整に依らずに自動的にバ
ックライトの輝度を調整することができる。
【0012】本発明の請求項4に記載の発明は、液晶表
示パネルの内側で表示領域の外周部に形成され光を検出
する光検出素子を、バックライトによって液晶表示パネ
ルの背面から入射される光を検出する第2の光検出素子
で構成した請求項1記載の液晶表示装置としたものであ
り、バックライトの輝度が変動する場合でも、このバッ
クライトの輝度の状況に応じて、使用者の輝度の調整に
依らずに自動的にバックライトの輝度を調整することが
できる。
【0013】本発明の請求項5に記載の発明は、バック
ライトからの光を液晶表示パネルの表示領域に照射して
透過照明する液晶表示装置において、前記液晶表示パネ
ルの内側で表示領域の外周部には、液晶表示パネルの表
示画面側から入射される光を検出する第1の光検出素子
と、前記バックライトによって液晶表示パネルの背面か
ら入射される光を検出する第2の光検出素子とが形成さ
れ、第1の光検出素子の出力に基づいて光強度信号を出
力する第1の検出回路と、第2の光検出素子の出力に基
づいて光強度信号を出力する第2の検出回路と、前記第
1,第2の検出回路の光強度信号に基づいて前記バック
ライトの輝度を制御する輝度制御回路とを設けた液晶表
示装置としたものであり、周囲の明るさやバックライト
の輝度の状況に応じて、使用者の輝度の調整に依らずに
自動的にバックライトの輝度を調整することができる。
【0014】本発明の請求項6に記載の発明は、基板間
に液晶を充填するとともに画各素電極に接続されたスイ
ッチング素子を制御して表示する液晶表示パネルを製造
するに際し、一方の基板の表示領域に前記スイッチング
素子を形成する工程において、表示領域の外周部に遮光
層を形成してこの遮光層の上に光検出素子を形成し、こ
の一方の基板に他方の基板を貼り合わせて液晶を充填す
る液晶表示パネルの製造方法としたものであり、光検出
素子を液晶表示パネルの内部に形成できるので、光検出
素子を液晶表示パネルの外部や液晶表示装置に別途に追
加する必要がなく、追加コストや取り付け用のスペース
を不要とすることができる。
【0015】本発明の請求項7に記載の発明は、基板間
に液晶を充填するとともに画各素電極に接続されたスイ
ッチング素子を制御して表示する液晶表示パネルを製造
するに際し、一方の基板の表示領域に前記スイッチング
素子を形成する工程において、表示領域の外周部に光検
出素子を形成してこの光検出素子の上に遮光層を形成
し、この一方の基板に他方の基板を貼り合わせて液晶を
充填する液晶表示パネルの製造方法としたものであり、
光検出素子を液晶表示パネルの内部に形成できるので、
光検出素子を液晶表示パネルの外部や液晶表示装置に別
途に追加する必要がなく、追加コストや取り付け用のス
ペースを不要とすることができる。
【0016】本発明の請求項8に記載の発明は、基板間
に液晶を充填するとともに画各素電極に接続されたスイ
ッチング素子を制御して表示する液晶表示パネルを製造
するに際し、一方の基板の表示領域に前記スイッチング
素子を形成する工程において、表示領域の外周部の第1
の部位に遮光層を形成してこの遮光層の上に光検出素子
を形成し、表示領域の外周部で第1の部位とは異なる個
所の第2の部位に光検出素子を形成してこの光検出素子
の上に遮光層を形成し、この一方の基板に他方の基板を
貼り合わせて液晶を充填する液晶表示パネルの製造方法
としたものであり、光検出素子を液晶表示パネルの内部
に形成できるので、光検出素子を液晶表示パネルの外部
や液晶表示装置に別途に追加する必要がなく、追加コス
トや取り付け用のスペースを不要とすることができる。
【0017】以下、本発明の液晶表示装置と液晶表示パ
ネルを具体的な実施の形態に基づいて説明する。 (実施の形態)本発明の実施の形態の液晶表示装置は、
図1に示すように、液晶表示パネルとしてのTFT液晶
表示パネル1の内側で表示領域1aの外周部1bに形成
されそのTFT液晶表示パネル1に入射される光を検出
する光検出素子を設け、前記光検出素子の出力に基づい
てバックライト3の輝度を調整するよう構成したもので
ある。
【0018】この光検出素子は、例えば、TFT液晶表
示パネル1の表示画面側から入射される光を検出する第
1の光検出素子2aと、バックライト3によってTFT
液晶表示パネル1の背面から入射される光を検出する第
2の光検出素子2bとで構成されている。
【0019】具体的に、この液晶表示装置は、TFT液
晶表示パネル1と、第1,第2の光検出素子2a,2b
と、第1の光検出素子2aに接続される第1の検出回路
