JP2543202Y2 - 発光デバイス - Google Patents
発光デバイスInfo
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- JP2543202Y2 JP2543202Y2 JP2526393U JP2526393U JP2543202Y2 JP 2543202 Y2 JP2543202 Y2 JP 2543202Y2 JP 2526393 U JP2526393 U JP 2526393U JP 2526393 U JP2526393 U JP 2526393U JP 2543202 Y2 JP2543202 Y2 JP 2543202Y2
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- Japan
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- light
- light emitting
- emitting device
- emitting chip
- lead frames
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は発光ダイオード、レーザ
ーダイオード等の発光デバイスに係り、特に窒化ガリウ
ム系化合物半導体を発光チップとして具備する発光デバ
イスに関する。
ーダイオード等の発光デバイスに係り、特に窒化ガリウ
ム系化合物半導体を発光チップとして具備する発光デバ
イスに関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、ＧａＮ、ＧａＡｌＮ、ＩｎＧａ
Ｎ、ＩｎＡｌＧａＮ等の窒化ガリウム系化合物半導体を
用いた青色発光デバイスが注目されている。その窒化ガ
リウム系化合物半導体は一般にサファイア基板の上に成
長される。サファイアのような絶縁性基板を用いた発光
デバイスは、ウエハーを発光チップに加工する際、他の
ＧａＡｓ、ＧａＡｌＰ等の半導体基板を用いた発光デバ
イスと異なり、基板側から電極を取り出すことが不可能
であるため、半導体層に設けられる正、負、一対の電極
は同一面側に形成される。特に窒化ガリウム系化合物半
導体の発光チップの場合、サファイアが透光性であるた
め、電極面を下にして、サファイア基板側を発光観測面
とすることが多い
Ｎ、ＩｎＡｌＧａＮ等の窒化ガリウム系化合物半導体を
用いた青色発光デバイスが注目されている。その窒化ガ
リウム系化合物半導体は一般にサファイア基板の上に成
長される。サファイアのような絶縁性基板を用いた発光
デバイスは、ウエハーを発光チップに加工する際、他の
ＧａＡｓ、ＧａＡｌＰ等の半導体基板を用いた発光デバ
イスと異なり、基板側から電極を取り出すことが不可能
であるため、半導体層に設けられる正、負、一対の電極
は同一面側に形成される。特に窒化ガリウム系化合物半
導体の発光チップの場合、サファイアが透光性であるた
め、電極面を下にして、サファイア基板側を発光観測面
とすることが多い
【０００３】窒化ガリウム系化合物半導体を発光チップ
とする従来の一発光デバイスの構造を図３に示す。これ
は、サファイア基板１の上にｎ型層とｐ型層が順に積層
された窒化ガリウム系化合物半導体層２をエッチングし
て、ｎ型層を露出させ、ｎ型層に負電極としてｎ型電極
３、ｐ型層に正電極としてｐ型電極４を形成した後、電
極面を下にしてリードフレーム３３とリードフレーム４
４とにまたがるように載置している。なお、電極３とリ
ードフレーム３３、および電極４とリードフレーム４４
とは半田、銀ペースト等の導電性材料５で電気的に接続
された発光ダイオードである。
とする従来の一発光デバイスの構造を図３に示す。これ
は、サファイア基板１の上にｎ型層とｐ型層が順に積層
された窒化ガリウム系化合物半導体層２をエッチングし
て、ｎ型層を露出させ、ｎ型層に負電極としてｎ型電極
３、ｐ型層に正電極としてｐ型電極４を形成した後、電
極面を下にしてリードフレーム３３とリードフレーム４
４とにまたがるように載置している。なお、電極３とリ
ードフレーム３３、および電極４とリードフレーム４４
とは半田、銀ペースト等の導電性材料５で電気的に接続
された発光ダイオードである。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】以上のような構造の発
光ダイオードを発光させた場合、その主発光観測面はサ
ファイア基板１側であるが、発光の一部は下部にも広が
るため、その分外部量子効率を低下させてしまうという
問題がある。従って本考案はこのような事情を鑑み成さ
れたものであって、その目的とするところは、発光チッ
プの下部に広がる発光を反射させて発光観測面に取り出
し、発光デバイスの外部量子効率を向上させることにあ
る。
光ダイオードを発光させた場合、その主発光観測面はサ
ファイア基板１側であるが、発光の一部は下部にも広が
るため、その分外部量子効率を低下させてしまうという
問題がある。従って本考案はこのような事情を鑑み成さ
れたものであって、その目的とするところは、発光チッ
プの下部に広がる発光を反射させて発光観測面に取り出
し、発光デバイスの外部量子効率を向上させることにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本考案の発光デバイス
