JP2000310742A - 画像記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光源としてＬＥＤ素子を使用した場合におい
ても、分色混合の発生を防止することができる画像記録
装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 光源部９は、光源ユニット３ｂから出射
された青色の光と光源ユニット３ｇから出射された緑色
の光とを合成して感光材料６に照射する合成手段として
のクロスプリズム７０と、特定の波長領域の光のみを通
過させることにより、光源ユニット３ｂから出射された
青色の光の波長領域と光源ユニット３ｇから出射された
緑色の光の波長領域が重複することを防止する波長帯域
制限フィルター７３、７４とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、カラー画像記録
用の感光材料に対し、ＬＥＤ（ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔ
ｉｎｇ ｄｉｏｄｅ／発光ダイオード）素子から出射さ
れる光を利用してカラー画像を記録する画像記録装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、カラープリンターや色校正装置
等のラスター走査型のカラー画像記録装置においては、
一般にＲ、Ｇ、Ｂと呼称される赤色、緑色、青色の光に
各々感光する赤感層、緑感層、青感層を備えたカラー画
像記録用の感光材料が使用される。そして、このカラー
画像記録用の感光材料に対し、赤色の光を出射する光源
より赤色の光を、また、緑色の光を出射する光源より緑
色の光を、さらに、青色の光を出射する光源より緑色の
光を各々照射することにより、カラー画像を記録する構
成となっている。

【０００３】このような画像記録装置においては、例え
ば、赤色の光を出射する光源としてその波長が６３２．
８ｎｍのレーザビームを出射するヘリウムネオンレーザ
を、また、緑色の光を出射する光源としてその波長が５
１４．５ｎｍのレーザビームを出射するアルゴンイオン
レーザを、さらに、青色の光を出射する光源としてその
波長が４４１．６ｎｍのレーザビームを出射するヘリウ
ムカドミウムレーザを、各々使用することができる。

【０００４】しかしながら、画像記録装置にこのような
３種のガスレーザを使用した場合には、装置が極めて大
型化し、また、そのコストも極めて高価となるため、実
用的ではない。このため、近年、ガスレーザに換えてＬ
ＥＤ素子を使用することが検討されている。

【０００５】ところで、このような画像記録装置にＬＥ
Ｄ素子を使用した場合には、ＬＥＤ素子の輝度の低さが
問題となる。例えば、赤色の光を出射するＬＥＤ素子と
しては、ガリウムとアルミニュウムと砒素を材質とした
ＬＥＤ素子が開発されているが、緑色や青色の光を高い
輝度をもって出射するＬＥＤ素子は実用化されていなか
った。

【０００６】しかしながら、近年、緑色や青色の光を高
い輝度をもって出射するＬＥＤ素子として、ガリウム
（Ｇａ）とナイトライド（Ｎ）とを利用したガリウムナ
イトライドＬＥＤ素子や、インジウム（Ｉｎ）とガリウ
ム（Ｇａ）とナイトライド（Ｎ）とを利用したインジウ
ムガリウムナイトライドＬＥＤ素子等が開発されている
（例えば、特開平４−１００６６６号公報または特開平
８−３１６５２８号公報）。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、これらのガ
リウムナイトライドＬＥＤ素子やインジウムガリウムナ
イトライドＬＥＤ素子（この明細書において、これらを
総称して「ＧａＮ系ＬＥＤ素子」という）等のＬＥＤ素
子を上述した画像記録装置に応用する場合には、特に緑
色と青色との間に発生する分色混合（分光混合）が問題
となる。ここで、分色混合とは、赤色、緑色、青色の光
が、それらと対応する赤感層、緑感層、青感層以外の感
光層に影響を与え、感光材料の発色が濁る現象を指す。

【０００８】図１６は、一般的なカラー画像記録用の感
光材料の分光感度を示す図である。この図において、Ｓ
Ｒは赤感層の感光領域を、ＳＧは緑感層の感光領域を、
また、ＳＢは青感層の感光領域を各々示している。

【０００９】一方、図１７は、赤色にガリウムとアルミ
ニュウムと砒素などを材料としたＬＥＤ素子を、また、
青色と緑色に上述したＧａＮ系ＬＥＤ素子等を使用した
場合の、赤色、緑色、青色の光の発光スペクトルを示す
図である。この図において、ＬＲは赤色の光を出射する
ためのＬＥＤ素子から出射される光の波長領域を、ＬＧ
は緑色の光を出射するためのＬＥＤ素子から出射される
光の波長領域を、また、ＬＢは青色の光を出射するため
のＬＥＤ素子から出射される光の波長領域を各々示して
いる。

【００１０】図１６および図１７に示すように、緑感層
の感光領域と青感層の感光領域とは互いに重複してお
り、また、緑色の光を出射するためのＬＥＤ素子から出
射される光の波長領域と青色の光を出射するためのＬＥ
Ｄ素子から出射される光の波長領域とは互いに重複して
いる。このため、青感層は図１８においてハッチングを
付した領域で緑色の光を出射するためのＬＥＤ素子から
出射される光により感光してしまうことになり、緑感層
は図１９においてハッチングを付した領域で青色の光を
出射するためのＬＥＤ素子から出射される光により感光
してしまうことになる。

【００１１】このため、緑色の光を出射するためのＬＥ
Ｄ素子から出射される光と青色の光を出射するためのＬ
ＥＤ素子から出射される光とをダイクロイックミラーを
介して合成することにより、緑色の光を出射するための
ＬＥＤ素子から出射される光と青色の光を出射するため
のＬＥＤ素子から出射される光との波長領域の重複を防
止することが考えられる。

