JPS5925292A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS5925292A JPS5925292A JP57134160A JP13416082A JPS5925292A JP S5925292 A JPS5925292 A JP S5925292A JP 57134160 A JP57134160 A JP 57134160A JP 13416082 A JP13416082 A JP 13416082A JP S5925292 A JPS5925292 A JP S5925292A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- receiving element
- light
- light receiving
- laser element
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
- H01S5/02326—Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明は半導体レーザ装置に掛り、特に半導体レーザ素
子と該半導体レーザ素子の光出力のモニタ用受光素子と
を同一パソケーシ内に具備する半導体レーザ装置に関す
る。
子と該半導体レーザ素子の光出力のモニタ用受光素子と
を同一パソケーシ内に具備する半導体レーザ装置に関す
る。
（ｂｌ 従来技術と問題点
半導体レーザ装置は光通信、情報処理、光学機器、計測
制御等広い分野において使用され、その使用目的により
種々の半導体レーザ装置が低唱され、実用に供されてい
る。
制御等広い分野において使用され、その使用目的により
種々の半導体レーザ装置が低唱され、実用に供されてい
る。
例えは、特開昭５６−６４９４号において提唱された半
導体レーザ装置は、半導体レーザ素子とその光出力のモ
ニタ用の受光素子とを同一パソケージ内に配設封入した
もので、両者の相互位置関係と。
導体レーザ装置は、半導体レーザ素子とその光出力のモ
ニタ用の受光素子とを同一パソケージ内に配設封入した
もので、両者の相互位置関係と。
半導体レーザ素子の光軸の位置とを正確且つ容易に決定
し得る構造を有する。しかも上記半導体レーザ素子から
放射され受光素子表面において反射された光が、外部に
放射されるレーザ光に影響を与えることを防止するため
、受光素子を光軸にり・１して仲りて取りつ番ノられる
構造とされている。
し得る構造を有する。しかも上記半導体レーザ素子から
放射され受光素子表面において反射された光が、外部に
放射されるレーザ光に影響を与えることを防止するため
、受光素子を光軸にり・１して仲りて取りつ番ノられる
構造とされている。
しかし」Ｌ記半導体レーザ装置のパンケーソは、受光素
子を搭載するヘースと、半導体レーザ素子を搭載する組
立ようブロック片と、光透過窓を有するキャップとから
なり、しかもそれぞれが高積度を必要とするため、その
製造は必ずしも容易ではなく 、ｌ１ｌｌｉ格も高いも
のとならざるを愕ず、またこれを用いた半導体レーザ装
置の組立工程及びその製造管理も繁雑となる。
子を搭載するヘースと、半導体レーザ素子を搭載する組
立ようブロック片と、光透過窓を有するキャップとから
なり、しかもそれぞれが高積度を必要とするため、その
製造は必ずしも容易ではなく 、ｌ１ｌｌｉ格も高いも
のとならざるを愕ず、またこれを用いた半導体レーザ装
置の組立工程及びその製造管理も繁雑となる。
ｆｃｌ 発明の目的
本発明の目的は上記問題点を解消して、半導体レーザ素
子の光軸の位置を正Ｕ（［且つ容易に決定可能で、しか
も部品点数が少なく製造容易な半導体レーザ装置を提供
することにある。
子の光軸の位置を正Ｕ（［且つ容易に決定可能で、しか
も部品点数が少なく製造容易な半導体レーザ装置を提供
することにある。
（ｒｌ） 発明の構成
本発明の悄徴は、半導体レーザ素子と、該半導体レーザ
素子の光出力のモニタ用受光素子と、４ｉｊ記半導体レ
ーザ素子を固着する支持部と前記受光素子を固着するヘ
ース部とが一体化されたステムと、前記支持部に装着さ
れ光透過窓が設けられたキャップとを具備してなり、前
記支持部は熱伝導性が良好な金属よりなるほぼ環状のブ
ロック片を以て構成され、該環状のフロック片は、その
外周縁上に前記キャップの位置決め手段を具えると共に
、該環状のブロック片の中心を通る軸線の方向と光軸と
を略一致する如く半導体レーザ素子が装着される素子支
持面を有し、且つ前記ヘース部には、前記素子支持面に
装着された半導体レーザ素子から光透過窓とは反対方向
に放射される放射光を受光する位置に前記受光素子が固
着される受光素子装着部が設けられることにある。
素子の光出力のモニタ用受光素子と、４ｉｊ記半導体レ
ーザ素子を固着する支持部と前記受光素子を固着するヘ