は、同一面側に形成された正、負一対の電極を具備する
発光チップが対向する２つのリードフレーム上にまたが
って載置されてなる発光デバイスにおいて、前記発光チ
ップの下にその発光チップの発光を上方に反射する反射
板が設けられていることを特徴とする。
は、同一面側に形成された正、負一対の電極を具備する
発光チップが対向する２つのリードフレーム上にまたが
って載置されてなる発光デバイスにおいて、前記発光チ
ップの下にその発光チップの発光を上方に反射する反射
板が設けられていることを特徴とする。
【０００６】図１は本考案の一実施例の発光ダイオード
の構造を示す模式断面図であり、各部材に付された符号
は図３と同一部材を示しているが、本考案の発光ダイオ
ードは発光チップの下に、発光を上方に反射できる反射
板１１を備えている。図２は図１のリードフレームの構
造を示す斜視図であり、リードフレーム３３の一部に、
もう片方のリードフレーム４４に向かって突出する突出
部を設け、その突出部の上に楕円形の集光作用を有する
カップを接着している。
の構造を示す模式断面図であり、各部材に付された符号
は図３と同一部材を示しているが、本考案の発光ダイオ
ードは発光チップの下に、発光を上方に反射できる反射
板１１を備えている。図２は図１のリードフレームの構
造を示す斜視図であり、リードフレーム３３の一部に、
もう片方のリードフレーム４４に向かって突出する突出
部を設け、その突出部の上に楕円形の集光作用を有する
カップを接着している。
【０００７】本考案の発光デバイスにおいて、反射板は
特に図１および図２に示すようにカップ形状とする必要
はなく、発光を反射できればどのような形状でもよい。
例えば、図１に示すように突出部を形成するだけでも、
その突出部の表面を、例えば蒸着、メッキ等により鏡面
状とすれば、カップ１１を特に設けなくとも、突出部の
表面で発光を上方に反射することができる。好ましく
は、下部に広がる発光を集光して上方に反射できるよう
なカップ形状の反射板１１を設けると外部量子効率をさ
らに向上させることができる。また、カップ形状の反射
板１１は発光を集光することができるが、カップの位
置、縁の角度等を調整することにより、その集光の焦点
がリードフレーム３３と４４の間を通るようにすること
はさらに好ましい手段である。
特に図１および図２に示すようにカップ形状とする必要
はなく、発光を反射できればどのような形状でもよい。
例えば、図１に示すように突出部を形成するだけでも、
その突出部の表面を、例えば蒸着、メッキ等により鏡面
状とすれば、カップ１１を特に設けなくとも、突出部の
表面で発光を上方に反射することができる。好ましく
は、下部に広がる発光を集光して上方に反射できるよう
なカップ形状の反射板１１を設けると外部量子効率をさ
らに向上させることができる。また、カップ形状の反射
板１１は発光を集光することができるが、カップの位
置、縁の角度等を調整することにより、その集光の焦点
がリードフレーム３３と４４の間を通るようにすること
はさらに好ましい手段である。
【０００８】
【作用】本考案の発光デバイスは、発光チップの下に広
がる発光を上部に反射する反射板を設けているために、
発光のロスが少なく発光デバイスの外部量子効率を向上
させることができる。
がる発光を上部に反射する反射板を設けているために、
発光のロスが少なく発光デバイスの外部量子効率を向上
させることができる。
【０００９】
【実施例】［実施例１］ ２インチφのサファイア基板上に、ＧａＮバッファ層
と、ｎ型ＧａＮ層と、ｐ型ＧａＮ層とを順に積層したウ
エハーを用意し、フォトリソグラフィー技術によりｐ型
ＧａＮ層上に所定のパターンを形成した後、ｐ型ＧａＮ
層の一部をｎ型ＧａＮ層が露出するまでエッチングす
る。エッチング後、蒸着によりｎ型ＧａＮ層、およびｐ
型ＧａＮ層に電極を形成する。電極形成後、ウエハーを
ダイシングしてチップ状にカットし発光チップとする。
と、ｎ型ＧａＮ層と、ｐ型ＧａＮ層とを順に積層したウ
エハーを用意し、フォトリソグラフィー技術によりｐ型
ＧａＮ層上に所定のパターンを形成した後、ｐ型ＧａＮ
層の一部をｎ型ＧａＮ層が露出するまでエッチングす
る。エッチング後、蒸着によりｎ型ＧａＮ層、およびｐ
型ＧａＮ層に電極を形成する。電極形成後、ウエハーを
ダイシングしてチップ状にカットし発光チップとする。
【００１０】一方、プレスにより作られた一対のリード
フレームを用意する。但し、リードフレーム３３の形状
は、図４に示すように、一方のリードフレームの一部が
片方のリードフレームに突出した形状とし、突出部の上
面を反射面とする。次に、そのリードフレームに銀メッ
キを施し、鏡面状とする。
フレームを用意する。但し、リードフレーム３３の形状
は、図４に示すように、一方のリードフレームの一部が
片方のリードフレームに突出した形状とし、突出部の上
面を反射面とする。次に、そのリードフレームに銀メッ
キを施し、鏡面状とする。
【００１１】その次に、前記発光チップの電極面側を下
にして前記リードフレームに載置した後、電極とリード
フレームとを銀ペーストで接続する。最後にチップを常
法に従い樹脂モールドで封止し発光ダイオードとする。
このようにして得た発光ダイオードを発光させたとこ
ろ、反射板を設けない従来の発光ダイオードに比して、
外部量子効率が５％向上した。
にして前記リードフレームに載置した後、電極とリード
