JPS59112667A - 発光ダイオ−ド - Google Patents
発光ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS59112667A JPS59112667A JP57222802A JP22280282A JPS59112667A JP S59112667 A JPS59112667 A JP S59112667A JP 57222802 A JP57222802 A JP 57222802A JP 22280282 A JP22280282 A JP 22280282A JP S59112667 A JPS59112667 A JP S59112667A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- light
- light emitting
- window
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 208000001491 myopia Diseases 0.000 description 1
- 230000004379 myopia Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明は発光タイオートに係り、特に近視！ｌ’ｌ’橡
の周辺光を除去し得る構造に関する。
の周辺光を除去し得る構造に関する。
（ｌ〕） 従来技術と問題点
第１図の断面図に示す光通信用のＡＱ Ｘ Ｇａ、−Ｘ
Ａｓ発光クイオート素子は、Ｇａ／Ｉｓ基板上にウィン
ドウ層１、活性ＩＨ２，閉し込め層３を順次成長さ一ロ
た後、１記Ｇ ａ Ａ ｓ基板を除去し、閉し込め層３
表向にｐ電極４と、該ｐ電極４形成部以外の部分に二酸
化ソリコン（５ｉＯ２） 膜５を形成し、史にヒートシ
ンクを兼ねる金（Ａｕ）メッキ層６を形成し、一方ウイ
ン１つ層１表面にｎ電極７を形成することによって得ら
れる。なお８ば主発光９１を示ず。
Ａｓ発光クイオート素子は、Ｇａ／Ｉｓ基板上にウィン
ドウ層１、活性ＩＨ２，閉し込め層３を順次成長さ一ロ
た後、１記Ｇ ａ Ａ ｓ基板を除去し、閉し込め層３
表向にｐ電極４と、該ｐ電極４形成部以外の部分に二酸
化ソリコン（５ｉＯ２） 膜５を形成し、史にヒートシ
ンクを兼ねる金（Ａｕ）メッキ層６を形成し、一方ウイ
ン１つ層１表面にｎ電極７を形成することによって得ら
れる。なお８ば主発光９１を示ず。
上記ウィンドウ層１及び閉じ込め履３は、活性ＪＬ？ｆ
２のエネルキ・ギ中ツブより広い工不ルキ・キャップ
を有している（即ちＸ値が大）ので、この両層は発光波
長に対して透明であるが、ＧａＡｓ基板は仮に活性層２
がＧａＡｓである場合でも不透明となるので、製造工程
の途中で除去される。
２のエネルキ・ギ中ツブより広い工不ルキ・キャップ
を有している（即ちＸ値が大）ので、この両層は発光波
長に対して透明であるが、ＧａＡｓ基板は仮に活性層２
がＧａＡｓである場合でも不透明となるので、製造工程
の途中で除去される。
第２図（８１は」−記第１図の発光タイオーＩ・の平面
図で、第１図ａ、を第２図の１−１矢視部断面を示して
いる。第２図（ｂｌは上記発光タイオートの近視野像を
示す図で、発光光は素子中央部から放射される主発光光
９のみならず、素子周辺部からも放射される。この素子
周辺部から放射される周辺光１０は、発光ダイオードの
放射光を光ファイバにより受光し伝送する場合には主発
光光９のみが受光されるので問題にはならない。しかし
光通信用発光ダイオードのような微小発光径の発光ダイ
オードをレノス結合して、制御或いは計測に使用する場
合が有り、このような場合には」１述の周辺光ＩＯもレ
ノスに入射するのて、レノスにより結像された像は図示
した近視野像と相似のものとなる。
図で、第１図ａ、を第２図の１−１矢視部断面を示して
いる。第２図（ｂｌは上記発光タイオートの近視野像を
示す図で、発光光は素子中央部から放射される主発光光
９のみならず、素子周辺部からも放射される。この素子
周辺部から放射される周辺光１０は、発光ダイオードの
放射光を光ファイバにより受光し伝送する場合には主発
光光９のみが受光されるので問題にはならない。しかし
光通信用発光ダイオードのような微小発光径の発光ダイ
オードをレノス結合して、制御或いは計測に使用する場
合が有り、このような場合には」１述の周辺光ＩＯもレ
ノスに入射するのて、レノスにより結像された像は図示
した近視野像と相似のものとなる。
