JPS59124179A - 発光ダイオ−ド装置 - Google Patents
発光ダイオ−ド装置Info
- Publication number
- JPS59124179A JPS59124179A JP57231939A JP23193982A JPS59124179A JP S59124179 A JPS59124179 A JP S59124179A JP 57231939 A JP57231939 A JP 57231939A JP 23193982 A JP23193982 A JP 23193982A JP S59124179 A JPS59124179 A JP S59124179A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- emitting diode
- shielding plate
- emitted
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000012216 screening Methods 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｆａ） 発明の技術分野
本発明は発光ダイオード装置に係り、特に近視野像の周
辺光を除去し得る構造に関する。
辺光を除去し得る構造に関する。
（ｂｌ 従来技術と問題点
第１図の断面図に示す光通信用のＡｌｌ！Ｘ Ｇａｐ−
ｘＡｓ発光ダイオード素子は、ＧａＡｓ基板上にウィン
ドウ層１、活性Ｎ２．閉じ込めＮ３を順次成長させた後
、上記ＧうＡｓ基板を除去し、閉じ込め層３表面にｐ電
極４と、該ｐ電極４形成部以外の部分に二酸化シリコン
（５ｉ０２） 膜５を形成し、更にヒートシンクを兼ね
る金（Ａｕ）メッキ層６を形成し、一方つイントウ層１
表面に環状のｎ電極７を形成することによって得られる
。なお８は主発光部を示す。
ｘＡｓ発光ダイオード素子は、ＧａＡｓ基板上にウィン
ドウ層１、活性Ｎ２．閉じ込めＮ３を順次成長させた後
、上記ＧうＡｓ基板を除去し、閉じ込め層３表面にｐ電
極４と、該ｐ電極４形成部以外の部分に二酸化シリコン
（５ｉ０２） 膜５を形成し、更にヒートシンクを兼ね
る金（Ａｕ）メッキ層６を形成し、一方つイントウ層１
表面に環状のｎ電極７を形成することによって得られる
。なお８は主発光部を示す。
上記ウィンドウ層１及び閉じ込め層３は、活性層２のエ
ネルギ・ギセソプより広いエネルギ・ギヤ７プを有して
いる（即ちＸ値が大）ので、この両層は発光波長に対し
て透明であるが、ＧａＡｓ基板は仮に活性層２がＧａＡ
ｓである場合でも不透明となるので、製造工程の途中で
除去される。
ネルギ・ギセソプより広いエネルギ・ギヤ７プを有して
いる（即ちＸ値が大）ので、この両層は発光波長に対し
て透明であるが、ＧａＡｓ基板は仮に活性層２がＧａＡ
ｓである場合でも不透明となるので、製造工程の途中で
除去される。
第２図ｆａ）は上記第１図の発光ダイオードの平面図で
、第１図は第２図の１−１矢視部断面を示している。第
２図（ｂ）は上記発光ダイオードの近視野像を示す図で
、発光光は素子中央部から放射される主放射光９のみな
らず、素子周辺部からも放射される。この素子周辺部か
ら放射される周辺光９′は、発光ダイオードの放射光を
光ファイバにより受光し伝送する場合には主放射光９の
みが受光されるので問題にはならない。しかし光通信用
発ルダイオードのような微小発光径の発光ダイオードを
レンズ結合して、制御或いは計測に使用する場合が有り
、このような場合には上述の周辺光９′もレンズに入射
するので、レンズにより結像された像は図示した近視野
像と相似のものとなる。
、第１図は第２図の１−１矢視部断面を示している。第
２図（ｂ）は上記発光ダイオードの近視野像を示す図で
、発光光は素子中央部から放射される主放射光９のみな
らず、素子周辺部からも放射される。この素子周辺部か
ら放射される周辺光９′は、発光ダイオードの放射光を
光ファイバにより受光し伝送する場合には主放射光９の
みが受光されるので問題にはならない。しかし光通信用
発ルダイオードのような微小発光径の発光ダイオードを
レンズ結合して、制御或いは計測に使用する場合が有り
、このような場合には上述の周辺光９′もレンズに入射
するので、レンズにより結像された像は図示した近視野
像と相似のものとなる。
このようにかかる発光ダイオードをレンズ結合して使用
するには、上記望ましくない近視野像の周辺光９″を除
去することが必要である。
するには、上記望ましくない近視野像の周辺光９″を除
去することが必要である。
（Ｃ）発明の目的
本発明の目的は、上述の不要な周辺光か放射されること
のない発光ダイオード装置を提供することにある。
のない発光ダイオード装置を提供することにある。
＋ｄｌ 発明の構成
本発明の特徴は、光放射面上に環状電極か設けられ、該
環状電極の内側を光放射面とする発光ダイオード素子と
、該発光素子を搭載するステムと、該ステム上面に固着
され且つ前記発光素子の環状電極外側の素子周辺部上を
覆う遮光板とを備えてなることにある。
環状電極の内側を光放射面とする発光ダイオード素子と
、該発光素子を搭載するステムと、該ステム上面に固着
され且つ前記発光素子の環状電極外側の素子周辺部上を
覆う遮光板とを備えてなることにある。
（８１発明の実施例
以下本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。
第３図は本発明の一実施例を示す要部断面図であって、
１０は発光ダイオード素子、１１は発光ダイオード素子
１０を搭載したステム、１２は本発明の要部である遮光
板、１３は遮光板１２に設けられた窓、１４は端子リー
ド、１５は端子リード１４をステム１１に固着するガラ
ス、１６は発光素子１０表面（前記ウィンドウ層１表面
）の環状電極７と端子リート１４とを電気的に接続する
金属細線である。
１０は発光ダイオード素子、１１は発光ダイオード素子
１０を搭載したステム、１２は本発明の要部である遮光
板、１３は遮光板１２に設けられた窓、１４は端子リー
ド、１５は端子リード１４をステム１１に固着するガラ
ス、１６は発光素子１０表面（前記ウィンドウ層１表面
）の環状電極７と端子リート１４とを電気的に接続する
金属細線である。
上記本実施例は従来の発光タイオードと比較して、新た
に遮光板１２を設けた点か異なる。遮光板１２はステム
１１に一端を固定され、窓１３が設けられた他端は発光
クイオード素子１０上を覆うよう配設されている。
