JPS6276686A - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
- Publication number
- JPS6276686A JPS6276686A JP60216478A JP21647885A JPS6276686A JP S6276686 A JPS6276686 A JP S6276686A JP 60216478 A JP60216478 A JP 60216478A JP 21647885 A JP21647885 A JP 21647885A JP S6276686 A JPS6276686 A JP S6276686A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- substrate
- junction
- emitting element
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は発光素子に関し、特に直線的な光出力を必要と
する光フアイバー用赤外発光素子等の改良に係る。
する光フアイバー用赤外発光素子等の改良に係る。
（弁明の技術的背景）
従来の発光素子を第４図に示す。第４［４にｊ＞いて、
例えばＮ型化合物半導体基板１の主面に１．ｔ Ｐ型層
２が形成されている。また、基板１の寝首にはＮ側電力
３が形成され、Ｐ型層２上には部分的にＰ （ｔｉｌ＋
電極４が形成されている。
例えばＮ型化合物半導体基板１の主面に１．ｔ Ｐ型層
２が形成されている。また、基板１の寝首にはＮ側電力
３が形成され、Ｐ型層２上には部分的にＰ （ｔｉｌ＋
電極４が形成されている。
このような従来の発光素子では、第５図に示すようにス
テム５をエンボス加工してこのステム５に銀ペースト６
を用いて素子を接着し、素子側面から出る光をステム５
の傾斜面で反射させることによりＰ型層２の前方から見
た光出力を向上するようにしている。
テム５をエンボス加工してこのステム５に銀ペースト６
を用いて素子を接着し、素子側面から出る光をステム５
の傾斜面で反射させることによりＰ型層２の前方から見
た光出力を向上するようにしている。
しかしながら、第５図のようにステム５のエンボス加工
により光出力を向上させようとしても、素子側面から斜
め方向に出る光はステム５の傾斜面で反射できないこと
の方が多いので、光出力は期待するほど向上できるわけ
ではない。しかも、素子をマウントする際、素子がステ
ム５の中央からずれることが多く、この場合素子側面か
ら斜め方向に出る光については指向角がばらついてしま
う。
により光出力を向上させようとしても、素子側面から斜
め方向に出る光はステム５の傾斜面で反射できないこと
の方が多いので、光出力は期待するほど向上できるわけ
ではない。しかも、素子をマウントする際、素子がステ
ム５の中央からずれることが多く、この場合素子側面か
ら斜め方向に出る光については指向角がばらついてしま
う。
上記のような欠点に対して、素子側面から斜め方向に出
る光をできるだけ反射するために、素子全体を薄クシて
素子のＰＮ接合面の位置をステム５の傾斜面に対して相
対的に下げることが考えられる。しかし、このように素
子を薄くすると、素子製造時のチップの取扱い及び素子
のアセンブリ工程で不具合が生じる。
る光をできるだけ反射するために、素子全体を薄クシて
素子のＰＮ接合面の位置をステム５の傾斜面に対して相
対的に下げることが考えられる。しかし、このように素
子を薄くすると、素子製造時のチップの取扱い及び素子
のアセンブリ工程で不具合が生じる。
本発明は上記事情を考慮してなされたものであり、直線
的な高い光出力が得られる発光素子を提供しようとする
ものである。
的な高い光出力が得られる発光素子を提供しようとする
ものである。
本発明の発光素子は、−導電型の半導体基板の主面を中
央の突起部とこの突起部を囲む傾斜面とを有する形状と
し、前記突起部にＰＮ接合を形成するとともに、前記傾
斜面に反ｒＪＡ板となる金属膜を形成したことを特徴と
するものである。 ′このような発光素子によれば
、素子全体の厚さを薄くすることなく、ＰＮ接合面と傾
斜面の反射板との位置関係を適切に設計して製造するこ
とにより、素子側面から斜め方向に出る光のうち、従来
のステムのエンボス加工では反射できないような角度を
もつ光でも反射することができ、光出力を向上すること
ができる。また、素子のＰＮ接合面と傾斜面の反射板と
の位置関係は製造工程で精密に決定されているので、従
来のようにマウント工程での素子のずれによって光の指
向角がばらつくこともない。
央の突起部とこの突起部を囲む傾斜面とを有する形状と
し、前記突起部にＰＮ接合を形成するとともに、前記傾
斜面に反ｒＪＡ板となる金属膜を形成したことを特徴と
するものである。 ′このような発光素子によれば
、素子全体の厚さを薄くすることなく、ＰＮ接合面と傾
斜面の反射板との位置関係を適切に設計して製造するこ
とにより、素子側面から斜め方向に出る光のうち、従来
のステムのエンボス加工では反射できないような角度を
もつ光でも反射することができ、光出力を向上すること
ができる。また、素子のＰＮ接合面と傾斜面の反射板と
の位置関係は製造工程で精密に決定されているので、従
来のようにマウント工程での素子のずれによって光の指
