JPS58162660U - 光電変換半導体装置 - Google Patents
光電変換半導体装置Info
- Publication number
- JPS58162660U JPS58162660U JP2631783U JP2631783U JPS58162660U JP S58162660 U JPS58162660 U JP S58162660U JP 2631783 U JP2631783 U JP 2631783U JP 2631783 U JP2631783 U JP 2631783U JP S58162660 U JPS58162660 U JP S58162660U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- semiconductor device
- semiconductor laser
- photoelectric conversion
- conversion semiconductor
- Prior art date
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
図は本考案の実施例の概略断面図である。
１．７，７ａ？ｉ電極、２はｎ−ＧａＡｓ基板、３．３
ａハｎ−ＧａＡｌＡｓ層、４，４ａはｐ−ＧａＡｓ層
、５゜５ａはｐ −ＧａＡｌ Ａｓ層、６，６ａはｐ−
ＧａＡｓ層、８は鏡面、９は反射面、Ａは半導体レーザ
、Ｂは反射部、Ｃは光検出器である。
ａハｎ−ＧａＡｌＡｓ層、４，４ａはｐ−ＧａＡｓ層
、５゜５ａはｐ −ＧａＡｌ Ａｓ層、６，６ａはｐ−
ＧａＡｓ層、８は鏡面、９は反射面、Ａは半導体レーザ
、Ｂは反射部、Ｃは光検出器である。
Claims (1)
- 同一基板上に、該基板の面方向と同一方向に設けた活性
層を有し、該活性層の両側が共振器面となっている半導
体レーザと、該半導体レーザの共振器面に対向し、前記
基板のほぼ垂直方向に前記半導体レーザの出力光を反射
させる反射面と、前記基板のほぼ垂直方向から入射され
る入力光を検出するｐ−ｎ接合面が前記基板の面方向と
同一面方向に形成された光検出器とを形成したことを特
徴とする光電変換半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2631783U JPS607500Y2 (ja) | 1983-02-24 | 1983-02-24 | 光電変換半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2631783U JPS607500Y2 (ja) | 1983-02-24 | 1983-02-24 | 光電変換半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58162660U true JPS58162660U (ja) | 1983-10-29 |
| JPS607500Y2 JPS607500Y2 (ja) | 1985-03-13 |
Family
ID=30038276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2631783U Expired JPS607500Y2 (ja) | 1983-02-24 | 1983-02-24 | 光電変換半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607500Y2 (ja) |
-
1983
- 1983-02-24 JP JP2631783U patent/JPS607500Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS607500Y2 (ja) | 1985-03-13 |
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