に遮光板１２を設けた点か異なる。遮光板１２はステム
１１に一端を固定され、窓１３が設けられた他端は発光
クイオード素子１０上を覆うよう配設されている。
ごの窓１３は第４図に見られるように、環状電極７の内
径より大きい内径を有し、環状電極７と略同心状に配設
される。また遮光板１２の外寸は発光クイオード１０の
外形寸法より大きくされている。
径より大きい内径を有し、環状電極７と略同心状に配設
される。また遮光板１２の外寸は発光クイオード１０の
外形寸法より大きくされている。
従って遮光板１２は発光ダイオード素子１０の周辺部上
を完全に覆うこととなる。
を完全に覆うこととなる。
そのため発光ダイオード素子１０の中央部より放射され
る主放射光９は窓１３を通って外部に放射されるが、環
状電極７の外側の素子周辺部表面より放射される周辺光
９゛は、遮光板１３によって遮蔽され、外部に放射され
ることはない。
る主放射光９は窓１３を通って外部に放射されるが、環
状電極７の外側の素子周辺部表面より放射される周辺光
９゛は、遮光板１３によって遮蔽され、外部に放射され
ることはない。
上記一実施例では、遮光板１２を新たに作成して使用し
た例を掲げて説明したが、これに変えて、上記端子リー
ド１４の先端部を延長し、この先端部を平坦化し、該平
坦部に窓を設け、この窓が設けられた先端部分が発光素
子ダイオード１００周辺部を覆うように、端子リード１
４を折りまげるこのような変形例においても、前記一実
施例と同様に主放射光は何ら影響を受けることなく外部
に放射されるが、周辺光は上記端子リートの先端部に遮
られ、外部に放射されることがない。
た例を掲げて説明したが、これに変えて、上記端子リー
ド１４の先端部を延長し、この先端部を平坦化し、該平
坦部に窓を設け、この窓が設けられた先端部分が発光素
子ダイオード１００周辺部を覆うように、端子リード１
４を折りまげるこのような変形例においても、前記一実
施例と同様に主放射光は何ら影響を受けることなく外部
に放射されるが、周辺光は上記端子リートの先端部に遮
られ、外部に放射されることがない。
（ｆ） 発明の詳細
な説明した如く本発明によれば、素子周辺部は遮光板に
よって遮光され、周辺光が外部に放射されることはない
。従ってレンズ結合により使用した場合においても、主
発光光のみを利用することが可能となり、使用目的に対
して不都合を及ぼすことはない。
よって遮光され、周辺光が外部に放射されることはない
。従ってレンズ結合により使用した場合においても、主
発光光のみを利用することが可能となり、使用目的に対
して不都合を及ぼすことはない。
第１図及び第２図（ａｌ 、 （ｂｌは従来の発光ダイ
オードの難点を説明するだめの断面図、平面図及び曲線
図、第３図は本発明の一実施例を示す要部断面図、第４
図は第３図の■部の拡大断面図である。 図において、１はウィンドウ層、２は活性層、３は閉じ
込め層、４はｐ電極６は金メッキ層、７は環状のｎ電極
、８は主発光部、９は主放射光、９゛は周辺光、１０は
発光ダイオード素子、１１はステム、１２は遮光板、１
３は窓、１４はｂｉ：ｈ子リードを示す。
オードの難点を説明するだめの断面図、平面図及び曲線
図、第３図は本発明の一実施例を示す要部断面図、第４
図は第３図の■部の拡大断面図である。 図において、１はウィンドウ層、２は活性層、３は閉じ
込め層、４はｐ電極６は金メッキ層、７は環状のｎ電極
、８は主発光部、９は主放射光、９゛は周辺光、１０は
発光ダイオード素子、１１はステム、１２は遮光板、１
３は窓、１４はｂｉ：ｈ子リードを示す。
Claims (1)
- 光放射面上に環状電極が設けられ、該環状電極の内側を
光放射面とする発光ダイオード素子と、該発光素子を搭
載するステムと、該ステム上面に固着され且つ前記発光
素子の環状電極外側の素子周辺部上を覆う遮光板とを備
えてなることを特徴とする発光ダイオード装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57231939A JPS59124179A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 発光ダイオ−ド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57231939A JPS59124179A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 発光ダイオ−ド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59124179A true JPS59124179A (ja) | 1984-07-18 |
Family
ID=16931425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57231939A Pending JPS59124179A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 発光ダイオ−ド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59124179A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002094127A (ja) * | 2000-09-20 | 2002-03-29 | Sunx Ltd | 投光素子及び反射型光電センサ |
| EP1526580A3 (en) * | 2003-09-17 | 2006-03-08 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light source and vehicle lamp |
| US7312477B2 (en) | 2003-06-13 | 2007-12-25 | Stanley Electric Co., Ltd. | Led lamp for light source |
| US7484872B2 (en) | 2003-10-24 | 2009-02-03 | Stanley Electric Co., Ltd. | Vehicle lamp |
| US8258527B2 (en) | 2008-06-09 | 2012-09-04 | Stanley Electric Co., Ltd. | Lighting device and semiconductor light source device |