このようにかかる発光クイオートをレノス結合して使用
するには、上記望ましくなし１近視野像の周辺光１０を
除去することが必要である。
するには、上記望ましくなし１近視野像の周辺光１０を
除去することが必要である。
（Ｃ１発明の目的
本発明の目的は、上述の不要な周辺光か放射されること
のない発光ダイオードを提供することにある。
のない発光ダイオードを提供することにある。
（（ｊ）発明の構成
本発明の特徴は、半導体基体と、該半導体基体の内部に
設りられた発光部と、該」４導体基体の）し放出面」二
に配設された環状電極と、該環状電極の外側の光放出面
」−に配設された遮光体とを其備Ｊ゛ることにある。
設りられた発光部と、該」４導体基体の）し放出面」二
に配設された環状電極と、該環状電極の外側の光放出面
」−に配設された遮光体とを其備Ｊ゛ることにある。
（（・）発明の実施例
以上本発明の実施例を図面を参照しなから説明する。
第３図〜第６図は本発明の第１の実施例を製造工程とと
もに示す要部断面図である。第３図は、前記第１図及び
第２図に示した状態、即ぢＧａＡｓ基板上にウィンＩ・
つ層１．活性層２．閉し込め層３を順次成長さゼた後、
閉じ込め闇３表面にｎ電極４．５ｉ０２膜５．Ａｕメッ
キ層６を形成し、次いでＧａＡｓ基板を除去してウィン
ドウ層１表面を露呈させ、ウィンドウ層１表面にｎ電極
７の形成工程を終了した状態を示す。
もに示す要部断面図である。第３図は、前記第１図及び
第２図に示した状態、即ぢＧａＡｓ基板上にウィンＩ・
つ層１．活性層２．閉し込め層３を順次成長さゼた後、
閉じ込め闇３表面にｎ電極４．５ｉ０２膜５．Ａｕメッ
キ層６を形成し、次いでＧａＡｓ基板を除去してウィン
ドウ層１表面を露呈させ、ウィンドウ層１表面にｎ電極
７の形成工程を終了した状態を示す。
このあと第４図に示す如く、上記ｎ電極７上を含むウィ
ンｌ−９層１表面に５ｉＯ２ｒＩ’ｊｔ’ｌｌをスパッ
タ法により形成する。該５ｉ０２膜１１ば無反射コート
膜とするため、発光波長の１／４の厚さに形成する。次
いでこれを選択的に除去してｎ電極７上に開口を設りた
のも、低融点金属の金・錫（ＡｕＳｎ）を蒸着法により
被着せしめ、更に超音波洗浄を行う。ＡｕＳｎと ５ｉ
０２とは接着性か悪いので、この超音波洗浄により ５
ｉ０２膜ｌｌ上のＡｕＳｎは殆ど依Ｉｉ＋＋・除去され
、上記５ｉ０２膜１１の開口部にＡｕＳｎ層１２層形２
される。
ンｌ−９層１表面に５ｉＯ２ｒＩ’ｊｔ’ｌｌをスパッ
タ法により形成する。該５ｉ０２膜１１ば無反射コート
膜とするため、発光波長の１／４の厚さに形成する。次
いでこれを選択的に除去してｎ電極７上に開口を設りた
のも、低融点金属の金・錫（ＡｕＳｎ）を蒸着法により
被着せしめ、更に超音波洗浄を行う。ＡｕＳｎと ５ｉ
０２とは接着性か悪いので、この超音波洗浄により ５
ｉ０２膜ｌｌ上のＡｕＳｎは殆ど依Ｉｉ＋＋・除去され
、上記５ｉ０２膜１１の開口部にＡｕＳｎ層１２層形２
される。
次いで第５図に見られるように、上記ｎ電極７の外＋！
！ＩＩ （スクライソライン）及びｎ電極７」二の５ｉ
０２１１史１１を除去した後、個々の素子にζＩＪ ｔ
ｌＪｉ分離する。
！ＩＩ （スクライソライン）及びｎ電極７」二の５ｉ
０２１１史１１を除去した後、個々の素子にζＩＪ ｔ
ｌＪｉ分離する。
よいで第６図に示すように七記個々に分離された素子を
加熱して、Ａｕ５ｎｌを１２を溶融さ・Ｕるごとにより
、−に記１’ｌｕＳｎ１ｍ１２ばｎ電極７外側のウィン
ドウ′ｊ行１の露呈された表面を被覆する。
加熱して、Ａｕ５ｎｌを１２を溶融さ・Ｕるごとにより
、−に記１’ｌｕＳｎ１ｍ１２ばｎ電極７外側のウィン
ドウ′ｊ行１の露呈された表面を被覆する。
このようにして得られた本実施例の発光ダイ側−１′は
、素子周辺部力＜Ａｕ５ｎＸにより被ｔＦされるので、
周辺光は八ｕＳｎＲ５＋２により遮られ、従木の素子の
ように外ｆｌ（に放射されることはない。
、素子周辺部力＜Ａｕ５ｎＸにより被ｔＦされるので、
周辺光は八ｕＳｎＲ５＋２により遮られ、従木の素子の
ように外ｆｌ（に放射されることはない。
第７図及び第８図は本実施例の第２の実施例を示す図で
、２１５７図は本実施例に用いた遮光板を示す平面図、
第８図は本実施例の完成体を示す要部１折而図である。
、２１５７図は本実施例に用いた遮光板を示す平面図、
第８図は本実施例の完成体を示す要部１折而図である。
前記第１の実施例においては、素子周辺部上に低副；点
金属層を形成し、これを遮光材とし′（周辺光が外部に
放射されるのを防止したのに対し、本実施例では素子の