ース部とが一体化されたステムと、前記支持部に装着さ
れ光透過窓が設けられたキャップとを具備してなり、前
記支持部は熱伝導性が良好な金属よりなるほぼ環状のブ
ロック片を以て構成され、該環状のフロック片は、その
外周縁上に前記キャップの位置決め手段を具えると共に
、該環状のブロック片の中心を通る軸線の方向と光軸と
を略一致する如く半導体レーザ素子が装着される素子支
持面を有し、且つ前記ヘース部には、前記素子支持面に
装着された半導体レーザ素子から光透過窓とは反対方向
に放射される放射光を受光する位置に前記受光素子が固
着される受光素子装着部が設けられることにある。
ｔｅ） 発明の実施例
以下本発明の一実施例を図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明に係る半導体レーザ装置の一実施例を示
す断面図、第２図は第１図の半導体レーザ装置のキャッ
プを除去した状態を示す平面図である。
す断面図、第２図は第１図の半導体レーザ装置のキャッ
プを除去した状態を示す平面図である。
第１図及び第２図において、１は本発明の要部であるス
テム、２及び３はそれぞれ前記ステム１のヘース部及び
環状の支持部で、り（）伝導特性の良好な鉄（Ｆｅ）等
を用いて製作され、４は環状の支持部３の外周縁面、５
は前記ヘース部にガラス５゛等乙こより封着され互いに
絶縁された鉄−ニノケル（Ｆｅ−Ｎｉ）よりなる引出し
導体、６はヘース部に溶接等の方法により溶着された鉄
−ニノケル（ｒｅ−Ｎｉ）よりなる端子リード、７は半
導体レータ゛素子、８は半導体レーザ素子７を固着する
発光素子支持面、９は受光素子、１０は受光素子９を固
着する受光素子装着面、１■は前記素子を固着する受光
素子装着面、１２はガラス等よりなる光透過窓を示す。
テム、２及び３はそれぞれ前記ステム１のヘース部及び
環状の支持部で、り（）伝導特性の良好な鉄（Ｆｅ）等
を用いて製作され、４は環状の支持部３の外周縁面、５
は前記ヘース部にガラス５゛等乙こより封着され互いに
絶縁された鉄−ニノケル（Ｆｅ−Ｎｉ）よりなる引出し
導体、６はヘース部に溶接等の方法により溶着された鉄
−ニノケル（ｒｅ−Ｎｉ）よりなる端子リード、７は半
導体レータ゛素子、８は半導体レーザ素子７を固着する
発光素子支持面、９は受光素子、１０は受光素子９を固
着する受光素子装着面、１■は前記素子を固着する受光
素子装着面、１２はガラス等よりなる光透過窓を示す。
本実施例においては、光軸の正確な位置出しを行うため
、ステム１の環状の支持ｔａ＋ ３に扇状の突出部１３
を設け、この突出部１３の内＋１ｌｌｌ端而に発光素子
支持面８を形成する。該発光素子支持面８は、半導体レ
ーザ素子７を固着したとき、半導体レーザ素子７が支持
部３の外周縁面４の中心を通る軸線上に正確に配設され
るよう、精度良く製作され更に上記発光素子支持面８の
下方には、ヘース部２の上面に受光素子装着面１０を設
けておく。本実施例では受光素子装着面１０を１頃斜面
とした例を示すが、これば半導体レーザ素子７の直下部
に配設された受光素子９表面における反射光が光透過窓
１２を通って外部に放射されないようにするためである
。従って受光素子装着１０は必ずしも（頃斜面である必
要はなく、これを軸線に垂直な水平面とし、受光素子９
を軸線から離して配設しても良（、この点は本発明を限
定するものではない。
、ステム１の環状の支持ｔａ＋ ３に扇状の突出部１３
を設け、この突出部１３の内＋１ｌｌｌ端而に発光素子
支持面８を形成する。該発光素子支持面８は、半導体レ
ーザ素子７を固着したとき、半導体レーザ素子７が支持
部３の外周縁面４の中心を通る軸線上に正確に配設され
るよう、精度良く製作され更に上記発光素子支持面８の
下方には、ヘース部２の上面に受光素子装着面１０を設
けておく。本実施例では受光素子装着面１０を１頃斜面
とした例を示すが、これば半導体レーザ素子７の直下部
に配設された受光素子９表面における反射光が光透過窓
１２を通って外部に放射されないようにするためである
。従って受光素子装着１０は必ずしも（頃斜面である必
要はなく、これを軸線に垂直な水平面とし、受光素子９
を軸線から離して配設しても良（、この点は本発明を限
定するものではない。
」二連のよっにステム１を構成することにより、半導体
レーザ装置の製造工程が極めて簡単化される。以下この
点について説明する。
レーザ装置の製造工程が極めて簡単化される。以下この
点について説明する。
上記ステム１のヘース部２の受光素子装着面１０上の所
定位置に受光素子９を固着し、次ぎに発光素子支持面８
に半導体レーザ素子７を固着する。
定位置に受光素子９を固着し、次ぎに発光素子支持面８
に半導体レーザ素子７を固着する。
次いで上記受光素子９及び半導体レーザ素子７と引出し
導体５とを金（＾Ｕ）よりなる細線（図示せず）をボン
デインクして接続する。半導体レーザ素子７の一方の電
