JPS62120372U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS62120372U JPS62120372U JP812786U JP812786U JPS62120372U JP S62120372 U JPS62120372 U JP S62120372U JP 812786 U JP812786 U JP 812786U JP 812786 U JP812786 U JP 812786U JP S62120372 U JPS62120372 U JP S62120372U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- main surface
- semiconductor substrate
- semiconductor
- active layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Description
第１図は本考案半導体レーザ装置の第１の実施
例を示す断面図、第２図は本考案半導体レーザ装
置の第２の実施例を示す断面図、第３図は本考案
半導体レーザ装置の第３の実施例を示す断面図、
第４図Ａ，Ｂは半導体レーザ装置の各別の従来例
を示す断面図、第５図は第４図Ａに示す半導体レ
ーザ装置の回路図である。 符号の説明、１……半導体基板、３……フオト
ダイオード、４……導電性板、５……半導体レー
ザダイオード、７……活性層、１２……有効光束
。
例を示す断面図、第２図は本考案半導体レーザ装
置の第２の実施例を示す断面図、第３図は本考案
半導体レーザ装置の第３の実施例を示す断面図、
第４図Ａ，Ｂは半導体レーザ装置の各別の従来例
を示す断面図、第５図は第４図Ａに示す半導体レ
ーザ装置の回路図である。 符号の説明、１……半導体基板、３……フオト
ダイオード、４……導電性板、５……半導体レー
ザダイオード、７……活性層、１２……有効光束
。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 半導体基板の一主面にフオトダイオードを形成
し、 上記主面と同一面上に半導体レーザダイオード
をこれの活性層と近い方の主面を下向きにして載
置してなる半導体レーザ装置において、 上記半導体基板と上記半導体レーザダイオード
との間に上記活性層から出射されるレーザ光の有
効光束が半導体基板にあたらないようにさせる導
電性板を介在させてなる ことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP812786U JPS62120372U (ja) | 1986-01-23 | 1986-01-23 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP812786U JPS62120372U (ja) | 1986-01-23 | 1986-01-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62120372U true JPS62120372U (ja) | 1987-07-30 |
Family
ID=30792218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP812786U Pending JPS62120372U (ja) | 1986-01-23 | 1986-01-23 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62120372U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015510277A (ja) * | 2012-03-02 | 2015-04-02 | エクセリタス カナダ，インコーポレイテッド | 基板上で成形されたカプセル化くぼみを有する半導体レーザチップパッケージ及びこれを形成するための方法 |
-
1986
- 1986-01-23 JP JP812786U patent/JPS62120372U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015510277A (ja) * | 2012-03-02 | 2015-04-02 | エクセリタス カナダ，インコーポレイテッド | 基板上で成形されたカプセル化くぼみを有する半導体レーザチップパッケージ及びこれを形成するための方法 |