WO2023248895A1

WO2023248895A1 - 半導体発光装置

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Publication number: WO2023248895A1
Application number: PCT/JP2023/022089
Authority: WO
Inventors: 和則富士; 晃輝坂本
Original assignee: ローム株式会社
Priority date: 2022-06-20
Filing date: 2023-06-14
Publication date: 2023-12-28

Abstract

半導体発光装置は、ベースと、ベース上に立設した導電性のヒートシンクと、ヒートシンクにおいて互いに離隔するように取り付けられた第１基板および第２基板と、第１基板に実装された半導体発光素子と、第２基板に実装され、半導体発光素子を駆動させるように構成された駆動回路素子と、を備える。

Description

半導体発光装置

　本開示は、半導体発光装置に関する。

　半導体発光装置は、半導体発光素子と、半導体発光素子を駆動させる駆動回路素子とを備える構成が知られている（たとえば特許文献１参照）。このような半導体発光装置は、様々な電子機器に搭載される光源装置として広く採用されている。

特開２０２１－１７４８２０号公報

　ところで、半導体発光素子の熱が駆動回路素子に影響を与えてしまうおそれがある。

　本開示の一態様である半導体発光装置は、ベースと、前記ベース上に立設した導電性のヒートシンクと、前記ヒートシンクにおいて互いに離隔するように取り付けられた第１基板および第２基板と、前記第１基板に実装された半導体発光素子と、前記第２基板に実装され、前記半導体発光素子を駆動させるように構成された駆動回路素子と、を備える。

　本開示の一態様である半導体発光装置は、ベースと、前記ベース上に立設した導電性のヒートシンクと、前記ヒートシンクに取り付けられた基板と、前記ヒートシンクのうち前記基板とは異なる位置に直接的に取り付けられた半導体発光素子と、前記基板に少なくとも部分的に実装され、前記半導体発光素子を駆動させるように構成された駆動回路素子と、を備える。

　上記半導体発光装置によれば、駆動回路素子の半導体発光素子に起因する熱影響を低減することができる。

図１は、第１実施形態の半導体発光装置の斜視図である。図２は、図１の半導体発光装置からキャップを取り除いた状態の斜視図である。図３は、図１の半導体発光装置を概略的に示す断面図である。図４は、図２の半導体発光装置のステムを概略的に示す斜視図である。図５は、図４とは反対側から視たステムを概略的に示す斜視図である。図６は、図３のスイッチング素子およびその周辺の拡大図である。図７は、図２の半導体発光装置を概略的に示す側面図である。図８は、半導体発光装置を図６に示すＦ８－Ｆ８線で切断した断面図である。図９は、半導体発光装置のヒートシンクに取り付けられた第１基板および第２基板の正面図である。図１０は、図９の第１基板および第２基板の裏面図である。図１１は、第１実施形態の半導体発光装置を備えたレーザシステムの回路図である。図１２は、半導体発光装置を備える半導体発光ユニットの斜視構造を概略的に示す斜視図である。図１３は、図１２の半導体発光ユニットの側面図である。図１４は、図１３のキャップカバー部およびその周辺の拡大図である。図１５は、比較例の半導体発光ユニットの斜視構造を概略的に示す斜視図である。図１６は、比較例の半導体発光装置の断面図である。図１７は、比較例の半導体発光ユニットの熱伝導解析結果を示すグラフである。図１８は、第１実施形態の半導体発光ユニットの熱伝導解析結果を示すグラフである。図１９は、第１実施形態の半導体発光ユニットについて、放熱体の材料を変更した場合の熱伝導解析結果を示すグラフである。図２０は、第１実施形態の半導体発光ユニットについて、放熱体の体積を変更した場合の熱伝導解析結果を示すグラフである。図２１は、比較例の半導体発光装置を備える半導体発光ユニットの熱伝導解析結果を示すグラフである。図２２は、第２実施形態の半導体発光装置について、半導体発光装置からキャップを取り除いた状態の斜視図である。図２３は、図２２の半導体発光装置のスイッチング素子およびその周辺の拡大図である。図２４は、半導体発光装置のヒートシンクに取り付けられた第１基板および第２基板の正面図である。図２５は、図２４の第１基板および第２基板の裏面図である。図２６は、第３実施形態の半導体発光装置について、半導体発光装置からキャップを取り除いた状態の斜視図である。図２７は、図２６の半導体発光装置のスイッチング素子およびその周辺の拡大図である。図２８は、半導体発光装置のヒートシンクに取り付けられた第１基板および第２基板の正面図である。図２９は、図２８の第１基板および第２基板の裏面図である。図３０は、第４実施形態の半導体発光装置について、半導体発光装置からキャップを取り除いた状態の斜視図である。図３１は、図３０の半導体発光装置について、ヒートシンク、発光ユニット、および駆動ユニットの断面構造を概略的に示す断面図である。図３２は、第５実施形態の半導体発光装置について、半導体発光装置からキャップを取り除いた状態の斜視図である。図３３は、図３２の半導体発光装置について、ヒートシンク、発光ユニット、および駆動ユニットの断面構造を概略的に示す断面図である。図３４は、第６実施形態の半導体発光装置について、半導体発光装置からキャップを取り除いた状態の斜視図である。図３５は、図３４の半導体発光装置について、ヒートシンク、発光ユニット、および駆動ユニットの断面構造を概略的に示す断面図である。図３６は、変更例の半導体発光装置について、半導体発光装置からキャップを取り除いた状態の斜視図である。図３７は、変更例の半導体発光ユニットについて、キャップカバー部およびその周辺の側面構造を拡大して示す側面図である。図３８は、図３７の半導体発光ユニットについて、キャップカバー部およびその周辺の正面構造を拡大して示す正面図である。

　以下、添付図面を参照して本開示における半導体発光装置のいくつかの実施形態について説明する。
　なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図では、ハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。

　以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図していない。

　＜第１実施形態＞
　［半導体発光装置の概略構成］
　図１～図１０を参照して、第１実施形態の半導体発光装置１０の構成について説明する。図１は、半導体発光装置１０の斜視構造を示している。図２は、図１の半導体発光装置１０から後述するキャップ５０を取り外した状態の斜視構造を示している。

　図１に示す半導体発光装置１０は、たとえば３次元距離計測の一例であるＬｉＤＡＲ（Light Detection and Ranging、Laser Imaging Detection and Ranging）としてのレーザシステムに用いることができる。なお、半導体発光装置１０は、２次元距離計測用のレーザシステムに用いられてもよい。

　図１および図２に示すように、半導体発光装置１０は、ステム２０と、ステム２０に取り付けられた発光ユニット３０および駆動ユニット４０と、発光ユニット３０および駆動ユニット４０を囲むキャップ５０と、を備える。図１に示すとおり、半導体発光装置１０は、ＣＡＮパッケージ型の半導体レーザである。

　図２に示すように、ステム２０は、平板状のベース２１と、ベース２１上に立設した導電性のヒートシンク２２と、外部端子を構成する複数（本実施形態では４つ）のリードピン２３Ａ～２３Ｄと、を有する。発光ユニット３０および駆動ユニット４０の双方は、ヒートシンク２２に取り付けられている。ここで、本実施形態における以降の説明では、ベース２１の厚さ方向をｚ方向とし、ｚ方向と直交する方向のうち互いに直交する２方向をｘ方向およびｙ方向とする。

　図２に示すように、発光ユニット３０は、第１基板３１と、第１基板３１に実装された半導体発光素子３２と、を含む。第１基板３１は、ヒートシンク２２に取り付けられている。本実施形態では、半導体発光素子３２は、半導体レーザが用いられている。ここで、本明細書において、「実装」とは、はんだペースト、銀（Ａｇ）ペースト等の導電性接合材によって接合されることを意味する。つまり、「部品Ａが部品Ｂに実装される」とは、部品Ａが導電性接合材によって部品Ｂに直接的に取り付けられることを意味する。

　駆動ユニット４０は、第２基板４１と、第２基板４１に実装された駆動回路素子４２と、を含む。
　第２基板４１は、ヒートシンク２２において第１基板３１から離隔した位置に取り付けられている。より詳細には、第２基板４１は、ヒートシンク２２のうち第１基板３１よりもベース２１寄りの部分に取り付けられている。第２基板４１は、ヒートシンク２２の突出部２６に対してｚ方向に離隔して配置されている。なお、第２基板４１とヒートシンク２２との間には、第２基板４１およびヒートシンク２２とは異なる中間部材が介在していてもよい。つまり、「第２基板４１がヒートシンク２２に取り付けられる」とは、第２基板４１がヒートシンク２２に直接的に取り付けられる構成と、第２基板４１が中間部材を介して間接的にヒートシンク２２に取り付けられる構成との両方の構成を含む。

　駆動回路素子４２は、スイッチング素子４３および複数（本実施形態では４つ）のコンデンサ４４を含む。スイッチング素子４３は、４本のワイヤＷ１によって４つの発光部３２Ａ（図６参照）と個別に電気的に接続されている。スイッチング素子４３は、ワイヤＷ２，Ｗ３によってリードピン２３Ａ，２３Ｂと個別に電気的に接続されている。第２基板４１は、ワイヤＷ４によってリードピン２３Ｃと電気的に接続されている。

　図３に示すように、キャップ５０は、ヒートシンク２２、第１基板３１、第２基板４１、半導体発光素子３２、および駆動回路素子４２を覆っている。キャップ５０は、円筒状に形成されている。キャップ５０は、たとえば遮光材料によって形成されている。遮光材料の一例は、鉄（Ｆｅ）である。

　キャップ５０は、開口部５３を有する天板部５２と、天板部５２が一端に設けられた筒部５１と、を有する。本実施形態では、筒部５１は、円筒状である。天板部５２は、筒部５１のｚ方向の一端を覆っている。また、開口部５３は、天板部５２を通過して半導体発光素子３２からの光を出射可能となるように構成されている。キャップ５０は、開口部５３を閉塞する透光板５４を有する。透光板５４は、透明樹脂またはガラスによって形成された平板である。透光板５４は、天板部５２の内面に取り付けられている。

　キャップ５０は、一方向に開口した開口部５３と、一方向と交差する方向を向く側面とを有するともいえる。ここで、図２および図３に示す例においては、開口部５３が開口する方向である一方向は、ｚ方向となる。キャップ５０の側面は、筒部５１の外周面である。筒部５１の外周面は、ｚ方向と交差する方向に向いている。このため、一方向と交差する方向とは、本実施形態では、ｚ方向と交差する方向である。本実施形態では、筒部５１の外周面は、ｚ方向と直交する方向に向いている。なお、ここで説明した方向は、半導体発光装置１０の配置態様によって変更される。つまり、開口部５３がｚ方向ではなく、たとえばｙ方向に開口している場合、一方向はｙ方向となり、一方向と交差する方向はｙ方向と交差する方向となる。

　半導体発光装置１０は、リードピン２３Ａ～２３Ｄおよびスイッチング素子４３を介して半導体発光素子３２に電流が供給される。これにより、半導体発光素子３２から出射されるレーザ光は、ｚ方向に向けて、つまりキャップ５０の開口部５３を通過する。

　［ステムの詳細な構成］
　図４および図５に示すように、ベース２１およびヒートシンク２２は、一体に形成されている。このため、本実施形態では、ベース２１も導電性の材料によって形成されている。ベース２１およびヒートシンク２２は、たとえば銅（Ｃｕ）、Ｃｕ合金、Ｆｅ、Ｆｅ合金、アルミニウム（Ａｌ）、Ａｌ合金等によって形成されている。なお、ベース２１およびヒートシンク２２は、個別に形成されていてもよい。この場合、個別に形成されたベース２１およびヒートシンク２２を互いに接合することによってステム２０が構成される。また、ベース２１を構成する材料と、ヒートシンク２２を構成する材料とは互いに異なっていてもよい。

　ｚ方向から視たベース２１の形状は、略円形状である。本実施形態では、ベース２１の直径は５．６ｍｍ程度であり、ベース２１の厚さは１．２ｍｍ程度である。ベース２１は、ｚ方向において互いに反対側を向くベース表面２１ｓおよびベース裏面２１ｒを含む。つまり、ｚ方向は、ベース２１の厚さ方向であるともいえる。なお、ベース２１の直径および厚さの各々は任意に変更可能である。

　ヒートシンク２２は、ベース２１のベース表面２１ｓに対して垂直な方向に立設している。つまり、ヒートシンク２２は、ベース２１の厚さ方向に延びている。このため、ｚ方向は、ヒートシンク２２の立設方向であるといえる。

　ヒートシンク２２は、ベース２１の中心に対してｙ方向に偏った位置に設けられている。ヒートシンク２２は、ベース２１のベース表面２１ｓからｚ方向に延びている。つまり、ｚ方向は、ヒートシンク２２の立設方向であるともいえる。本実施形態では、ベース２１のベース表面２１ｓからのヒートシンク２２の高さ（ヒートシンク２２のｚ方向の大きさ）は、４．４５ｍｍ程度である。

　ｚ方向から視たヒートシンク２２の形状は、略扇形状である。ヒートシンク２２のうちベース２１の中心側の面は、発光ユニット３０および駆動ユニット４０（ともに図３参照）が取り付けられる取付面２４である。取付面２４は、ｚ方向およびｘ方向に沿った平坦面を含む。

　ヒートシンク２２は、取付面２４として、発光ユニット３０が取り付けられた第１取付面２４Ａと、駆動ユニット４０が取り付けられた第２取付面２４Ｂと、を含む。第１取付面２４Ａは、第２取付面２４Ｂよりもヒートシンク２２の先端側に形成されている。本実施形態では、第１取付面２４Ａは、ヒートシンク２２の先端面２２ａと連続する面である。第１取付面２４Ａおよび第２取付面２４Ｂの双方は、ｘｚ平面に沿った平坦面である。第２取付面２４Ｂは、ヒートシンク２２の先端部よりもベース２１寄りの位置に形成されている。第１取付面２４Ａの面積は、第２取付面２４Ｂの面積よりも小さい。

　また、ヒートシンク２２は、ｙ方向において第１取付面２４Ａの位置と第２取付面２４Ｂの位置とが互いに異なるような段差部２５を含む。つまり、第１取付面２４Ａは、第２取付面２４Ｂに対してヒートシンク２２の立設方向（ｚ方向）と直交する厚さ方向に突出している。ここで、図４から分かるとおり、ｙ方向は、ヒートシンク２２の厚さ方向であるといえる。このように、ヒートシンク２２の先端部は、ヒートシンク２２の先端部よりもベース２１寄りの部分よりもｙ方向においてベース２１の中心側に突出している。ヒートシンク２２は、第１取付面２４Ａを含む突出部２６を有しているといえる。突出部２６は、第２取付面２４Ｂに対してｙ方向に突出している。

　ヒートシンク２２の先端面２２ａ、つまりヒートシンク２２のうちｚ方向においてベース２１から最も離れた端面は、ｚ方向に直交する平坦面に形成されている。ｚ方向から視た先端面２２ａの形状は、たとえば円弧状である。

　ベース２１には、ベース２１を厚さ方向（ｚ方向）に貫通する複数の貫通孔が設けられている。本実施形態では、複数の貫通孔は、たとえば３つの貫通孔２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃを含む。これら貫通孔２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃは、ｚ方向から視てベース２１の中心に対してヒートシンク２２とは反対側に偏った位置に設けられている。ｚ方向から視た貫通孔２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃの形状は、たとえば略円形状である。本実施形態では、貫通孔２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃの直径は互いに等しく、たとえば１．０ｍｍ程度である。なお、ｚ方向から視た貫通孔２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃの形状およびサイズの各々は任意に変更可能である。

　リードピン２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃは、ベース２１をその厚さ方向（ｚ方向）に貫通している。より詳細には、リードピン２３Ａは貫通孔２１Ａに挿入され、リードピン２３Ｂは貫通孔２１Ｂに挿入され、リードピン２３Ｃは貫通孔２１Ｃに挿入されている。リードピン２３Ａと貫通孔２１Ａを構成する内周面との間、リードピン２３Ｂと貫通孔２１Ｂを構成する内周面との間、およびリードピン２３Ｃと貫通孔２１Ｃを構成する内周面との間の各々には、リードピン２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃをベース２１に対して絶縁する絶縁材２７が充填されている。絶縁材２７は、たとえば絶縁性の樹脂材料またはガラス等によって形成されている。

　リードピン２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃは、ベース２１のベース表面２１ｓおよびベース裏面２１ｒの双方からｚ方向に突出している。リードピン２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃは、接続部２８Ａ，２８Ｂ，２８Ｃと端子部２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｃとを含む。接続部２８Ａ，２８Ｂ，２８Ｃは、リードピン２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃのうちベース表面２１ｓからｚ方向に突出した部分であり、駆動ユニット４０の駆動回路素子４２（ともに図３参照）と電気的に接続する部分である。端子部２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｃは、リードピン２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃのうちベース裏面２１ｒからｚ方向に突出した部分であり、半導体発光装置１０が回路基板に実装される場合に回路基板に電気的に接続される外部端子を構成している。

　図５に示すように、リードピン２３Ｄは、ベース２１のベース裏面２１ｒからｚ方向に突出している一方、ベース表面２１ｓ（図４参照）からｚ方向に突出していない。リードピン２３Ｄは、ｚ方向から視て、ヒートシンク２２と重なる位置に固定されている。

　リードピン２３Ｄは、端子部２９Ｄを含む。端子部２９Ｄは、リードピン２３Ｄのうちベース裏面２１ｒからｚ方向に突出した部分であり、半導体発光装置１０が回路基板に実装される場合に回路基板に電気的に接続される外部端子を構成している。リードピン２３Ｄの端子部２９Ｄのうちベース２１のベース裏面２１ｒ側の端部には、端子部２９Ｄの先端部よりも直径が大きい接続部２９ＤＡが設けられている。接続部２９ＤＡは、たとえば平板状に形成されている。接続部２９ＤＡは、ベース２１に固定されている。これにより、リードピン２３Ｄは、ベース２１と電気的に接続されている。ベース２１がヒートシンク２２と電気的に接続されているため、リードピン２３Ｄは、ヒートシンク２２と電気的に接続されている。

　［発光ユニットおよび駆動ユニットの構成］
　図６は、半導体発光装置１０のうち発光ユニット３０および駆動ユニット４０を拡大した正面構造を示している。図７は、図２のスイッチング素子４３およびその周辺の側面構造を示している。図８は、ヒートシンク２２、発光ユニット３０、および駆動ユニット４０の断面構造を示している。図９は、ヒートシンク２２に取り付けられた第１基板３１および第２基板４１の正面構造を示している。図１０は、第１基板３１および第２基板４１の各々の裏面構造を示している。図７および図８において、理解を容易にするために、ワイヤＷ１～Ｗ４を省略している。図９において、理解を容易にするために、半導体発光素子３２と、駆動回路素子４２であるスイッチング素子４３および複数のコンデンサ４４の各々とを二点鎖線で示している。図１０において、便宜上、ヒートシンク２２を二点鎖線で示している。

　図６に示すように、第１基板３１は、ヒートシンク２２の第１取付面２４Ａに取り付けられている。より詳細には、第１基板３１は、はんだペーストまたは銀（Ａｇ）ペースト等の導電性接合材によって第１取付面２４Ａに接合されている。本実施形態では、第１基板３１は、Ａｇペーストによって第１取付面２４Ａに接合されている。第１基板３１は、ｙ方向から視て、ｘ方向が長手方向となり、ｚ方向が短手方向となる矩形状に形成されている。

　第１基板３１は、第１取付面２４Ａのうち先端面２２ａ寄りに配置されている。より詳細には、第１基板３１のｚ方向の中央は、第１取付面２４Ａのｚ方向の中央よりも先端面２２ａ寄りに位置している。第１基板３１は、第１取付面２４Ａのｘ方向の中央に配置されている。第１基板３１のｘ方向の長さは、第１取付面２４Ａのｘ方向の長さよりも短い。一例では、第１基板３１のｘ方向の長さは、第１取付面２４Ａのｘ方向の長さの１／２よりも短い。一例では、第１基板３１のｘ方向の長さは、第１取付面２４Ａのｘ方向の長さの１／３よりも短い。

　第１基板３１は、絶縁性を有する第１基材３１Ａを有する。第１基材３１Ａは、半導体発光素子３２を支持している。第１基材３１Ａは、平板状に形成されている。第１基材３１Ａは、半導体発光素子３２の放熱のため、高い熱伝達率を有する。一例では、第１基材３１Ａの熱伝達率は、第２基板４１の後述する第２基材４１Ａの熱伝達率よりも高い。

　また、第１基材３１Ａは、ヒートシンク２２よりも半導体発光素子３２に近い線膨張係数を有する材料によって形成されている。つまり、第１基材３１Ａの線膨張係数と半導体発光素子３２の線膨張係数との差は、ヒートシンク２２の線膨張係数と半導体発光素子３２の線膨張係数との差よりも小さい。第１基材３１Ａは、たとえば窒化アルミニウム、アルミナ、銅－タングステン合金（ＣｕＷ）、銅－窒化アルミニウム－銅（Ｃｕ－ＡｌＮ－Ｃｕ）、銅－ダイアモンド合金、銀－ダイアモンド合金のいずれかによって形成されている。ここで、ヒートシンク２２がＣｕで構成される場合、ヒートシンク２２の線膨張係数は１６．５×１０^－６（１／Ｋ）であり、第１基材３１Ａがアルミナで構成される場合、第１基板３１の線膨張係数は７．２×１０^－６（１／Ｋ）である。また、半導体発光素子３２がヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）で構成される場合、半導体発光素子３２の線膨張係数は５．４×１０^－６（１／Ｋ）である。このように、第１基材３１Ａは、高い熱伝達率を有しかつ半導体発光素子３２に近い線膨張係数を有する。