4aと、第2の光検出素子2bに接続される第2の検出
回路4bと、TFT液晶表示パネル1の周辺部に設けら
れた駆動回路5と、駆動回路5に接続された制御回路6
と、TFT液晶表示パネル1の背面に設置されたバック
ライト3と、バックライト3の光源としての蛍光灯7
と、蛍光灯7を点灯させるインバータ回路8と、第1,
第2の検出回路4a,4bとインバータ回路8に接続さ
れた輝度制御回路9とで構成されている。
【0020】TFT液晶表示パネル1は、図2に示すよ
うに、表示領域1aには、信号電極11と走査電極12
とスイッチング素子としてのTFT13と画素電極14
とが設けられ、さらに、表示領域1aの外周部1bに
は、第1,第2の光検出素子2a,2bと、第1の光検
出素子2aに接続された引き出し電極10aと、第2の
光検出素子2bに接続された引き出し電極10bとが設
けられている。
【0021】このTFT液晶表示パネル1は、図3に示
すように、以下のようにして製造される。一方のガラス
基板15aの表示領域1aにTFT13を形成する工程
において、表示領域の外周部の第1の部位1cに遮光層
16を形成してこの遮光層16の上に第1の光検出素子
2aを形成し、同様に表示領域の外周部で第1の部位1
cとは異なる個所の第2の部位1dに第2の光検出素子
2bを形成してこの第2の光検出素子2bの上に遮光層
16を形成し、このガラス基板15aに他方のガラス基
板15bを貼り合わせて液晶を充填して製造される。
【0022】このことにより、第1の光検出素子2aで
は、その下方位置に遮光層16が形成されているので、
バックライト3からの光Y1はこの遮光層16で反射さ
れ、第1の光検出素子2aの受光面はTFT液晶表示パ
ネル1の表示画面側に設定されているので、この第1の
光検出素子2aはTFT液晶表示パネル1の表示画面側
から入射される光Y2を検出する。これに対して、第2
の光検出素子2bでは、その上方位置に遮光層16が形
成されているので、TFT液晶表示パネル1の表示画面
側から入射される光Y3はこの遮光層16で反射され、
第2の光検出素子2bの受光面はバックライト3の側に
設定されているので、この第2の光検出素子2bはバッ
クライト3によってTFT液晶表示パネル1の背面から
入射される光Y4を検出する。
【0023】例えば、TFT13をアモルファスシリコ
ンで形成する場合は、このアモルファスシリコンで光検
出素子としての2端子素子を形成し、光可変抵抗素子と
なるように受光面からアモルファスシリコン層へ光が照
射されるようにその受光面と反対側に遮光層16を形成
する。第1,第2の光検出素子2a,2bには、受光面
が互いに異なるガラス基板側になるように遮光層16が
形成されている。
【0024】この液晶表示装置の動作を以下に説明す
る。図1に示すように、走査電極12にはTFT13を
順次導通状態にする電圧が印加され、TFT13が導通
状態になるタイミングに同期して信号電極11に画像信
号電圧が印加され、各画素電極14に画像信号電圧が書
き込まれた後に走査電極12に遮断電圧が印加され、書
き込まれた画像電圧を保持することによりTFT液晶表
示パネル1に画像を表示させる。駆動回路5は、信号電
極11と走査電極12とに駆動電圧を印加する。制御回
路6は外部から入力される画像信号を変換し、駆動回路
5に所定の制御信号や電圧を供給する。バックライト3
はインバータ回路8により点灯される蛍光灯7を内蔵し
平面光源としてTFT液晶表示パネル1を透過照明し、
書き込まれた画像を表示させる。
【0025】第1の光検出素子2aは表示画面側に受光
面が形成されていて、表示画面側からの入射される光の
光強度を検出し、第2の光検出素子2bはバックライト
3の側に受光面が形成されていて、バックライト3から
入射される光の光強度を検出する。第1,第2の光検出
素子2a,2bは、それぞれの引き出し電極10a,1
0bを介して第1,第2の検出回路4a,4bに接続さ
れ、第1,第2の光検出素子2a,2bで検出した光強
度は、第1,第2の検出回路4a,4bによって独立し
て光強度信号に変換される。第1,第2の検出回路4
a,4bから出力される光強度信号は輝度制御回路9に
入力される。
【0026】輝度制御回路9では、表示画面前面からの
周囲光に対して見やすい表示輝度となるように、予め設
定された条件にしたがってインバータ回路8を制御して
バックライト3の輝度が所定の輝度になるように制御す
る。例えば、予め設定された複数の条件のうちで、入力
された光強度信号がどの条件に該当するのかを選択して
この選択された条件に基づいてインバータ回路8を制御