極（負電極）は、細線によって引出し導体５ａへ接続さ
れ、受光素子９の一力の電極（正電極）は細線によって
引出し導体５ｂへ接続される。端子リード６は、半導体
レーザ素子７゜受光素子９の共通の引出し導体を構成す
る。更に前記ステム１のヘース部２の周縁」二面にキャ
ップ１１を電気溶接法により固着する。このとき、キャ
ップ１１の内径は支持部３の外周縁面４の外径とほぼ同
一かごく僅か大きく作成されているので、キャップ１１
は外周縁面４に案内されて自動的に位置が定まり、キャ
ップ１１の中心軸は半導体レーザ素子７の光軸と所定の
誤差範囲内で一致する。
導体５とを金（＾Ｕ）よりなる細線（図示せず）をボン
デインクして接続する。半導体レーザ素子７の一方の電
極（負電極）は、細線によって引出し導体５ａへ接続さ
れ、受光素子９の一力の電極（正電極）は細線によって
引出し導体５ｂへ接続される。端子リード６は、半導体
レーザ素子７゜受光素子９の共通の引出し導体を構成す
る。更に前記ステム１のヘース部２の周縁」二面にキャ
ップ１１を電気溶接法により固着する。このとき、キャ
ップ１１の内径は支持部３の外周縁面４の外径とほぼ同
一かごく僅か大きく作成されているので、キャップ１１
は外周縁面４に案内されて自動的に位置が定まり、キャ
ップ１１の中心軸は半導体レーザ素子７の光軸と所定の
誤差範囲内で一致する。
このように本実施例では、支持ｎ１；３とヘース部２と
が一体化されたステム１を用いているので、半導体レー
ザ装置の製造工程か簡単化され、しかも光軸の位置がキ
ャップ１１の軸線と正Ｊｉｆｆに合致する。
が一体化されたステム１を用いているので、半導体レー
ザ装置の製造工程か簡単化され、しかも光軸の位置がキ
ャップ１１の軸線と正Ｊｉｆｆに合致する。
本発明は上記一実施例に限定されることなく種々変形し
て実施し得る。
て実施し得る。
例えは、上記一実施例では支持部３及びヘースロ１；２
を一体物として作成したが、これに変えて別々に作成し
た支持部３及びヘース部２を一体化してステム１を構成
して用いてもよい。
を一体物として作成したが、これに変えて別々に作成し
た支持部３及びヘース部２を一体化してステム１を構成
して用いてもよい。
またステム１の材質は上記−実施例の如く鉄に限定され
るものではなく、例えば第３図に示す如く熱伝導の極め
て良好な銅（Ｃｕ）を用いることも可能である。この場
合には同図に見られるように鉄（Ｆｅ）のような電気／
８接が容易な溶接リング１４をキャップ１１の溶接部に
予め設けておくこと、及び引出し導体５を鉄（Ｆｅ）或
いはコバール等よりなる環状部＋１に封着した導体構体
（図示せず）を作成し、これをｇｌｌｉ ＋Ａを用いて
ヘース部３に接着することにより実施し得る。
るものではなく、例えば第３図に示す如く熱伝導の極め
て良好な銅（Ｃｕ）を用いることも可能である。この場
合には同図に見られるように鉄（Ｆｅ）のような電気／
８接が容易な溶接リング１４をキャップ１１の溶接部に
予め設けておくこと、及び引出し導体５を鉄（Ｆｅ）或
いはコバール等よりなる環状部＋１に封着した導体構体
（図示せず）を作成し、これをｇｌｌｉ ＋Ａを用いて
ヘース部３に接着することにより実施し得る。
（ｆｌ 発明の詳細
な説明した如く本発明により、使用する部品点数か少な
いため製造容易、且つ半導体レーザ素子の光軸をキャッ
プの中心軸と精度良く一致させることが可能な半導体レ
ーザ装置が提供される。
いため製造容易、且つ半導体レーザ素子の光軸をキャッ
プの中心軸と精度良く一致させることが可能な半導体レ
ーザ装置が提供される。
第１図及び第２図は本発明の一実施例を示す断面図及び
その一部を１徐いた状態の平面図、第３図は一変形例を
示す断面図である。 図において、■はステム、２及び３はそれぞれｍＪ記ス
テム１のヘース部及び環状の支持部、４は環状の支持部
３の外周縁面、５は前記ヘース部にガラス５゛等により
封着され互いに伯と絶縁された引出し導体、６はヘース
部に溶接等の方法により溶着された端子リート、７は半
導体レーザ素子、８は半導体レーザ素子７を固着する発
光素子支持面、９は受光素子、１０は前記受光素子９を
固着する受光素子装着面、１１はキャンプ、１２はガラ
ス等よりなる光透過窓、１３は扇状の突出部を示す。 第１図 １２ 第２閏 第３図 ２
その一部を１徐いた状態の平面図、第３図は一変形例を
示す断面図である。 図において、■はステム、２及び３はそれぞれｍＪ記ス
テム１のヘース部及び環状の支持部、４は環状の支持部
３の外周縁面、５は前記ヘース部にガラス５゛等により
封着され互いに伯と絶縁された引出し導体、６はヘース
部に溶接等の方法により溶着された端子リート、７は半
導体レーザ素子、８は半導体レーザ素子７を固着する発
光素子支持面、９は受光素子、１０は前記受光素子９を
固着する受光素子装着面、１１はキャンプ、１２はガラ