　図７に示すように、第１基板３１は、ｙ方向において互いに反対側を向く第１基板表面３１ｓおよび第１基板裏面３１ｒを含む。第１基板表面３１ｓは第１取付面２４Ａと同じ側を向き、第１基板裏面３１ｒは第１取付面２４Ａと対面している。半導体発光素子３２は、第１基板表面３１ｓに実装されている。ここで、第１基板表面３１ｓは第１基材３１Ａの基材表面によって構成されている。第１基板裏面３１ｒは第１基材３１Ａの基材裏面によって構成されている。

　第１基板３１の厚さＴＢ１は、半導体発光素子３２の厚さＴＬよりも厚い。第１基板３１の厚さＴＢ１は、スイッチング素子４３の厚さＴＳよりも厚い。ここで、半導体発光素子３２の厚さＴＬは、半導体発光素子３２の後述する素子表面３２ｓと素子裏面３２ｒとのｙ方向の間の距離によって定義できる。スイッチング素子４３の厚さＴＳは、スイッチング素子４３の後述するスイッチング素子表面４３ｓとスイッチング素子裏面４３ｒとのｙ方向の間の距離によって定義できる。

　第１基板３１の厚さＴＢ１は、たとえば０．１ｍｍ以上０．４ｍｍ以下である。また、第１基板３１の厚さＴＢ１は、第１基板３１の第１基板表面３１ｓと第１基板裏面３１ｒとのｙ方向の間の距離によって定義できる。第２基板４１の厚さＴＢ２は、第２基板４１の後述する第２基板表面４１ｓと第２基板裏面４１ｒとのｙ方向の間の距離によって定義できる。

　なお、第１基板３１の厚さＴＢ１の厚さは任意に変更可能である。一例では、第１基板３１の厚さＴＢ１は、第２基板４１の厚さＴＢ２と等しくてもよい。ここで、第１基板３１の厚さＴＢ１と第２基板４１の厚さＴＢ２との差がたとえば第１基板３１の厚さＴＢ１の１０％以内であれば、第１基板３１の厚さＴＢ１が第２基板４１の厚さＴＢ２と等しいといえる。また一例では、第１基板３１の厚さＴＢ１は、第２基板４１の厚さＴＢ２よりも薄くてもよい。また一例では、第１基板３１の厚さＴＢ１は、第２基板４１の厚さＴＢ２よりも厚くてもよい。

　図９および図１０に示すように、第１基板３１は、第１基板表面３１ｓに形成された表面側配線３３ｓと、第１基板裏面３１ｒに形成された裏面側配線３３ｒと、を有する。表面側配線３３ｓは、第１基板表面３１ｓよりも一回り小さい矩形状に形成されている。裏面側配線３３ｒは、第１基板裏面３１ｒよりも一回り小さい矩形状に形成されている。

　図８～図１０に示すように、第１基板３１は、複数（本実施形態では４つ）のスルーホール３４を含む。各スルーホール３４は、導電材料によって形成されている。一例では、各スルーホール３４は、Ｃｕを含む材料によって形成されている。

　図９および図１０に示すように、複数のスルーホール３４は、ｚ方向において互いに揃った状態でｘ方向において一列に配列されている。つまり、複数のスルーホール３４は、第１基板３１の長手方向に一列に配列されている。各スルーホール３４は、第１基板３１をその厚さ方向（ｙ方向）に貫通している。各スルーホール３４は、表面側配線３３ｓおよび裏面側配線３３ｒの双方に接続されている。これにより、表面側配線３３ｓおよび裏面側配線３３ｒは、各スルーホール３４によって電気的に接続されている。

　各スルーホール３４の内部には、放熱材３５が設けられている。より詳細には、放熱材３５は、各スルーホール３４の内部を埋めるように設けられている。放熱材３５は、たとえば金属材料によって形成されている。一例では、放熱材３５は、Ｃｕを含む材料によって形成されている。つまり、放熱材３５は、スルーホール３４と同じ材料によって形成されていてもよい。なお、放熱材３５は、スルーホール３４とは異なる材料で形成されていてもよい。一例では、放熱材３５は、絶縁材料によって形成されていてもよい。

　図８に示すように、半導体発光素子３２は、表面側配線３３ｓに実装されている。より詳細には、半導体発光素子３２は、導電性接合材によって表面側配線３３ｓに接合されている。図６に示すように、半導体発光素子３２は、複数（本実施形態では４つ）の発光部３２Ａを含む。複数の発光部３２Ａは、ｚ方向において互いに揃った状態でｘ方向において一列に配列されている。つまり、複数の発光部３２Ａは、第１基板３１の長手方向に一列に配列されている。ここで、１つの発光部３２Ａの出力は、たとえば１２５Ｗ（ワット）である。このため、本実施形態では、４つの発光部３２Ａを有するため、半導体発光素子３２の出力は、５００Ｗである。このように、半導体発光素子３２は、光強度の向上のため、高出力となるように構成されている。

　半導体発光素子３２は、ｙ方向から視て、ｘ方向が長手方向となり、ｚ方向が短手方向となる矩形状に形成されている。各発光部３２Ａは、ｙ方向から視て、ｚ方向が長手方向となり、ｘ方向が短手方向となる矩形状に形成されている。複数の発光部３２Ａは、半導体発光素子３２の長手方向に配列されているともいえる。

　図８に示すように、半導体発光素子３２は、ｙ方向において互いに反対側を向く素子表面３２ｓおよび素子裏面３２ｒを有する。素子表面３２ｓは第１基板表面３１ｓと同じ側を向き、素子裏面３２ｒは第１基板裏面３１ｒと同じ側を向いている。このため、素子裏面３２ｒは、導電性接合材を介して表面側配線３３ｓに接合されている。導電性接合材としては、たとえばＡｇペーストが用いられる。

　半導体発光素子３２は、アノード電極３６およびカソード電極３７を含む。アノード電極３６は、素子表面３２ｓに形成されている。カソード電極３７は、素子裏面３２ｒに形成されている。これにより、カソード電極３７は、導電性接合材を介して表面側配線３３ｓに電気的に接続されている。表面側配線３３ｓはスルーホール３４を介して裏面側配線３３ｒに電気的に接続されており、かつ裏面側配線３３ｒは導電性接合材を介して第１取付面２４Ａに電気的に接続されているため、カソード電極３７はヒートシンク２２と電気的に接続されている。

　半導体発光素子３２は、ｚ方向に向けて光を出射する発光面３２ａを有する。発光面３２ａは、ヒートシンク２２の先端面２２ａと同じ側を向いている。ｚ方向から視て、発光面３２ａは、キャップ５０の開口部５３（図１参照）と重なる位置に配置されている。

　図６に示すように、第２基板４１は、ヒートシンク２２の第２取付面２４Ｂに取り付けられている。より詳細には、第２基板４１は、はんだペーストまたはＡｇペースト等の導電性接合材によって第２取付面２４Ｂに接合されている。本実施形態では、第２基板４１は、はんだペーストによって第２取付面２４Ｂに接合されている。なお、第２基板４１をヒートシンク２２に接合する接合材としては、エポキシ樹脂等の絶縁性を有する接合材が用いられてもよい。この接合材は、窒化アルミニウム、シリカ、アルミナ等のフィラーを含んでいてもよい。

　第２基板４１は、ｙ方向から視て、ｘ方向が長手方向となり、ｚ方向が短手方向となる矩形状に形成されている。第２基板４１のｘ方向の大きさは第１基板３１のｘ方向の大きさよりも大きく、第２基板４１のｚ方向の大きさは第１基板３１のｚ方向の大きさよりも大きい。第２基板４１は、ｚ方向においてベース２１のベース表面２１ｓから離隔して配置されている。

　図３に示すように、第２基板４１は、第２取付面２４Ｂのうち第１取付面２４Ａ寄りに配置されている。より詳細には、第２基板４１のｚ方向の中央は、第２取付面２４Ｂのｚ方向の中央よりも第１取付面２４Ａ寄りに位置している。第２基板４１は、第２取付面２４Ｂのｘ方向の中央に配置されている。ｙ方向から視て、第２基板４１と第１取付面２４Ａとのｚ方向の間の距離は、第２基板４１とベース２１のベース表面２１ｓとのｚ方向の間の距離よりも短いともいえる。

　第２基板４１のｘ方向の長さは、第２取付面２４Ｂのｘ方向の長さよりも短い。一例では、第２基板４１のｘ方向の長さは、第２取付面２４Ｂのｘ方向の長さの１／２よりも大きい。第２基板４１の厚さは、たとえば０．１ｍｍ以上０．４ｍｍ以下である。

　第２基板４１は、絶縁性を有する第２基材４１Ａを有する。第２基材４１Ａは、駆動回路素子４２を支持している。第２基材４１Ａは、平板状に形成されている。第２基材４１Ａは、たとえばガラスエポキシ基板が用いられている。

　図８に示すように、第２基板４１は、ｙ方向において互いに反対側を向く第２基板表面４１ｓおよび第２基板裏面４１ｒを含む。第２基板表面４１ｓは第２取付面２４Ｂと同じ側を向き、第２基板裏面４１ｒは第２取付面２４Ｂと対面している。駆動回路素子４２は、第２基板表面４１ｓに実装されている。ここで、第２基板表面４１ｓは第２基材４１Ａの基材表面によって構成されている。第２基板裏面４１ｒは第２基材４１Ａの基材裏面によって構成されている。

　図７に示すように、本実施形態では、第２基板４１は、ｙ方向において第２基板表面４１ｓが第１取付面２４Ａと同じ位置となるように、第２取付面２４Ｂに取り付けられている。つまり、第２取付面２４Ｂと第２基板４１の第２基板表面４１ｓとのｙ方向の間の距離ＤＢと、第２取付面２４Ｂと第１取付面２４Ａとのｙ方向の間の距離ＤＨとが互いに等しい。ここで、距離ＤＢと距離ＤＨとの差がたとえば距離ＤＨの１０％以内であれば、距離ＤＢと距離ＤＨとが互いに等しいといえる。換言すると、ｙ方向において第２基板表面４１ｓが第１取付面２４Ａと同じ位置であるといえる。

　図９に示すように、第２基板４１は、第２基板表面４１ｓに形成された表面側配線４５ｓと、表面側配線４５ｓを覆う表面側レジスト層４６ｓと、を有する。
　表面側配線４５ｓは、図９の破線で示すように、第２基板表面４１ｓよりも一回り小さい矩形状に形成されている。

　表面側レジスト層４６ｓは、絶縁材料によって形成されている。表面側レジスト層４６ｓは、第２基板表面４１ｓの全体にわたり形成されている。表面側レジスト層４６ｓは、スイッチング素子用開口部４６ａと、複数（本実施形態では２つ）のコンデンサ用開口部４６ｂと、ワイヤ用開口部４６ｃと、を有する。スイッチング素子用開口部４６ａ、各コンデンサ用開口部４６ｂ、およびワイヤ用開口部４６ｃは、表面側レジスト層４６ｓから表面側配線４５ｓを露出している。

　スイッチング素子用開口部４６ａは、第２基板表面４１ｓのｘ方向の中央に形成されている。複数のコンデンサ用開口部４６ｂは、スイッチング素子用開口部４６ａのｘ方向の両側に分散して形成されている。各コンデンサ用開口部４６ｂは、第２基板表面４１ｓのｚ方向の中央よりも第１基板３１寄りに形成されている。各コンデンサ用開口部４６ｂは、ｘ方向から視て、スイッチング素子用開口部４６ａと重なる位置に配置されている。図６に示すとおり、ワイヤ用開口部４６ｃは、ｘ方向において、スイッチング素子用開口部４６ａに対してリードピン２３Ｃ寄りに形成されている。ｙ方向から視たワイヤ用開口部４６ｃは、ｘ方向が長手方向となり、ｚ方向が短手方向となる矩形状である。

　図８～図１０に示すように、第２基板４１は、複数（本実施形態では１６個）のスルーホール４７を含む。複数のスルーホール４７は、ｙ方向から視て、スイッチング素子用開口部４６ａ内に配置されている。各スルーホール４７は、導電材料によって形成されている。一例では、各スルーホール４７は、Ｃｕを含む材料によって形成されている。

　複数のスルーホール４７は、格子状に配列されている。各スルーホール４７は、第２基板４１をその厚さ方向（ｙ方向）に貫通している。各スルーホール４７は、表面側配線４５ｓに接続されている。

　各スルーホール４７の内部には、放熱材４８が設けられている。より詳細には、放熱材４８は、各スルーホール４７の内部を埋めるように設けられている。放熱材４８は、たとえば金属材料によって形成されている。一例では、放熱材４８は、Ｃｕを含む材料によって形成されている。つまり、放熱材４８は、スルーホール４７と同じ材料によって形成されていてもよい。なお、放熱材４８は、スルーホール４７とは異なる材料で形成されていてもよい。放熱材４８は、第２基板４１よりも熱伝導率が高い材料によって形成されていればよい。一例では、放熱材４８は、セラミック等の絶縁材料によって形成されていてもよい。

　図１０に示すように、第２基板４１は、第２基板裏面４１ｒを覆う裏面側レジスト層４６ｒを有する。裏面側レジスト層４６ｒは、各スルーホール４７および放熱材４８を覆っている。本実施形態では、裏面側レジスト層４６ｒは、第２基板裏面４１ｒの全体にわたり形成されている。裏面側レジスト層４６ｒは、絶縁材料によって形成されている。このため、第２基板４１は、ヒートシンク２２に対して電気的に絶縁されている。

　図６に示すように、第２基板表面４１ｓには、駆動回路素子４２としてスイッチング素子４３および複数のコンデンサ４４の各々が実装されている。
　スイッチング素子４３は、スイッチング素子用開口部４６ａ内に配置されている。このため、スイッチング素子４３は、表面側配線４５ｓ（図９参照）に実装されている。より詳細には、スイッチング素子４３は、はんだペーストまたはＡｇペースト等の導電性接合材によって表面側配線４５ｓに接合されている。スイッチング素子４３は、第２基板表面４１ｓのｘ方向の中央に配置されているともいえる。半導体発光素子３２およびスイッチング素子４３は、ｚ方向において互いに離隔して配列されている。

　スイッチング素子４３は、半導体発光素子３２に供給される電流を制御する半導体素子である。スイッチング素子４３は、たとえばトランジスタである。本実施形態では、スイッチング素子４３としてＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）が用いられている。スイッチング素子４３は、ソース電極４３Ｓ、ドレイン電極４３Ｄ（図８参照）、およびゲート電極４３Ｇを含む。

　スイッチング素子４３は、平板状に形成されている。図７に示すように、スイッチング素子４３の厚さＴＳは、半導体発光素子３２の厚さＴＬよりも厚い。ｙ方向から視たスイッチング素子４３の形状は矩形状である。本実施形態では、ｙ方向から視たスイッチング素子４３の形状は正方形である。なお、ｙ方向から視たスイッチング素子４３の形状は任意に変更可能である。一例では、ｙ方向から視たスイッチング素子４３の形状は、ｚ方向が長手方向となり、ｘ方向が短手方向となる矩形状であってもよい。

　図６に示すように、スイッチング素子４３のｘ方向の大きさは、半導体発光素子３２のｘ方向の大きさよりも大きい。図示された例においては、スイッチング素子４３のｘ方向の大きさは、半導体発光素子３２のｘ方向の大きさの２倍よりも小さい。スイッチング素子４３のｙ方向の大きさは、半導体発光素子３２のｙ方向の大きさよりも大きい。図示された例においては、スイッチング素子４３のｙ方向の大きさは、半導体発光素子３２のｙ方向の大きさの２倍よりも大きく４倍よりも小さい。

　図８に示すように、スイッチング素子４３は、ｙ方向において互いに反対側を向くスイッチング素子表面４３ｓおよびスイッチング素子裏面４３ｒを有する。
　スイッチング素子表面４３ｓは、第２基板表面４１ｓと同じ側を向く面である。スイッチング素子表面４３ｓには、ソース電極４３Ｓおよびゲート電極４３Ｇが形成されている。ソース電極４３Ｓは、スイッチング素子表面４３ｓの大部分にわたり形成されている。図６に示すように、ゲート電極４３Ｇは、スイッチング素子表面４３ｓのｚ方向の両端部のうち第１基板３１とは反対側の端部かつｘ方向の中央に形成されている。

　図８に示すように、スイッチング素子裏面４３ｒは、第２基板裏面４１ｒと同じ側を向く面である。スイッチング素子裏面４３ｒは、第２基板表面４１ｓと対面する面であるともいえる。スイッチング素子裏面４３ｒには、ドレイン電極４３Ｄが形成されている。このように、本実施形態のスイッチング素子４３には、縦型構造のＭＯＳＦＥＴが用いられている。

　スイッチング素子裏面４３ｒは、導電性接合材によって表面側配線４５ｓに接合されている。このため、ドレイン電極４３Ｄは、導電性接合材を介して表面側配線４５ｓと電気的に接続されている。

　図６に示すように、ソース電極４３Ｓと半導体発光素子３２のアノード電極３６とは、複数本のワイヤＷ１によって接続されている。これにより、ソース電極４３Ｓとアノード電極３６とが電気的に接続されている。また、ソース電極４３Ｓとリードピン２３Ａの接続部２８Ａとは、１本のワイヤＷ２によって接続されている。これにより、ソース電極４３Ｓとリードピン２３Ａとが電気的に接続されている。ゲート電極４３Ｇとリードピン２３Ｂの接続部２８Ｂとは、１本のワイヤＷ３によって接続されている。また、ワイヤ用開口部４６ｃから露出した表面側配線４５ｓとリードピン２３Ｃの接続部２８Ｃとは、１本のワイヤＷ４によって接続されている。これにより、表面側配線４５ｓとリードピン２３Ｃとが電気的に接続されている。

　ワイヤＷ１～Ｗ４は、ワイヤボンディング装置によって形成されるボンディングワイヤであり、たとえば金（Ａｕ），Ａｌ，Ｃｕ等の導体によって形成されている。本実施形態では、ワイヤＷ１～Ｗ４は、互いに同一の材料（たとえばＣｕ）によって形成されている。なお、ワイヤＷ１～Ｗ４のうち少なくとも１本のワイヤが他のワイヤと異なる材料によって形成されていてもよい。

　なお、ワイヤＷ１の本数は任意に変更可能である。一例では、ワイヤＷ１の本数は、半導体発光素子３２の発光部３２Ａの個数によって設定される。また、ワイヤＷ２，Ｗ３，Ｗ４の各々の本数は任意に変更可能である。

　複数のコンデンサ４４は、スイッチング素子４３と協働して半導体発光素子３２に電流を供給する電子部品である。図２に示すように、各コンデンサ４４は、略直方体状に形成されている。図６に示すように、ｙ方向から視たコンデンサ４４の形状は、ｚ方向が長手方向となり、ｘ方向が短手方向となる矩形状である。複数のコンデンサ４４は、ｘ方向において互いに離隔して配列されている。このため、複数のコンデンサ４４は、その配列方向がコンデンサ４４の短手方向となるように配列されている。

　各コンデンサ４４は、第１電極４４Ａおよび第２電極４４Ｂを有する。第１電極４４Ａおよび第２電極４４Ｂは、ｚ方向において互いに離隔して形成されている。図示された例においては、第１電極４４Ａはコンデンサ４４のｚ方向の両端部のうちヒートシンク２２の先端面２２ａ寄りの端部に設けられている。第２電極４４Ｂはコンデンサ４４のｚ方向の両端部のうち先端面２２ａとは反対側の端部に設けられている。本実施形態では、複数のコンデンサ４４の形状およびサイズは互いに同一である。また、複数のコンデンサ４４の容量は、互いに等しい。

　各コンデンサ４４は、第１取付面２４Ａと第２基板４１とのｚ方向の間を跨ぐように配置されている。つまり、各コンデンサ４４においては、第１電極４４Ａが第２基板４１よりも第１取付面２４Ａ寄りに配置されている。

　各コンデンサ４４の第１電極４４Ａは、はんだペーストまたはＡｇペースト等の導電性接合材によって第１取付面２４Ａに接合されている。これにより、各コンデンサ４４の第１電極４４Ａは、ヒートシンク２２と電気的に接続されている。半導体発光素子３２のカソード電極３７（図８参照）がヒートシンク２２と電気的に接続されているため、第１電極４４Ａはヒートシンク２２を介してカソード電極３７と電気的に接続されているともいえる。

　ヒートシンク２２の第１取付面２４Ａは、発光ユニット３０が実装される第１領域と、コンデンサ４４の第１電極４４Ａが実装される第２領域と、を含む。本実施形態では、第１取付面２４Ａは、第１領域と第２領域が面一となる平坦面として構成されている。

　各コンデンサ４４の第２電極４４Ｂは、導電性接合材によって第２基板４１の第２基板表面４１ｓに接合されている。より詳細には、各コンデンサ４４の第２電極４４Ｂは、ｙ方向から視て、第２基板４１のコンデンサ用開口部４６ｂと重なる位置に配置されている。このため、各コンデンサ４４の第２電極４４Ｂは、導電性接合材によってコンデンサ用開口部４６ｂから露出した表面側配線４５ｓに接合されている。これにより、各コンデンサ４４の第２電極４４Ｂは、導電性接合材を介して表面側配線４５ｓと電気的に接続されている。スイッチング素子４３のドレイン電極４３Ｄ（図８参照）が表面側配線４５ｓと電気的に接続されているため、各コンデンサ４４の第２電極４４Ｂは、ドレイン電極４３Ｄと電気的に接続されている。