してバックライト3の輝度が所定の輝度になるように制
御する。
【0027】また、蛍光灯7の輝度が時間的に変化する
ことでバックライト3の輝度が変化する場合でも、第2
の検出回路4bの光強度信号に基づいてインバータ回路
8を制御して、バックライト3の輝度が所定の設定値で
一定となるように制御する。
【0028】以上のことにより、TFT液晶表示パネル
1の表示画面側から入射される光を検出する第1の光検
出素子2aと、バックライト3によってTFT液晶表示
パネル1の背面から入射される光を検出する第2の光検
出素子2bとを、そのTFT液晶表示パネル1の内側で
表示領域1aの外周部1bに形成したことにより、第
1,第2の光検出素子2a,2bをTFT液晶表示パネ
ル1の外部や液晶表示装置に別途に追加する必要がな
く、追加コストや取り付け用のスペースを不要とするこ
とができる。また、TFT液晶表示パネル1の表示画面
側から入射される光と、バックライト3によってTFT
液晶表示パネル1の背面から入射される光とを同時に検
出することができる。TFT液晶表示パネル1の周囲の
明るさに応じてバックライト3を最適な輝度に保つよう
に自動的に制御することができ、また、バックライト自
体の輝度が時間的に変化する場合でも最適な輝度を保つ
ように自動的に制御することができる。
【0029】この実施の形態では、第1の光検出素子と
第2の光検出素子とを液晶表示パネルの内側で表示領域
の外周部に形成しているが、第1の光検出素子のみを液
晶表示パネルの内側で表示領域の外周部に形成する場合
では液晶表示パネルの表示画面側から入射される光を検
出して自動的にバックライトの輝度を調整することがで
き、第2の光検出素子のみを液晶表示パネルの内側で表
示領域の外周部に形成する場合ではバックライトによっ
て液晶表示パネルの背面から入射される光を検出してバ
ックライト自体の輝度が変動しても自動的にバックライ
トの輝度を調整することができる。
【0030】この実施の形態では、遮光層を光検出素子
とを同じ大きさにしているが、光検出素子に比べて大き
くする場合では、より不要な光を遮光することができ
る。この実施の形態では、アモルファスシリコンからな
るTFT液晶表示パネルを用いた液晶表示装置として説
明したが、これは一例に過ぎず、例えばポリシリコンT
FTを用いたものであっても良く、その製造プロセスも
高温度で成膜する場合や低温度で成膜する場合のどちら
であっても良い。さらに駆動回路については特に言及し
ていないが、液晶表示パネルの基板上に半導体プロセス
で形成された駆動回路であってもよく、液晶表示パネル
の基板にスイッチング素子を接続したものであっても良
い。
【0031】この実施の形態では、光検出素子を2端子
の光可変抵抗素子としたが、TFTと同一の半導体プロ
セスで同時に形成できるものであれば、光電池のような
ものであってもよく、液晶表示パネルもTFTに限られ
るものではなく、MIM(Metal Insulator Metal
などの2端子素子を用いたアクティブマトリクス液晶表
示パネルであってもよいことは言うまでもない。
【0032】
【発明の効果】以上のように本発明の液晶表示装置によ
れば、液晶表示パネルの内側で表示領域の外周部に形成
されその液晶表示パネルに入射される光を検出する光検
出素子を設け、前記光検出素子の出力に基づいて前記バ
ックライトの輝度を調整するよう構成したことにより、
光検出素子を液晶表示パネルの外部や液晶表示装置に別
途に追加する必要がなく、組立工程を容易にすることが
でき、追加コストや取り付け用のスペースを不要とする
ことができる。さらに、最適な輝度を保つように自動的
に前記バックライトの輝度を自動的に調整することがで
きる。
【0033】また、液晶表示パネルの表示画面側から入
射される光を検出する第1の光検出素子と、バックライ
トによって液晶表示パネルの背面から入射される光を検
出する第2の光検出素子とをその液晶表示パネルの内側
で表示領域の外周部に形成したことにより、液晶表示パ
ネルの表示画面側から入射される光とバックライトによ
って液晶表示パネルの背面から入射される光とを同時に
検出することができる。さらに、液晶表示パネルの周囲
の明るさに応じて前記バックライトを最適な輝度に保つ
ように自動的に調整することができ、また、前記バック
ライト自体の輝度が時間的に変化する場合でも最適な輝
度を保つように自動的に前記バックライトの輝度を調整
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の液晶表示装置のブロック
【図2】同実施の形態の液晶表示パネルのブロック図