| DE102012221908A1 (de) * | 2012-11-29 | 2014-06-05 | Osram Gmbh | Leuchtmodul für eine Fahrzeug-Leuchtvorrichtung mit Halbleiterlichtquelle |
-
1982
- 1982-12-29 JP JP57231939A patent/JPS59124179A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002094127A (ja) * | 2000-09-20 | 2002-03-29 | Sunx Ltd | 投光素子及び反射型光電センサ |
| US7312477B2 (en) | 2003-06-13 | 2007-12-25 | Stanley Electric Co., Ltd. | Led lamp for light source |
| US7622748B2 (en) | 2003-06-13 | 2009-11-24 | Stanley Electric Co., Ltd. | LED lamp for light source and method |
| US8093613B2 (en) | 2003-06-13 | 2012-01-10 | Stanley Electric Co., Ltd. | LED lamp for light source |
| EP1526580A3 (en) * | 2003-09-17 | 2006-03-08 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light source and vehicle lamp |
| US7246930B2 (en) | 2003-09-17 | 2007-07-24 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light source and vehicle lamp |
| US7753573B2 (en) | 2003-09-17 | 2010-07-13 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light source and vehicle lamp |
| US7484872B2 (en) | 2003-10-24 | 2009-02-03 | Stanley Electric Co., Ltd. | Vehicle lamp |
| US7950837B2 (en) | 2003-10-24 | 2011-05-31 | Stanley Electric Co., Ltd. | Vehicle lamp |
| US8258527B2 (en) | 2008-06-09 | 2012-09-04 | Stanley Electric Co., Ltd. | Lighting device and semiconductor light source device |
| DE102012221908A1 (de) * | 2012-11-29 | 2014-06-05 | Osram Gmbh | Leuchtmodul für eine Fahrzeug-Leuchtvorrichtung mit Halbleiterlichtquelle |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3572924B2 (ja) | 発光装置及びそれを用いた記録装置 | |
| US10281611B2 (en) | Proximity sensor and electronic apparatus including the same | |
| US5990498A (en) | Light-emitting diode having uniform irradiance distribution | |
| US10418780B1 (en) | Dot projector with automatic power control | |
| JP2004266148A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
| US11226402B2 (en) | Optical ranging systems including optical cross-talk reducing features | |
| JPH0779171B2 (ja) | 光学素子および発光ダイオード | |
| JPS59124179A (ja) | 発光ダイオ−ド装置 | |
| JPH0436590B2 (ja) | ||
| JP2014216588A (ja) | 発光装置、その製造方法、画像表示装置、及び画像形成装置 | |
| JPH06151972A (ja) | レンズ・オン・チップ型発光装置及びその製造方法 | |
| JP2556821Y2 (ja) | 発光装置 | |
| JPH0750797B2 (ja) | 発光ダイオ−ド | |
| JPH0645656A (ja) | 発光装置及びそれを備えた光ファイバ式光電センサ | |
| JP2004087630A (ja) | 発光ダイオードおよびｌｅｄライト | |
| JPS59112667A (ja) | 発光ダイオ−ド | |
| TW202301764A (zh) | 具有球型調製器的照明裝置 | |
| JP6227904B2 (ja) | Ｌｅｄ光源装置 | |
| JP4702539B2 (ja) | 光学部材およびそれを用いた光源装置 | |
| JPS62199073A (ja) | 発光ダイオ−ドアレイ | |
| JPH06350140A (ja) | 発光ダイオード | |
| US20190312186A1 (en) | Side-Emitting LED with Increased Illumination | |
| JPS5925292A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH04360593A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| CN221596449U (zh) | 显示装置 |