　各コンデンサ４４は、ｘ方向から視て、第１基板３１（半導体発光素子３２）とスイッチング素子４３との双方と重なる位置に配置されている。より詳細には、各コンデンサ４４の第１電極４４Ａは、ｘ方向から視て、第１基板３１（半導体発光素子３２）と重なる位置に配置されている。各コンデンサ４４の第２電極４４Ｂは、ｘ方向から視て、スイッチング素子４３と重なる位置に配置されている。

　各コンデンサ４４の第１電極４４Ａは、半導体発光素子３２に対してスイッチング素子４３寄りにずれて配置されている。図示された例においては、各コンデンサ４４の第１電極４４Ａは、半導体発光素子３２のｚ方向の中央（第１基板３１のｚ方向の中央）よりもスイッチング素子４３寄りにずれて配置されている。

　また、スイッチング素子４３のｘ方向の両側に分散して配置されたコンデンサ４４は、ｙ方向から視て、半導体発光素子３２およびスイッチング素子４３に対して対称的に配置されている。これにより、スイッチング素子４３のｘ方向の一方側に配置された２つのコンデンサ４４からスイッチング素子４３を経て半導体発光素子３２に電流が流れるループ状の第１配線経路と、スイッチング素子４３のｘ方向の他方側に配置された２つのコンデンサ４４からスイッチング素子４３を経て半導体発光素子３２に電流が流れるループ状の第２配線経路とが半導体発光素子３２およびスイッチング素子４３に対して対称的に形成されている。

　［半導体発光装置の回路構成］
　以上のとおり説明した構成の半導体発光装置１０の回路構成について、図１１を用いて説明する。図１１は、半導体発光装置１０が用いられたレーザシステムＬＳの回路構成を示している。図１１に示すように、レーザシステムＬＳは、半導体発光装置１０、駆動電源ＤＶ、抵抗素子Ｒ、ダイオードＤ、およびドライバ回路ＰＭを備える。

　駆動電源ＤＶは、正極および負極を有する直流電源であって、半導体発光装置１０に電力を供給する。抵抗素子Ｒは、駆動電源ＤＶの正極と半導体発光装置１０との間に設けられている。ダイオードＤは、半導体発光素子３２と逆並列に接続されており、半導体発光素子３２への電流の逆流を防止する。ダイオードＤとしては、たとえばショットキーバリアダイオードが用いられる。ドライバ回路ＰＭは、スイッチング素子４３のオンオフを制御する制御信号をスイッチング素子４３のゲート電極４３Ｇに出力する。ドライバ回路ＰＭは、たとえばパルス状の信号を生成する矩形波発振回路と、矩形波発振回路と半導体発光装置１０との間に設けられたゲートドライバＩＣ（Integrated Circuit）とを含んでいる。ゲートドライバＩＣは、矩形波発振回路からの信号に基づいてスイッチング素子４３の制御信号を生成する。

　半導体発光素子３２とスイッチング素子４３とは直列に接続されている。より詳細には、半導体発光素子３２のアノード電極３６とスイッチング素子４３のソース電極４３Ｓとが電気的に接続されている。スイッチング素子４３のドレイン電極４３Ｄは、表面側配線４５ｓ（図８参照）と電気的に接続されている。半導体発光素子３２のカソード電極３７は、ヒートシンク２２と電気的に接続されている。

　コンデンサ４４は、半導体発光素子３２およびスイッチング素子４３の直列体と並列に接続されている。より詳細には、コンデンサ４４の第１電極４４Ａが半導体発光素子３２のカソード電極３７と電気的に接続されており、コンデンサ４４の第２電極４４Ｂがスイッチング素子４３のドレイン電極４３Ｄと電気的に接続されている。

　スイッチング素子４３のドレイン電極４３Ｄは、表面側配線４５ｓと電気的に接続されている。ダイオードＤのアノード電極はたとえばリードピン２３Ｄを介してヒートシンク２２（図６参照）に電気的に接続されており、ダイオードＤのカソード電極はリードピン２３ＡおよびワイヤＷ２を介してソース電極４３Ｓに電気的に接続されている。これにより、ヒートシンク２２は、半導体発光素子３２のカソード電極３７と電気的に接続されている。スイッチング素子４３のソース電極４３Ｓは、ワイヤＷ１によって半導体発光素子３２のアノード電極３６と電気的に接続されている。このため、ダイオードＤは、半導体発光素子３２に対して逆並列に接続されている。

　スイッチング素子４３のゲート電極４３Ｇは、リードピン２３Ｂと電気的に接続されている。ドライバ回路ＰＭは、リードピン２３Ｂに電気的に接続されている。このため、ドライバ回路ＰＭは、スイッチング素子４３のゲート電極４３Ｇに電気的に接続されている。また、ドライバ回路ＰＭおよび駆動電源ＤＶの負極のそれぞれは、グランドに接続されている。

　このような構成のレーザシステムＬＳでは、次のように動作する。すなわち、ドライバ回路ＰＭの制御信号によってスイッチング素子４３がオフ状態にされると、駆動電源ＤＶによってコンデンサ４４が蓄電される。そしてドライバ回路ＰＭの制御信号によってスイッチング素子４３がオン状態にされると、コンデンサ４４が放電することによって半導体発光素子３２に電流が流れる。これにより、半導体発光素子３２はパルスレーザ光を出射する。

　［半導体発光ユニット］
　図１２～図１４を参照して、半導体発光装置１０の適用例としての半導体発光ユニット１００の構成について説明する。

　図１２は、半導体発光ユニット１００において半導体発光素子３２の出射方向とは反対側から視た斜視構造を示している。図１３は、図１２の半導体発光ユニット１００の側面構造を示している。図１４は、図１３の半導体発光装置１０およびその周辺を拡大した側面構造を示している。半導体発光ユニット１００の半導体発光装置１０は、第１～第６実施形態のいずれかの半導体発光装置１０を用いることができる。

　図１２に示すように、半導体発光ユニット１００は、半導体発光装置１０と、半導体発光装置１０を放熱する放熱体１１０と、を備える。半導体発光ユニット１００は、半導体発光装置１０と電気的に接続された回路基板１２０をさらに備える。

　放熱体１１０は、放熱基部１３０と、放熱基部１３０から立設するキャップカバー部１４０と、を含む。放熱体１１０は、たとえばステンレス、Ｆｅ、Ａｌ、およびＣｕのいずれかを含む材料によって形成されている。

　放熱基部１３０とキャップカバー部１４０とは、個別に形成された後、溶接等によって互いに接合されている。このため、放熱基部１３０を構成する材料と、キャップカバー部１４０を構成する材料とが互いに異なっていてもよい。なお、放熱基部１３０とキャップカバー部１４０とは、単一部材として形成されていてもよい。

　放熱基部１３０は、ｙ方向が厚さ方向となる板状に形成されている。放熱基部１３０は、半導体発光装置１０に対して十分に大きい体積を有する。ｙ方向から視て、放熱基部１３０は、ｚ方向が短手方向となり、ｘ方向が長手方向となる矩形状である。放熱基部１３０は、基部表面１３１と、基部表面１３１とは反対側の基部裏面１３２と、基部表面１３１と基部裏面１３２とを繋ぐ４つの基部側面１３３～１３６と、を有する。

　基部側面１３３および基部側面１３４は、ｘ方向において互いに離隔して配置されている。基部側面１３３および基部側面１３４の各々は、ｙｚ平面に沿って延びる平坦面である。基部側面１３５および基部側面１３６は、ｚ方向において互いに離隔して配置されている。基部側面１３５および基部側面１３６の各々は、ｘｙ平面に沿って延びる平坦面である。

　キャップカバー部１４０は、放熱基部１３０の基部表面１３１からｙ方向に延びている。つまり、基部表面１３１は、キャップカバー部１４０が立設された面である。キャップカバー部１４０は、ｚ方向が厚さ方向となる平板状に形成されている。キャップカバー部１４０のｘ方向の大きさは、放熱基部１３０のｘ方向の大きさよりも小さい。キャップカバー部１４０は、ｚ方向において互いに反対側を向く第１カバー面１４１および第２カバー面１４２を有する。第１カバー面１４１は基部側面１３５と同じ側を向き、第２カバー面１４２は基部側面１３６と同じ側を向いている。図１３に示すとおり、本実施形態では、第１カバー面１４１は基部側面１３５と面一となる。

　図１４に示すように、キャップカバー部１４０は、その厚さ方向（ｚ方向）に貫通する貫通孔１４３を有する。ｚ方向から視て、貫通孔１４３は円形である。貫通孔１４３の内径は、半導体発光装置１０のキャップ５０の外径と等しい。

　図１２および図１３に示すように、回路基板１２０は、放熱基部１３０の基部表面１３１上に配置されている。回路基板１２０は、放熱基部１３０の基部表面１３１に対して、放熱基部１３０の厚さ方向（ｙ方向）において基部裏面１３２とは反対側に離隔して配置されている。図示された例においては、回路基板１２０と基部表面１３１とのｙ方向の間には、空隙が形成されている。回路基板１２０は、ｙ方向が厚さ方向となる平板状に形成されている。回路基板１２０は、ｚ方向において基部側面１３６よりも基部側面１３５寄りに配置されている。本実施形態では、回路基板１２０は、キャップカバー部１４０と隣り合う位置に配置されている。回路基板１２０は、放熱基部１３０の基部表面１３１に対して平行に配置されている。図１２に示すように、回路基板１２０のｘ方向の大きさは、キャップカバー部１４０のｘ方向の大きさよりも大きい。

　回路基板１２０には、たとえば図１１に示すレーザシステムＬＳのダイオードＤ、抵抗素子Ｒ、およびドライバ回路ＰＭの少なくとも１つが実装されていてもよい。本実施形態では、回路基板１２０には、ダイオードＤ、抵抗素子Ｒ、およびドライバ回路ＰＭの各々が実装されている。

　次に、放熱体１１０および回路基板１２０に対する半導体発光装置１０の取付構造について説明する。
　図１４に示すように、半導体発光装置１０は、キャップカバー部１４０に取り付けられている。より詳細には、キャップカバー部１４０は、半導体発光装置１０のキャップ５０の側面（筒部５１の外周面）と熱伝達可能に接続されている。本実施形態では、キャップカバー部１４０がキャップ５０の側面と熱伝達可能に接続する構成として、キャップ５０は、キャップカバー部１４０の貫通孔１４３に第２カバー面１４２側から圧入されている。

　なお、キャップカバー部１４０がキャップ５０の側面と熱伝達可能に接続する構成として、キャップ５０は、貫通孔１４３に隙間嵌めされていてもよい。つまり、キャップ５０の側面からの熱がキャップカバー部１４０に伝達される範囲において、キャップ５０は、貫通孔１４３に挿入されていてもよい。

　キャップ５０の側面は、開口部５３が放熱基部１３０の厚さ方向（ｙ方向）と交差する方向を向いた状態でキャップカバー部１４０と熱伝達可能に接続されている。一例では、キャップ５０の側面は、開口部５３が放熱基部１３０の厚さ方向（ｙ方向）と直交する方向を向いた状態でキャップカバー部１４０と熱伝達可能に接続されている。より詳細には、キャップ５０が貫通孔１４３に圧入された状態において、キャップ５０は、その天板部５２がｚ方向を向いている。つまり、天板部５２に形成された開口部５３がｚ方向に向けて開口している。このように、半導体発光ユニット１００では、キャップ５０の開口部５３（図１参照）が側方（ｚ方向）を向いた状態となるように構成されている。このため、半導体発光素子３２は、ｚ方向に向けて光を出射する。

　本実施形態では、貫通孔１４３を構成する内面は、キャップ５０の側面の全周にわたり熱伝達可能に接続されている。より詳細には、貫通孔１４３を構成する内面は、キャップ５０の側面の全周にわたり覆っている。つまり、キャップ５０は、その側面の全周が貫通孔１４３を構成する内面に対して圧入されている。このため、キャップ５０の側面は、その全周にわたり貫通孔１４３を構成する内面に接している。

　半導体発光装置１０は、その厚さ方向が放熱基部１３０の厚さ方向と交差するようにキャップカバー部１４０に取り付けられている。一例では、半導体発光装置１０は、その厚さ方向が放熱基部１３０の厚さ方向と直交するようにキャップカバー部１４０に取り付けられている。

　キャップ５０が貫通孔１４３に圧入された状態において、ベース２１はキャップカバー部１４０に接している。本実施形態では、ベース２１のベース表面２１ｓのうちキャップ５０から露出した部分の全面がキャップカバー部１４０の第２カバー面１４２と接している。このように、本実施形態では、半導体発光装置１０がキャップカバー部１４０に取り付けられることによって、キャップ５０の側面がキャップカバー部１４０と熱伝達可能に接続されるとともにベース２１がキャップカバー部１４０と熱伝達可能に接続されている。

　キャップカバー部１４０の厚さＴＣＣは、キャップ５０の高さ寸法ＨＣＰよりも厚い。このため、キャップ５０の天板部５２は、キャップカバー部１４０の第１カバー面１４１に対して第２カバー面１４２寄りに配置されている。ここで、キャップカバー部１４０の厚さＴＣＣは、第１カバー面１４１と第２カバー面１４２とのｚ方向の間の距離によって定義できる。キャップ５０の高さ寸法ＨＣＰは、ベース２１のベース表面２１ｓとキャップ５０の天板部５２とのｚ方向の間の距離によって定義できる。

　キャップカバー部１４０には、開口カバー部材１５０が取り付けられていてもよい。開口カバー部材１５０は、キャップカバー部１４０の第１カバー面１４１に接着材等によって接合されている。開口カバー部材１５０は、貫通孔１４３を覆っている。

　開口カバー部材１５０は、有底円筒状に形成されている。開口カバー部材１５０の底部１５１は、第１カバー面１４１から離れた位置に設けられている。この底部１５１には、開口１５２が形成されている。開口１５２は、ｚ方向から視て、貫通孔１４３と重なる位置に形成されている。

　開口カバー部材１５０内には、１または複数のレンズを収容することができる。これにより、半導体発光装置１０からの光は、貫通孔１４３および開口カバー部材１５０内のレンズを透過して、開口１５２からｚ方向に出射する。

　図１４に示すように、キャップ５０が貫通孔１４３に圧入された状態において、半導体発光装置１０の複数本のリードピン２３Ａ～２３Ｄは、回路基板１２０に実装されている。リードピン２３Ａ～２３Ｄは、回路基板１２０のうちキャップカバー部１４０とｚ方向に隣り合う端部に実装されている。リードピン２３Ａ～２３Ｄの各々は、屈曲することによって回路基板１２０に対してｙ方向に挿入されている。リードピン２３Ａ～２３Ｄの各々のうち回路基板１２０に挿入された部分は、はんだペースト等の導電性接合部材によって回路基板１２０に接合されている。このように、リードピン２３Ａ～２３Ｄの端子部２９Ａ～２９Ｄの各々は、ベース２１からｚ方向に延びる第１部分と、ｙ方向に延びるとともに回路基板１２０に実装される第２部分と、第１部分と第２部分との間に形成された屈曲部と、を含む。

　なお、キャップカバー部１４０の厚さＴＣＣとキャップ５０の高さ寸法ＨＣＰとの関係は任意に変更可能である。一例では、キャップカバー部１４０の厚さＴＣＣとキャップ５０の高さ寸法ＨＣＰとは互いに等しくてもよい。また、キャップカバー部１４０の厚さＴＣＣは、キャップ５０の高さ寸法ＨＣＰよりも薄くてもよい。キャップカバー部１４０の厚さＴＣＣは、キャップ５０の高さ寸法ＨＣＰよりも薄い場合、キャップ５０の天板部５２は、キャップカバー部１４０の第１カバー面１４１から突出している。

　回路基板１２０は、ｚ方向から視て、ベース２１と重なる位置に配置されている。回路基板１２０は、ベース２１のｙ方向の中心よりも放熱基部１３０寄りの位置に配置されている。

　［作用］
　本実施形態の半導体発光装置１０の作用と半導体発光ユニット１００の作用の双方について説明する。

　（半導体発光ユニットの作用）
　まず、図１５～図２１を参照して、半導体発光ユニット１００の作用について説明する。図１５は、比較例の半導体発光ユニット１００Ｘの斜視構造を示している。

　図１５に示すように、比較例の半導体発光ユニット１００Ｘは、回路基板１２０の厚さ方向が光の放射方向と同じとなるように回路基板１２０に実装されている。このため、比較例の半導体発光ユニット１００Ｘにおいては、各リードピン２３Ａ～２３Ｄが屈曲されることなく、回路基板１２０に形成されたスルーホール（図示略）に実装されている。なお、比較例の半導体発光ユニット１００Ｘは、図１６に示す比較例の半導体発光装置１０Ｘを備える。

　図１６は、比較例の半導体発光装置１０Ｘの内部構造の一例を示している。比較例の半導体発光装置１０Ｘは、本実施形態の半導体発光装置１０と比較して、第１基板３１が省略されかつ第２基板４１に半導体発光素子３２が実装されている点と、ヒートシンク２２から段差部２５が省略された点とが主に異なる。なお、説明を簡便化するために、比較例の半導体発光装置１０Ｘのうち本実施形態の半導体発光装置１０と共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。

　比較例の半導体発光装置１０Ｘにおけるヒートシンク２２Ｘは、本実施形態の半導体発光装置１０のヒートシンク２２（図２参照）と比較して、段差部２５（突出部２６）を有していない点が主に異なる。ヒートシンク２２Ｘは、取付面２４Ｘを有する。ヒートシンク２２Ｘが段差部２５を有していないため、取付面２４Ｘはｘｚ平面に沿った平坦面となる。取付面２４Ｘには、第２基板４１が導電性接合材によって接合されている。第２基板４１の第２基板表面４１ｓには、半導体発光素子３２、スイッチング素子４３、および４つのコンデンサ４４が実装されている。半導体発光素子３２は、スイッチング素子４３よりもヒートシンク２２の先端面２２ａ寄りに配置されている。ｚ方向から視て、半導体発光素子３２は、スイッチング素子４３と重なる位置に配置されている。４つのコンデンサ４４は、第１実施形態の半導体発光装置１０と同様に、スイッチング素子４３に対してｘ方向に２つずつ分散して配置されている。

　図示していないが、第２基板４１は、第１表面側配線および第２表面側配線を含む。第１表面側配線および第２表面側配線は、ｚ方向において互いに離隔して配置されている。第１表面側配線は、第２表面側配線に対してヒートシンク２２の先端面２２ａ寄りに配置されている。第１表面側配線上には、半導体発光素子３２および各コンデンサ４４の第１電極４４Ａが実装されている。このため、半導体発光素子３２のカソード電極３７（図８参照）と各コンデンサ４４の第１電極４４Ａとは、第１表面側配線を介して電気的に接続されている。第２表面側配線上には、スイッチング素子４３および各コンデンサ４４の第２電極４４Ｂが実装されている。このため、スイッチング素子４３のドレイン電極４３Ｄ（図８参照）と各コンデンサ４４の第２電極４４Ｂとは、第２表面側配線を介して電気的に接続されている。

　図１７は、スイッチング素子４３を駆動する制御信号の周波数、つまりスイッチング素子４３のスイッチング周波数を１０ｋＨｚ、５０ｋＨｚ、１００ｋＨｚ、および２００ｋＨｚと変更した場合の比較例の半導体発光ユニット１００Ｘの熱伝達係数と半導体発光素子３２の温度との関係を示している。

　図１８は、スイッチング素子４３のスイッチング周波数を１０ｋＨｚ、５０ｋＨｚ、１００ｋＨｚ、および２００ｋＨｚと変更した場合の本実施形態の半導体発光ユニット１００の熱伝達係数と半導体発光素子３２の温度との関係を示している。

　図１７および図１８では、スイッチング素子４３のスイッチング周波数が１０ｋＨｚのグラフを二点鎖線で示し、５０ｋＨｚのグラフを一点鎖線で示し、１００ｋＨｚのグラフを破線で示し、２００ｋＨｚのグラフを実線で示している。

　図１７および図１８のグラフでは、自然空冷を行った場合と、強制空冷を行った場合と、水冷を行った場合とについての熱伝導解析結果を示している。自然空冷における熱伝達係数の範囲はたとえば５Ｗ／ｍ^２／Ｋ以上５０Ｗ／ｍ^２／Ｋ以下の範囲であり、強制空冷における熱伝達係数の範囲はたとえば１００Ｗ／ｍ^２／Ｋ以上５００Ｗ／ｍ^２／Ｋの範囲であり、水冷の熱伝達係数はたとえば１０００Ｗ／ｍ^２／Ｋである。なお、これら熱伝導解析では、スイッチング素子４３をオンする制御信号のパルス幅を２ｎＳとし、半導体発光装置１０のピーク光出力（本実施形態では半導体発光素子３２の４つの発光部３２Ａの光出力の合計）を５００Ｗとしている。

　図１７および図１８に示すように、比較例の半導体発光ユニット１００Ｘおよび本実施形態の半導体発光ユニット１００の双方は、スイッチング素子４３のスイッチング周波数が１０ｋＨｚ、５０ｋＨｚ、１００ｋＨｚ、および２００ｋＨｚの順に高くなるにつれて同一の熱伝達係数における半導体発光素子３２の温度が高くなる。また、比較例の半導体発光ユニット１００Ｘおよび本実施形態の半導体発光ユニット１００の双方は、熱伝達係数が小さくなるにつれて半導体発光素子３２の温度が高くなる。熱伝達係数の減少量に対する半導体発光素子３２の温度の上昇量は、スイッチング素子４３のスイッチング周波数が１０ｋＨｚ、５０ｋＨｚ、１００ｋＨｚ、および２００ｋＨｚの順に大きくなる。