【００１２】しかしながら、ダイクロイックミラーの反
射（透過）強度は、図２０示すように、一定の傾斜を有
する。そして、この傾斜領域の範囲は、ＬＥＤ素子より
出射される無偏光の光の場合には、通常、５０ｎｍ程度
となる。このため、このダイクロイックミラーの反射
（透過）強度特性を、必要な波長領域に対応させてシフ
トしたとしても、単一のダイクロイックミラーを使用し
ただけでは、緑色の光を出射するためのＬＥＤ素子から
出射される光と青色の光を出射するためのＬＥＤ素子か
ら出射される光との波長領域の重複を防止して上述した
分色混合を防止することは不可能である。

【００１３】この発明は上記課題を解決するためになさ
れたものであり、光源としてＬＥＤ素子を使用した場合
においても、分色混合の発生を防止することができる画
像記録装置を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、赤色、緑色、青色の光に各々感光するカラー画像記
録用の感光材料に対し、赤色、緑色、青色の光を照射し
てカラー画像を記録する画像記録装置において、赤色の
光を出射する第１のＬＥＤ素子と、緑色の光を出射する
第２のＬＥＤ素子と、青色の光を出射する第３のＬＥＤ
素子と、前記第２のＬＥＤ素子と前記感光材料との間、
または、前記第３のＬＥＤ素子と前記感光材料との間の
少なくとも一方に配設され、特定の波長領域の光のみを
通過させることにより、前記第２のＬＥＤ素子から出射
された光の波長領域と前記第３のＬＥＤ素子から出射さ
れた光の波長領域が重複することを防止する波長帯域制
限手段とを備えたことを特徴とする。

【００１５】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、前記波長帯域制限手段は、前記第２の
ＬＥＤ素子と前記感光材料との間、および、前記第３の
ＬＥＤ素子と前記感光材料との間の両方に配設されてい
る。

【００１６】請求項３に記載の発明は、請求項１または
請求項２いずれかに記載の発明において、前記第１のＬ
ＥＤ素子から出射された赤色の光と、前記第２のＬＥＤ
素子から出射された緑色の光と、前記第３のＬＥＤ素子
から出射した青色の光とを合成して前記感光材料に照射
する合成手段を備えている。

【００１７】請求項４に記載の発明は、請求項３に記載
の発明において、前記合成手段はクロスプリズムから構
成されている。

【００１８】請求項５に記載の発明は、赤色、緑色、青
色の光に各々感光するカラー画像記録用の感光材料に対
し、赤色、緑色、青色の光を照射してカラー画像を記録
する画像記録装置において、赤色の光を出射する第１の
ＬＥＤ素子と、緑色の光を出射する第２のＬＥＤ素子
と、青色の光を出射する第３のＬＥＤ素子と、前記第２
のＬＥＤ素子と前記感光材料との間に配設された、緑色
の光を反射する第１のダイクロイック素子と、前記第３
のＬＥＤ素子と前記感光材料との間に配設された、青色
の光を反射または透過する第２のダイクロイック素子と
を備えたことを特徴とする。

【００１９】請求項６に記載の発明は、請求項１乃至請
求項５いずれかに記載の発明において、前記第２のＬＥ
Ｄ素子が、前記第１のＬＥＤ素子および前記第３のＬＥ
Ｄ素子よりも多数配設されている。

【００２０】請求項７に記載の発明は、請求項１乃至請
求項６いずれかに記載の発明において、前記第１、第
２、第３のＬＥＤ素子の各々に対応させてアパーチャ部
材を配設している。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。図１はこの発明に係る画像記録
装置の斜視図である。

【００２２】この画像記録装置は、光源部９と結像光学
系４とからなる記録ヘッド５と、その外周部に感光材料
６を巻回した記録ドラム７とを備える。この画像記録装
置においては、光源部９から、結像光学系４を介して、
記録ドラム７に巻回された状態で回転する感光材料６に
光ビームを照射するとともに、記録ヘッド５を記録ドラ
ム７の軸線方向に移動させることにより、感光材料６に
対して必要な画像を記録する構成となっている。

【００２３】図２は、この画像記録装置における光源部
９および結像光学系４等を示す側面概要図である。な
お、図２においては、後述するシリンドリカルレンズ３
３や開口絞り４１等は、図示を省略している。また、各
光源素子は、いわゆるＬＥＤランプ形状のもので図示
し、簡略化している。

【００２４】この光源部９は、青色の光を出射するため
の光源ユニット３ｂと、緑色の光を出射するための光源
ユニット３ｇと、赤色の光を出射するための光源ユニッ
ト８とを備える。

【００２５】先ず、この光源ユニット３ｂ、３ｇ、８の
うち、光源ユニット３ｂ、３ｇ（これらを総称する場合
には「光源ユニット３」という）の構成について説明す
る。図３は光源ユニット３の構成を示す斜視図であり、
図４はその正面図である。

【００２６】この光源ユニット３は、その基端部にコネ
クタ３１を備えた配線基板３２と、この配線基板３２の
先端部に複数個列設されたＧａＮ系ＬＥＤ素子１と、こ
れらのＧａＮ系ＬＥＤ素子１と対向する位置に配設され
たシリンドリカルレンズ３３とから構成されるユニット
を、ＧａＮ系ＬＥＤ素子１の列設方向と直交する方向に
３列配設した構成を有する。

【００２７】すなわち、図３示すように、３個の配線基
板３２の先端部は、左右一対の櫛歯状位置決め部材３６
に形成された凹部３７内に挿入され、固定される。この
ため、これらの配線基板３２は、左右一対の櫛歯状位置
決め部材３６により、互いに等間隔離隔した平行な姿勢
で精度よく位置決めされる。

【００２８】また、図４に示すように、３個の配線基板
３２は、各配線基板３２の先端部に列設されたＧａＮ系
ＬＥＤ素子１のピッチＰの１／３の距離［Ｐ／３］だ
け、ＧａＮ系ＬＥＤ素子１の列設方向に互いにずれた位
置に配置されている。

