JPH0390461U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0390461U JPH0390461U JP15235689U JP15235689U JPH0390461U JP H0390461 U JPH0390461 U JP H0390461U JP 15235689 U JP15235689 U JP 15235689U JP 15235689 U JP15235689 U JP 15235689U JP H0390461 U JPH0390461 U JP H0390461U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- guard ring
- photo diode
- avalanche photo
- low concentration
- light receiving
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Description
第1図はこの考案の一実施例のガードリング表
面低濃度層を有するアバランシエ・フオト・ダイ
オードの断面図である。第2図はこの考案の他の
実施例のアバランシエ・フオト・ダイオードの断
面図である。第3図は従来のガードリングを有す
るアバランシエ・フオト・ダイオードの断面図で
ある。 1……半導体基板、2……受光部、3……ガー
ドリング、4……表面保護絶縁膜、5……pn接
合、6,7……ガードリング表面低濃度層。
面低濃度層を有するアバランシエ・フオト・ダイ
オードの断面図である。第2図はこの考案の他の
実施例のアバランシエ・フオト・ダイオードの断
面図である。第3図は従来のガードリングを有す
るアバランシエ・フオト・ダイオードの断面図で
ある。 1……半導体基板、2……受光部、3……ガー
ドリング、4……表面保護絶縁膜、5……pn接
合、6,7……ガードリング表面低濃度層。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 プレーナ構造の受光部にガードリングを有する
構造において、 前記ガードリングの表面近傍に、同一導電型の
低濃度領域を形成したことを特徴とするアバラン
シエ・フオト・ダイオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15235689U JPH0390461U (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15235689U JPH0390461U (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0390461U true JPH0390461U (ja) | 1991-09-13 |
Family
ID=31698624
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15235689U Pending JPH0390461U (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0390461U (ja) |
-
1989
- 1989-12-27 JP JP15235689U patent/JPH0390461U/ja active Pending