　図１７に示すように、比較例の半導体発光ユニット１００Ｘでは、自然空冷においてスイッチング素子４３のスイッチング周波数を５０ｋＨｚ、１００ｋＨｚ、および２００ｋＨｚとした場合、半導体発光素子３２の温度が１００℃を超えてしまう。このため、半導体発光素子３２の耐熱温度によっては、比較例の半導体発光ユニット１００Ｘでは、自然空冷においてスイッチング素子４３のスイッチング周波数を５０ｋＨｚ以上とすることを許容できないおそれがある。これは、比較例の半導体発光装置１０Ｘの放熱経路がリードピン２３Ａ～２３Ｄから回路基板１２０に伝熱する経路が主であるので、比較例の半導体発光装置１０Ｘが放熱しにくいためと考えられる。

　一方、図１８に示すように、本実施形態の半導体発光ユニット１００では、自然空冷においてスイッチング素子４３のスイッチング周波数を２００ｋＨｚとした場合であっても半導体発光素子３２の温度が６０℃未満（５０℃程度）となる。このため、本実施形態の半導体発光ユニット１００では、自然空冷においてスイッチング素子４３のスイッチング周波数を２００ｋＨｚすることを許容できる。このように、本実施形態の半導体発光ユニット１００は、比較例の半導体発光ユニット１００Ｘよりも放熱性能が高くなっている。これは、放熱体１１０のキャップカバー部１４０が半導体発光装置１０のキャップ５０およびベース２１に接しているので、キャップ５０およびベース２１からキャップカバー部１４０に半導体発光装置１０の熱が伝わるためと考えられる。つまり、本実施形態の半導体発光ユニット１００は、比較例の半導体発光ユニット１００Ｘよりも放熱経路が多いため、半導体発光素子３２が放熱しやすいと考えられる。さらに、第１基板３１の熱伝導率が第２基板４１の熱伝導率よりも高いので、半導体発光素子３２の熱が第１基板３１からヒートシンク２２に伝わりやすいためと考えられる。したがって、本実施形態の半導体発光ユニット１００は、比較例の半導体発光ユニット１００Ｘよりもスイッチング素子４３のスイッチング周波数を高くすることができる。

　図１９は、放熱体１１０を構成する材料を変更した場合の本実施形態の半導体発光ユニット１００の熱伝達係数と半導体発光素子３２の温度との関係を示している。図１９では、放熱体１１０を構成する材料として、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、およびステンレスが用いられている。なお、Ｃｕの熱伝導率は４０２Ｗ／ｍＫであり、Ａｌの熱伝導率は２３７Ｗ／ｍＫであり、Ｆｅの熱伝導率は８０．３Ｗ／ｍＫであり、ステンレスの熱伝導率は１５Ｗ／ｍＫである。図１９では、放熱体１１０の放熱基部１３０のｘ方向の寸法が１００ｍｍ、ｚ方向の寸法が１００ｍｍ、ｙ方向の寸法（厚さ寸法）が１０ｍｍのものが用いられている。なお、図１９において、二点鎖線のグラフは放熱体１１０を構成する材料がＣｕの場合であり、一点鎖線のグラフは放熱体１１０を構成する材料がＡｌの場合であり、破線のグラフは放熱体１１０を構成する材料がＦｅの場合であり、実線のグラフは放熱体１１０を構成する材料がステンレスの場合である。

　図１９のグラフでは、自然空冷を行った場合と、強制空冷を行った場合と、水冷を行った場合とについての熱伝導解析結果を示している。自然空冷、強制空冷、および水冷の熱伝達係数の範囲は図１７および図１８のグラフと同様である。なお、これら熱伝導解析では、スイッチング素子４３をオンする制御信号のパルス幅を２ｎＳとし、半導体発光素子３２のピーク光出力を５００Ｗとしている。

　図１９に示すように、熱伝達係数が小さくなるにつれて放熱体１１０を構成する材料の種類に応じた半導体発光素子３２の温度のばらつきが大きくなる。換言すると、水冷、強制空冷、および自然空冷の順に放熱体１１０を構成する材料の種類に応じた半導体発光素子３２の温度のばらつきが大きくなる。自然空冷においては、熱伝導率が最も高いＣｕと最も低いステンレスとの間で、半導体発光素子３２に対して最大約３０℃の温度差が生じる。一方、水冷においては、Ｃｕ，Ａｌ、Ｆｅ、およびステンレスは概ね４０℃であるため、熱伝導率が最も高いＣｕと最も低いステンレスとの間で、半導体発光素子３２の温度差はほとんど生じない。また、Ｃｕ、Ａｌ、およびＦｅは、半導体発光素子３２の温度が大きくばらついていない。自然空冷においてＦｅが約７０℃であるため、自然空冷であればＣｕ、Ａｌ、およびＦｅのいずれかを放熱体１１０を構成する材料として用いることができる。強制空冷および水冷においては、ステンレスも放熱体１１０を構成する材料として用いることができる。

　図２０は、放熱体１１０（放熱基部１３０）の体積と半導体発光素子３２の温度との関係を示している。図２０では、放熱体１１０を構成する材料としてＡｌが用いられている。また、図２０では、熱伝達係数を５Ｗ／ｍ^２／Ｋ、１０Ｗ／ｍ^２／Ｋ、１００Ｗ／ｍ^２／Ｋ、および１０００Ｗ／ｍ^２／Ｋに変更した場合であって、放熱体１１０の体積を変更した場合の半導体発光素子３２の温度を示している。ここで、熱伝達係数が５Ｗ／ｍ^２／Ｋおよび１０Ｗ／ｍ^２／Ｋでは自然空冷の場合に相当し、熱伝達係数が１００Ｗ／ｍ^２／Ｋでは強制空冷の場合に相当し、熱伝達係数が１０００Ｗ／ｍ^２／Ｋでは水冷の場合に相当する。なお、図２０のグラフにおいて、二点鎖線のグラフは熱伝達係数が１０００Ｗ／ｍ^２／Ｋの場合であり、一点鎖線のグラフは熱伝達係数が１００Ｗ／ｍ^２／Ｋの場合であり、破線のグラフは熱伝達係数が１０Ｗ／ｍ^２／Ｋの場合であり、実線のグラフは熱伝達係数が５Ｗ／ｍ^２／Ｋの場合である。

　図２０に示すように、熱伝達係数が１００Ｗ／ｍ^２／Ｋおよび１０００Ｗ／ｍ^２／Ｋの場合、すなわち強制空冷および水冷の場合、放熱体１１０（放熱基部１３０）の体積の変化に対して半導体発光素子３２の温度がほとんど変化しない。一方、熱伝達係数が５Ｗ／ｍ^２／Ｋおよび１０Ｗ／ｍ^２／Ｋの場合、すなわち自然空冷の場合、放熱体１１０（放熱基部１３０）の体積の変化に対して半導体発光素子３２の温度が大きく変化する。図２０においては、放熱体１１０（放熱基部１３０）の体積が３００００ｍｍ^３未満の範囲では体積が小さくなるにつれて半導体発光素子３２の温度が急激に高くなる。一方、放熱体１１０（放熱基部１３０）の体積が３００００ｍｍ^３以上の範囲では体積が小さくなるにつれて半導体発光素子３２の温度が緩やかに高くなる。このように、自然空冷の場合、放熱体１１０（放熱基部１３０）の体積が３００００ｍｍ^３以上であることが好ましい。また、図１９および図２０に示す結果に基づいて、熱伝導率がたとえば５０Ｗ／ｍＫ以上であれば、放熱体１１０（放熱基部１３０）の体積が３００００ｍｍ^３未満の範囲であっても半導体発光素子３２の温度を１００℃以下とすることができると考えられる。

　（半導体発光装置の作用）
　次に、図１８および図２１を参照して、半導体発光装置１０の作用について説明する。
　図２１は、比較例の半導体発光装置１０Ｘが半導体発光ユニット１００に適用された場合の熱伝導解析結果を示している。本実施形態の半導体発光装置１０が半導体発光ユニット１００に適用された場合の熱伝導解析結果は、上述のとおり図１８に示されている。図２１は、図１８と同様に、スイッチング素子４３のスイッチング周波数を１０ｋＨｚ、５０ｋＨｚ、１００ｋＨｚ、および２００ｋＨｚと変更した場合の熱伝達係数と半導体発光素子３２の温度との関係を示している。

　図２１では、図１８と同様に、スイッチング素子４３のスイッチング周波数が１０ｋＨｚのグラフを二点鎖線で示し、５０ｋＨｚのグラフを一点鎖線で示し、１００ｋＨｚのグラフを破線で示し、２００ｋＨｚのグラフを実線で示している。また、図２１のグラフでは、自然空冷を行った場合と、強制空冷を行った場合と、水冷を行った場合とについての熱伝導解析結果を示している。自然空冷、強制空冷、および水冷の熱伝達係数の範囲は図１８と同様である。なお、これら熱伝導解析では、スイッチング素子４３をオンする制御信号のパルス幅を２ｎＳ（２ナノ秒）とし、半導体発光素子３２のピーク光出力を５００Ｗとしている。

　図１８および図２１に示すように、スイッチング素子４３のスイッチング周波数が１０ｋＨｚの場合の半導体発光素子３２の温度は、比較例の半導体発光装置１０Ｘおよび本実施形態の半導体発光装置１０で殆ど変わらない。スイッチング素子４３のスイッチング周波数が５０ｋＨｚ、１００ｋＨｚ、および２００ｋＨｚと高くなるにつれて、比較例の半導体発光装置１０Ｘに対して本実施形態の半導体発光装置１０における半導体発光素子３２の温度が低くなる度合が高くなる。

　特に、自然空冷においてスイッチング素子４３のスイッチング周波数を２００ｋＨｚとした場合、比較例の半導体発光装置１０Ｘでは半導体発光素子３２の温度が９０℃程度であるのに対し、本実施形態の半導体発光装置１０では半導体発光素子３２の温度が６０℃未満（５０℃程度）となる。このように、自然空冷においてスイッチング素子４３のスイッチング周波数を２００ｋＨｚとした場合、比較例の半導体発光装置１０Ｘに対して本実施形態の半導体発光装置１０では、半導体発光素子３２の温度が４０℃近く低くなる。このように、本実施形態の半導体発光装置１０は、比較例の半導体発光装置１０Ｘよりも放熱性能が高くなっている。これは、第１基板３１の熱伝導率が第２基板４１の熱伝導率よりも高いので、半導体発光素子３２の熱が第１基板３１からヒートシンク２２に伝わりやすいためと考えられる。したがって、本実施形態の半導体発光装置１０は、比較例の半導体発光装置１０Ｘよりもスイッチング素子４３のスイッチング周波数を高くすることができる。

　［効果］
　本実施形態の半導体発光装置１０および半導体発光ユニット１００によれば、以下の効果が得られる。

　（１－１）半導体発光装置１０は、ベース２１と、ベース２１上に立設した導電性のヒートシンク２２と、ヒートシンク２２において互いに離隔するように取り付けられた第１基板３１および第２基板４１と、第１基板３１に実装された半導体発光素子３２と、第２基板４１に実装され、半導体発光素子３２を駆動させる駆動回路素子４２と、を備える。

　この構成によれば、半導体発光素子３２が実装された第１基板３１と、駆動回路素子４２が実装された第２基板４１とが互いに離隔するようにヒートシンク２２に取り付けられているため、半導体発光素子３２の熱が第１基板３１を介してヒートシンク２２に伝わる。つまり、半導体発光素子３２の熱は、第２基板４１に伝わりにくくなる。したがって、半導体発光素子３２の熱が駆動回路素子４２に影響を与えることを抑制できる。

　（１－２）第１基板３１の熱伝達率は、第２基板４１の熱伝達率よりも高い。
　この構成によれば、半導体発光素子３２の熱が第１基板３１を介してヒートシンク２２に伝わりやすくなる。したがって、半導体発光装置１０の放熱性能の向上を図ることができる。

　（１－３）第１基板３１の線膨張係数と半導体発光素子３２の線膨張係数との差は、ヒートシンク２２の線膨張係数と半導体発光素子３２の線膨張係数との差よりも小さい。
　この構成によれば、第１基板３１と半導体発光素子３２との線膨張係数の差に起因して半導体発光素子３２に加わる力を低減できる。したがって、温度変化に起因して半導体発光素子３２の電気的特性に影響を与えることを低減できる。

　（１－４）第１基板３１は、窒化アルミニウム、アルミナ、銅－タングステン合金、銅－窒化アルミニウム－銅、銅－ダイアモンド合金、銀－ダイアモンド合金のいずれかによって形成されている。

　この構成によれば、半導体発光素子３２の熱が第１基板３１を介してヒートシンク２２に伝わりやすくなることと、第１基板３１と半導体発光素子３２との線膨張係数の差に起因する半導体発光素子３２に加わる力を低減できることとの両立を図ることができる。

　（１－５）ヒートシンク２２は、第２基板４１が取り付けられた第２取付面２４Ｂと、第２取付面２４Ｂよりもヒートシンク２２の先端側に取り付けられ、第１基板３１が取り付けられる第１取付面２４Ａと、を含む。第１取付面２４Ａは、第２取付面２４Ｂに対してヒートシンク２２の立設方向（ｚ方向）と直交する厚さ方向（ｙ方向）に突出している。

　この構成によれば、ヒートシンク２２の第１取付面２４Ａのｙ方向の位置と第２基板４１の第２基板表面４１ｓのｙ方向の位置とのずれを低減することができる。このため、たとえば第１取付面２４Ａと第２基板４１とのｚ方向の間を跨ぐように配置された部品が第１取付面２４Ａと第２基板表面４１ｓとの双方に取り付けられる場合、ヒートシンク２２の第１取付面２４Ａのｙ方向の位置と第２基板４１の第２基板表面４１ｓのｙ方向の位置とのずれを考慮した配置が必要なくなるため、部品を容易に配置することができる。

　（１－６）駆動回路素子４２は、第１電極４４Ａおよび第２電極４４Ｂを有するコンデンサ４４を含む。コンデンサ４４の第１電極４４Ａはヒートシンク２２の第１取付面２４Ａに実装され、コンデンサ４４の第２電極４４Ｂは第２基板４１に実装されている。

　この構成によれば、コンデンサ４４の第１電極４４Ａがヒートシンク２２の第１取付面２４Ａに実装されているため、第１電極４４Ａは、第１取付面２４Ａおよび第１基板３１を介して半導体発光素子３２と電気的に接続されている。このため、コンデンサ４４の第１電極４４Ａが第２基板４１に実装される場合と比較して、第１電極４４Ａと半導体発光素子３２との間の導電経路を短くすることができる。

　（１－７）第２基板４１は、駆動回路素子４２が実装された第２基板表面４１ｓを含む。ｙ方向において、第１取付面２４Ａと第２基板表面４１ｓとが同じ位置となる。
　この構成によれば、第１取付面２４Ａと第２基板表面４１ｓとのｚ方向の間を跨るように配置されたコンデンサ４４が、ｘ方向から視てｚ方向に対してｙ方向に大きく傾くことなく、第１取付面２４Ａと第２基板表面４１ｓとに実装できる。したがって、ヒートシンク２２の第１取付面２４Ａのｙ方向の位置と第２基板４１の第２基板表面４１ｓのｙ方向の位置とのずれを考慮した配置が必要なくなるため、コンデンサ４４を第１取付面２４Ａおよび第２基板表面４１ｓに容易に実装できる。

　（１－８）第１取付面２４Ａは、発光ユニット３０が実装される第１領域と、コンデンサ４４が実装される第２領域とが面一となる平坦面として構成されている。
　この構成によれば、第１領域と第２領域との間に段差が形成される構成と比較して、コンデンサ４４の第１電極４４Ａと半導体発光素子３２のカソード電極３７との間の導電経路を短くすることができる。

　（１－９）半導体発光素子３２は、複数の発光部３２Ａを有する。
　この構成によれば、複数の発光部３２Ａを有するため、半導体発光素子３２の光強度を高めることができる。

　一方、半導体発光素子３２の光強度を高くすると、半導体発光素子３２の発熱量が多くなる。つまり、半導体発光素子３２の温度が高くなりやすい。この点、本実施形態の半導体発光装置１０は、半導体発光素子３２が実装された第１基板３１を備えるため、半導体発光素子３２の熱が第２基板４１に伝わりにくくなる。したがって、半導体発光素子３２の光強度を高くすることと、半導体発光素子３２の熱が駆動回路素子４２に影響を与えることを抑制することとの両立を図ることができる。加えて、第１基板３１が第２基板４１よりも放熱性に優れた基板を用いることによって、半導体発光素子３２の熱が第１基板３１を介してヒートシンク２２に伝わりやすくなる。したがって、半導体発光素子３２の温度が過度に高くなることを抑制できる。

　（１－１０）ｘ方向から視て、コンデンサ４４の第１電極４４Ａは、第１基板３１（半導体発光素子３２）と重なる位置に配置されている。
　この構成によれば、コンデンサ４４の第１電極４４Ａが第１基板３１（半導体発光素子３２）に対してｚ方向にずれた位置に配置された構成と比較して、第１電極４４Ａと第１基板３１（半導体発光素子３２）との間の導電経路を短くすることができる。

　（１－１１）半導体発光素子３２は、アノード電極３６およびカソード電極３７を含む。第１基板３１は、カソード電極３７とヒートシンク２２とを電気的に接続するスルーホール３４を含む。

　この構成によれば、スルーホール３４によって半導体発光素子３２とヒートシンク２２とを電気的に接続するとともに、半導体発光素子３２の熱をヒートシンク２２に効率よく伝えることができる。

　（１－１２）スルーホール３４は、第１基板３１のうち半導体発光素子３２と重なる位置に設けられている。
　この構成によれば、半導体発光素子３２とヒートシンク２２との間の導電経路を短くすることができる。

　（１－１３）第１基板３１は、スルーホール３４内に設けられた放熱材３５を含む。
　この構成によれば、半導体発光素子３２の熱をヒートシンク２２にさらに効率よく伝えることができる。

　（１－１４）半導体発光ユニット１００は、半導体発光装置１０と、半導体発光装置１０が取り付けられる放熱体１１０と、を備える。半導体発光装置１０は、半導体発光素子３２および駆動回路素子４２と、一方向に開口した開口部５３と、一方向と交差する方向を向く側面（筒部５２の外周面）とを有し、半導体発光素子３２および駆動回路素子４２を覆うキャップ５０と、を備える。放熱体１１０は、板状の放熱基部１３０と、放熱基部１３０から立設し、キャップ５０の開口部５３が放熱基部１３０の厚さ方向（ｙ方向）と交差する方向（ｚ方向）を向いた状態でキャップ５０の側面と熱伝達可能に接続されたキャップカバー部１４０と、を含む。

　この構成によれば、半導体発光素子３２の熱は、キャップ５０の側面（筒部５２の外周面）を介してキャップカバー部１４０に伝わる。このため、キャップ５０の側面と熱伝達可能に接続されたキャップカバー部１４０を備えていない半導体発光ユニットと比較して、放熱性能を向上させることができる。したがって、たとえばスイッチング素子４３が高周波で駆動することに起因して半導体発光素子３２の温度が過度に上昇することを抑制できる。

　（１－１５）キャップカバー部１４０がキャップ５０の側面と熱伝達可能に接続する構成として、キャップカバー部１４０は、キャップ５０が圧入される貫通孔１４３を含む。
　この構成によれば、半導体発光素子３２の熱がキャップ５０からキャップカバー部１４０に効率よく伝わる。このため、たとえばスイッチング素子４３が高周波で駆動することに起因して半導体発光素子３２の温度が過度に上昇することをさらに抑制できる。

　（１－１６）貫通孔１４３を構成する内面は、キャップ５０の側面と全周にわたり熱伝達可能に接続されている。
　この構成によれば、キャップカバー部１４０がキャップ５０の側面の全周にわたりキャップ５０からの熱を伝達可能となるため、半導体発光素子３２の熱が効率よくキャップカバー部１４０に伝わる。このため、たとえばスイッチング素子４３が高周波で駆動することに起因して半導体発光素子３２の温度が過度に上昇することをさらに抑制できる。

　（１－１７）キャップカバー部１４０は、ベース２１と接している。
　この構成によれば、半導体発光素子３２の熱がベース２１からキャップカバー部１４０に伝わる。つまり、半導体発光素子３２からキャップカバー部１４０への放熱経路が増える。このため、たとえばスイッチング素子４３が高周波で駆動することに起因して半導体発光素子３２の温度が過度に上昇することをさらに抑制できる。

　（１－１８）キャップカバー部１４０は、キャップ５０の高さ寸法ＨＣＰよりも厚い厚さＴＣＣを有する。
　この構成によれば、キャップカバー部１４０がキャップ５０の側面に対してキャップ５０の高さ方向の全体にわたり覆うことができる。これにより、半導体発光素子３２の熱がキャップ５０からキャップカバー部１４０に伝達するための面積が大きくなるため、半導体発光素子３２からキャップカバー部１４０に効率よく放熱することができる。したがって、たとえばスイッチング素子４３が高周波で駆動することに起因して半導体発光素子３２の温度が過度に上昇することをさらに抑制できる。

　（１－１９）回路基板１２０は、キャップカバー部１４０と隣り合う位置に配置されている。半導体発光装置１０の複数本のリードピン２３Ａ～２３Ｄは、回路基板１２０のうちキャップカバー部１４０と隣り合う端部に実装されている。

　この構成によれば、半導体発光装置１０のベース２１と回路基板１２０とを接近させることができ、回路基板１２０のうちベース２１の近くにリードピン２３Ａ～２３Ｄを実装することができる。このため、リードピン２３Ａ～２３Ｄの端子部２９Ａ～２９Ｄの長さを短くすることができる。

　＜第２実施形態＞
　図２２～図２５を参照して、第２実施形態の半導体発光装置１０について説明する。本実施形態の半導体発光装置１０は、第１実施形態の半導体発光装置１０と比較して、ヒートシンク２２の構成と、第２基板４１の構成と、コンデンサ４４の実装態様とが主に異なる。以下の説明において、第１実施形態と共通する構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。