【００２９】なお、ＧａＮ系ＬＥＤ素子１から出射され
る光の臨界角を大きくする目的で、ＧａＮ系ＬＥＤ素子
１とシリンドリカルレンズ３３との間に、空気より大き
い屈折率を有するシリコーン樹脂等の透明部材をポッテ
ィングするようにしてもよい。

【００３０】各配線基板３２の先端部に複数個列設され
たＧａＮ系ＬＥＤ素子１は、各々、ボンディングワイヤ
ー３４を介して、配線基板３２に形成された導電パター
ン３５とワイヤーボンディングされている。すなわち、
各ＧａＮ系ＬＥＤ素子１は、配線としてのボンディング
ワイヤー３４および導電パターン３５を介して、コネク
タ３１と電気的に接続されている。また、このコネクタ
３１は、図示を省略したＧａＮ系ＬＥＤ素子１のドライ
バーと接続されている。

【００３１】図５は、各配線基板３２の先端部に列設さ
れた複数個のＧａＮ系ＬＥＤ素子１の斜視図である。ま
た、図６は、ＧａＮ系ＬＥＤ素子１の三面図であり、図
６（ａ）はその平面図、図６（ｂ）はその正面図、ま
た、図６（ｃ）はその右側面図である。

【００３２】このＧａＮ系ＬＥＤ素子１は、基板１１の
表面上に形成された発光層（活性層）１２を含む半導体
積層構造部１６と、この半導体積層構造部１６の表面上
に形成されたＰ電極１３と、半導体積層構造部１６の一
部をエッチングによって削ったその上面に形成されたＮ
電極１４とを備える。そして、このＬＥＤ素子１におい
ては、Ｐ電極１３とＮ電極１４との間に電流を流すこと
により、半導体積層構造部１６の表面１５または端面１
７から光が出射する構成となっている。なお、光が発生
するのは発光層１２であるが、その光は半導体積層構造
部１６へ広がり、そこから外部に出射されるのが一般的
である。

【００３３】このＧａＮ系ＬＥＤ素子１においては、Ｐ
電極１３とＮ電極１４とが基板１１に対して同一側に形
成されていることから、半導体積層構造部１６の表面１
５から出射される光がこれらのＰ電極１３およびＮ電極
１４によって遮られることになり、半導体積層構造部１
６の表面１５から出射する光の輝度が低く、また、半導
体積層構造部１６の表面１５における光出射領域の形状
も略８の字状の形状となる。このため、このＧａＮ系Ｌ
ＥＤ素子１においては、半導体積層構造部１６の端面１
７から出射される光を有効に利用することが好ましい。

【００３４】このとき、このＧａＮ系ＬＥＤ素子１にお
いては、図６（ｃ）に示すように、Ｎ電極１４が基板１
１から半導体積層構造部１６の一部をエッチングにより
削ったその上面に形成されていることから、半導体積層
構造部１６の４方の端面１７のうち２方の端面１７から
出射された光の一部は、Ｎ電極１４により遮られる。ま
た、半導体積層構造部１６の４方の端面１７のうち２方
の端面１７から出射された光の一部は、Ｎ電極１４にワ
イヤーボンディングされたボンディングワイヤー３４
（図３参照）によっても遮られる。このため、このＧａ
Ｎ系ＬＥＤ素子１における４方の端面１７から出射する
光のうち、図５および図６に示す矢印ア方向に出射する
光は、図５および図６に示す矢印イ方向に出射される光
よりもその光量が小さいことになる。

【００３５】このため、この光源ユニット３において
は、図５および図６に示す矢印イ方向の光がシリンドリ
カルレンズ３３に有効に入射するように、各ＧａＮ系Ｌ
ＥＤ素子１を、そのＮ電極１４およびこのＮ電極１４に
ワイヤーボンディングされたボンディングワイヤー３４
が、半導体積層構造部１６とシリンドリカルレンズ３３
との間に配置されない方向に配置している。

【００３６】従って、図３に示す各配線基板３２の先端
部における複数個のＧａＮ系ＬＥＤ素子１は、そのＮ電
極１４およびＮ電極１４にワイヤーボンディングされた
ボンディングワイヤー３４が半導体積層構造部１６とシ
リンドリカルレンズ３３との間に配置されない状態で、
その発光層１２の長手方向と平行な方向に列設されるこ
とにより、５個のＧａＮ系ＬＥＤ素子１によるアレイを
構成することになる。

【００３７】そして、この光源ユニット３においては、
上記の構成を有する配線基板３２が３層、その位置を各
配線基板３２の先端部に列設されたＧａＮ系ＬＥＤ素子
１のピッチＰの１／３の距離［Ｐ／３］だけ、ＧａＮ系
ＬＥＤ素子１の列設方向（その発光層１２の長手方向）
にずらせた状態で配設されていることから、１５個のＧ
ａＮ系ＬＥＤ素子１から出射する光を利用した二次元配
列の光ビームを得ることができる。

【００３８】なお、このＧａＮ系ＬＥＤ素子１として
は、光源ユニット３ｂにおいては青色の波長域の光を出
射するものが、また、光源ユニット３ｇにおいては緑色
の波長域の光を出射するものが使用される。

【００３９】次に、この光源ユニット３と上述した結像
光学系４との関係について説明する。図７は結像光学系
４をＧａＮ系ＬＥＤ素子１およびシリンドリカルレンズ
３３とともに示す平面図であり、図８はその側面図であ
る。