光放射面側即ちウィンドウＩＭ ｌ側表面に、第７図に
見られるような金（ΔＵ）また圓その他の金属よりなる
遮光板１５を配設し、これにより素子周辺ｉｌｌから周
辺光か外部に放射されるのを防止しようとするものであ
る。
金属層を形成し、これを遮光材とし′（周辺光が外部に
放射されるのを防止したのに対し、本実施例では素子の
光放射面側即ちウィンドウＩＭ ｌ側表面に、第７図に
見られるような金（ΔＵ）また圓その他の金属よりなる
遮光板１５を配設し、これにより素子周辺ｉｌｌから周
辺光か外部に放射されるのを防止しようとするものであ
る。
この遮光板１５の中央部には貫通孔１６を設りておく。
ごこで該貫通孔１６の直径はｎ電極７の内径よりやや大
きく、またその外寸は、第８図に見られるように、素子
１７の外形寸法よりも大きいものとしておくことが必要
である。この遮光板１５４こは錫（Ｓｎ）または金・′
錫（ＡｕＳｎ）等の低融点金属を予め蒸着法等により形
成しておき、これを加熱熔融さ一已て前記ｒ１電極７上
に接着させる。
きく、またその外寸は、第８図に見られるように、素子
１７の外形寸法よりも大きいものとしておくことが必要
である。この遮光板１５４こは錫（Ｓｎ）または金・′
錫（ＡｕＳｎ）等の低融点金属を予め蒸着法等により形
成しておき、これを加熱熔融さ一已て前記ｒ１電極７上
に接着させる。
上記遮光板１５の延長部はステム１８のステム基板Ｉ９
にカラス２ Ｑ Ｊ １こより取りつ４ノられたリー１
２１に接着され、また金メッキ層６はステム基板に接着
されて本実施例の発光タイオートが完成する。
にカラス２ Ｑ Ｊ １こより取りつ４ノられたリー１
２１に接着され、また金メッキ層６はステム基板に接着
されて本実施例の発光タイオートが完成する。
このようにして得られた本実施例の発光タイオートは、
周辺光は遮光板１５に遮られて外部に放射されることは
ない。また主発光部上には貫通孔１６が設りられている
ので、主発光部からの放射光に対しては何の影響も及は
さない。
周辺光は遮光板１５に遮られて外部に放射されることは
ない。また主発光部上には貫通孔１６が設りられている
ので、主発光部からの放射光に対しては何の影響も及は
さない。
（「）発明の効果
以−Ｊ＝説明しノこ如く本発明によれは、素子周辺部は
金属層または金属板等の遮光材によって遮光され、周辺
光が外部に放射されるごとはない。従ってレノス結合に
より使用した場合において４）、主発光光の乃を利用す
ることが可能となり、使用「１的に対して不都合を及は
ずことばない。
金属層または金属板等の遮光材によって遮光され、周辺
光が外部に放射されるごとはない。従ってレノス結合に
より使用した場合において４）、主発光光の乃を利用す
ることが可能となり、使用「１的に対して不都合を及は
ずことばない。
第１図及び第２図ｔａ）、（ｂｌは従来の光光り・ｆオ
ードのゲ１ｆ点を説明するための断面図、甲面図及び曲
線図、第゛３図〜第６図は本発明の第１の実施例を示す
要部断面図、第７図及び第８図は本発明の第２の実施例
を示す平面図及び断面図である。 艮１において、１はウィンドウ層、２ば活性層、３は閉
じ込め層、４はｐ電（１ｍ６は金メツ：１一層、７はｎ
電極、８ば主発光部、９ば主発光光、１０は周辺光、１
１は５ｉ０２股、」２は金属遮光ｊてづ、Ｉ！ｉ４；Ｉ
金属遮光板を示す。 第４図。 第２１２１ ） ３２７−
ードのゲ１ｆ点を説明するための断面図、甲面図及び曲
線図、第゛３図〜第６図は本発明の第１の実施例を示す
要部断面図、第７図及び第８図は本発明の第２の実施例
を示す平面図及び断面図である。 艮１において、１はウィンドウ層、２ば活性層、３は閉
じ込め層、４はｐ電（１ｍ６は金メツ：１一層、７はｎ
電極、８ば主発光部、９ば主発光光、１０は周辺光、１
１は５ｉ０２股、」２は金属遮光ｊてづ、Ｉ！ｉ４；Ｉ
金属遮光板を示す。 第４図。 第２１２１ ） ３２７−
Claims (1)
- 半導体基体と、該半導体基体の内部に設りられノコ発光
部と、該半導体基体の光放出面Ｌ−に配設された環状電
極と、該環状電極の外側の光放出面」二に配設・された
遮光体とを具備することを’Ｒｉ徴とする発光タイオー
