JPH0319236Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0319236Y2 JPH0319236Y2 JP1983033397U JP3339783U JPH0319236Y2 JP H0319236 Y2 JPH0319236 Y2 JP H0319236Y2 JP 1983033397 U JP1983033397 U JP 1983033397U JP 3339783 U JP3339783 U JP 3339783U JP H0319236 Y2 JPH0319236 Y2 JP H0319236Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting parts
- parts
- semiconductor substrate
- diode assembly
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
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- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
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- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Head (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
イ 産業上の利用分野
本考案は印字装置や複写装置のヘツドとして好
適な発光ダイオードアセンブリに関する。
適な発光ダイオードアセンブリに関する。
ロ 従来技術
近年印字装置や複写装置に用いる光学ヘツドと
して、例えば特開昭57−28379号公報、特開昭57
−31185号公報等に示される様なモノリシツク型
の発光ダイオードアセンブリ、即ち第１図に示す
ように半導体基板１１上に複数の発光部１３，１
３…を整列して形成したものを利用しはじめた。
このような発光部１３，１３…は拡散方法等によ
つて形成されるが、１ドツト分の発光部１３のみ
に注目すると、第２図に破線Ｉで示すように周縁
部が高輝度となる。これは発光部（Pn接合）が
深皿状に形成されるので、周縁部においてPn接
合面が表面に対向するからと考えられるが、この
為感光ドラムや記録紙等の記録媒体においては、
中央が淡く周辺が濃いドツトとして表現される。
記録媒体の送り方向Ａは発光部１３，１３…の整
列方向Ｂに対し直交するので、送り方向Ａに対し
ては記録媒体の１回の送り量を調整する事で濃度
調整が可能であるが、整列方向Ｂにおいてはドツ
ト間隔（即ち発光部１３，１３…の間隔が）決定
されているので濃度調整ができない。
して、例えば特開昭57−28379号公報、特開昭57
−31185号公報等に示される様なモノリシツク型
の発光ダイオードアセンブリ、即ち第１図に示す
ように半導体基板１１上に複数の発光部１３，１
３…を整列して形成したものを利用しはじめた。
このような発光部１３，１３…は拡散方法等によ
つて形成されるが、１ドツト分の発光部１３のみ
に注目すると、第２図に破線Ｉで示すように周縁
部が高輝度となる。これは発光部（Pn接合）が
深皿状に形成されるので、周縁部においてPn接
合面が表面に対向するからと考えられるが、この
為感光ドラムや記録紙等の記録媒体においては、
中央が淡く周辺が濃いドツトとして表現される。
記録媒体の送り方向Ａは発光部１３，１３…の整
列方向Ｂに対し直交するので、送り方向Ａに対し
ては記録媒体の１回の送り量を調整する事で濃度
調整が可能であるが、整列方向Ｂにおいてはドツ
ト間隔（即ち発光部１３，１３…の間隔が）決定
されているので濃度調整ができない。
ハ 考案の目的
本考案は上述の点を改め、少なくとも発光部の
整列方向においては均一輝度でドツト記録ができ
る発光ダイオードアセンブリを提供するものであ
る。
整列方向においては均一輝度でドツト記録ができ
る発光ダイオードアセンブリを提供するものであ
る。
ニ 考案の構成
本考案は発光部の略中央部に、好ましくは整列
方向と直交する、非発光部を形成する事で発光輝
度の均一化を行なうもので、以下本考案を実施例
に基づいて詳細に説明する。
方向と直交する、非発光部を形成する事で発光輝
度の均一化を行なうもので、以下本考案を実施例
に基づいて詳細に説明する。
ホ 実施例
第３図は本考案実施例の発光ダイオードアセン
ブリの要部平面図ａとその発光部３，３…の中心
を通る水平位置（整列方向）における見通し図ｂ
である。図に於て１は砒化ガリウム（GaAs）等
の半導体基板で、拡散方法等によりPn接合２，
２…を形成し発光部３，３…を構成してある。
４，４…は窒化シリコン等の選択拡散マスク兼絶
縁被膜で、Pn接合２，２…はこの被膜４，４…
のパターンに従つて形成される。５，５は給電用
の電極でアルミニウム等からなり、発光部３，３
の配列方向に直交又は斜交する方向に交互に延在
させてある。
ブリの要部平面図ａとその発光部３，３…の中心
を通る水平位置（整列方向）における見通し図ｂ
である。図に於て１は砒化ガリウム（GaAs）等
の半導体基板で、拡散方法等によりPn接合２，
２…を形成し発光部３，３…を構成してある。
４，４…は窒化シリコン等の選択拡散マスク兼絶
縁被膜で、Pn接合２，２…はこの被膜４，４…
のパターンに従つて形成される。５，５は給電用
の電極でアルミニウム等からなり、発光部３，３
の配列方向に直交又は斜交する方向に交互に延在
させてある。
上述のうち発光部３，３には電極５，５のない
方向から略中央部に延在する非発光部６，６が設
けてある。これにより発光部３，３は図の如く平
面が２本歯の櫛歯状となる。そして非発光部６，
６はその周縁において輝度が高くなるので、最も