【００４０】なお、図７および図８においては、各配線
基板３２の先端部に列設された５個のＧａＮ系ＬＥＤ素
子１のうちの３個のみを図示し、他の２個については図
示を省略している。また、図７および図８においては、
後述するクロスプリズム７０、アパーチャプレート６
８、波長帯域制限フィルター７３、７４およびリレー光
学系６７等については、その図示を省略している。

【００４１】さらに、ＧａＮ系ＬＥＤ素子１における半
導体積層構造部１６の端面１７の長手方向の像とＧａＮ
系ＬＥＤ素子１における半導体積層構造部１６の端面１
７の厚さ方向の像とは、後述するアパーチャプレート６
８ｂ、６８ｇにより整形されることになるが、説明の便
宜上、ここではこれらのアパーチャプレート６８ｂ、６
８ｇについては言及しない。

【００４２】この結像光学系４は、ＧａＮ系ＬＥＤ素子
１における半導体積層構造部１６の端面１７の長手方向
の像を、図１に示す記録ドラム７に巻回された感光材料
６上に縮小投影するためのものであり、フィールドレン
ズ３８と対物レンズ３９とから構成される。これらのフ
ィールドレンズ３８と対物レンズ３９とからなる結像光
学系４は、両側テレセントリック光学系を構成する。ま
た、フィールドレンズ３８と対物レンズ３９との間に
は、開口絞り４１が配設されている。

【００４３】図８に示すように、シリンドリカルレンズ
３３のパワーのある断面において、各ＧａＮ系ＬＥＤ素
子１から出射された光の主光線は、結像光学系４の物体
側で結像光学系４の光軸に平行になるように設定されて
いる。また、結像光学系４が両側テレセントリック光学
系であることから、各ＧａＮ系ＬＥＤ素子１から出射さ
れた光の主光線は、感光材料６側においても結像光学系
４の光軸に平行となる。

【００４４】結像光学系４の縮小倍率は、画像記録装置
に要求される解像度により決定される。例えば、ＧａＮ
系ＬＥＤ素子１の一辺の長さはおよそ３００μｍ程度で
あり、その配列ピッチＰ（図４参照）はおおよそ０．５
〜１．０ｍｍ程度である。そして、感光材料６への記録
ビームのピッチは、上述したように［Ｐ／３］となる。
このため、この［Ｐ／３］の値と画像記録装置に要求さ
れる解像度とに基づいて、結像光学系４の縮小倍率を決
定すればよい。

【００４５】一方、上述したシリンドリカルレンズ３３
は、ＧａＮ系ＬＥＤ素子１における半導体積層構造部１
６の端面１７の厚さ方向の像を、結像光学系４の開口絞
り４１の位置（すなわち瞳面上と等価な位置）に、開口
絞り４１の大きさの範囲内（瞳の大きさの範囲内）で拡
大投影するためのものである。

【００４６】一般に、ＧａＮ系ＬＥＤ素子１における半
導体積層構造部１６の厚さ方向の寸法は数μｍ程度であ
る。このため、開口絞り４１の直径を５ｍｍ程度とした
場合には、シリンドリカルレンズ３３を利用して、Ｇａ
Ｎ系ＬＥＤ素子１における半導体積層構造部１６の端面
１７の厚さ方向の像を最大２０００倍程度まで拡大投影
することができる。このため、シリンドリカルレンズ３
３のパワーのある面内において、その効率が低下するこ
とを防止し、ＧａＮ系ＬＥＤ素子１から出射される光を
効率的に利用することが可能となる。

【００４７】なお、シリンドリカルレンズ３３の拡大率
を過度に大きくした場合には、ＧａＮ系ＬＥＤ素子１と
シリンドリカルレンズ３３との位置精度も極めて高精度
に設定する必要がある。

【００４８】ここで、上述した実施形態においては、シ
リンドリカルレンズ３３はＧａＮ系ＬＥＤ素子１におけ
る半導体積層構造部１６の端面１７の厚さ方向の像を、
結像光学系４の開口絞り４１の位置に投影している。こ
のとき、この開口絞り４１の位置そのものは、結像光学
系４の瞳位置ではない。しかしながら、両側テレセント
リック光学系をなす結像光学系４の場合には瞳位置は無
限遠にあることから、開口絞り４１の位置に投影するこ
とは無限遠（すなわち瞳位置）に投影することと等価と
なる。

【００４９】以上のような構成を有する光源ユニット３
および結像光学系４においては、ＧａＮ系ＬＥＤ素子１
における半導体積層構造部１６の端面１７の長手方向の
像を感光材料６上に縮小投影するための結像光学系４
と、ＧａＮ系ＬＥＤ素子１における半導体積層構造部１
６の端面１７の厚さ方向の像を結像光学系４の開口絞り
４１の位置にその大きさの範囲内で拡大投影するための
シリンドリカルレンズ３３とを組み合わせて使用してい
ることから、各ＧａＮ系ＬＥＤ素子１からその発光層１
２と直交する方向に大きな角度で発散する光は、シリン
ドリカルレンズ３３を介して結像光学系４に効率的に入
射する。そして、結像光学系４に入射した光は、記録ド
ラム７に巻回された感光材料６上に縮小投影される。こ
のため、光の効率を低下させることなく高い解像度で画
像を記録することが可能となる。

【００５０】このとき、結像光学系４が両側テレセント
リック光学系から構成されていることから、その焦点深
度を深くすることができる。従って、感光材料６におけ
る結像光学系４の光軸方向の位置が多少変化しても、高
精度に画像を記録することが可能となる。

【００５１】また、この実施形態に係る光源ユニット３
においては、各ＧａＮ系ＬＥＤ素子１を、そのＮ電極１
４およびこのＮ電極１４にワイヤーボンディングされた
ボンディングワイヤー３４が半導体積層構造部１６とシ
リンドリカルレンズ３３との間に配置されない方向に配
置していることから、半導体積層構造部１６における４
方の端面１７のうち輝度の高い端面１７から出射された
光を、有効に感光材料６に照射することが可能となる。