向角がばらつくこともない。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図において、例えばＮ型化合物半導体基板１１の主
面は中央の突起部とこの突起部を囲む傾斜面とを有する
形状となっている。前記突起部にはＰ型層１２が形成さ
れている。また、前記傾斜面にはＡｕ１ｌ！ｉｌからな
る反射板１３が形成されている。そして、基板１１の裏
面にはＮ側Ｎ極１４が形成され、Ｐ型層１２上には部分
的にＰ側電極１５が形成されている。
面は中央の突起部とこの突起部を囲む傾斜面とを有する
形状となっている。前記突起部にはＰ型層１２が形成さ
れている。また、前記傾斜面にはＡｕ１ｌ！ｉｌからな
る反射板１３が形成されている。そして、基板１１の裏
面にはＮ側Ｎ極１４が形成され、Ｐ型層１２上には部分
的にＰ側電極１５が形成されている。
このような発光素子は、第２図に示すように、ステム１
６に銀ペースト１７を用いて素子を接着して使用される
。
６に銀ペースト１７を用いて素子を接着して使用される
。
なお、第１図に示すような発光素子は、例えば第３図（
ａ）〜（ｄ）に示すような方法で製造することができる
。
ａ）〜（ｄ）に示すような方法で製造することができる
。
まず、Ｎ型化合物半導体基板１１の主面の一部に選択的
に不純物を添加してＰ型層１２を形成する（第３図（ａ
）図示）。次に、基板１１の主面の一部を選択的にエツ
チングして、ＰＮ接合が形成されている突起部とこの突
起部を囲む傾斜面を形成する。このような形状は、例え
ばケミカルドライエツチング（ＣＤＥ）法により等方性
エツチングを行なってほぼ４５°の角度で傾いた傾斜面
を形成した後、反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）法に
より異方性エツチングを行なってほぼ垂直な溝を形成す
るという方法により加工できる。なお、このような方法
では傾斜面が全体にわたって４５°の角度で傾くとは限
らないが、ＰＮ接合面の位置よりもＰ型層１２１１１１
１でほぼ４５°の傾斜面となっていればよい（同図（ｂ
）図示）。
に不純物を添加してＰ型層１２を形成する（第３図（ａ
）図示）。次に、基板１１の主面の一部を選択的にエツ
チングして、ＰＮ接合が形成されている突起部とこの突
起部を囲む傾斜面を形成する。このような形状は、例え
ばケミカルドライエツチング（ＣＤＥ）法により等方性
エツチングを行なってほぼ４５°の角度で傾いた傾斜面
を形成した後、反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）法に
より異方性エツチングを行なってほぼ垂直な溝を形成す
るという方法により加工できる。なお、このような方法
では傾斜面が全体にわたって４５°の角度で傾くとは限
らないが、ＰＮ接合面の位置よりもＰ型層１２１１１１
１でほぼ４５°の傾斜面となっていればよい（同図（ｂ
）図示）。
次いで、基板１１の両面全体にわたってＡＵＩＩ１２２
１を蒸着する（同図（Ｃ）図示）。つづいて、基板１１
の主面のＡｕ膜２１の一部をシアン化力りにより選択的
にエツチングして反射板１３及びＰ型Ｍ極１５を形成す
る。この場合、Ａｕ膜２１は傾斜面の最下部で厚くなっ
ていることがあるので、まずその部分を選択的にエツチ
ングし、その後再び不要部分をエツチングするという工
程をとることが望ましい。なお、基板１１の裏面に残存
しているＡ ＩＪ ！ｌｌ、ｔ Ｎ型電極１４となる（
同図（ｄ）図示）・。以下、ダイシングを行なうことに
より、第１図図示の発光素子を製造する。
１を蒸着する（同図（Ｃ）図示）。つづいて、基板１１
の主面のＡｕ膜２１の一部をシアン化力りにより選択的
にエツチングして反射板１３及びＰ型Ｍ極１５を形成す
る。この場合、Ａｕ膜２１は傾斜面の最下部で厚くなっ
ていることがあるので、まずその部分を選択的にエツチ
ングし、その後再び不要部分をエツチングするという工
程をとることが望ましい。なお、基板１１の裏面に残存
しているＡ ＩＪ ！ｌｌ、ｔ Ｎ型電極１４となる（
同図（ｄ）図示）・。以下、ダイシングを行なうことに
より、第１図図示の発光素子を製造する。
このような発光素子によれば、素子全体の厚さを薄くす
ることなく、第３図（ｂ）のエツチング工程で突起部の
ＰＮ接合面と傾斜面との位置関係を適切に設計して製造
することにより、素子側面から斜め方向に出る光のうち
、従来のステムのエンボス加工では反射できないような
角度をもつ光でも基板１１の傾斜面に形成された反射板
１３で反射することができ、光出力を向上することがで
きる。また、素子のＰＮ接合面と傾斜面の反射板との位
置関係は製造工程で精密に決定されているので、従来の
ようにステムへのマウント工程での素子のずれによって
光の指向角がばらつくことｂない。
ることなく、第３図（ｂ）のエツチング工程で突起部の
ＰＮ接合面と傾斜面との位置関係を適切に設計して製造
することにより、素子側面から斜め方向に出る光のうち
、従来のステムのエンボス加工では反射できないような
角度をもつ光でも基板１１の傾斜面に形成された反射板
１３で反射することができ、光出力を向上することがで
きる。また、素子のＰＮ接合面と傾斜面の反射板との位
置関係は製造工程で精密に決定されているので、従来の
ようにステムへのマウント工程での素子のずれによって
光の指向角がばらつくことｂない。
（発明の効果）
以上詳述した如く本発明によれば、高い光出力及び良好
