JPH0412668U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0412668U JPH0412668U JP5319590U JP5319590U JPH0412668U JP H0412668 U JPH0412668 U JP H0412668U JP 5319590 U JP5319590 U JP 5319590U JP 5319590 U JP5319590 U JP 5319590U JP H0412668 U JPH0412668 U JP H0412668U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal layer
- substrate
- upper electrode
- electrode
- emitting diode
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Description
第１図は本考案実施例の側断面図、第２図はそ
の光強度特性図、第３図は従来の発光ダイオード
の側断面図、第４図はその光強度特性図である。 １……基板、２……下部結晶層、３……上部結
晶層、４……ＰＮ接合面、５……上部電極、６…
…穴部、７……下部電極。
の光強度特性図、第３図は従来の発光ダイオード
の側断面図、第４図はその光強度特性図である。 １……基板、２……下部結晶層、３……上部結
晶層、４……ＰＮ接合面、５……上部電極、６…
…穴部、７……下部電極。
Claims (1)
- 基板とその一面に順次設けられた下部結晶層と
ＰＮ接合面と上部結晶層と上部電極とを具備し、
該上部電極と略相対する位置にて前記基板の他の
面からあけられた穴部のみに於て、前記下部結晶
層とオーミツク接触して下部電極を設けた事を特
徴とする発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5319590U JPH0412668U (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5319590U JPH0412668U (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0412668U true JPH0412668U (ja) | 1992-01-31 |
Family
ID=31574173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5319590U Pending JPH0412668U (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0412668U (ja) |
-
1990
- 1990-05-22 JP JP5319590U patent/JPH0412668U/ja active Pending