【００５２】さらに、各配線基板３２上に列設された複
数のＧａＮ系ＬＥＤ素子１から発散する光を、単一のシ
リンドリカルレンズ３３を利用して集光する構成である
ことから、複数のＧａＮ系ＬＥＤ素子１から発散する光
を集光するために必要な構成を簡略化し、部品点数を削
減することが可能となる。

【００５３】次に、光源ユニット８の構成について説明
する。図９は光源ユニット８の構成を示す斜視図であ
り、図１０はその要部を示す正面図である。

【００５４】この光源ユニット８は、その表面に導電パ
ターン５５、６３が形成されたセラミック製の配線基板
５２と、この配線基板５２の端面５０に列設された複数
個のＬＥＤ素子２とから構成されるユニットを、ＬＥＤ
素子２の列説方向と直交する方向に３列配設した構成を
有する。なお、配線基板５２の表面の面積は、その端面
５０の面積に比べて十分に大きくなっている。

【００５５】図９示すように、３個の配線基板５２の先
端部は、左右一対の櫛歯状位置決め部材３６に形成され
た凹部３７内に挿入され、固定される。このため、これ
らの配線基板５２は、左右一対の櫛歯状位置決め部材３
６により、互いに等間隔離隔した平行な姿勢で精度よく
位置決めされる。

【００５６】また、図１０に示すように、３個の配線基
板５２は、各配線基板５２の端面５０に列設されたＬＥ
Ｄ素子２のピッチＰの１／３の距離［Ｐ／３］だけ、Ｌ
ＥＤ素子２の列設方向に互いにずれた位置に配置されて
いる。

【００５７】図１１は、ＬＥＤ素子２の斜視図である。

【００５８】このＬＥＤ素子２は、基板２１の表面上に
発光層（活性層）２２を含む形で半導体の層を複数重ね
合わせた半導体積層構造部２６を形成しており、この半
導体積層構造部２６の最上面に形成されたＰ電極２３
と、基板２１の裏面側に形成されたＮ電極２４とを備え
る。このＬＥＤ素子２においては、基板２１に対して互
いに逆側に形成されたＰ電極２３とＮ電極２４との間に
電流を流すことにより、半導体積層構造部２６の表面２
５または端面２７から光が出射する構成となっている。

【００５９】このＬＥＤ素子２のＰ電極２３は、図９に
示すように、各々、ボンディングワイヤー５４を介し
て、配線基板５２の表面に形成された導電パターン５５
とワイヤーボンディングされている。すなわち、各ＬＥ
Ｄ素子２は、配線としてのボンディングワイヤー５４お
よび導電パターン５５を介して、コネクタ５１と電気的
に接続されている。また、このコネクタ５１は、図示を
省略したＬＥＤ素子２のドライバーと接続されている。

【００６０】一方、このＬＥＤ素子２のＮ電極２４は、
配線基板５２の端面５０に印刷された電極６１に対し
て、銀ペースト等の導電性の接着剤によりボンディング
されている。この電極６１は、配線基板５２に形成され
たビアホール６２および配線基板５２の表面に形成され
た導電パターン６３を介してコネクタ５１と電気的に接
続されている。

【００６１】このような構成を有する光源ユニット８に
おいては、各ＬＥＤ素子２から発生する熱はセラミック
製の配線基板５２全体に広がる。そして、この熱は、こ
の配線基板５２の表面全体より大気中に放出される。こ
のとき、配線基板５２の表面の面積は、その端面５０の
面積に比べて十分に大きくなっていることから、各ＬＥ
Ｄ素子２から発生する熱は、十分大きな配線基板５２の
表面より有効に放熱されることになる。

【００６２】また、配線基板５２の表面は十分大きな面
積を有することから、導電パターン５５等の電気的な配
線密度を粗く設置することができる。このため、電気的
なクロストークの発生を防止することが可能となる。

【００６３】この光源ユニット８と上述した結像光学系
４との関係は、上述した光源ユニット３と結像光学系４
との関係と同様である。但し、この光源ユニット８には
光源ユニット３におけるシリンドリカルレンズ３３は配
設されていない。このため、ＬＥＤ素子２の像が結像光
学系４の開口絞り４１の位置に拡大投影されることはな
い。

【００６４】なお、上述した光源ユニット３ｂのＧａＮ
系ＬＥＤ素子１から出射される青色の光、光源ユニット
３ｇのＧａＮ系ＬＥＤ素子１から出射される緑色の光、
および、光源ユニット８のＬＥＤ素子２から出射される
赤色の光は、各々、図１７に示す発光スペクトルを有す
る。

【００６５】再度図２を参照して、この光源部９は、光
源ユニット３ｂにおけるＧａＮ系ＬＥＤ素子１から出射
された青色の光と、光源ユニット３ｇにおけるＧａＮ系
ＬＥＤ素子１から出射された緑色の光と、光源ユニット
８のＬＥＤ素子２から出射された赤色の光とを合成して
感光材料６に照射する合成手段としてのクロスプリズム
７０を備える。

【００６６】このクロスプリズム７０は、エクスプリズ
ムとも呼称される光学素子であり、４個の直角プリズム
を、その頂点を一致させた状態で接着させた構成を有す
る。そして、これらの直角プリズムの接合面のうち、一
方の接合面には、赤色および緑色の光は透過するが青色
の光は反射する（青色より波長の短い光を反射する）膜
特性を有する第１の誘電体多層膜７１が形成されてい
る。また、他方の接合面には、緑色および青色の光を透
過するが赤色の光は反射する（赤色より波長の長い光を
反射する）膜特性を有する第２の誘電体多層膜７２が形
成されている。