　図２２は、本実施形態の半導体発光装置１０の内部の斜視構造を示している。理解を容易にするために、図２２では、半導体発光装置１０からキャップ５０を省略している。キャップ５０と、ワイヤＷ１～Ｗ４の接続構成とは第１実施形態と同様である。図２３は、図２２をｙ方向から視た第２基板４１およびその周辺を拡大した正面構造を示している。図２４は、第１基板３１および第２基板４１の正面構造を示している。図２４では、理解を容易にするために、半導体発光素子３２および駆動回路素子４２を二点鎖線で示している。図２５は、第１基板３１および第２基板４１の裏面構造を示している。図２５では、便宜上、ヒートシンク２２を二点鎖線で示している。

　図２２に示すように、ヒートシンク２２は、第１基板３１および第２基板４１の双方が取り付けられた取付面２４を含む。取付面２４は、ｘｚ平面に沿った平坦面である。このため、取付面２４のうち第１基板３１が取り付けられた領域と、取付面２４のうち第２基板４１が取り付けられた領域とは面一となる。

　本実施形態では、第２基板４１は、ｚ方向において取付面２４のうち先端面２２ａ寄りに取り付けられている。より詳細には、ｙ方向から視て、第２基板４１と先端面２２ａとのｚ方向の間の距離は、第２基板４１とベース２１のベース表面２１ｓとのｚ方向の間の距離よりも小さい。

　図２３に示すように、第２基板４１は、ｚ方向において互いに反対側を向く第２基板側面４１ａ，４１ｂを含む。第２基板側面４１ａは第２基板４１のうち先端面２２ａ寄りの基板側面であり、第２基板側面４１ｂは第２基板４１のうち先端面２２ａとは反対側の基板側面である。第２基板側面４１ａ，４１ｂは、ｘｙ平面に沿った平坦面である。第２基板側面４１ａ，４１ｂは、第２基材４１Ａの基材側面によって構成されている。

　第２基板４１の端部には、この端部から凹む凹部４９が形成されている。凹部４９は、ｙ方向から視て、先端面２２ａに向けて開口している。より詳細には、凹部４９は、第２基板側面４１ａから第２基板側面４１ｂに向けて凹んでいる。凹部４９は、第２基板４１のｘ方向の中央部に形成されている。凹部４９によって領域ＲＧが形成されている。領域ＲＧは、凹部４９を構成する第２基板４１の３つの第２基板側面によって囲まれた領域である。図２３に示すとおり、領域ＲＧは、ｙ方向から視て、ｘ方向が長手方向となり、ｚ方向が短手方向となる矩形状である。

　図２４に示すように、凹部４９の深さＨＲは、第１基板３１のｚ方向の大きさＬＺ以上である。第１基板３１のｚ方向の大きさＬＺは、第１基板３１の短手方向の大きさである。凹部４９のｘ方向の大きさＬＲは、スイッチング素子４３のｘ方向の大きさＬＳＸ（図２３参照）以上である。ここで、凹部４９の深さＨＲは領域ＲＧの短手方向の長さに対応し、凹部４９のｘ方向の大きさＬＲは領域ＲＧの長手方向の長さに対応している。

　第２基板４１は、第１表面側配線６１および第２表面側配線６２を有する。第１表面側配線６１および第２表面側配線６２は、第２基板４１の第２基板表面４１ｓに形成されている。第１表面側配線６１および第２表面側配線６２は、たとえば銅箔によって形成されている。

　第１表面側配線６１は、凹部４９よりも第２基板側面４１ｂ寄りに形成されている。第１表面側配線６１は、ｙ方向から視てｘ方向が長手方向となり、ｚ方向が短手方向となる矩形状である。第１表面側配線６１は、第２基板４１のうち凹部４９よりも第２基板側面４１ｂ寄りの部分の大部分にわたり形成されている。

　第２表面側配線６２は、第２基板４１のうち凹部４９のｘ方向の両側に分散して２つ形成されている。２つの第２表面側配線６２は、第１表面側配線６１よりも第２基板側面４１ａ寄りに配置されている。２つの第２表面側配線６２は、ｚ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離隔して配置されている。ｘ方向から視て、各第２表面側配線６２は、凹部４９と重なる位置に配置されている。ｙ方向から視て、各第２表面側配線６２は、ｘ方向が長手方向となり、ｚ方向が短手方向となる矩形状である。ｘ方向から視て、各第２表面側配線６２は、第１基板３１と部分的に重なる位置に配置されている。本実施形態では、各第２表面側配線６２は、第１基板３１に対して先端面２２ａとは反対側にずれて配置されている。

　第２基板４１は、複数（本実施形態では１６個）の第１スルーホール６３と、複数（本実施形態では６個）の第２スルーホール６４と、を有する。各第１スルーホール６３および各第２スルーホール６４は、第２基板４１をその厚さ方向（ｙ方向）に貫通している。各第１スルーホール６３および各第２スルーホール６４は、導電材料によって形成されている。一例では、各第１スルーホール６３および各第２スルーホール６４は、Ｃｕを含む材料によって形成されている。

　複数の第１スルーホール６３は、第２基板４１のうち凹部４９よりも第２基板側面４１ｂ寄りかつｘ方向の中央に設けられている。本実施形態では、１６個の第１スルーホール６３は、ｘ方向に４個およびｚ方向に４個の格子状に配置されている。各第１スルーホール６３は、第１表面側配線６１に電気的に接続されている。

　各第１スルーホール６３の内部には、第１放熱材６５が設けられている。より詳細には、第１放熱材６５は、各第１スルーホール６３の内部を埋めるように設けられている。第１放熱材６５は、たとえば金属材料によって形成されている。一例では、第１放熱材６５は、Ｃｕを含む材料によって形成されている。つまり、第１放熱材６５は、第１スルーホール６３と同じ材料によって形成されていてもよい。

　複数の第２スルーホール６４は、ｙ方向から視て、第２表面側配線６２と重なる位置に形成されている。複数の第２スルーホール６４は、第２基板４１のうち第１表面側配線６１よりも第２基板側面４１ａ寄りに形成されている。本実施形態では、第２スルーホール６４は、凹部４９のｘ方向の両側に３個ずつ配置されている。複数の第２スルーホール６４は、ｚ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離隔して配列されている。各第２スルーホール６４は、第２表面側配線６２と電気的に接続されている。

　各第２スルーホール６４の内部には、第２放熱材６６が設けられている。より詳細には、第２放熱材６６は、各第２スルーホール６４の内部を埋めるように設けられている。第２放熱材６６は、たとえば金属材料によって形成されている。一例では、第２放熱材６６は、Ｃｕを含む材料によって形成されている。つまり、第２放熱材６６は、第２スルーホール６４と同じ材料によって形成されていてもよい。

　なお、第１スルーホール６３および第２スルーホール６４の各々の個数は、任意に変更可能である。第１放熱材６５および第２放熱材６６を構成する材料は、任意に変更可能である。第１放熱材６５は、第１スルーホール６３とは異なる材料で形成されていてもよい。第２放熱材６６は、第２スルーホール６４とは異なる材料で形成されていてもよい。一例では、第１放熱材６５および第２放熱材６６の各々は、絶縁材料によって形成されていてもよい。

　第２基板４１は、第１表面側配線６１の一部および第２表面側配線６２の一部を覆う表面側レジスト層６７を有する。表面側レジスト層６７は、絶縁材料によって形成されている。表面側レジスト層６７は、スイッチング素子用開口部６７ａと、複数（本実施形態では２つ）の第１コンデンサ用開口部６７ｂと、複数（本実施形態では２つ）の第２コンデンサ用開口部６７ｃと、ワイヤ用開口部６７ｄと、を有する。スイッチング素子用開口部６７ａ、各第２コンデンサ用開口部６７ｃ、およびワイヤ用開口部６７ｄは、表面側レジスト層６７から第１表面側配線６１を露出している。各第１コンデンサ用開口部６７ｂは、表面側レジスト層６７から第２表面側配線６２を露出している。

　スイッチング素子用開口部６７ａは、ｚ方向から視て、凹部４９と重なる位置に形成されている。スイッチング素子用開口部６７ａは、各第１スルーホール６３および各第１放熱材６５を露出している。

　第２コンデンサ用開口部６７ｃは、スイッチング素子用開口部６７ａのｘ方向の両側に分散して形成されている。２つの第２コンデンサ用開口部６７ｃは、ｚ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離隔して形成されている。２つの第２コンデンサ用開口部６７ｃは、ｘ方向から視て、スイッチング素子用開口部６７ａと重なる位置に配置されている。

　ワイヤ用開口部６７ｄは、第２コンデンサ用開口部６７ｃよりも第２基板側面４１ｂ寄りに形成されている。ワイヤ用開口部６７ｄは、スイッチング素子用開口部６７ａに対してｘ方向の一方側に配置されている。

　第１コンデンサ用開口部６７ｂは、スイッチング素子用開口部６７ａよりも第２基板側面４１ａ寄りに形成されている。第１コンデンサ用開口部６７ｂは、凹部４９のｘ方向の両側に分散して形成されている。２つの第１コンデンサ用開口部６７ｂは、ｚ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離隔して形成されている。２つの第１コンデンサ用開口部６７ｂは、対応する２つの第２コンデンサ用開口部６７ｃに対してｘ方向において揃った位置に形成されている。

　スイッチング素子４３は、スイッチング素子用開口部６７ａ内に配置されている。より詳細には、スイッチング素子４３は、スイッチング素子用開口部６７ａによって露出した第１表面側配線６１に導電性接合材によって接合されている。これにより、スイッチング素子４３のドレイン電極４３Ｄ（図８参照）は、第１表面側配線６１と電気的に接続されている。

　４つのコンデンサ４４は、凹部４９のｘ方向の両側に２つずつ分散して配置されている。コンデンサ４４の第１電極４４Ａは、ｙ方向から視て、第１コンデンサ用開口部６７ｂと重なる位置に配置されている。第１電極４４Ａは、第１コンデンサ用開口部６７ｂによって露出した第２表面側配線６２と導電性接合材によって接合されている。第１電極４４Ａは、第２表面側配線６２と電気的に接続されている。コンデンサ４４の第２電極４４Ｂは、ｙ方向から視て、第２コンデンサ用開口部６７ｃと重なる位置に配置されている。第２電極４４Ｂは、第２コンデンサ用開口部６７ｃによって露出した第１表面側配線６１と導電性接合材によって接合されている。第２電極４４Ｂは、第１表面側配線６１と電気的に接続されている。第２電極４４Ｂは、スイッチング素子４３のドレイン電極４３Ｄと電気的に接続されているともいえる。このように、各コンデンサ４４の第１電極４４Ａおよび第２電極４４Ｂの双方は、第２基板４１に実装されている。

　なお、スイッチング素子４３および４つのコンデンサ４４の配置関係は、第１実施形態と同様であるといえる。また、本実施形態の半導体発光装置１０の回路構成は、第１実施形態と同様である。

　図２５に示すように、第２基板４１は、２つの裏面側配線６８と、第１裏面側レジスト層６９Ａおよび第２裏面側レジスト層６９Ｂと、を有する。
　２つの裏面側配線６８は、第２基板４１のうち凹部４９のｘ方向の両側に分散して形成されている。各裏面側配線６８は、ｙ方向から視て、裏面側配線６８に対応する第２表面側配線６２（図２４参照）と重なる位置に配置されている。２つの裏面側配線６８は、ｚ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離隔して配置されている。ｘ方向から視て、裏面側配線６８は、凹部４９と重なる位置に配置されている。ｙ方向から視て、裏面側配線６８は、ｘ方向が長手方向となり、ｚ方向が短手方向となる矩形状である。

　各裏面側配線６８は、複数の第２スルーホール６４と電気的に接続されている。このため、ｙ方向から視て互いに重なる位置に配置された裏面側配線６８と第２表面側配線６２とは、複数の第２スルーホール６４によって電気的に接続されている。

　第１裏面側レジスト層６９Ａは、凹部４９よりも第２基板側面４１ｂ寄りに形成されている。第１裏面側レジスト層６９Ａは、ｙ方向から視てｘ方向が長手方向となり、ｚ方向が短手方向となる矩形状である。第１裏面側レジスト層６９Ａは、第２基板４１のうち凹部４９よりも第２基板側面４１ｂ寄りの部分の大部分にわたり形成されている。第１裏面側レジスト層６９Ａは、ｙ方向から視て、第１表面側配線６１と重なる位置に配置されている。このため、第１裏面側レジスト層６９Ａは、複数の第１スルーホール６３および複数の第１放熱材６５を覆っている。

　第２裏面側レジスト層６９Ｂは、２つの裏面側配線６８の各々を覆うように２つ設けられている。第２裏面側レジスト層６９Ｂは、開口部６９ＢＡを有する。開口部６９ＢＡは、裏面側配線６８、第２スルーホール６４、および第２放熱材６６を露出している。これにより、第２基板４１がヒートシンク２２に取り付けられた状態において、裏面側配線６８は、導電性接合材を介してヒートシンク２２と電気的に接続されている。つまり、第２表面側配線６２は、裏面側配線６８および第２スルーホール６４を介してヒートシンク２２と電気的に接続されている。このため、図２４のコンデンサ４４の第１電極４４Ａは、ヒートシンク２２に電気的に接続されている。したがって、第１電極４４Ａは、第２スルーホール６４、裏面側配線６８、および第１基板３１を介して半導体発光素子３２に電気的に接続されているといえる。このように、裏面側配線６８は、「ヒートシンクと電気的に接続されるパッド」に対応している。

　図２３に示すように、ｙ方向から視て、発光ユニット３０は、第２基板４１と離隔している状態で少なくとも一部が領域ＲＧ内に入り込むように配置されている。このため、ｙ方向から視て、第１基板３１は、第２基板４１と離隔している状態で少なくとも一部が領域ＲＧ内に入り込むように配置されているといえる。本実施形態では、ｙ方向から視て、発光ユニット３０の一部が領域ＲＧ内に入り込むように配置されている。このため、本実施形態では、第１基板３１の一部が領域ＲＧ内に入り込むように配置されている。第１基板３１は、第２基板４１の第２基板側面４１ａに対してヒートシンク２２の先端面２２ａ寄りに突出した部分を含む。第１基板３１と先端面２２ａとのｚ方向の間の距離Ｇ１は、第１基板３１と第２基板４１の凹部４９の底面とのｚ方向の間の距離Ｇ２よりも小さい。なお、第１基板３１および半導体発光素子３２の構成は、第１実施形態と同様である。このため、半導体発光素子３２のカソード電極３７（図８参照）は、ヒートシンク２２に電気的に接続されている。また、スイッチング素子４３およびコンデンサ４４に対する第１基板３１および半導体発光素子３２の位置関係は、第１実施形態と同様である。

　半導体発光素子３２がｘ方向においてスイッチング素子４３と同じ位置に配置されているため、ｚ方向から視て、半導体発光素子３２は、スイッチング素子４３と重なる位置に配置されている。

　［効果］
　本実施形態の半導体発光装置１０によれば、第１実施形態の（１－１）～（１－４）および（１－９）～（１－１３）の効果に加え、以下の効果が得られる。

　（２－１）第２基板４１の端部には、当該端部から凹む凹部４９が形成されている。第１基板３１は、第２基板４１と離隔している状態で少なくとも一部が当該凹部４９によって形成された領域ＲＧ内に入り込むように配置されている。

　この構成によれば、第１基板３１が第２基板４１の第２基板側面４１ａよりもヒートシンク２２の先端面２２ａ寄りに位置する場合と比較して、第１基板３１に実装された半導体発光素子３２と第２基板４１に実装されたコンデンサ４４の第１電極４４Ａとの間の導電経路を短くすることができる。また、半導体発光素子３２とスイッチング素子４３とを互いに近づけることができるため、半導体発光素子３２とスイッチング素子４３とを接続するワイヤＷ１を短くすることができる。

　（２－２）駆動回路素子４２は、第１電極４４Ａおよび第２電極４４Ｂを有するコンデンサ４４を含む。コンデンサ４４の第１電極４４Ａおよび第２電極４４Ｂの双方は、第２基板４１に実装されている。第２基板４１は、コンデンサ４４の第１電極４４Ａとヒートシンク２２とを電気的に接続する第２スルーホール６４を含む。

　この構成によれば、コンデンサ４４の第１電極４４Ａとヒートシンク２２とをたとえばワイヤによって電気的に接続する構成と比較して、第１電極４４Ａとヒートシンク２２との間の導電経路を短くすることができる。加えて、第２スルーホール６４の直径は、ワイヤの直径よりも大きくしやすい。このため、第２スルーホール６４の直径をワイヤの直径よりも大きくすることによってインダクタンスを低減できる。

　＜第３実施形態＞
　図２６～図２９を参照して、第３実施形態の半導体発光装置１０について説明する。本実施形態の半導体発光装置１０は、第１実施形態の半導体発光装置１０と比較して、第２基板４１の構成およびコンデンサ４４の実装態様が主に異なる。以下の説明において、第１実施形態と共通する構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。

　図２６は、本実施形態の半導体発光装置１０の内部の斜視構造を示している。理解を容易にするために、図２６では、半導体発光装置１０からキャップ５０を省略している。キャップ５０と、ワイヤＷ１～Ｗ４の接続構成とは第１実施形態と同様である。図２７は、図２６をｙ方向から視た第２基板４１およびその周辺を拡大した正面構造を示している。図２８は、第１基板３１および第２基板４１の正面構造を示している。図２８では、理解を容易にするために、半導体発光素子３２および駆動回路素子４２を二点鎖線で示している。図２９は、第１基板３１および第２基板４１の裏面構造を示している。図２９では、便宜上、ヒートシンク２２を二点鎖線で示している。

　図２６に示すように、駆動ユニット４０の第２基板４１には、各コンデンサ４４の第１電極４４Ａおよび第２電極４４Ｂが実装されている。各コンデンサ４４の第１電極４４Ａおよび第２電極４４Ｂの第２基板４１への実装構造は、第２実施形態と同様である。第２基板４１は、たとえばワイヤＷ５によってヒートシンク２２と電気的に接続されている。

　図２７に示すように、各コンデンサ４４の第１電極４４Ａは、ヒートシンク２２の第１取付面２４Ａよりもスイッチング素子４３寄りに配置されている。つまり、第１電極４４Ａは、第１基板３１（半導体発光素子３２）よりもスイッチング素子４３寄りに配置されている。各コンデンサ４４の第２電極４４Ｂは、ｘ方向から視て、スイッチング素子４３と重なる位置に配置されている。このように、各コンデンサ４４は、その全体が半導体発光素子３２に対してスイッチング素子４３寄りに配置されている。換言すると、半導体発光素子３２は、その全体が各コンデンサ４４よりもヒートシンク２２の先端面２２ａ寄りに配置されている。

　図２８に示すように、第２基板４１は、表面側配線７１および接続配線７２を有する。表面側配線７１および接続配線７２は、第２基板４１の第２基板表面４１ｓに形成されている。表面側配線７１および接続配線７２の双方は、たとえば銅箔によって形成されている。

　表面側配線７１は、第２基板４１のうちベース２１（図２６参照）寄りに配置されている。ｙ方向から視て、表面側配線７１は、ｘ方向が長手方向となり、ｚ方向が短手方向となる矩形状である。

　接続配線７２は、第２基板４１のうち表面側配線７１よりも第１取付面２４Ａ寄りに配置されている。接続配線７２は、ｚ方向において表面側配線７１から離隔して配置されている。ｙ方向から視て、接続配線７２は、ｘ方向が長手方向となり、ｚ方向が短手方向となる矩形状である。接続配線７２のｘ方向の大きさは、たとえば表面側配線７１のｘ方向の大きさと等しい。接続配線７２のｚ方向の大きさは、表面側配線７１のｚ方向の大きさよりも小さい。

　第２基板４１は、複数（本実施形態では１６個）のスルーホール７３を有する。各スルーホール７３は、第２基板４１をその厚さ方向（ｙ方向）に貫通している。スルーホール７３は、導電材料によって形成されている。一例では、各スルーホール７３は、Ｃｕを含む材料によって形成されている。

　複数のスルーホール７３は、第２基板４１のうち接続配線７２よりもベース２１（図２６参照）寄りかつｘ方向の中央に設けられている。本実施形態では、１６個のスルーホール７３は、ｘ方向に４個およびｚ方向に４個の格子状に配置されている。各スルーホール７３は、表面側配線７１に電気的に接続されている。

　各スルーホール７３の内部には、放熱材７４が設けられている。より詳細には、放熱材７４は、各スルーホール７３の内部を埋めるように設けられている。放熱材７４は、たとえば金属材料によって形成されている。一例では、放熱材７４は、Ｃｕを含む材料によって形成されている。つまり、放熱材７４は、スルーホール７３と同じ材料によって形成されていてもよい。

　なお、放熱材７４を構成する材料は、任意に変更可能である。放熱材７４は、スルーホール７３とは異なる材料で形成されていてもよい。一例では、放熱材７４は、絶縁材料によって形成されていてもよい。

　第２基板４１は、表面側配線７１の一部および接続配線７２の一部を覆う表面側レジスト層７５を有する。表面側レジスト層７５は、絶縁材料によって形成されている。表面側レジスト層７５は、スイッチング素子用開口部７５ａと、複数（本実施形態では２つ）の第１コンデンサ用開口部７５ｂと、複数（本実施形態では２つ）の第２コンデンサ用開口部７５ｃと、第１ワイヤ用開口部７５ｄと、第２ワイヤ用開口部７５ｅと、を有する。スイッチング素子用開口部７５ａ、各第２コンデンサ用開口部７５ｃ、および第１ワイヤ用開口部７５ｄは、表面側レジスト層７５から表面側配線７１を露出している。各第１コンデンサ用開口部７５ｂおよび第２ワイヤ用開口部７５ｅは、表面側レジスト層７５から接続配線７２を露出している。