【図3】同実施の形態の液晶表示装置の遮光層を示す断
面図
【図4】従来の液晶表示装置のブロック図
【符号の説明】
1 TFT液晶表示パネル 1a 表示領域 1b 外周部 1c 第1の部位 1d 第2の部位 2a 第1の光検出素子 2b 第2の光検出素子 3 バックライト 4a 第1の検出回路 4b 第2の検出回路 9 輝度制御回路 10a 引き出し電極 10b 引き出し電極 16 遮光層

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 バックライトからの光を液晶表示パネル
    の表示領域に照射して透過照明する液晶表示装置におい
    て、 前記液晶表示パネルの内側で表示領域の外周部に形成さ
    れその液晶表示パネルに入射される光を検出する光検出
    素子を設け、 前記光検出素子の出力に基づいて前記バックライトの輝
    度を調整するよう構成した液晶表示装置。
  2. 【請求項2】 液晶表示パネルの内側で表示領域の外周
    部に形成され光を検出する光検出素子を、液晶表示パネ
    ルの表示画面側から入射される光を検出する第1の光検
    出素子と、バックライトによって液晶表示パネルの背面
    から入射される光を検出する第2の光検出素子とで構成
    した請求項1記載の液晶表示装置。
  3. 【請求項3】 液晶表示パネルの内側で表示領域の外周
    部に形成され光を検出する光検出素子を、液晶表示パネ
    ルの表示画面側から入射される光を検出する第1の光検
    出素子で構成した請求項1記載の液晶表示装置。
  4. 【請求項4】 液晶表示パネルの内側で表示領域の外周
    部に形成され光を検出する光検出素子を、バックライト
    によって液晶表示パネルの背面から入射される光を検出
    する第2の光検出素子で構成した請求項1記載の液晶表
    示装置。
  5. 【請求項5】 バックライトからの光を液晶表示パネル
    の表示領域に照射して透過照明する液晶表示装置におい
    て、 前記液晶表示パネルの内側で表示領域の外周部には、液
    晶表示パネルの表示画面側から入射される光を検出する
    第1の光検出素子と、前記バックライトによって液晶表
    示パネルの背面から入射される光を検出する第2の光検
    出素子とが形成され、 第1の光検出素子の出力に基づいて光強度信号を出力す
    る第1の検出回路と、 第2の光検出素子の出力に基づいて光強度信号を出力す
    る第2の検出回路と、 前記第1,第2の検出回路の光強度信号に基づいて前記
    バックライトの輝度を制御する輝度制御回路とを設けた
    液晶表示装置。
  6. 【請求項6】 基板間に液晶を充填するとともに画各素
    電極に接続されたスイッチング素子を制御して表示する
    液晶表示パネルを製造するに際し、 一方の基板の表示領域に前記スイッチング素子を形成す
    る工程において、 表示領域の外周部に遮光層を形成してこの遮光層の上に
    光検出素子を形成し、この一方の基板に他方の基板を貼
    り合わせて液晶を充填する液晶表示パネルの製造方法。
  7. 【請求項7】 基板間に液晶を充填するとともに画各素
    電極に接続されたスイッチング素子を制御して表示する
    液晶表示パネルを製造するに際し、 一方の基板の表示領域に前記スイッチング素子を形成す
    る工程において、 表示領域の外周部に光検出素子を形成してこの光検出素
    子の上に遮光層を形成し、 この一方の基板に他方の基板を貼り合わせて液晶を充填
    する液晶表示パネルの製造方法。
  8. 【請求項8】 基板間に液晶を充填するとともに画各素
    電極に接続されたスイッチング素子を制御して表示する
    液晶表示パネルを製造するに際し、 一方の基板の表示領域に前記スイッチング素子を形成す
    る工程において、 表示領域の外周部の第1の部位に遮光層を形成してこの
    遮光層の上に光検出素子を形成し、 表示領域の外周部で第1の部位とは異なる個所の第2の
    部位に光検出素子を形成してこの光検出素子の上に遮光
    層を形成し、この一方の基板に他方の基板を貼り合わせ
    て液晶を充填する液晶表示パネルの製造方法。
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Cited By (13)

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