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57222802A JPS59112667A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | 発光ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57222802A JPS59112667A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | 発光ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59112667A true JPS59112667A (ja) | 1984-06-29 |
Family
ID=16788119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57222802A Pending JPS59112667A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | 発光ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59112667A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1668687A1 (en) * | 2003-09-19 | 2006-06-14 | Tinggi Technologies Private Limited | Fabrication of conductive metal layer on semiconductor devices |
| US7763477B2 (en) | 2004-03-15 | 2010-07-27 | Tinggi Technologies Pte Limited | Fabrication of semiconductor devices |
| US8004001B2 (en) | 2005-09-29 | 2011-08-23 | Tinggi Technologies Private Limited | Fabrication of semiconductor devices for light emission |
| US8034643B2 (en) | 2003-09-19 | 2011-10-11 | Tinggi Technologies Private Limited | Method for fabrication of a semiconductor device |
| US8067269B2 (en) | 2005-10-19 | 2011-11-29 | Tinggi Technologies Private Limted | Method for fabricating at least one transistor |
| US8124994B2 (en) | 2006-09-04 | 2012-02-28 | Tinggi Technologies Private Limited | Electrical current distribution in light emitting devices |
| CN106703821A (zh) * | 2017-02-15 | 2017-05-24 | 河海大学 | 一种地下掘进装置及其掘进方法 |
-
1982
- 1982-12-17 JP JP57222802A patent/JPS59112667A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1668687A1 (en) * | 2003-09-19 | 2006-06-14 | Tinggi Technologies Private Limited | Fabrication of conductive metal layer on semiconductor devices |
| EP1668687A4 (en) * | 2003-09-19 | 2007-11-07 | Tinggi Tech Private Ltd | FABRICATION OF A CONDUCTIVE METAL LAYER ON SEMICONDUCTOR DEVICES |
| US8034643B2 (en) | 2003-09-19 | 2011-10-11 | Tinggi Technologies Private Limited | Method for fabrication of a semiconductor device |