【００６７】このクロスプリズム７０と上述した結像光
学系４との間には、一対のレンズ６５、６６から成るリ
レー光学系６７が配設されている。このリレー光学系６
７は、結像光学系４と同様、両側テレセントリック光学
系となっている。

【００６８】また、クロスプリズム７０と各光源ユニッ
ト１ｂ、１ｇ、２の間には、各々、図１２に示すアパー
チャプレート６８ｂ、６８ｇ、６８ｒが配設されてい
る。これらのアパーチャプレート６８ｂ、６８ｇ、６８
ｒは、各々、図４に示すＧａＮ系ＬＥＤ素子１または図
１０に示すＬＥＤ素子２の配置と対応する配置で穿設さ
れた複数個の円形のアパーチャ７５を有する。

【００６９】これらのアパーチャプレート６８ｂ、６８
ｇ、６８ｒは、リレー光学系６７および結像光学系４に
関し、感光材料６と共役な関係となっている。このた
め、これらのアパーチャプレート６８ｂ、６８ｇ、６８
ｒにおけるアパーチャ７５の像が感光材料６上に投影さ
れることになる。

【００７０】また、結像光学系４の光軸方向に関して感
光材料６とほぼ同一の位置で、かつ、感光材料６を巻回
した記録ドラム７から側方に離隔した位置に、フォトセ
ンサー７６が配設されている。画像の記録を開始するに
先立ち、記録ヘッド５が、ＧａＮ系ＬＥＤ素子１または
ＬＥＤ素子２から結像光学系４を介して出射される光が
フォトセンサー７６に入射する位置に移動し、このフォ
トセンサー７６により光量を測定することで、各ＬＥＤ
素子の光量バランスを合わせる構成となっている。

【００７１】さらに、クロスプリズム７０とアパーチャ
プレート６８ｂとの間、および、クロスプリズム７０と
アパーチャプレート６８ｇとの間には、各々、干渉フィ
ルターより成る波長帯域制限フィルター７３、７４が配
設されている。

【００７２】これらの波長帯域制限フィルター７３、７
４のうち、波長帯域制限フィルター７３は、光源ユニッ
ト３ｂのＧａＮ系ＬＥＤ素子１から出射された青色の光
のうち、図１６示す青感層の感光領域ＳＢと重複する波
長領域の光のみを通過させ、緑感層の感光領域ＳＧと重
複する波長領域の光は透過させない（図１９に示すハッ
チングを付した領域を感光させる波長領域の光を通過さ
せない）特性を有する。すなわち、この波長帯域制限フ
ィルター７３としては、例えば、４６０ｎｍより短い波
長の光のみを透過させる特性を有するものを使用する。

【００７３】一方、他方の波長帯域制限フィルター７４
は、光源ユニット３ｇのＧａＮ系ＬＥＤ素子１から出射
された緑色の光のうち、図１６に示す緑感層の感光領域
ＳＧと重複する波長領域の光のみを通過させ、青感層の
感光領域ＳＢと重複する波長領域の光は透過させない
（図１８に示すハッチングを付した領域を感光させる波
長領域の光を通過させない）特性を有する。すなわち、
この波長帯域制限フィルター７３４しては、例えば、５
００ｎｍより長い波長の光のみを透過させる特性を有す
るものを使用する。

【００７４】上記波長帯制限フィルター７３としては、
例えば、ハイパスフィルターやバンドパスフィルターを
使用することができる。また、上記波長帯制限フィルタ
ー７４としては、例えば、ローパスフィルターやバンド
パスフィルターを使用することができる。より具体的に
は、誘電体を多層に蒸着し形成する干渉フィルターを用
いることができ、これにより、透過波長と遮断される波
長との境界の傾斜領域を数ｎｍ程度まで急峻にすること
が可能となる。この特性を利用することで、必要な波長
領域内の光量を有効に利用できる。

【００７５】以上のような構成を有する画像記録装置に
おいては、光源ユニット３ｂにおける複数個のＧａＮ系
ＬＥＤ素子１から出射される青色の光、光源ユニット３
ｇにおける複数個のＧａＮ系ＬＥＤ素子１から出射され
る緑色の光、および、光源ユニット８における複数個の
ＬＥＤ素子２から出射される赤色の光は、クロスプリズ
ム７０により合成された後、リレー光学系６７および結
像光学系４を介して記録ドラム７に巻回された感光材料
６上に照射される。そして、感光材料６における青感
層、緑感層および赤感層は、これらの青色の光、緑色の
光および赤色の光により感光する。

【００７６】このとき、上述したように、光源ユニット
３ｂのＧａＮ系ＬＥＤ素子１から出射された青色の光の
うち緑感層の感光領域ＳＧと重複しない波長領域の光の
みが感光材料６に到達し、光源ユニット３ｇのＧａＮ系
ＬＥＤ素子１から出射された緑色の光のうち青感層の感
光領域ＳＢと重複しない波長領域の光のみが感光材料６
に到達する。このため、従来のＬＥＤ素子を利用した画
像記録装置において発生する分色混合の発生を防止する
ことができる。

【００７７】また、単一のダイクロイックミラー等によ
り青色の波長領域の光と緑色の波長領域の光とを分離す
る構成ではないため、図２０に示すダイクロイックミラ
ーの反射（透過）強度の傾斜に起因する分色混合の発生
を確実に防止することが可能となる。

【００７８】なお、上述した実施形態においては、クロ
スプリズム７０と各光源ユニット１ｂ、１ｇ、２の間
に、アパーチャプレート６８ｂ、６８ｇ、６８ｒを個別
に配置している。このため、各アパーチャプレート６８
ｂ、６８ｇ、６８ｒにおけるアパーチャ７５の大きさや
形状を、赤色、緑色、青色の各々の光に必要とされる光
量等に対応させて最適なものに調整するようにすればよ
い。

