JPS62158847U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS62158847U JPS62158847U JP4644686U JP4644686U JPS62158847U JP S62158847 U JPS62158847 U JP S62158847U JP 4644686 U JP4644686 U JP 4644686U JP 4644686 U JP4644686 U JP 4644686U JP S62158847 U JPS62158847 U JP S62158847U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- emitting region
- compound semiconductor
- electrode
- increases
- Prior art date
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- Pending
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Description
第１図は本考案実施例の発光ダイオードアレイ
の要部断面図、第２図は１発光領域の輝度分布図
、第３図は従来の発光ダイオードアレイの斜視図
である。 １……化合物半導体、２……発光領域、３……
電極、５，５……透明被膜。
の要部断面図、第２図は１発光領域の輝度分布図
、第３図は従来の発光ダイオードアレイの斜視図
である。 １……化合物半導体、２……発光領域、３……
電極、５，５……透明被膜。
Claims (1)
- 化合物半導体の表面に選択拡散で設けられた発
光領域と、その発光領域にオーミツク接触され化
合物半導体の表面に設けられた電極と、露出した
発光領域の表面に電極から遠ざかるに従つて被覆
面積が広くなるよう設けられた透明被膜とを具備
した事を特徴とする発光ダイオードアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4644686U JPS62158847U (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4644686U JPS62158847U (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62158847U true JPS62158847U (ja) | 1987-10-08 |
Family
ID=30866115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4644686U Pending JPS62158847U (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62158847U (ja) |
-
1986
- 1986-03-28 JP JP4644686U patent/JPS62158847U/ja active Pending