JP2008176089A - 電気光学装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】画素配列領域10bを通る走査線3aの両端に走査線駆動回路104および保護回路105が各々電気的に接続し、かつ、走査線3aにおいて、画素配列領域10bと保護回路105のダイオード素子41、42との間には第1の抵抗43が介挿されている。画素配列領域10bと走査線駆動回路104との間には、第1の抵抗43よりも抵抗値が大きい第2の抵抗49が介挿され、走査線3aの長さ方向の中央位置から走査線駆動回路104までの抵抗値は、中央位置からダイオード素子41、42までの抵抗値よりも大きい。従って、静電気は走査線3aを伝って保護回路105の側に優先的に流れる。
【選択図】図5
Description
(全体構成)
図1は、本発明を適用した電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図1に示すように、電気光学装置100は、概ね、液晶パネル100p、画像処理回路202、タイミング発生回路203および電源回路201によって構成されており、画像処理回路202、タイミング発生回路203および電源回路201は、液晶パネル100pに接続されたフレキシブル基板(図示せず)に実装されたICなどにより構成されている。タイミング発生回路203では、液晶パネル100pの各画素100aを駆動するためのドットクロックが生成され、このドットクロックに基づいて、クロック信号VCK、HCK、反転クロック信号VCKB、HCKB、転送開始パルスHSP、VSPが生成される。画像処理回路202は、外部から入力画像データが入力されると、この入力画像データに基づいて画像信号を生成し、液晶パネル100pに供給する。電源回路201は、複数の電源VDD、VSS、VHH、VLLを生成して液晶パネル100pに供給する。
図2(a)、(b)は各々、本発明を適用した電気光学装置100の液晶パネル100pを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのH−H′断面図である。図2(a)、(b)に示すように、電気光学装置100の液晶パネル100pでは、所定の隙間を介して素子基板10と対向基板20とが所定の隙間を介してシール材107によって貼り合わされており、シール材107は対向基板20の縁に沿うように配置されている。シール材107は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂などからなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。
図3(a)、(b)は各々、本発明を適用した電気光学装置100に用いた素子基板10において相隣接する画素の平面図、およびそのA−A′線に相当する位置で電気光学装置100を切断したときの断面図である。
再び図2(a)において、本形態の電気光学装置100では、素子基板10の表面側のうち、画素配列領域10bの周辺領域を利用してデータ線駆動回路101および走査線駆動回路104などの内部回路が形成されている。このようなデータ線駆動回路101および走査線駆動回路104は、図4(a)、(b)に示すように、Pチャネル型の薄膜トランジスタ80とNチャネル型の薄膜トランジスタ90とを備えた相補回路などを有しており、このような相補回路の構成を簡単に説明する。図4(a)、(b)は各々、本発明を適用した電気光学装置に用いた素子基板に形成した相補型薄膜トランジスタの平面図、およびそのB−B′線に相当する位置で素子基板を切断したときの断面図である。
図5(a)、(b)を参照して、走査線駆動回路104の構成を説明する。図5(a)、(b)は各々、本形態の電気光学装置100において素子基板10に形成した走査線駆動回路104や保護回路105などの構成を示すブロック図、およびその一単位分のブロック図である。
このように構成した電気光学装置100において、例えば液晶パネル100pの組み立て時、運搬時などの非動作時、または電源供給が行われている動作時に画素配列領域10bに対して静電気の放電が発生した場合、画素100aが損傷するおそれがある。また、画素配列領域10bに侵入した静電気が走査線3aに流れ込むと、走査線3aの一端3cに電気的に接続する走査線駆動回路104において、レベルシフタ&バッファ104bが破壊、劣化するおそれがある。
また、本形態の電気光学装置100では、走査線駆動回路104に外部から信号が入力される入力端子側、および走査線駆動回路104より外部に信号が出力される出力端子側の各々に入力保護回路104cおよび出力保護回路104dが構成されている。従って、入力保護回路104cは、入力端子に電気的に接続する配線に対して静電気を逃がす経路を提供することによりシフトレジスタ104aを保護する。また、出力保護回路104dは、出力端子に電気的に接続する配線に対して静電気を逃がす電気経路を提供することによりシフトレジスタ104aを保護する。このような入力保護回路104cおよび出力保護回路104dの具体的な構成は、保護回路105と同様であるため、説明を省略するが、2つのダイオード素子のうち、一方のダイオード素子のカソードおよびアノードを高電位線および入出力線に各々接続し、他方のダイオード素子のアノードおよびカソードを低電位線および入出力線に各々接続した構成を有している。
図6は、本発明の実施の形態2に係る電気光学装置の素子基板10に形成した走査線駆動回路104および保護回路105などの一単位分のブロック図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
図7は、本発明の実施の形態3に係る電気光学装置の素子基板10に形成した走査線駆動回路104および保護回路105などのブロック図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
金属膜<ITO膜<半導体膜