　スイッチング素子用開口部７５ａは、ｚ方向から視て、表面側配線７１のｘ方向の中央部と重なる位置に形成されている。スイッチング素子用開口部７５ａは、表面側配線７１、複数のスルーホール７３、および放熱材７４を露出している。

　２つの第２コンデンサ用開口部７５ｃは、スイッチング素子用開口部７５ａのｘ方向の両側に分散して形成されている。２つの第２コンデンサ用開口部７５ｃは、ｚ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離隔して形成されている。各第２コンデンサ用開口部７５ｃは、表面側配線７１のｚ方向の両端部のうち接続配線７２に近い方の端部に形成されている。

　第１ワイヤ用開口部７５ｄは、第２コンデンサ用開口部７５ｃよりもベース２１（図２６参照）寄りに形成されている。第１ワイヤ用開口部７５ｄは、スイッチング素子用開口部７５ａに対してｘ方向の一方側に配置されている。

　２つの第１コンデンサ用開口部７５ｂは、スイッチング素子用開口部７５ａよりも第１取付面２４Ａ寄りに形成されている。２つの第１コンデンサ用開口部７５ｂは、第２コンデンサ用開口部７５ｃよりも第１取付面２４Ａ寄りに配置されている。２つの第１コンデンサ用開口部７５ｂは、スイッチング素子用開口部７５ａのｘ方向の両側に分散して形成されている。２つの第１コンデンサ用開口部７５ｂは、ｚ方向において互いに揃った状態でｘ方向において互いに離隔して形成されている。２つの第１コンデンサ用開口部７５ｂは、対応する２つの第２コンデンサ用開口部７５ｃに対してｘ方向において揃った位置に形成されている。

　第２ワイヤ用開口部７５ｅは、接続配線７２のｘ方向の中央部と重なる位置に形成されている。ｙ方向から視て、第２ワイヤ用開口部７５ｅは、ｘ方向が長手方向となり、ｚ方向が短手方向となる矩形状である。第２ワイヤ用開口部７５ｅは、ｘ方向において互いに離隔した２つの第１コンデンサ用開口部７５ｂの間に形成されている。本実施形態では、第２ワイヤ用開口部７５ｅは、ｘ方向から視て、第１コンデンサ用開口部７５ｂと部分的に重なる位置に配置されている。より詳細には、ｚ方向において、第１コンデンサ用開口部７５ｂに対して第１取付面２４Ａ寄りにずれて形成されている。第２ワイヤ用開口部７５ｅのうちスイッチング素子用開口部７５ａ寄りの一部は、ｘ方向から視て、第１コンデンサ用開口部７５ｂと重なっている。第２ワイヤ用開口部７５ｅのｘ方向の大きさは、半導体発光素子３２（第１基板３１）のｘ方向の大きさよりも大きい。

　図２７に示すように、スイッチング素子４３は、スイッチング素子用開口部７５ａ内に配置されている。より詳細には、スイッチング素子４３は、スイッチング素子用開口部７５ａによって露出した表面側配線７１に導電性接合材によって接合されている。これにより、スイッチング素子４３のドレイン電極４３Ｄ（図８参照）は、表面側配線７１と電気的に接続されている。

　４つのコンデンサ４４は、スイッチング素子４３のｘ方向の両側に２つずつ分散して配置されている。コンデンサ４４の第１電極４４Ａは、ｙ方向から視て、第１コンデンサ用開口部７５ｂと重なる位置に配置されている。第１電極４４Ａは、第１コンデンサ用開口部７５ｂによって露出した接続配線７２と導電性接合材によって接合されている。第１電極４４Ａは、接続配線７２と電気的に接続されている。コンデンサ４４の第２電極４４Ｂは、ｙ方向から視て、第２コンデンサ用開口部７５ｃと重なる位置に配置されている。第２電極４４Ｂは、第２コンデンサ用開口部７５ｃによって露出した表面側配線７１と導電性接合材によって接合されている。第２電極４４Ｂは、表面側配線７１と電気的に接続されている。第２電極４４Ｂは、スイッチング素子４３のドレイン電極４３Ｄと電気的に接続されているともいえる。なお、スイッチング素子４３および４つのコンデンサ４４の配置関係は、第１実施形態と同様であるといえる。

　ヒートシンク２２の第１取付面２４Ａと接続配線７２とは、ワイヤＷ５によって接続されている。具体的には、ワイヤＷ５の第１端部は第１取付面２４Ａに接合され、ワイヤＷ５の第２端部は表面側レジスト層７５の第２ワイヤ用開口部７５ｅによって露出した接続配線７２に接合されている。ワイヤＷ５は、半導体発光素子３２およびスイッチング素子４３を接続する４本のワイヤＷ１のｘ方向の両側に配置されている。ワイヤＷ５は、ｙ方向から視て、半導体発光素子３２のｘ方向の両側に半導体発光素子３２から離隔して配置されている。ワイヤＷ５は、ｙ方向から視て、半導体発光素子３２（第１基板３１）とコンデンサ４４とのｘ方向の間に配置されている。なお、ワイヤＷ５の本数は任意に変更可能である。

　図２９に示すように、第２基板４１は、第１裏面側レジスト層７６および第２裏面側レジスト層７７を有する。第１裏面側レジスト層７６および第２裏面側レジスト層７７の双方は、第２基板裏面４１ｒに形成されている。第１裏面側レジスト層７６および第２裏面側レジスト層７７の双方は、絶縁材料によって形成されている。

　第１裏面側レジスト層７６は、第２基板４１のうちベース２１（図２６参照）寄りに配置されている。ｙ方向から視て、第１裏面側レジスト層７６は、ｘ方向が長手方向となり、ｚ方向が短手方向となる矩形状である。第１裏面側レジスト層７６は、ｙ方向から視て、表面側配線７１（図２８参照）と重なる位置に配置されている。ｙ方向から視た第１裏面側レジスト層７６のサイズは、たとえば表面側配線７１のサイズと同じである。第１裏面側レジスト層７６は、複数のスルーホール７３を覆っている。このため、第１裏面側レジスト層７６は、複数のスルーホール７３とヒートシンク２２とを絶縁している。

　第２裏面側レジスト層７７は、第２基板４１のうち第１裏面側レジスト層７６よりもヒートシンク２２の先端面２２ａ寄りに配置されている。第２裏面側レジスト層７７は、ｚ方向において第１裏面側レジスト層７６から離隔して配置されている。第２裏面側レジスト層７７は、ｙ方向から視て、接続配線７２（図２８参照）と重なる位置に配置されている。第２裏面側レジスト層７７のｚ方向の大きさは、第１裏面側レジスト層７６のｚ方向の大きさよりも小さい。なお、第１裏面側レジスト層７６と第２裏面側レジスト層７７とが一体に形成された裏面側レジスト層として構成されていてもよい。この場合、裏面側レジスト層は、たとえば第２基板４１の第２基板裏面４１ｒの全体にわたり形成されていてもよい。

　図２７に示すとおり、発光ユニット３０は、第１取付面２４Ａに取り付けられている。発光ユニット３０のヒートシンク２２に対する取付位置は、第１実施形態と同様である。発光ユニット３０の構成は、第１実施形態と同様である。つまり、半導体発光素子３２のカソード電極３７（図８参照）は、ヒートシンク２２に電気的に接続されている。このため、コンデンサ４４の第１電極４４Ａは、接続配線７２、ワイヤＷ５、およびヒートシンク２２を介してカソード電極３７と電気的に接続されている。なお、本実施形態の半導体発光装置１０の回路構成は、第１実施形態と同様である。

　なお、本実施形態では、接続配線７２とヒートシンク２２の第１取付面２４ＡとをワイヤＷ５で接続したが、接続配線７２と第１取付面２４Ａとの電気的な接続態様はこれに限られない。たとえば、接続配線７２と第１取付面２４Ａとは、ワイヤＷ５に代えて、クリップまたはリボン等の接続部材によって電気的に接続されていてもよい。

　［効果］
　本実施形態の半導体発光装置１０によれば、第１実施形態の（１－１）～（１－５）、（１－９）、および（１－１１）～（１－１３）の効果に加え、以下の効果が得られる。

　（３－１）駆動回路素子４２は、スイッチング素子４３と、第１電極４４Ａおよび第２電極４４Ｂを有するコンデンサ４４と、を含む。ヒートシンク２２の立設方向であるｚ方向において、半導体発光素子３２とスイッチング素子４３とが互いに離隔して配列されている。第２基板４１のうちｚ方向における半導体発光素子３２とスイッチング素子４３との間の部分には、ヒートシンク２２と電気的に接続するための接続配線７２が設けられている。コンデンサ４４の第１電極４４Ａは、接続配線７２に実装されている。接続配線７２およびヒートシンク２２は、ワイヤＷ５によって接続されている。

　この構成によれば、第２基板４１にスルーホールを設けて、ヒートシンク２２の第２取付面２４Ｂとコンデンサ４４の第１電極４４Ａとを電気的に接続する場合と比較して、第１電極４４Ａと半導体発光素子３２との間の導電経路を短くすることができる。また、接続配線７２とヒートシンク２２との接続構造の簡素化を図ることができる。

　＜第４実施形態＞
　図３０および図３１を参照して、第４実施形態の半導体発光装置１０について説明する。本実施形態の半導体発光装置１０は、第１実施形態の半導体発光装置１０と比較して、第１基板３１が省略された点が主に異なる。以下の説明において、第１実施形態と共通する構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。

　図３０は、本実施形態の半導体発光装置１０の内部の斜視構造を示している。理解を容易にするために、図３０では、半導体発光装置１０からキャップ５０を省略している。キャップ５０と、ワイヤＷ１～Ｗ４の接続構成とは第１実施形態と同様である。図３１は、図３０の半導体発光装置１０におけるヒートシンク２２、発光ユニット３０、および駆動ユニット４０をｙｚ平面で切断した断面構造を示している。理解を容易にするために、図３１ではワイヤＷ１～Ｗ４を省略している。

　図３０および図３１に示すように、半導体発光素子３２は、ヒートシンク２２のうち第２基板４１とは異なる位置に直接的に取り付けられている。より詳細には、半導体発光素子３２は、第１取付面２４Ａに直接的に取り付けられている。具体的には、半導体発光素子３２は、導電性接合材によってヒートシンク２２の第１取付面２４Ａに接合されている。つまり、半導体発光素子３２は、第１取付面２４Ａに実装されている。このため、半導体発光素子３２のカソード電極３７は、ヒートシンク２２に電気的に接続されている。ここで、本実施形態では、第２基板４１は「ヒートシンクに取り付けられた基板」に対応している。

　図３１に示すように、第１取付面２４Ａからの半導体発光素子３２の高さＨＬ１は、第１取付面２４Ａからのコンデンサ４４の高さＨＣ１よりも低い。第１取付面２４Ａからの半導体発光素子３２の高さＨＬ１は、第２基板４１の第２基板表面４１ｓからのスイッチング素子４３の高さＨＳよりも低い。

　本実施形態では、ヒートシンク２２は、第１実施形態よりも線膨張係数が半導体発光素子３２の線膨張係数に近い材料によって形成されている。この場合、ヒートシンク２２は、ベース２１とは異なる材料によって形成されていてもよい。ヒートシンク２２は、Ｃｕよりも線膨張係数が小さい材料によって形成されている。一例では、ヒートシンク２２は、Ｆｅを含む材料によって形成されていてもよい。ヒートシンク２２は、たとえばＦｅまたはＦｅとニッケル（Ｎｉ）との合金よって形成されていてもよい。なお、ヒートシンク２２を構成する材料は任意に変更可能である。

　［効果］
　本実施形態の半導体発光装置１０によれば、第１実施形態の（１－５）～（１－１０）の効果に加え、以下の効果が得られる。

　（４－１）半導体発光装置１０は、ベース２１と、ベース２１上に立設した導電性のヒートシンク２２と、ヒートシンク２２に取り付けられた第２基板４１と、ヒートシンク２２のうち第２基板４１とは異なる位置に直接的に取り付けられた半導体発光素子３２と、第２基板４１に少なくとも部分的に実装され、半導体発光素子３２を駆動させる駆動回路素子４２と、を備える。

　この構成によれば、半導体発光素子３２と、駆動回路素子４２が実装された第２基板４１とが互いに離隔するようにヒートシンク２２に取り付けられているため、半導体発光素子３２の熱がヒートシンク２２に伝わりやすく、第２基板４１に伝わりにくい。したがって、半導体発光素子３２の熱が駆動回路素子４２に影響を与えることを抑制できる。

　加えて、半導体発光素子３２がヒートシンク２２に第１基板３１（図２参照）を介すことなく、直接的にヒートシンク２２に取り付けられている。このため、半導体発光素子３２の熱がヒートシンク２２に伝わりやすくなる。

　（４－２）ヒートシンク２２は、第２基板４１が取り付けられた第２取付面２４Ｂと、第２取付面２４Ｂよりもヒートシンク２２の先端側に形成され、半導体発光素子３２が実装された第１取付面２４Ａと、を含む。第１取付面２４Ａは、第２取付面２４Ｂに対してヒートシンク２２の立設方向（ｚ方向）と直交する厚さ方向であるｙ方向に突出している。第１取付面２４Ａは、第２取付面２４Ｂよりも第２基板４１の第２基板表面４１ｓ寄りに位置している。

　この構成によれば、ヒートシンク２２の第２取付面２４Ｂに対する半導体発光素子３２のｙ方向の位置と、第２取付面２４Ｂに対するスイッチング素子４３のｙ方向の位置とが互いに近くなる。これにより、半導体発光素子３２とスイッチング素子４３とを接続するワイヤＷ１を短くすることができる。

　＜第５実施形態＞
　図３２および図３３を参照して、第５実施形態の半導体発光装置１０について説明する。本実施形態の半導体発光装置１０は、第２実施形態の半導体発光装置１０と比較して、第１基板３１が省略された点が主に異なる。以下の説明において、第１実施形態と共通する構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。

　図３２は、本実施形態の半導体発光装置１０の内部の斜視構造を示している。理解を容易にするために、図３２では、半導体発光装置１０からキャップ５０を省略している。キャップ５０と、ワイヤＷ１～Ｗ４の接続構成とは第２実施形態と同様である。図３３は、図３２の半導体発光装置１０におけるヒートシンク２２、発光ユニット３０、および駆動ユニット４０をｙｚ平面で切断した断面構造を示している。理解を容易にするために、図３３ではワイヤＷ１～Ｗ４を省略している。

　図３２および図３３に示すように、半導体発光素子３２は、ヒートシンク２２のうち第２基板４１とは異なる位置に直接的に取り付けられている。より詳細には、半導体発光素子３２は、導電性接合材によってヒートシンク２２の取付面２４に接合されている。つまり、半導体発光素子３２は、取付面２４に実装されている。このため、半導体発光素子３２のカソード電極３７は、ヒートシンク２２に電気的に接続されている。ここで、本実施形態では、第２基板４１は「ヒートシンクに取り付けられた基板」に対応している。

　半導体発光素子３２は、第２基板４１と離隔している状態で少なくとも一部が領域ＲＧ内に入り込むように配置されている。本実施形態では、半導体発光素子３２の一部は、領域ＲＧに入り込んでいる。

　図３３に示すように、取付面２４からの半導体発光素子３２の高さＨＬ２は、取付面２４からの第２基板４１の高さＨＢよりも低い。このため、半導体発光素子３２は、スイッチング素子４３およびコンデンサ４４よりも取付面２４の近くに配置されている。取付面２４からの半導体発光素子３２の高さＨＬ２は、第２基板４１の第２基板表面４１ｓからのコンデンサ４４の高さＨＣ２よりも低い。取付面２４からの半導体発光素子３２の高さＨＬ２は、第２基板４１の第２基板表面４１ｓからのスイッチング素子４３の高さＨＳよりも低い。

　本実施形態では、ヒートシンク２２は、第２実施形態よりも線膨張係数が半導体発光素子３２の線膨張係数に近い材料によって形成されている。この場合、ヒートシンク２２は、ベース２１とは異なる材料によって形成されていてもよい。ヒートシンク２２は、Ｃｕよりも線膨張係数が小さい材料によって形成されている。一例では、ヒートシンク２２は、Ｆｅを含む材料によって形成されていてもよい。ヒートシンク２２は、たとえばＦｅまたはＦｅとニッケル（Ｎｉ）との合金よって形成されていてもよい。なお、ヒートシンク２２を構成する材料は任意に変更可能である。本実施形態の半導体発光装置１０によれば、第４実施形態の（４－１）と同様の効果が得られる。

　＜第６実施形態＞
　図３４および図３５を参照して、第６実施形態の半導体発光装置１０について説明する。本実施形態の半導体発光装置１０は、第３実施形態の半導体発光装置１０と比較して、第１基板３１が省略された点が主に異なる。以下の説明において、第１実施形態と共通する構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。

　図３４は、本実施形態の半導体発光装置１０の内部の斜視構造を示している。理解を容易にするために、図３４では、半導体発光装置１０からキャップ５０を省略している。キャップ５０と、ワイヤＷ１～Ｗ５の接続構成とは第３実施形態と同様である。図３５は、図３４の半導体発光装置１０におけるヒートシンク２２、発光ユニット３０、および駆動ユニット４０をｙｚ平面で切断した断面構造を示している。理解を容易にするために、図３５ではワイヤＷ１～Ｗ５を省略している。

　図３４および図３５に示すように、半導体発光素子３２は、ヒートシンク２２のうち第２基板４１とは異なる位置に直接的に取り付けられている。より詳細には、半導体発光素子３２は、第１取付面２４Ａに直接的に取り付けられている。具体的には、半導体発光素子３２は、導電性接合材によってヒートシンク２２の第１取付面２４Ａに接合されている。つまり、半導体発光素子３２は、第１取付面２４Ａに実装されている。このため、半導体発光素子３２のカソード電極３７は、ヒートシンク２２に電気的に接続されている。ここで、本実施形態では、第２基板４１は「ヒートシンクに取り付けられた基板」に対応している。

　図３５に示すように、第１取付面２４Ａからの半導体発光素子３２の高さＨＬ１は、第２基板４１の第２基板表面４１ｓからのコンデンサ４４の高さＨＣ２よりも低い。第１取付面２４Ａからの半導体発光素子３２の高さＨＬ１は、第２基板４１の第２基板表面４１ｓからのスイッチング素子４３の高さＨＳよりも低い。

　本実施形態では、ヒートシンク２２は、第３実施形態よりも線膨張係数が半導体発光素子３２の線膨張係数に近い材料によって形成されている。この場合、ヒートシンク２２は、ベース２１とは異なる材料によって形成されていてもよい。ヒートシンク２２は、Ｃｕよりも線膨張係数が小さい材料によって形成されている。一例では、ヒートシンク２２は、Ｆｅを含む材料によって形成されていてもよい。ヒートシンク２２は、たとえばＦｅまたはＦｅとニッケル（Ｎｉ）との合金よって形成されていてもよい。なお、ヒートシンク２２を構成する材料は任意に変更可能である。本実施形態の半導体発光装置１０によれば、第４実施形態の（４－１）と同様の効果が得られる。

　＜変更例＞
　上記各実施形態は、以下のように変更して実施することができる。また、上記各実施形態および以下の各変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。

　［ヒートシンクの変更例］
　・第１、第３、第４、および第６実施形態において、ヒートシンク２２の突出部２６と第２基板４１とのｚ方向の間に隙間が形成されていたが、これに限られない。第２基板４１は、ｚ方向において突出部２６と接触するように配置されていてもよい。この構成によれば、ｙ方向から視て、半導体発光素子３２とスイッチング素子４３との間の距離を小さくすることができる。これにより、半導体発光素子３２のアノード電極３６とスイッチング素子４３のソース電極４３Ｓとを接続するワイヤＷ１の長さを短くすることができる。

　・第１、第３、第４、および第６実施形態において、ヒートシンク２２の第１取付面２４Ａの第２取付面２４Ｂに対するｙ方向の位置は任意に変更可能である。第１取付面２４Ａの第２取付面２４Ｂに対するｙ方向の位置は、第２基板４１の第２基板表面４１ｓの第２取付面２４Ｂに対するｙ方向の位置と異なっていてもよい。つまり、第１取付面２４Ａは、ｙ方向において第２基板表面４１ｓよりも第２取付面２４Ｂ寄りに配置されていてもよい。また、第１取付面２４Ａは、ｙ方向において第２基板表面４１ｓよりも第２取付面２４Ｂから離れて配置されていてもよい。

　・第１、第３、第４、および第６実施形態において、第１取付面２４Ａは、発光ユニット３０が実装される第１領域と、コンデンサ４４が実装される第２領域とが面一となる平坦面として構成されていたが、これに限られない。第１領域の第２取付面２４Ｂに対するｙ方向の位置と、第２領域の第２取付面２４Ｂに対するｙ方向の位置とが互いに異なっていてもよい。第１領域は、ｙ方向において第２領域よりも第２取付面２４Ｂ寄りに配置されていてもよい。この場合、第２領域の第２取付面２４Ｂに対するｙ方向の位置は、第２基板４１の第２基板表面４１ｓの第２取付面２４Ｂに対するｙ方向の位置と同じであってもよい。

　・第３および第６実施形態において、ヒートシンク２２から突出部２６を省略してもよい。つまり、第２および第５実施形態のヒートシンク２２が用いられていてもよい。
　・第２および第５実施形態において、ヒートシンク２２の取付面２４の構成は任意に変更可能である。一例では、取付面２４は、発光ユニット３０が実装される第１領域と、駆動ユニット４０が実装される第２領域と、を含む。第１領域は、第２領域に対してｙ方向に突出していてもよい。つまり、第１領域は、第２領域に対して第２基板４１の第２基板表面４１ｓ寄りに位置していてもよい。