| US7763477B2 (en) | 2004-03-15 | 2010-07-27 | Tinggi Technologies Pte Limited | Fabrication of semiconductor devices |
| US8004001B2 (en) | 2005-09-29 | 2011-08-23 | Tinggi Technologies Private Limited | Fabrication of semiconductor devices for light emission |
| US8067269B2 (en) | 2005-10-19 | 2011-11-29 | Tinggi Technologies Private Limted | Method for fabricating at least one transistor |
| US8124994B2 (en) | 2006-09-04 | 2012-02-28 | Tinggi Technologies Private Limited | Electrical current distribution in light emitting devices |
| CN106703821A (zh) * | 2017-02-15 | 2017-05-24 | 河海大学 | 一种地下掘进装置及其掘进方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7009217B2 (en) | Light emitting diode having an adhesive layer and a reflective layer and manufacturing method thereof | |
| JP2007208041A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH09186365A (ja) | 発光半導体デバイス用高反射性接点及びその製造方法 | |
| US10749076B2 (en) | Light-emitting device | |
| JP6102696B2 (ja) | 発光装置及びそれに用いられる光部品の製造方法 | |
| US5483095A (en) | Optical semiconductor device | |
| JPS59112667A (ja) | 発光ダイオ−ド | |
| JPH02191389A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH05327012A (ja) | 炭化ケイ素発光ダイオード | |
| US20100279443A1 (en) | Light emitting diode and fabricating method thereof | |
| US20050079641A1 (en) | Light emitting diode having an adhesive layer and a reflective layer and manufacturing method thereof | |
| JPH06151972A (ja) | レンズ・オン・チップ型発光装置及びその製造方法 | |
| JPS59124179A (ja) | 発光ダイオ−ド装置 | |
| TWI739506B (zh) | 焊接用波長轉換構件、波長轉換裝置及光源裝置 | |
| JPS61121373A (ja) | 面発光素子及びその製造方法 | |
| JPH04250673A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP4702539B2 (ja) | 光学部材およびそれを用いた光源装置 | |
| JPH0319369A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6386578A (ja) | 発光ダイオ−ド | |
| JP3635651B2 (ja) | 光半導体用窓ガラス及び光半導体モジュール | |
| JP2000121874A (ja) | フェルール付き光ファイバ及びその製造方法 | |
| JP2018021946A (ja) | 光学レンズ | |
| JPS58137271A (ja) | 光半導体素子用レンズ、光半導体素子用レンズの製造方法、及び光半導体素子 | |
| JPS6063969A (ja) | 発光ダイオ−ド | |
| JPH05110140A (ja) | 化合物半導体光デバイス |