【００７９】例えば、緑色の光を出射するＬＥＤ素子に
おいて、現在市販されているうちでは高輝度な部類に属
するＧａＮ系ＬＥＤ素子１ですら、上述した用途に用い
る場合には、カラー画像記録用の感光材料６の緑感層の
感度が青感層と比べて低いため、その光量が不足する。
そこで、緑色に対応するアパーチャプレート６８ｇにお
けるアパーチャ７５の大きさを、色にじみの許容される
範囲で他の色に比べて大きくすることにより、より多く
の光量での露光を可能とすることができ、青感層または
赤感層を露光させる場合に比べ不足している緑色の露光
量を補償することができる。

【００８０】一方、上述した、感光材料６の緑感層の感
度が青感層と比べて低いことによる緑色の光を出射する
ためのＧａＮ系ＬＥＤ素子１の光量不足に対応するた
め、緑色の光を出射するための光源ユニット３ｇにおけ
るＧａＮ系ＬＥＤ素子１の数を、青色の光を出射するた
めの光源ユニット３ｂにおけるＧａＮ系ＬＥＤ素子１の
数および赤色の光を出射するための光源ユニット８にお
けるＬＥＤ素子２の数より多くなるようにしてもよい。

【００８１】なお、赤感層は青感層または緑感層と比べ
最も感度が低いが、赤色のＬＥＤ素子は光出力が高く、
制約を受ける例は少ない。また、青感層は緑感層や赤感
層と比べ最も感度が高く、光源に緑色と同程度の輝度を
持つ青色ＬＥＤを用いると十分な露光量が得られるの
で、制約を受けることはまれである。

【００８２】図１３は、上述した実施形態に対応するア
パーチャプレート６８ｇの説明図である。

【００８３】このアパーチャプレート６８ｇには、図１
２に示す他のアパーチャプレート６８ｂ、６８ｒに比べ
て、２倍の数のアパーチャ７５が形成されている。一
方、緑色の光を出射するための光源ユニット３ｇにおけ
るＧａＮ系ＬＥＤ素子１は、図１３に示すアパーチャプ
レート６８ｇにおけるアパーチャ７５の配置に対応する
ように配置されている。より具体的には、図４に示す３
個の配線基板３２を、それぞれその配列方向に２倍の数
設置している。

【００８４】この実施形態においては、緑色の光を出射
するための光源ユニット３ｇにおけるＧａＮ系ＬＥＤ素
子１が、青色の光を出射するための光源ユニット３ｂに
おけるＧａＮ系ＬＥＤ素子１および赤色の光を出射する
ための光源ユニット８におけるＬＥＤ素子２の２倍の数
設置されていることになる。このため、青感層または赤
感層を露光させる場合に比べ不足している緑色の露光量
を、緑色の光を出射するＧａＮ系ＬＥＤ素子１の数を増
加させることにより補償することが可能となる。

【００８５】なお、前述した図１２に示す実施形態のよ
うにクロスプリズム７０と各光源ユニット１ｂ、１ｇ、
２の間にアパーチャプレート６８ｂ、６８ｇ、６８ｒを
個別に配置するかわりに、共通のアパーチャプレートを
使用するようにしてもよい。

【００８６】図１４は、このような実施形態に係る光源
部９および結像光学系４等を示す側面概要図である。な
お、図２に示す実施形態と同一の部材については、同一
の符号を付している。

【００８７】この実施形態においては、リレー光学系６
７と結像光学系４との間に、赤色、緑色、青色共通のア
パーチャプレート６９を配設している。このアパーチャ
プレート６９は、図１２に示すアパーチャプレート６８
ｂ、６８ｇ、６８ｒと同様の構成を有する。この実施形
態では、さらに、各ＬＥＤ素子の光量バランスを合わせ
るため等に使用するフォトセンサー７６を、ハーフミラ
ー７８によって光路を折り返し、結像光学系４の絞り位
置に等価な位置付近に設置している。

【００８８】このように、リレー光学系６７と結像光学
系４との間に赤色、緑色、青色共通のアパーチャプレー
ト６９を配設する構成とした場合においては、光源ユニ
ット３ｂにおける複数個のＧａＮ系ＬＥＤ素子１から出
射される青色の光と、光源ユニット３ｇにおける複数個
のＧａＮ系ＬＥＤ素子１から出射される緑色の光と、光
源ユニット８における複数個のＬＥＤ素子２から出射さ
れる赤色の光とを感光材料６上の同一位置に正確に照射
することができる。このため、露光後の感光材料に色ず
れが発生することを確実に防止することが可能となる。

【００８９】なお、上述した実施形態においては、光源
ユニット３ｂ、３ｇに各々対応させて一対の波長帯域制
限フィルター７３、７４を配設しているが、これらの波
長帯域制限フィルター７３、７４のうち、いずれか一方
を省略することも可能である。

【００９０】すなわち、例えば、光源ユニット３ｂのＧ
ａＮ系ＬＥＤ素子１から出射された青色の光に対して
は、波長帯域制限フィルター７３を利用してその波長領
域を調整するとともに、光源ユニット３ｇのＧａＮ系Ｌ
ＥＤ素子１から出射された緑色の光に対しては、波長帯
域制限フィルター７４を利用することなく、クロスプリ
ズム７０における第１の誘電体多層膜７１または第２の
誘電体多層膜７２を利用してその波長領域を調整する構
成としてもよい。