　［第１基板および第２基板の変更例］
　・第１実施形態において、第１基板３１のｘ方向の長さは任意に変更可能である。一例では、図３６に示すように、ｚ方向から視て、第１基板３１は、各コンデンサ４４と重なる位置まで延びていてもよい。この場合、たとえばヒートシンク２２から突出部２６（図７参照）を省略してもよい。ヒートシンク２２は、第２実施形態のような取付面２４を含む。第１基板３１および第２基板４１の双方は、取付面２４に取り付けられている。この場合、たとえば第１基板３１の第１基板表面３１ｓの取付面２４に対するｙ方向の位置と、第２基板４１の第２基板表面４１ｓの取付面２４に対するｙ方向の位置とが互いに同じであってもよい。各コンデンサ４４の第１電極４４Ａは、第１基板３１の第１基板表面３１ｓに実装されている。各コンデンサ４４の第２電極４４Ｂは、第２基板４１の第２基板表面４１ｓに実装されている。

　・第３実施形態において、接続配線７２の構成は任意に変更可能である。一例では、接続配線７２は、スイッチング素子４３に対してｘ方向の一方側に配置された２つのコンデンサ４４の第１電極４４Ａと電気的に接続される第１配線と、スイッチング素子４３に対してｘ方向の他方側に配置された２つのコンデンサ４４の第１電極４４Ａと電気的に接続される第２配線と、を含んでもよい。第１配線と第２配線とは、ｘ方向において互いに離隔して配置されている。ワイヤＷ５は、第１配線と第２配線との各々に接続されるように複数本設けられている。

　・第３実施形態において、表面側レジスト層７５の構成は任意に変更可能である。一例では、ｙ方向から視て、接続配線７２のうち半導体発光素子３２とスイッチング素子４３とを接続するワイヤＷ１と重なる領域を覆うように構成されていてもよい。つまり、第２ワイヤ用開口部７５ｅは、ワイヤＷ５が接続可能な領域が開口されていればよい。

　・第１～第３実施形態において、ｚ方向から視て、第１基板３１は、複数のコンデンサ４４の少なくとも１つと重なる位置まで延びていてもよい。
　・第１～第３実施形態において、第１基板３１を構成する材料および第２基板４１を構成する材料の各々は任意に変更可能である。一例では、第２基板４１がアルミナ等の熱伝達率の高い材料によって構成されていてもよい。この場合、第１基板３１の熱伝達率は、第２基板４１の熱伝達率と等しくてもよい。

　また、第１基板３１は、第２基板４１と同様にガラスエポキシ基板が用いられていてもよい。この場合、第１基板３１は、スルーホール３４および放熱材３５を有してもよい。スルーホール３４および放熱材３５によって半導体発光素子３２の熱は第２基板４１よりもヒートシンク２２に伝わりやすくなる。したがって、半導体発光素子３２の熱が駆動回路素子４２に与える影響を低減できる。

　・第１～第３実施形態において、第２基板４１からスルーホール４７および放熱材４８を省略してもよい。この場合、第２基板４１から裏面側レジスト層４６ｒ（第１裏面側レジスト層６９Ａ，７６および第２裏面側レジスト層６９Ｂ，７７）を省略してもよい。

　・第２および第５実施形態において、第２基板４１から凹部４９を省略してもよい。つまり、第２基板４１は、ｙ方向から視て、ｘ方向が長手方向となり、ｚ方向が短手方向となる矩形状であってもよい。この場合、発光ユニット３０は、第２基板４１よりもヒートシンク２２の先端面２２ａ寄りに配置されている。

　［駆動回路素子の変更例］
　・各実施形態において、駆動回路素子４２の構成は任意に変更可能である。一例では、コンデンサ４４は２個であってもよいし、５個以上であってもよい。また、コンデンサ４４およびスイッチング素子４３のいずれかを省略してもよい。一例では、駆動回路素子４２は、スイッチング素子４３を含む。コンデンサ４４は、半導体発光装置１０の外部に設けられている。

　・各実施形態において、コンデンサ４４は、スイッチング素子４３に対してｘ方向の一方側に配置されていてもよい。
　・各実施形態において、スイッチング素子４３は、横型構造のＭＯＳＦＥＴが用いられていてもよい。この場合、スイッチング素子４３のスイッチング素子表面４３ｓには、ソース電極４３Ｓ、ドレイン電極４３Ｄ、およびゲート電極４３Ｇが形成されている。

　・各実施形態において、駆動回路素子４２は、レーザシステムＬＳのダイオードＤおよび抵抗素子Ｒの少なくとも一方を含んでいてもよい。この場合、駆動回路素子４２がダイオードＤを含む場合、ダイオードＤはたとえば第２基板４１の第２基板表面４１ｓに実装されていてもよい。駆動回路素子４２が抵抗素子Ｒを含む場合、抵抗素子Ｒはたとえば第２基板４１の第２基板表面４１ｓに実装されていてもよい。駆動回路素子４２がダイオードＤおよび抵抗素子Ｒの双方を含む場合、ダイオードＤおよび抵抗素子Ｒの各々は、たとえば第２基板４１の第２基板表面４１ｓに実装されていてもよい。

　［キャップの変更例］
　・各実施形態において、筒部５１のうちベース２１と接触する側の端部は、フランジ部を有してもよい。フランジ部は、たとえば筒部５１の全周にわたり形成されている。

　・各実施形態において、透光板５４を省略してもよい。
　・各実施形態において、キャップ５０は、筒部５１と天板部５２とが個別に形成されていてもよい。この場合、筒部５１および天板部５２は、接着または溶接によって互いに接合されている。

　［半導体発光ユニットの変更例］
　・放熱体１１０のキャップカバー部１４０の貫通孔１４３を構成する内面と半導体発光装置１０のキャップ５０とは、キャップ５０の周方向において部分的に接触していてもよい。

　・キャップカバー部１４０の貫通孔１４３は、キャップ５０の周方向においてキャップ５０を覆わないような開口を有していてもよい。
　・キャップカバー部１４０の貫通孔１４３の径は、キャップ５０の外径よりも大きくてもよい。つまり、キャップ５０が貫通孔１４３に挿入されていてもよい。この場合、たとえば図３７に示すように、キャップ５０の筒部５１と貫通孔１４３を構成する内面との間には、放熱部材１６０が介在している。放熱部材１６０は、たとえば既知の熱伝導性コンパウンドまたは熱伝導シート（放熱シート）が用いられていてもよい。

　図３８は、開口カバー部材１５０（図３７参照）を省略した状態でキャップカバー部１４０の第１カバー面１４１から視た図である。図３７に示すように、放熱部材１６０は、キャップ５０の筒部５１の全周にわたりキャップ５０の筒部５１と貫通孔１４３を構成する内面との間に介在していてもよい。

　この構成によれば、半導体発光装置１０の熱がキャップ５０から放熱部材１６０を介してキャップカバー部１４０に伝達しやすくなる。これにより、半導体発光装置１０の温度が過度に高くなることを抑制できる。

　加えて、放熱部材１６０は、キャップ５０の筒部５１の全周にわたりキャップ５０の筒部５１と貫通孔１４３を構成する内面との間に介在することによって、半導体発光装置１０の熱がキャップ５０から放熱部材１６０を介してキャップカバー部１４０にさらに伝達しやすくなる。

　なお、放熱部材１６０は、キャップ５０の筒部５１の周方向において部分的に設けられていてもよい。また、放熱部材１６０は、キャップ５０の筒部５１の高さ方向（ｚ方向）において部分的に設けられていてもよい。

　・半導体発光装置１０のベース２１とキャップカバー部１４０とは互いに離隔していてもよい。
　・半導体発光ユニット１００から開口カバー部材１５０を省略してもよい。

　・回路基板１２０は、放熱基部１３０と接するように配置されていてもよい。この場合、放熱基部１３０は、たとえば、半導体発光装置１０の複数のリードピン２３Ａ～２３Ｄの端子部２９Ａ～２９Ｄを収容する収容凹部を有していてもよい。収容凹部によって端子部２９Ａ～２９Ｄは、放熱基部１３０から離隔することができる。

　・第１実施形態において、半導体発光ユニット１００は、図１６に示される半導体発光装置１０Ｘを備えていてもよい。キャップ５０およびベース２１の構成は第１実施形態の半導体発光ユニット１００と同じであるため、この構成においても第１実施形態の（１－１４）～（１－１９）の効果を得ることができる。このように、半導体発光ユニット１００では、半導体発光素子３２が第２基板４１とは別の基板（第１基板３１）に実装される構成でなくてもよい。

　・半導体発光ユニット１００は、第２～第６実施形態の半導体発光装置１０のいずれか１つを備えていてもよい。
　・半導体発光ユニット１００に用いられる半導体発光装置は、駆動ユニット４０を含んでいない半導体発光装置であってもよい。この場合、半導体発光装置は、ヒートシンク２２に半導体発光素子３２が実装された構成であってもよい。つまり、半導体発光装置は、第１基板３１を含んでいなくてもよい。

　本明細書において、「ＡおよびＢのうちの少なくとも１つ」とは、「Ａのみ、または、Ｂのみ、または、ＡおよびＢの両方」を意味するものとして理解されるべきである。
　本開示で使用される「～上に」という用語は、文脈によって明らかにそうでないことが示されない限り、「～上に」と「～の上方に」の意味を含む。したがって、「ＡがＢ上に形成される」という表現は、上記各実施形態ではＡがＢに接触してＢ上に直接配置され得るが、変更例として、ＡがＢに接触することなくＢの上方に配置され得ることが意図される。すなわち、「～上に」という用語は、ＡとＢとの間に他の部材が形成される構造を排除しない。

　本開示で使用されるｚ方向は必ずしも鉛直方向である必要はなく、鉛直方向に完全に一致している必要もない。したがって、本開示による種々の構造は、本明細書で説明されるｚ方向の「上」および「下」が鉛直方向の「上」および「下」であることに限定されない。例えば、ｘ方向が鉛直方向であってもよく、またはｙ方向が鉛直方向であってもよい。

　＜付記＞
　上記各実施形態および各変更例から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、限定する意図ではなく理解の補助のために、付記に記載した構成について実施形態中の対応する符号を括弧書きで示す。符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各符号に記載された構成要素は、符号で示される構成要素に限定されるべきではない。

　［付記Ａ１］
　ベース（２１）と、
　前記ベース（２１）上に立設した導電性のヒートシンク（２２）と、
　前記ヒートシンク（２２）において互いに離隔するように取り付けられた第１基板（３１）および第２基板（４１）と、
　前記第１基板（３１）に実装された半導体発光素子（３２）と、
　前記第２基板（４１）に実装され、前記半導体発光素子（３２）を駆動させるように構成された駆動回路素子（４２）と、を備える、半導体発光装置（１０）。

　［付記Ａ２］
　前記第１基板（３１）は、第１基材（３１Ａ）を含み、
　前記第２基板（４１）は、第２基材（４１Ａ）を含み、
　前記第１基材（３１Ａ）の熱伝達率は、前記第２基材（４１Ａ）の熱伝達率よりも高い
　付記Ａ１に記載の半導体発光装置。

　［付記Ａ３］
　前記第１基板（３１）は、第１基材（３１Ａ）を含み、
　前記第１基材（３１Ａ）の線膨張係数と前記半導体発光素子（３２）の線膨張係数との差は、前記ヒートシンク（２２）の線膨張係数と前記半導体発光素子（３２）の線膨張係数との差よりも小さい
　付記Ａ１またはＡ２に記載の半導体発光装置。

　［付記Ａ４］
　前記第１基板（３１）は、第１基材（３１Ａ）を含み、
　前記第１基材（３１Ａ）は、窒化アルミニウム、アルミナ、銅－タングステン合金（ＣｕＷ）、銅－窒化アルミニウム－銅（Ｃｕ－ＡｌＮ－Ｃｕ）、銅－ダイアモンド合金、銀－ダイアモンド合金のいずれかによって形成されている
　付記Ａ１～Ａ３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。

　［付記Ａ５］
　前記駆動回路素子（４２）は、スイッチング素子（４３）およびコンデンサ（４４）を含む
　付記Ａ１～Ａ４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。

　［付記Ａ６］
　前記ヒートシンク（２２）は、
　前記第２基板（４１）が取り付けられた第２取付面（２４Ｂ）と、
　前記第２取付面（２４Ｂ）よりも前記ヒートシンク（２２）の先端側に形成され、前記第１基板（３１）が取り付けられた第１取付面（２４Ａ）と、を含み、
　前記第１取付面（２４Ａ）は、前記第２取付面（２４Ｂ）に対して前記ヒートシンクの立設方向（ｚ方向）と直交する厚さ方向（ｙ方向）に突出している
　付記Ａ１～Ａ５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。

　［付記Ａ７］
　前記駆動回路素子（４２）は、第１電極（４４Ａ）および第２電極（４４Ｂ）を有するコンデンサ（４４）を含み、
　前記コンデンサ（４４）の前記第１電極（４４Ａ）は、前記第１取付面（２４Ａ）に実装され、
　前記コンデンサ（４４）の前記第２電極（４４Ｂ）は、前記第２基板（４１）に実装されている
　付記Ａ６に記載の半導体発光装置。

　［付記Ａ８］
　前記半導体発光素子（３２）は、アノード電極（３６）およびカソード電極（３７）を含み、
　前記第１基板（３１）は、前記カソード電極（３６）と前記ヒートシンク（２２）とを電気的に接続するスルーホール（３４）を含む
　付記Ａ１～Ａ７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。

　［付記Ａ９］
　前記第２基板（４１）は、前記駆動回路素子（４２）が実装された基板表面（４１ｓ）を含み、
　前記ヒートシンクの厚さ方向（ｙ方向）において、前記第１取付面（２４Ａ）と前記基板表面（４１ｓ）とが同じ位置となる
　付記Ａ６またはＡ７に記載の半導体発光装置。

　［付記Ａ１０］
　前記ヒートシンク（２２）は、前記第１基板（３１）および前記第２基板（４１）の双方が取り付けられた取付面（２４）を含む
　付記Ａ１～Ａ５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。

　［付記Ａ１１］
　前記第２基板（４１）の端部には、当該端部から凹む凹部（４９）が形成されており、
　前記第１基板（３１）は、前記第２基板（４１）と離隔している状態で少なくとも一部が当該凹部（４９）によって形成された領域（ＲＧ）内に入り込むように配置されている
　付記Ａ１０に記載の半導体発光装置。

　［付記Ａ１２］
　前記駆動回路素子（４２）は、第１電極（４４Ａ）および第２電極（４４Ｂ）を有するコンデンサ（４４）を含み、
　前記コンデンサ（４４）の前記第１電極（４４Ａ）および前記第２電極（４４Ｂ）の双方は、前記第２基板（４１）に実装されており、
　前記第２基板（４１）は、前記コンデンサ（４４）の前記第１電極（４４Ａ）と前記ヒートシンク（２２）とを電気的に接続するスルーホール（６４）を含む
　付記Ａ１０またはＡ１１に記載の半導体発光装置。

　［付記Ａ１３］
　前記第２基板（４１）は、前記ヒートシンク（２２）と電気的に接続されるパッド（６８）を含み、
　前記コンデンサ（４４）の前記第１電極（４４Ａ）は、前記スルーホール（６４）、前記パッド（６８）、および前記第１基板（３１）を介して前記半導体発光素子（３２）に電気的に接続されている
　付記Ａ１２に記載の半導体発光装置。

　［付記Ａ１４］
　前記駆動回路素子（４２）は、
　スイッチング素子（４３）と、
　第１電極（４４Ａ）および第２電極（４４Ｂ）を有するコンデンサ（４４）と、を含み、
　前記ヒートシンク（２２）の立設方向（ｚ方向）において、前記半導体発光素子（３２）と前記スイッチング素子（４３）とが互いに離隔して配列されており、
　前記第２基板（４１）のうち前記立設方向（ｚ方向）における前記半導体発光素子（３２）と前記スイッチング素子（４３）との間の部分には、前記ヒートシンク（２２）と電気的に接続するための接続配線（７２）が設けられ、
　前記コンデンサ（４４）の前記第１電極（４４Ａ）は、前記接続配線（７２）に実装されている
　付記Ａ１～Ａ１３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。

　［付記Ａ１５］
　前記接続配線（７２）および前記ヒートシンク（２２）は、ワイヤ（Ｗ５）によって接続されている
　付記Ａ１４に記載の半導体発光装置。

　［付記Ａ１６］
　前記半導体発光素子（３２）は、複数の発光部（３２Ａ）を有する
　付記Ａ１～Ａ１５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。

　［付記Ａ１７］
　前記ベース（２１）に取り付けられ、前記ヒートシンク（２２）、前記第１基板（３１）、前記第２基板（４１）、前記半導体発光素子（３２）、および前記駆動回路素子（４２）を覆うキャップ（５０）をさらに備え、
　前記キャップ（５０）は、前記半導体発光素子（３２）からの光を出射可能な開口（５３）を有する
　付記Ａ１～Ａ１６のいずれか１つに記載の半導体発光装置。

　［付記Ａ１８］
　ベース（２１）と、
　前記ベース（２１）上に立設した導電性のヒートシンク（２２）と、
　前記ヒートシンク（２２）に取り付けられた基板（４１）と、
　前記ヒートシンク（２２）のうち前記基板とは異なる位置に直接的に取り付けられた半導体発光素子（３２）と、
　前記基板（４１）に少なくとも部分的に実装され、前記半導体発光素子（３２）を駆動させるように構成された駆動回路素子（４２）と、を備える
　半導体発光装置（１０）。

　［付記Ａ１９］
　前記半導体発光素子（３２）は、導電性接合材によって前記ヒートシンク（２２）に接合されている
　付記Ａ１８に記載の半導体発光装置。

　［付記Ａ２０］
　前記駆動回路素子（４２）は、スイッチング素子（４３）およびコンデンサ（４４）を含む
　付記Ａ１８またはＡ１９に記載の半導体発光装置。

　［付記Ａ２１］
　前記ヒートシンク（２２）は、
　前記基板（４１）が取り付けられた第２取付面（２４Ｂ）と、
　前記第２取付面（２４Ｂ）よりも前記ヒートシンク（２２）の先端側に形成され、前記半導体発光素子が直接的に取り付けられた第１取付面（２４Ａ）と、を含み、
　前記第１取付面（２４Ａ）は、前記第２取付面（２４Ｂ）に対して前記ヒートシンクの立設方向（ｚ方向）と直交する厚さ方向（ｙ方向）に突出している
　付記Ａ１８～Ａ２０のいずれか１つに記載の半導体発光装置。

　［付記Ａ２２］
　前記駆動回路素子（４２）は、第１電極（４４Ａ）および第２電極（４４Ｂ）を有するコンデンサ（４４）を含み、
　前記コンデンサ（４４）の前記第１電極（４４Ａ）は、前記第１取付面（２４Ａ）に実装され、
　前記コンデンサ（４４）の前記第２電極（４４Ｂ）は、前記基板（４１）に実装されている
　付記Ａ２１に記載の半導体発光装置。

　［付記Ａ２３］
　前記基板（４１）は、前記駆動回路素子（４２）が実装された基板表面（４１ｓ）を含み、
　前記ヒートシンクの厚さ方向（ｙ方向）において、前記第１取付面（２４Ａ）と前記基板表面（４１ｓ）とが同じ位置となる
　付記Ａ２１またはＡ２２に記載の半導体発光装置。

　［付記Ａ２４］
　前記ヒートシンク（２２）は、前記半導体発光素子（３２）および前記基板（４１）の双方が取り付けられた取付面（２４）を含む
　付記Ａ１８～Ａ２０のいずれか１つに記載の半導体発光装置。

　［付記Ａ２５］
　前記基板（４１）の端部には、当該端部から凹む凹部（４９）が形成されており、
　前記半導体発光素子（３２）は、前記基板（４１）と離隔している状態で少なくとも一部が当該凹部（４９）によって形成された領域（ＲＧ）内に入り込むように配置されている
　付記Ａ２４に記載の半導体発光装置。

　［付記Ａ２６］
　前記駆動回路素子（４２）は、第１電極（４４Ａ）および第２電極（４４Ｂ）を有するコンデンサ（４４）を含み、
　前記コンデンサ（４４）の前記第１電極（４４Ａ）および前記第２電極（４４Ｂ）の双方は、前記基板（４１）に実装されており、
　前記基板（４１）は、前記コンデンサ（４４）の前記第１電極（４４Ａ）と前記ヒートシンク（２２）とを電気的に接続するスルーホール（６４）を含む
　付記Ａ２４またはＡ２５に記載の半導体発光装置。

　［付記Ａ２７］
　前記基板（４１）は、前記ヒートシンク（２２）と電気的に接続されるパッド（６８）を含み、
　前記コンデンサ（４４）の前記第１電極（４４Ａ）は、前記スルーホール（６４）、前記パッド（６８）、および前記ヒートシンク（２２）を介して前記半導体発光素子（３２）に電気的に接続されている
　付記Ａ２６に記載の半導体発光装置。

　［付記Ａ２８］
　前記駆動回路素子（４２）は、
　スイッチング素子（４３）と、
　第１電極（４４Ａ）および第２電極（４４Ｂ）を有するコンデンサ（４４）と、を含み、
　前記ヒートシンク（２２）の立設方向（ｚ方向）において、前記半導体発光素子（３２）と前記スイッチング素子（４３）とが互いに離隔して配列されており、
　前記基板（４１）のうち前記立設方向（ｚ方向）における前記半導体発光素子（３２）と前記スイッチング素子（４３）との間の部分には、前記ヒートシンク（２２）と電気的に接続するための接続配線（７２）が設けられ、
　前記コンデンサ（４４）の前記第１電極（４４Ａ）は、前記接続配線（７２）に実装されている
　付記Ａ１８～Ａ２３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。