ス等よりなる光透過窓、１３は扇状の突出部を示す。 第１図 １２ 第２閏 第３図 ２
Claims (1)
- 半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子の光出力のモ
ニタ用受光素子と、前記半導体レージ′素子を固着する
支持部と前記受光素子を固着するヘース部とが一体化さ
れたステムと、ｒｉｉｉ記支持部に装着され光透過窓が
設けられたキャップとを具備してなり、前記支持部は熱
伝導性が良好な金属よりなるほぼ環状のフロック片を以
て構成され、該環状のフロック片は、その外周縁」二に
前記キャップの位置決め手段を具えると共に、該環状の
ブロック片の中心を通る軸線の方向と光軸とを略一致す
る如く半導体レーザ素子を装着する発光素子支持面を有
し、且つ前記ヘース部には前記発光素子支持面に装着さ
れた半導体レーザ素子から光透過窓とは反対方向に放射
される放射光を受光する位置に前記受光素子が固着すさ
れる受光素子装着部とが設けられてなることを特徴とす
る半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57134160A JPS5925292A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57134160A JPS5925292A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5925292A true JPS5925292A (ja) | 1984-02-09 |
Family
ID=15121857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57134160A Pending JPS5925292A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5925292A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63229890A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-26 | Sharp Corp | 外部共振器型半導体レ−ザ装置 |
| JPH029461U (ja) * | 1988-07-04 | 1990-01-22 | ||
| JP2007142112A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光半導体素子用ステムの製造方法 |
| JP2011146744A (ja) * | 2011-04-14 | 2011-07-28 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光半導体素子用ステム |
| WO2020262636A1 (ja) * | 2019-06-28 | 2020-12-30 | 京セラ株式会社 | 電子素子搭載用パッケージ及び電子装置 |
| WO2023248895A1 (ja) * | 2022-06-20 | 2023-12-28 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
-
1982
- 1982-07-30 JP JP57134160A patent/JPS5925292A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63229890A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-26 | Sharp Corp | 外部共振器型半導体レ−ザ装置 |
| JPH029461U (ja) * | 1988-07-04 | 1990-01-22 | ||
| JP2007142112A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光半導体素子用ステムの製造方法 |
| JP2011146744A (ja) * | 2011-04-14 | 2011-07-28 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光半導体素子用ステム |
| WO2020262636A1 (ja) * | 2019-06-28 | 2020-12-30 | 京セラ株式会社 | 電子素子搭載用パッケージ及び電子装置 |
| WO2023248895A1 (ja) * | 2022-06-20 | 2023-12-28 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
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