を有しているので、走査線3aにおいて、走査線3aの長さ方向の中央位置からダイオード素子41、42までの配線部分は全て金属膜により形成する一方、走査線3aの長さ方向の中央位置から走査線駆動回路104までの配線部分については、薄膜トランジスタ30のゲート電極としてチャネル形成領域1a′と重なる部分を除いて、ITO膜あるいは不純物を導入した半導体膜によって形成してもよい。
上記のいずの形態においても、ダイオード素子41、42の前段に、突入電流制御用の抵抗43、48を配置した例を説明したが、突入電流制御用の抵抗43、48を用いない場合に本発明を適用してもよい。また、上記形態では、ダイオード素子41,42,44,45としてPIN接合型ダイオードを用いたが、N型の薄膜トランジスタをダイオード接続したMOS型ダイオード、あるいはP型の薄膜トランジスタをダイオード接続したMOS型ダイオードを用いてもよい。この場合、駆動回路をN型またはP型の薄膜トランジスタで形成した場合でも、MOS型ダイオードを構成することができる。
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置100を適用した電子機器について説明する。図8(a)に、電気光学装置100を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ2000は、表示ユニットとしての電気光学装置100と本体部2010を備える。本体部2010には、電源スイッチ2001およびキーボード2002が設けられている。図8(b)に、電気光学装置100を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001およびスクロールボタン3002、並びに表示ユニットとしての電気光学装置100を備える。スクロールボタン3002を操作することによって、電気光学装置100に表示される画面がスクロールされる。図8(c)に、電気光学装置100を適用した情報携帯端末(PDA:Personal Digital Assistants)の構成を示す。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン4001および電源スイッチ4002、並びに表示ユニットとしての電気光学装置100を備える。電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置100に表示される。
Claims (7)
- 複数の画素が配列された画素配列領域内で並列して設けられた複数本の信号線と、前記画素配列領域外で前記信号線の一端に電気的に接続された駆動回路と、を有する電気光学装置において、
前記信号線の他端には、当該信号線から静電気を放出する保護回路のダイオード素子が電気的に接続され、
前記信号線において、当該信号線の長さ方向の中央位置から前記駆動回路までの配線部分の抵抗値が前記中央位置から前記ダイオード素子までの配線部分の抵抗値より大きいことを特徴とする電気光学装置。 - 複数の画素が配列された画素配列領域内で並列して設けられた複数本の信号線と、前記画素配列領域外で前記信号線の一端に電気的に接続された駆動回路と、を有する電気光学装置において、
前記信号線の他端には、当該信号線から静電気を放出する保護回路のダイオード素子が電気的に接続され、
前記信号線において、前記画素配列領域と前記ダイオード素子との間に位置する配線部分には第1の抵抗が介挿され、前記画素配列領域と前記駆動回路との間に位置する配線部分には、前記第1の抵抗よりも抵抗値が大きい第2の抵抗が介挿されていることを特徴とする電気光学装置。 - 複数の画素が配列された画素配列領域内で並列して設けられた複数本の信号線と、前記画素配列領域外で前記信号線の一端に電気的に接続された駆動回路と、を有する電気光学装置において、
前記信号線の他端には、当該信号線から静電気を放出する第1の保護回路の第1のダイオード素子が電気的に接続され、
前記信号線の一端において前記画素配列領域と前記駆動回路との間に位置する配線部分には、当該信号線から静電気を放出する第2の保護回路の第2のダイオード素子が電気的に接続され、
前記信号線において、前記画素配列領域と前記第1のダイオード素子との間に位置する配線部分には第1の抵抗が介挿され、前記画素配列領域と前記第2のダイオード素子との間に位置する配線部分には前記第1の抵抗よりも抵抗値が大きい第2の抵抗が介挿されていることを特徴とする電気光学装置。 - 前記画素において、画素スイッチング用薄膜トランジスタおよび画素電極が形成され、
前記駆動回路において、相補型薄膜トランジスタが形成され、
前記信号線および前記ダイオード素子は、前記画素スイッチング用薄膜トランジスタ、前記画素電極および前記相補型薄膜トランジスタを構成する複数の薄膜により形成されていることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の電気光学装置。 - 前記画素において、画素スイッチング用薄膜トランジスタおよび画素電極が形成され、
前記駆動回路において、相補型薄膜トランジスタが形成され、
前記信号線、前記ダイオード素子、前記第1の抵抗、および前記第2の抵抗は、前記画素スイッチング用薄膜トランジスタ、前記画素電極および前記相補型薄膜トランジスタを構成する複数の薄膜により形成されていることを特徴とする請求項2または3に記載の電気光学装置。 - 前記ダイオード素子は、PIN接合型ダイオードからなることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の電気光学装置。
- 前記ダイオード素子は、N型またはP型のダイオードにより形成され、
前記駆動回路は、N型またはP型の薄膜トランジスタにより形成されていることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の電気光学装置。
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