JPS62199073A - 発光ダイオ−ドアレイ - Google Patents

発光ダイオ−ドアレイ

Info

Publication number
JPS62199073A
JPS62199073A JP61042527A JP4252786A JPS62199073A JP S62199073 A JPS62199073 A JP S62199073A JP 61042527 A JP61042527 A JP 61042527A JP 4252786 A JP4252786 A JP 4252786A JP S62199073 A JPS62199073 A JP S62199073A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
emitting diode
black
gold wire
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61042527A
Other languages
English (en)
Inventor
Seizo Tomita
富田 聖三
Ryoichi Ogawa
良一 小川
Gau Edowaado
エドワード・ガウ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
GE Healthcare Japan Corp
Original Assignee
Yokogawa Medical Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yokogawa Medical Systems Ltd filed Critical Yokogawa Medical Systems Ltd
Priority to JP61042527A priority Critical patent/JPS62199073A/ja
Publication of JPS62199073A publication Critical patent/JPS62199073A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/494Connecting portions
    • H01L2224/4943Connecting portions the connecting portions being staggered
    • H01L2224/49431Connecting portions the connecting portions being staggered on the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/1026Compound semiconductors
    • H01L2924/1032III-V
    • H01L2924/10329Gallium arsenide [GaAs]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
  • Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
  • Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は発光ダイオード素子を複数個直線状に並べて光
源を構成する発光ダイオードアレイに関する。
(従来の技術) プリンタ等の光源に使用する発光ダイオード(以下LE
Dという)アレイでは12 dot/n+lll叉は”
l 5 dot/+e+nのような高密度実装のものが
実用化されている。このような高密度実装のものでは電
極及びS線(金線)の処理も混み入ったものになってい
る。その−例を第3図及び第4図に示す。
第3図は平面図、第4図は正面図である。図において、
1はLED素子でチップベース2(例えばGa As 
)の結晶層の上に形成されている。3は電極で金線4を
介して図示しない電源に接続し、LED素子1に電流を
供給している。5は金線4を電極3に接続するための金
線ボンディング洩、6はLEDアレイを保Siする防護
ガラスで、LED素子1の約5mm上部に設けである。
AはLED素子1の光による電極3及び金線ボンディン
グ塊5による反射光である。以上の構成のLEDアレイ
において、LED素子1は略50μ識角で最外部の金線
ボンディング塊5の間の距離は約1mm程度に作られて
いる。このLEDアレイを用いたプリンタは第5図のよ
うになっている。図において、10はセルフォックレン
ズでLEDアレイ11の光を感光材12の上に結像させ
ている。
(発明が解決しようとする問題点) 上記のような従来の構成によれば、セルフォックレンズ
10の視野は通常3〜4mg+あって、iyf述のよう
に電極3.金線ボンディング塊5を含んだしE[)アレ
イ11はそっくりセルフォックレンズ10の視野の中に
入るため、L E D素子1を点灯した時に生ずる電極