な指向性を有し、光フアイバー用等として有用な発光素
子を提供できるものである。
な指向性を有し、光フアイバー用等として有用な発光素
子を提供できるものである。
第１図は本発明の実施例における発光素子の斜視図、第
２図は同発光素子をステムに取付けた状態を示す断面図
、第３図（ａ）〜（ｄ）は同発光素子を得るための製造
工程を示す断面図、第４図は従来の発光素子の斜視図、
第５図は同発光素子をステムに取付けた状態を示す断面
図である。 １１・・・Ｎ型化合物半導体基板、１２・・・Ｐ型層、
１３・・・反射板、１４・・・Ｎ型電極、１５・・・Ｐ
１ｕｌｌ電楊、２１・・・ＡＵ膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ］４ 第１図 第２図 第３図 第４図 ム 第５図
２図は同発光素子をステムに取付けた状態を示す断面図
、第３図（ａ）〜（ｄ）は同発光素子を得るための製造
工程を示す断面図、第４図は従来の発光素子の斜視図、
第５図は同発光素子をステムに取付けた状態を示す断面
図である。 １１・・・Ｎ型化合物半導体基板、１２・・・Ｐ型層、
１３・・・反射板、１４・・・Ｎ型電極、１５・・・Ｐ
１ｕｌｌ電楊、２１・・・ＡＵ膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ］４ 第１図 第２図 第３図 第４図 ム 第５図
Claims (1)
- 一導電型の半導体基板の主面を中央の突起部とこの突起
部を囲む傾斜面とを有する形状とし、前記突起部にＰＮ
接合を形成するとともに、前記傾斜面に反射板となる金
属膜を形成したことを特徴とする発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60216478A JPS6276686A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60216478A JPS6276686A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6276686A true JPS6276686A (ja) | 1987-04-08 |
Family
ID=16689068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60216478A Pending JPS6276686A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6276686A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2331625B (en) * | 1997-11-19 | 2003-02-26 | Hassan Paddy Abdel Salam | led Lamp |
| US6870191B2 (en) | 2001-07-24 | 2005-03-22 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device |
| US7683386B2 (en) | 2003-08-19 | 2010-03-23 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device with protrusions to improve external efficiency and crystal growth |
| EP2280429A2 (en) * | 2008-05-08 | 2011-02-02 | LG Innotek Co., Ltd. | Light-emitting element |
| CN102339923A (zh) * | 2010-07-28 | 2012-02-01 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管芯片 |
| CN103035807A (zh) * | 2011-09-29 | 2013-04-10 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管晶粒及其制作方法、背光模组 |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP60216478A patent/JPS6276686A/ja active Pending
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2331625B (en) * | 1997-11-19 | 2003-02-26 | Hassan Paddy Abdel Salam | led Lamp |
| US10396242B2 (en) | 2001-07-24 | 2019-08-27 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device |
| US10593833B2 (en) | 2001-07-24 | 2020-03-17 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device |