　［付記Ａ２９］
　前記接続配線（７２）および前記ヒートシンク（２２）は、ワイヤ（Ｗ５）によって接続されている
　付記Ａ２８に記載の半導体発光装置。

　［付記Ａ３０］
　前記半導体発光素子（３２）は、複数の発光部（３２Ａ）を有する
　付記Ａ１８～Ａ２９のいずれか１つに記載の半導体発光装置。

　［付記Ａ３１］
　前記ベース（２１）に取り付けられ、前記ヒートシンク（２２）、前記基板（４１）、前記半導体発光素子（３２）、および前記駆動回路素子（４２）を覆うキャップ（５０）をさらに備え、
　前記キャップ（５０）は、前記半導体発光素子（３２）からの光を出射可能な開口（５３）を有する
　付記Ａ１８～Ａ３０のいずれか１つに記載の半導体発光装置。

　［付記Ａ３２］
　前記第１基板（３１）は、前記スルーホール（３４）内に設けられた放熱材（３５）を含む
　付記Ａ８に記載の半導体発光装置。

　［付記Ａ３３］
　付記Ａ１～Ａ３２のいずれか１つの半導体発光装置（１０）と、
　前記半導体発光装置（１０）が取り付けられた放熱体（１１０）と、を備える、半導体発光ユニット（１００）。

　［付記Ａ３４］
　前記半導体発光装置（１０）は、一方向に開口した開口部（５３）と、前記一方向と交差する方向を向く側面とを有し、前記半導体発光素子（３２）および前記駆動回路素子（４２）を覆うキャップ（５０）を備える
　付記Ａ３３に記載の半導体発光ユニット。

　［付記Ａ３５］
　前記放熱体（１１０）は、
　板状の放熱基部（１３０）と、
　前記放熱基部（１３０）から立設し、前記開口部（５３）が前記放熱基部（１３０）の厚さ方向（ｙ方向）と交差する方向（ｚ方向）を向いた状態で前記キャップ（５０）の側面と熱伝達可能に接続されたキャップカバー部（１４０）と、
　を含む
　付記Ａ３４に記載の半導体発光ユニット。

　［付記Ａ３６］
　前記放熱基部（１３０）は、前記キャップカバー部（１４０）が立設された基部表面（１３１）を含み、
　前記半導体発光ユニットは、前記放熱基部（１３０）の前記基部表面（１３１）に対して平行に配置された回路基板（１２０）を備え、
　前記半導体発光装置（１０）は、板状の前記ベース（２１）の厚さ方向（ｚ方向）において前記ベース（２１）から前記キャップ（５０）とは反対側に向けて突出した複数本のリードピン（２３Ａ～２３Ｄ）を有し、
　前記半導体発光装置（１０）は、前記ベース（２１）の厚さ方向（ｚ方向）が前記放熱基部（１３０）の厚さ方向（ｙ方向）と交差するように前記キャップカバー部（１４０）に取り付けられ、かつ前記複数本のリードピン（２３Ａ～２３Ｄ）の各々が屈曲された状態で前記回路基板（１２０）に実装されている
　付記Ａ３５に記載の半導体発光ユニット。

　［付記Ａ３７］
　前記キャップカバー部（１４０）が前記キャップ（５０）の側面と熱伝達可能に接続する構成として、前記キャップカバー部（１４０）は、前記キャップ（５０）が圧入される貫通孔（１４３）を含む
　付記Ａ３５またはＡ３６に記載の半導体発光ユニット。

　［付記Ａ３８］
　前記キャップカバー部（１４０）は、前記キャップ（５０）が挿入される貫通孔（１４３）を含み、
　前記キャップカバー部（１４０）が前記キャップ（５０）の側面と熱伝達可能に接続する構成として、前記貫通孔（１４３）を構成する内面と前記キャップの側面との間には、放熱部材（１６０）が介在している
　付記Ａ３５またはＡ３６に記載の半導体発光ユニット。

　［付記Ａ３９］
　前記貫通孔（１４３）を構成する内面は、前記キャップ（５０）の側面と全周にわたり熱伝達可能に接続されている
　付記Ａ３７またはＡ３８に記載の半導体発光ユニット。

　［付記Ａ４０］
　前記キャップカバー部（１４０）に取り付けられ、前記貫通孔（１４３）を覆うように設けられた開口カバー部材（１５０）を備える
　付記Ａ３７～Ａ３９のいずれか１つに記載の半導体発光ユニット。

　［付記Ａ４１］
　前記キャップ（５０）は、
　前記開口部（５３）を有する天板部（５２）と、前記天板部（５２）が一端に設けられた筒部（５１）と、を有し、
　前記側面は、前記筒部（５１）の外周面である
　付記Ａ３５～Ａ４０のいずれか１つに記載の半導体発光ユニット。

　［付記Ａ４２］
　前記キャップカバー部（１４０）は、前記ベース（２１）と接している
　付記Ａ３５～Ａ４１のいずれか１つに記載の半導体発光ユニット。

　［付記Ａ４３］
　前記キャップカバー部（１４０）は、前記キャップ（５０）の高さ寸法（ＨＣＰ）よりも厚い厚さ（ＴＣＣ）を有する
　付記Ａ３５～Ａ４２のいずれか１つに記載の半導体発光ユニット。

　［付記Ａ４４］
　前記放熱基部（１３０）は、前記基部表面（１３１）とは反対側を向く基部裏面（１３２）を含み、
　前記回路基板（１２０）は、前記放熱基部（１３０）の前記基部表面（１３１）に対して、前記放熱基部（１３０）の厚さ方向（ｙ方向）において前記基部裏面（１３２）とは反対側に離隔して配置されている
　付記Ａ３６に記載の半導体発光ユニット。

　［付記Ａ４５］
　前記回路基板（１２０）は、前記キャップカバー部（１４０）と隣り合う位置に配置され、
　前記複数本のリードピン（２３Ａ～２３Ｄ）は、前記回路基板（１２０）のうち前記キャップカバー部（１４０）と隣り合う端部に実装されている
　付記Ａ３６またはＡ４４に記載の半導体発光ユニット。

　［付記Ｂ１］
　半導体発光装置（１０）と、
　前記半導体発光装置（１０）が取り付けられた放熱体（１１０）と、を備え、
　前記半導体発光装置（１０）は、
　半導体発光素子（３２）と、
　一方向に開口した開口部（５３）と、前記一方向と交差する方向を向く側面とを有し、前記半導体発光素子（３２）を覆うキャップ（５０）と、を備え、
　前記放熱体（１１０）は、
　板状の放熱基部（１３０）と、
　前記放熱基部（１３０）から立設し、前記開口部（５３）が前記放熱基部（１３０）の厚さ方向（ｙ方向）と交差する方向（ｚ方向）を向いた状態で前記キャップ（５０）の側面と熱伝達可能に接続されたキャップカバー部（１４０）と、
　を含む
　半導体発光ユニット（１００）。

　［付記Ｂ２］
　前記放熱基部（１３０）は、前記キャップカバー部（１４０）が立設された基部表面（１３１）を含み、
　前記半導体発光ユニット（１００）は、前記放熱基部（１３０）の前記基部表面（１３１）に対して平行に配置された回路基板（１２０）を備え、
　前記半導体発光装置（１０）は、
　前記キャップ（５０）が取り付けられた板状のベース（２１）と、
　前記ベース（２１）の厚さ方向（ｚ方向）において前記ベース（２１）から前記キャップ（５０）とは反対側に向けて突出した複数本のリードピン（２３Ａ～２３Ｄ）と、を有し、
　前記半導体発光装置（１０）は、前記ベース（２１）の厚さ方向（ｚ方向）が前記放熱基部（１３０）の厚さ方向（ｙ方向）と交差するように前記キャップカバー部（１４０）に取り付けられ、かつ前記複数本のリードピン（２３Ａ～２３Ｄ）の各々が屈曲された状態で前記回路基板（１２０）に実装されている
　付記Ｂ１に記載の半導体発光ユニット。

　［付記Ｂ３］
　前記キャップカバー部（１４０）が前記キャップ（５０）の側面と熱伝達可能に接続する構成として、前記キャップカバー部（１４０）は、前記キャップ（５０）が圧入される貫通孔（１４３）を含む
　付記Ｂ１またはＢ２に記載の半導体発光ユニット。

　［付記Ｂ４］
　前記キャップカバー部（１４０）は、前記キャップ（５０）が挿入される貫通孔（１４３）を含み、
　前記キャップカバー部（１４０）が前記キャップ（５０）の側面と熱伝達可能に接続する構成として、前記貫通孔（１４３）を構成する内面と前記キャップの側面との間には、放熱部材（１６０）が介在している
　付記Ｂ１またはＢ２に記載の半導体発光ユニット。

　［付記Ｂ５］
　前記貫通孔（１４３）を構成する内面は、前記キャップ（５０）の側面と全周にわたり熱伝達可能に接続されている
　付記Ｂ３またはＢ４に記載の半導体発光ユニット。

　［付記Ｂ６］
　前記キャップ（５０）は、
　前記開口部（５３）を有する天板部（５２）と、前記天板部（５２）が一端に設けられた筒部（５１）と、を有し、
　前記側面は、前記筒部（５１）の外周面である
　付記Ｂ３～Ｂ５のいずれか１つに記載の半導体発光ユニット。

　［付記Ｂ７］
　前記キャップカバー部（１４０）は、前記ベース（２１）と接している
　付記Ｂ２に記載の半導体発光ユニット。

　［付記Ｂ８］
　前記キャップカバー部（１４０）は、前記キャップ（５０）の高さ寸法（ＨＣＰ）よりも厚い厚さ（ＴＣＣ）を有する
　付記Ｂ１～Ｂ７のいずれか１つに記載の半導体発光ユニット。

　［付記Ｂ９］
　前記キャップカバー部（１４０）に取り付けられ、前記貫通孔（１４３）を覆うように設けられた開口カバー部材（１５０）を備える
　付記Ｂ３～Ｂ６のいずれか１つに記載の半導体発光ユニット。

　［付記Ｂ１０］
　前記放熱基部（１３０）は、前記基部表面（１３１）とは反対側を向く基部裏面（１３２）を含み、
　前記回路基板（１２０）は、前記放熱基部（１３０）の前記基部表面（１３１）に対して、前記放熱基部（１３０）の厚さ方向（ｙ方向）において前記基部裏面（１３２）とは反対側に離隔して配置されている
　付記Ｂ２に記載の半導体発光ユニット。

　［付記Ｂ１１］
　前記回路基板（１２０）は、前記キャップカバー部（１４０）と隣り合う位置に配置され、
　前記複数本のリードピン（２３Ａ～２３Ｄ）は、前記回路基板（１２０）のうち前記キャップカバー部（１４０）と隣り合う端部に実装されている
　付記Ｂ２またはＢ１０に記載の半導体発光ユニット。

　［付記Ｂ１２］
　前記半導体発光装置（１０）は、前記半導体発光素子（３２）を駆動させるように構成された駆動回路素子（４２）を備え、
　前記キャップ（５０）は、前記駆動回路素子（４２）を覆っている
　付記Ｂ１～Ｂ１１のいずれか１つに記載の半導体発光ユニット。

　［付記Ｂ１３］
　前記駆動回路素子（４２）は、スイッチング素子（４３）およびコンデンサ（４４）を含む
　付記Ｂ１２に記載の半導体発光ユニット。

　以上の説明は単に例示である。本開示の技術を説明する目的のために列挙された構成要素および方法（製造プロセス）以外に、より多くの考えられる組み合わせおよび置換が可能であることを当業者は認識し得る。本開示は、特許請求の範囲を含む本開示の範囲内に含まれるすべての代替、変形、および変更を包含することが意図される。

　１０…半導体発光装置
　１０Ｘ…比較例の半導体発光装置
　２０…ステム
　２１…ベース
　２１ｓ…ベース表面
　２１ｒ…ベース裏面
　２１Ａ～２１Ｃ…貫通孔
　２２…ヒートシンク
　２２ａ…先端面
　２３Ａ～２３Ｄ…リードピン
　２４…取付面
　２４Ａ…第１取付面
　２４Ｂ…第２取付面
　２５…段差部
　２６…突出部
　２７…絶縁材
　２８Ａ～２８Ｃ…接続部
　２９Ａ～２９Ｄ…端子部
　２９ＤＡ…接続部
　３０…発光ユニット
　３１…第１基板
　３１Ａ…第１基材
　３１ｓ…第１基板表面
　３１ｒ…第１基板裏面
　３２…半導体発光素子
　３２Ａ…発光部
　３２ａ…発光面
　３２ｓ…素子表面
　３２ｒ…素子裏面
　３３ｓ…表面側配線
　３３ｒ…裏面側配線
　３４…スルーホール
　３５…放熱材
　３６…アノード電極
　３７…カソード電極
　４０…駆動ユニット
　４１…第２基板
　４１Ａ…第２基材
　４１ｓ…第２基板表面
　４１ｒ…第２基板裏面
　４１ａ，４１ｂ…第２基板側面
　４２…駆動回路素子
　４３…スイッチング素子
　４３ｓ…スイッチング素子表面
　４３ｒ…スイッチング素子裏面
　４３Ｓ…ソース電極
　４３Ｄ…ドレイン電極
　４３Ｇ…ゲート電極
　４４…コンデンサ
　４４Ａ…第１電極
　４４Ｂ…第２電極
　４５ｓ…表面側配線
　４６ｓ…表面側レジスト層
　４６ｒ…裏面側レジスト層
　４６ａ…スイッチング素子用開口部
　４６ｂ…コンデンサ用開口部
　４６ｃ…ワイヤ用開口部
　４７…スルーホール
　４８…放熱材
　４９…凹部
　５０…キャップ
　５１…筒部
　５２…天板部
　５３…開口部
　５４…透光板
　６１…第１表面側配線
　６２…第２表面側配線
　６３…第１スルーホール
　６４…第２スルーホール
　６５…第１放熱材
　６６…第２放熱材
　６７…表面側レジスト層
　６７ａ…スイッチング素子用開口部
　６７ｂ…第１コンデンサ用開口部
　６７ｃ…第２コンデンサ用開口部
　６７ｄ…ワイヤ用開口部
　６８…裏面側配線
　６９Ａ…第１裏面側レジスト層
　６９Ｂ…第２裏面側レジスト層
　６９ＢＡ…開口部
　７１…表面側配線
　７２…接続配線
　７３…スルーホール
　７４…放熱材
　７５…表面側レジスト層
　７５ａ…スイッチング素子用開口部
　７５ｂ…第１コンデンサ用開口部
　７５ｃ…第２コンデンサ用開口部
　７５ｄ…第１ワイヤ用開口部
　７５ｅ…第２ワイヤ用開口部
　７６…第１裏面側レジスト層
　７７…第２裏面側レジスト層
　１００…半導体発光ユニット
　１００Ｘ…比較例の半導体発光ユニット
　１１０…放熱体
　１２０…回路基板
　１３０…放熱基部
　１３１…基部表面
　１３２…基部裏面
　１３３～１３６…基部側面
　１４０…キャップカバー部
　１４１…第１カバー面
　１４２…第２カバー面
　１４３…貫通孔
　１５０…開口カバー部材
　１５１…底部
　１５２…開口
　１６０…放熱部材
　ＬＳ…レーザシステム
　Ｄ…ダイオード
　Ｒ…抵抗素子
　ＤＶ…駆動電源
　ＰＭ…ドライバ回路
　ＲＧ…領域
　Ｗ１～Ｗ５…ワイヤ
　ＤＢ…第２取付面と第２基板の第２基板表面とのｙ方向の間の距離
　ＤＨ…第２取付面と第１取付面とのｙ方向の間の距離
　Ｇ１…第１基板とヒートシンクの先端面との間の距離
　Ｇ２…第１基板と第２基板の凹部の底面との間の距離
　ＨＢ…取付面からの第２基板の高さ
　ＨＣ１…第１取付面からのコンデンサの高さ
　ＨＣ２…第２基板表面からのコンデンサの高さ
　ＨＣＰ…キャップの高さ寸法
　ＨＬ１…第１取付面からの半導体発光素子の高さ
　ＨＬ２…取付面からの半導体発光素子の高さ
　ＨＲ…凹部の深さ
　ＨＳ…第２基板表面からのスイッチング素子の高さ
　ＬＲ…凹部のｘ方向の大きさ
　ＬＳＸ…スイッチング素子のｘ方向の大きさ
　ＬＺ…第１基板のｚ方向の大きさ
　ＴＢ１…第１基板の厚さ
　ＴＢ２…第２基板の厚さ
　ＴＣＣ…キャップカバー部の厚さ
　ＴＬ…半導体発光素子の厚さ
　ＴＳ…スイッチング素子の厚さ

Claims

　ベースと、
　前記ベース上に立設した導電性のヒートシンクと、
　前記ヒートシンクにおいて互いに離隔するように取り付けられた第１基板および第２基板と、
　前記第１基板に実装された半導体発光素子と、
　前記第２基板に実装され、前記半導体発光素子を駆動させるように構成された駆動回路素子と、
を備える
　半導体発光装置。
　前記第１基板は、第１基材を含み、
　前記第２基板は、第２基材を含み、
　前記第１基材の熱伝達率は、前記第２基材の熱伝達率よりも高い
　請求項１に記載の半導体発光装置。
　前記第１基板は、第１基材を含み、
　前記第１基材の線膨張係数と前記半導体発光素子の線膨張係数との差は、前記ヒートシンクの線膨張係数と前記半導体発光素子の線膨張係数との差よりも小さい
　請求項１または２に記載の半導体発光装置。
　前記第１基板は、第１基材を含み、
　前記第１基材は、窒化アルミニウム、アルミナ、銅－タングステン合金、銅－窒化アルミニウム－銅、銅－ダイアモンド合金、銀－ダイアモンド合金のいずれかによって形成されている
　請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
　前記駆動回路素子は、スイッチング素子およびコンデンサを含む
　請求項１～４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
　前記ヒートシンクは、
　前記第２基板が取り付けられた第２取付面と、
　前記第２取付面よりも前記ヒートシンクの先端側に形成され、前記第１基板が取り付けられた第１取付面と、
を含み、
　前記第１取付面は、前記第２取付面に対して前記ヒートシンクの立設方向と直交する厚さ方向に突出している
　請求項１～５のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
　前記駆動回路素子は、第１電極および第２電極を有するコンデンサを含み、
　前記コンデンサの前記第１電極は、前記第１取付面に実装され、
　前記コンデンサの前記第２電極は、前記第２基板に実装されている
　請求項６に記載の半導体発光装置。
　前記半導体発光素子は、アノード電極およびカソード電極を含み、
　前記第１基板は、前記カソード電極と前記ヒートシンクとを電気的に接続するスルーホールを含む
　請求項１～７のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
　前記第２基板は、前記駆動回路素子が実装された基板表面を含み、
　前記ヒートシンクの厚さ方向において、前記第１取付面と前記基板表面とが同じ位置となる
　請求項６または７に記載の半導体発光装置。
　前記ヒートシンクは、前記第１基板および前記第２基板の双方が取り付けられた取付面を含む
　請求項１～５のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
　前記第２基板の端部には、当該端部から凹む凹部が形成されており、
　前記第１基板は、前記第２基板と離隔している状態で少なくとも一部が当該凹部によって形成された領域内に入り込むように配置されている
　請求項１０に記載の半導体発光装置。
　前記駆動回路素子は、第１電極および第２電極を有するコンデンサを含み、
　前記コンデンサの前記第１電極および前記第２電極の双方は、前記第２基板に実装されており、
　前記第２基板は、前記コンデンサの前記第１電極と前記ヒートシンクとを電気的に接続するスルーホールを含む
　請求項１０または１１に記載の半導体発光装置。
　前記第２基板は、前記ヒートシンクと電気的に接続されるパッドを含み、
　前記コンデンサの前記第１電極は、前記スルーホール、前記パッド、および前記第１基板を介して前記半導体発光素子に電気的に接続されている
　請求項１２に記載の半導体発光装置。
　前記駆動回路素子は、
　スイッチング素子と、
　第１電極および第２電極を有するコンデンサと、
を含み、
　前記ヒートシンクの立設方向において、前記半導体発光素子と前記スイッチング素子とが互いに離隔して配列されており、
　前記第２基板のうち前記立設方向における前記半導体発光素子と前記スイッチング素子との間の部分には、前記ヒートシンクと電気的に接続するための接続配線が設けられ、
　前記コンデンサの前記第１電極は、前記接続配線に実装されている
　請求項１～１３のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
　前記接続配線および前記ヒートシンクは、ワイヤによって接続されている
　請求項１４に記載の半導体発光装置。
　前記半導体発光素子は、複数の発光部を有する
　請求項１～１５のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
　前記ベースに取り付けられ、前記ヒートシンク、前記第１基板、前記第２基板、前記半導体発光素子、および前記駆動回路素子を覆うキャップをさらに備え、
　前記キャップは、前記半導体発光素子からの光を出射可能な開口を有する
　請求項１～１６のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
　ベースと、
　前記ベース上に立設した導電性のヒートシンクと、
　前記ヒートシンクに取り付けられた基板と、
　前記ヒートシンクのうち前記基板とは異なる位置に直接的に取り付けられた半導体発光素子と、
　前記基板に少なくとも部分的に実装され、前記半導体発光素子を駆動させるように構成された駆動回路素子と、
を備える
　半導体発光装置。
　前記半導体発光素子は、導電性接合材によって前記ヒートシンクに接合されている
　請求項１８に記載の半導体発光装置。