3や金線ボンディング塊5による反射光Aがセルフォッ
クレンズ10を経て感光材12上に結像される。電極3
や金線ボンディング塊5からの反射光AはLED素子1
からの光に比べて弱いため、プリンタで白、黒の2値画
像の結6巳露光を行う場合は左程問題にはならないが、
中間調の画像の結像露光を行う場合には前記の電極3や
金線ボンディング塊5からの反射光Aによる露光が無視
できなくなってくる。即ち、2値画像のようにOか最大
かの2値ではなく中間の色々な値が含まれるため、前記
の弱い反射光Aによる露光が問題になる。又、画像の白
黒の境界では前記の反射光Aによる露光のため境界の鮮
鋭度が落ちてくる。又、金線ボンディング塊5のLED
素子1からの距離の差によって反射光Aの予が異なり、
距離が略同じであっても金線ボンディング塊5の大きさ
や形状の相具によっても反射光重が異なって露光濃度の
むらを生じるが、中間調の露光の場合はこの露光濃度の
むらが無視できない。この対策として上記の従来の構成
において、LE[)素子1の上部5mmのところにある
防護ガラス6の上にテープ等のマスクを設けて前記の反
射光へを遮蔽することが考えられるが、セルフォックレ
ンズ10の結像点はLED素子であって、防護ガラス6
の点ではLED素子1からの光は拡がっており、LED
素子1の光を遮らないように1−るためにマスクの溝幅
を細くすることが出来ず、前記の反射光Aを完全に阻止
することができない。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、その目的は
、感光材に対する露光に当って、電極や金線ボンディン
グ塊等での光の反射をなくし、白黒の境界の鮮鋭度に優
れ、中間調画像で濃度むらの生じない良好な画像を得る
ことのできるLEDアレイを実現することである。
(問題点を解決するための手段) 前記の問6点を解決する本発明は、発光ダイオード素子
を複数個直線状に並べて光源を構成する発光ダイオード
アレイにおいて、発光ダイオード素子を除く可成射面を
黒色マスクで蔽ったことを特徴とするものである。
(作用) L E D素子から出た光は黒色マスクによって電極や
金線ボンディング塊に入射することを阻まれ、又、黒色
マスクでの反射光は微少となる。従つ℃、この反射光に
よる露光伍は極めて微積となる。
(実施例) 以下に図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
第1図は本発明の一実施例を示す構成図である。
第3図及び第4図と同等部分には同じ符号を付しである
。図において、7は黒色箔材料で成る黒色マスクである
。ここで、黒色箔材料は布2紙又はフィルムの何れでも
よいが、艶消しであることが望ましい。この黒色マスク
7は電極3及び金線ボンディング塊5を遮蔽し、そこへ
の光の入射を阻んでいる。又、黒色マスク7自体の表面
での反射光が微少となるように黒色表面となっている。
この構成により、有害な反射光がなくなって、白黒境界
が鮮鋭で、又、中間調画像で濃度むらのない画像を得る
ことができる。
第2図は本発明の他の実施例を示す構成図で、第1図と
同等部分には同じ符号を付しである。図において、8は
黒色板状材料で成る黒色マスクで、9はその傾斜部であ
る。黒色マスク8はLED素子1の列に間口部を設けた
蔽いで、?fi極3及び金線ボンディング塊5を蔽って
いる。これによって本実施例も前記実施例と同様の効果
を1−することができる。この場合傾斜部9の表面に艶
消しの処胃を施すことが好ましい。
尚、本発明は上記の各実施例に限るものではない。例え
ば、第1の実施例の黒色マスク7は艶消しの耐熱性黒色
塗料を塗装して作成してらよい。
(発明の効果) 以上詳細に説明したように、本発明によれば、有害な反
射光はなくなって、LEDアレイを使用したプリンタ等
において、白黒の境界が鮮鋭で、又、中間調画像で81
1爽むらの生じない良好な画像を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の構成図、第2図は本発明の
他の実施例の構成図、第3図、第4図は従来のLEDア
レイの構成図で、第3図は平面図、第4図は正面図、第
5図はLEDアレイを用いたプリンタを示す図である。 1・・・LED素子    2・・・チップベース3・
・バエ禰       4・・・金線5・・・金線ボン
ディング塊 6・・・防護ガラス    7,8・・・黒色マスク9
・・・傾斜部 10・・・セルフォックレンズ 11・・・LEDアレイ  12・・・感光材特許出願
人 横河メディカルシステム株式会社筒1図 1LED1#子 2;チップベース 3°;電纜 4;金線 5 ;金線ボンディング塊 6j防護ガラス 7j黒色マスク 第2[E 1;LED素子 2、チップベース I6 4;4線 5;金謄ボンディング塊 6;防護ガラス a;*色マスク 筒3図 1  ;LED素子 3i1itli 4、金線 5 ;金線ボンディング塊 10:セルフォックレンズ 11 i LEDアレイ 12;越光材