好ましくは記録媒体送り方向と同じ方向成分（即
ち発光部の配列方向に直交する方向成分）を有し
た巾の比較的狭いものがよい。そして発光部３，
３を区切るような複数本にして櫛歯状発光部とし
てもよいが、発光部３，３は一辺220乃至50μmと
微小であるから実質的に略中央部に位置するよう
に配置すれば、図の例の如く１本の非発光部６，
６でよい。この場合第２図の実線のような輝度
分布となる。この輝度分布は多少強弱が残つてい
るが、これは素子表面での特性なので、記録媒体
表面においては実質的に問題ない程度の均一輝度
分布となる。
方向から略中央部に延在する非発光部６，６が設
けてある。これにより発光部３，３は図の如く平
面が２本歯の櫛歯状となる。そして非発光部６，
６はその周縁において輝度が高くなるので、最も
好ましくは記録媒体送り方向と同じ方向成分（即
ち発光部の配列方向に直交する方向成分）を有し
た巾の比較的狭いものがよい。そして発光部３，
３を区切るような複数本にして櫛歯状発光部とし
てもよいが、発光部３，３は一辺220乃至50μmと
微小であるから実質的に略中央部に位置するよう
に配置すれば、図の例の如く１本の非発光部６，
６でよい。この場合第２図の実線のような輝度
分布となる。この輝度分布は多少強弱が残つてい
るが、これは素子表面での特性なので、記録媒体
表面においては実質的に問題ない程度の均一輝度
分布となる。
ヘ 考案の効果
以上の如く本考案は、半導体基板上に整列して
形成された複数の発光部を有する発光ダイオード
アセンブリにおいて、前記発光部は非発光部を略
中央部に具備している発光ダイオードアセンブリ
であるから、発光部の輝度分布は略均一となり、
印字等において濃度の均一なドツトを得る事がで
きる。
形成された複数の発光部を有する発光ダイオード
アセンブリにおいて、前記発光部は非発光部を略
中央部に具備している発光ダイオードアセンブリ
であるから、発光部の輝度分布は略均一となり、
印字等において濃度の均一なドツトを得る事がで
きる。
第１図は従来の発光ダイオードアセンブリの平
面図第２図は発光部の特性図、第３図は本考案実
施例の発光ダイオードアセンブリの要部平面図ａ
と見通し図ｂである。 １……半導体基板、２，２……Pn接合、３，
３……発光部、４，４……選択拡散マスク兼絶縁
被膜、５，５……電極、６，６……非発光部。
面図第２図は発光部の特性図、第３図は本考案実
施例の発光ダイオードアセンブリの要部平面図ａ
と見通し図ｂである。 １……半導体基板、２，２……Pn接合、３，
３……発光部、４，４……選択拡散マスク兼絶縁
被膜、５，５……電極、６，６……非発光部。
Claims (1)
- 半導体基板上に平面が略櫛歯状をなし略深皿状
のPN接合を有しかつ該櫛歯の方向と略直交する
様な整列方向に形成された複数の発光部と、該発
光部の整列方向に直交又は斜交する様に半導体基
板上に設けられた電極とを有する発光ダイオード
アセンブリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983033397U JPS59138253U (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | 発光ダイオ−ドアセンブリ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983033397U JPS59138253U (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | 発光ダイオ−ドアセンブリ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59138253U JPS59138253U (ja) | 1984-09-14 |
| JPH0319236Y2 true JPH0319236Y2 (ja) | 1991-04-23 |
Family
ID=30164192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1983033397U Granted JPS59138253U (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | 発光ダイオ−ドアセンブリ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59138253U (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5219499U (ja) * | 1975-07-30 | 1977-02-10 | ||
| JPS5731185A (en) * | 1980-07-31 | 1982-02-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Light-emitting device |
-
1983
- 1983-03-07 JP JP1983033397U patent/JPS59138253U/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5219499U (ja) * | 1975-07-30 | 1977-02-10 | ||
| JPS5731185A (en) * | 1980-07-31 | 1982-02-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Light-emitting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59138253U (ja) | 1984-09-14 |
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