フレームとを銀ペーストで接続する。最後にチップを常
法に従い樹脂モールドで封止し発光ダイオードとする。
このようにして得た発光ダイオードを発光させたとこ
ろ、反射板を設けない従来の発光ダイオードに比して、
外部量子効率が５％向上した。
【００１２】［実施例２］ リードフレームの形状を図１および図２に示すような形
状として突出部を設け、さらにそれらのリードフレーム
を銀メッキした後、突出部の上に発光を反射できるよう
に図１に示すようなカップを銀ペーストで取り付ける他
は、実施例１と同様にして発光ダイオードを得たとこ
ろ、従来のものに比して外部量子効率が１０％向上し
た。
状として突出部を設け、さらにそれらのリードフレーム
を銀メッキした後、突出部の上に発光を反射できるよう
に図１に示すようなカップを銀ペーストで取り付ける他
は、実施例１と同様にして発光ダイオードを得たとこ
ろ、従来のものに比して外部量子効率が１０％向上し
た。
【００１３】
【考案の効果】以上説明したように本考案によると、発
光チップの下に下側に広がる発光を上方に反射する反射
板を設けているために発光デバイスの外部量子効率を向
上させることができる。また本明細書では窒化ガリウム
系化合物半導体を発光チップとする発光デバイスについ
てのみ説明したが、同一面側に形成された正、負一対の
電極を具備する発光チップが対向する２つのリードフレ
ーム上にまたがって載置されている他の発光デバイスに
も適用できることはいうまでもない。
光チップの下に下側に広がる発光を上方に反射する反射
板を設けているために発光デバイスの外部量子効率を向
上させることができる。また本明細書では窒化ガリウム
系化合物半導体を発光チップとする発光デバイスについ
てのみ説明したが、同一面側に形成された正、負一対の
電極を具備する発光チップが対向する２つのリードフレ
ーム上にまたがって載置されている他の発光デバイスに
も適用できることはいうまでもない。
【図１】 本考案の一実施例に係る発光ダイオードの構
造を示す模式断面図。
造を示す模式断面図。
【図２】 図１のリードフレームの構造を示す斜視図。
【図３】 従来の発光ダイオードの構造を示す模式断面
図。
図。
【図４】 本考案の他の実施例に係る発光ダイオードの
構造を示す模式断面図。
構造を示す模式断面図。
【符号の説明】 １・・・・サファイア基板 ２・・・・窒化ガリウム系化合物半導体 ３・・・・負電極 ４・・・・正電極 ３３、４４・・・・リードフレーム ５・・・・導電性材料 １１・・・・反射板
Claims (2)
- 【請求項１】 同一面側に形成された正、負一対の電極
を具備する発光チップが対向する２つのリードフレーム
上にまたがって載置されてなる発光デバイスにおいて、
前記発光チップの下にその発光チップの発光を上方に反
射する反射板が設けられていることを特徴とする発光デ
バイス。 - 【請求項２】 前記反射板は前記リードフレームのいず
れか一方が片方のリードフレームに向かって突出した部
分の表面であることを特徴とする請求項１に記載の発光
デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2526393U JP2543202Y2 (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | 発光デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2526393U JP2543202Y2 (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | 発光デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0679167U JPH0679167U (ja) | 1994-11-04 |
| JP2543202Y2 true JP2543202Y2 (ja) | 1997-08-06 |
Family
ID=12161146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2526393U Expired - Lifetime JP2543202Y2 (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | 発光デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2543202Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4735794B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2011-07-27 | 信越半導体株式会社 | 発光モジュール |
-
1993
- 1993-04-15 JP JP2526393U patent/JP2543202Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0679167U (ja) | 1994-11-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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