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)発光ダイオード素子を複数個直線状に並べて光源
    を構成する発光ダイオードアレイにおいて、発光ダイオ
    ード素子を除く可反射面を黒色マスクで蔽ったことを特
    徴とする発光ダイオードアレイ。
  2. (2)前記黒色マスクとして、黒色箔状材料から成るも
    のを使用したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記
    載の発光ダイオードアレイ。
  3. (3)前記黒色マスクとして、黒色塗料を塗装して作成
    したものを使用したことを特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載の発光ダイオードアレイ。
  4. (4)前記黒色マスクとして、黒色板状材料から成るも
    のを使用したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記
    載の発光ダイオードアレイ。
JP61042527A 1986-02-27 1986-02-27 発光ダイオ−ドアレイ Pending JPS62199073A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61042527A JPS62199073A (ja) 1986-02-27 1986-02-27 発光ダイオ−ドアレイ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61042527A JPS62199073A (ja) 1986-02-27 1986-02-27 発光ダイオ−ドアレイ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62199073A true JPS62199073A (ja) 1987-09-02

Family

ID=12638547

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61042527A Pending JPS62199073A (ja) 1986-02-27 1986-02-27 発光ダイオ−ドアレイ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62199073A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100544501B1 (ko) * 2001-11-28 2006-01-24 주식회사 포스코 냉연강판 표면결함 검출장치
JP2008153681A (ja) * 2008-01-23 2008-07-03 Kyocera Corp Ledアレイ
JP2010073841A (ja) * 2008-09-18 2010-04-02 Sony Corp 光学パッケージ素子、表示装置、および電子機器
JP2010182577A (ja) * 2009-02-06 2010-08-19 Stanley Electric Co Ltd Led光源ユニット
JP2011507198A (ja) * 2007-12-21 2011-03-03 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクス部品およびその製造方法
US10727373B2 (en) 2016-02-29 2020-07-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode, method for manufacturing light emitting diode, light emitting diode display device, and method for manufacturing light emitting diode display device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55105391A (en) * 1979-10-01 1980-08-12 Sanyo Electric Co Ltd Manufacture of display unit

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55105391A (en) * 1979-10-01 1980-08-12 Sanyo Electric Co Ltd Manufacture of display unit

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100544501B1 (ko) * 2001-11-28 2006-01-24 주식회사 포스코 냉연강판 표면결함 검출장치
JP2011507198A (ja) * 2007-12-21 2011-03-03 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクス部品およびその製造方法
US8513682B2 (en) 2007-12-21 2013-08-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and production method for an optoelectronic component
JP2008153681A (ja) * 2008-01-23 2008-07-03 Kyocera Corp Ledアレイ
JP2010073841A (ja) * 2008-09-18 2010-04-02 Sony Corp 光学パッケージ素子、表示装置、および電子機器
US8690397B2 (en) 2008-09-18 2014-04-08 Sony Corporation Optical package element, display device, and electronic apparatus
JP2010182577A (ja) * 2009-02-06 2010-08-19 Stanley Electric Co Ltd Led光源ユニット
US10727373B2 (en) 2016-02-29 2020-07-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode, method for manufacturing light emitting diode, light emitting diode display device, and method for manufacturing light emitting diode display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH05344286A (ja) スキャン装置
JPH08174898A (ja) 露光装置
US6532085B2 (en) Illumination device and image reading apparatus
JPS62199073A (ja) 発光ダイオ−ドアレイ
JP3560712B2 (ja) 光プリントヘッド
JP2003517383A (ja) グラフィック画像を伝達するための光学システム
JPH11235846A (ja) 露光装置
JPS5846181B2 (ja) 密着形イメ−ジセンサ
US5982529A (en) Apparatus for reducing linear artifacts in an optically-printed image
JPS59124179A (ja) 発光ダイオ−ド装置
JP2625702B2 (ja) 光プリンタ
JP2508871B2 (ja) マルチビ―ム走査光学系
JPH0553068A (ja) マルチビーム走査光学系
JP2824358B2 (ja) Ledアレーヘッド
JPH0121804Y2 (ja)
JPS59110267A (ja) 光走査素子
JPH0936433A (ja) 反射型ledを用いた光源
JP2000310742A (ja) 画像記録装置
JPH0319236Y2 (ja)
JPH0414888A (ja) レーザダイオード
JPH07162035A (ja) 発光ダイオード
JP3299018B2 (ja) 光プリンタ用光源装置
JPS631090A (ja) 半導体レ−ザ
JPS636516A (ja) 光書込み装置
JPH01776A (ja) 発光ダイオード素子