| US8344402B2 (en) | 2001-07-24 | 2013-01-01 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device |
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| US9865773B2 (en) | 2001-07-24 | 2018-01-09 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device |
| US6870191B2 (en) | 2001-07-24 | 2005-03-22 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device |
| US7635875B2 (en) | 2001-07-24 | 2009-12-22 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device |
| US8796721B2 (en) | 2001-07-24 | 2014-08-05 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device |
| US7804101B2 (en) | 2001-07-24 | 2010-09-28 | Nichia Corporation | Semiconductor light-emitting device |
| US8344403B2 (en) | 2001-07-24 | 2013-01-01 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device |
| US8148744B2 (en) | 2001-07-24 | 2012-04-03 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device |
| US8227280B2 (en) | 2001-07-24 | 2012-07-24 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device |
| US9368681B2 (en) | 2001-07-24 | 2016-06-14 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device |
| US8299486B2 (en) | 2001-07-24 | 2012-10-30 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device |
| US8119534B2 (en) | 2003-08-19 | 2012-02-21 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device with protrusions to improve external efficiency and crystal growth |
| US7683386B2 (en) | 2003-08-19 | 2010-03-23 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device with protrusions to improve external efficiency and crystal growth |
| EP2280429A2 (en) * | 2008-05-08 | 2011-02-02 | LG Innotek Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US8395174B2 (en) | 2008-05-08 | 2013-03-12 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light-emitting element |
| CN102646771A (zh) * | 2008-05-08 | 2012-08-22 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件 |
| US8013353B2 (en) | 2008-05-08 | 2011-09-06 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light-emitting element |
| EP2280429A4 (en) * | 2008-05-08 | 2011-06-08 | Lg Innotek Co Ltd | LUMINESCENT ELEMENT |
| CN102339923A (zh) * | 2010-07-28 | 2012-02-01 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管芯片 |
| CN103035807A (zh) * | 2011-09-29 | 2013-04-10 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管晶粒及其制作方法、背光模组 |
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