【００９１】また、感光材料６における青感層または緑
感層のいずれか一方の感度が他方の感度に比べて極めて
低い場合等においても、これらの波長帯域制限フィルタ
ー７３、７４のうち、いずれか一方を省略することが可
能となる。このような場合においては、青感層または緑
感層のうち感度が低いものは他方の光が多少照射されて
も感光しないことから、感度が低い方の色に対応する波
長帯域制限フィルターのみを使用するようにすればよ
い。例えば、緑感層の感度が低い場合、波長帯域制限フ
ィルター７３を省略可能である。

【００９２】さらに、上述した実施の形態においては、
光源ユニット３ｂにおけるＧａＮ系ＬＥＤ素子１から出
射された青色の光と、光源ユニット３ｇにおけるＧａＮ
系ＬＥＤ素子１から出射された緑色の光と、光源ユニッ
ト８におけるＬＥＤ素子２から出射された赤色の光とを
合成して感光材料６に照射する合成手段としてクロスプ
リズム７０を使用するとともに、波長帯域制限手段とし
て波長帯域制限フィルター７３、７４を使用している。

【００９３】しかしながら、この合成手段および波長帯
域制限手段を、複数個のダイクロイック素子により構成
してもよい。

【００９４】図１５はこのような実施形態に係る光源部
９の要部を示す概要図である。

【００９５】この実施形態においては、上述したクロス
プリズム７０および波長帯域制限フィルター７３、７４
の換わりに、３枚のダイクロイックミラー８１、８２、
８３を使用している。

【００９６】すなわち、この実施形態においては、上述
した青色の光を出射するための光源ユニット３ｂと対向
する位置には、例えば４６０ｎｍより波長の短い光を反
射し、４６０ｎｍより波長の長い光を透過するダイクロ
イックミラー８１が配設されている。このため、光源ユ
ニット３ｂのＧａＮ系ＬＥＤ素子１から出射された青色
の光のうち、図１６示す青感層の感光領域ＳＢと重複す
る波長領域の光はダイクロイックミラー８１により感光
材料６に向けて反射し、緑感層の感光領域ＳＧと重複す
る波長領域の光（図１９に示すハッチングを付した領域
を感光させる波長領域の光）はダイクロイックミラー８
１を透過することになる。

【００９７】また、上述した緑色の光を出射するための
光源ユニット３ｇと対向する位置には、例えば５００ｎ
ｍより波長の長い光を反射し、５００ｎｍより波長の短
い光を透過するダイクロイックミラー８２が配設されて
いる。このため、光源ユニット３ｇのＧａＮ系ＬＥＤ素
子１から出射された緑色の光のうち、図１６に示す緑感
層の感光領域ＳＧと重複する波長領域の光はダイクロイ
ックミラー８２により感光材料６に向けて反射し、青感
層の感光領域ＳＢと重複する波長領域の光（図１８に示
すハッチングを付した領域を感光させる波長領域の光）
はダイクロイックミラーを透過することになる。

【００９８】なお、光源ユニット３ｂのＧａＮ系ＬＥＤ
素子１から出射されダイクロイックミラー８１により感
光材料６に向けて反射した光は、このダイクロイックミ
ラー８２をそのまま透過する。

【００９９】さらに、上述した赤色の光を出射するため
の光源ユニット８と対向する位置には、例えば６００ｎ
ｍより波長の長い光を反射し、６００ｎｍより波長の短
い光を透過するダイクロイックミラー８３が配設されて
いる。このため、光源ユニット８のＬＥＤ素子２から出
射された赤色の光は、ダイクロイックミラー８３により
感光材料６に向けて反射する。

【０１００】なお、光源ユニット３ｂのＧａＮ系ＬＥＤ
素子１から出射されダイクロイックミラー８１により感
光材料６に向けて反射した光と、光源ユニット３ｇのＧ
ａＮ系ＬＥＤ素子１から出射されダイクロイックミラー
８２により感光材料６に向けて反射した光とは、このダ
イクロイックミラー８３をそのまま透過する。

【０１０１】この実施形態に係る画像記録装置において
は、光源ユニット３ｂにおける複数個のＧａＮ系ＬＥＤ
素子１から出射される青色の光、光源ユニット３ｇにお
ける複数個のＧａＮ系ＬＥＤ素子１から出射される緑色
の光、および、光源ユニット８における複数個のＬＥＤ
素子２から出射される赤色の光は、ダイクロイックミラ
ー８１、８２、８３により合成された後、第１実施形態
と同様のリレー光学系６７および結像光学系４を介して
記録ドラム７に巻回された感光材料６上に照射される。
そして、感光材料６における青感層、緑感層および赤感
層は、これらの青色の光、緑色の光および赤色の光によ
り感光する。

【０１０２】このとき、２枚のダイクロイックミラー８
１、８２の作用により、光源ユニット３ｂのＧａＮ系Ｌ
ＥＤ素子１から出射された青色の光のうち緑感層の感光
領域ＳＧと重複しない波長領域の光のみが感光材料６に
到達し、光源ユニット３ｇのＧａＮ系ＬＥＤ素子１から
出射された緑色の光のうち青感層の感光領域ＳＢと重複
しない波長領域の光のみが感光材料６に到達する。この
ため、従来のＬＥＤ素子を利用した画像記録装置におい
て発生する分色混合の発生を防止することができる。

【０１０３】なお、ダイクロイックミラー８１として、
例えば４６０ｎｍより波長の短い光を透過し、４６０ｎ
ｍより波長の長い光を反射する特性を有するものを使用
するとともに、光源ユニット３ｂをダイクロイックミラ
ー８１に対してダイクロイックミラー８２と対象な位置
（ダイクロイックミラー８２から見てダイクロイックミ
ラー８１の裏面側の位置）に配設するようにしてもよ
い。

【０１０４】この場合においては、光源ユニット３ｂの
ＧａＮ系ＬＥＤ素子１から出射された青色の光のうち、
図１６示す青感層の感光領域ＳＢと重複する波長領域の
光は感光材料６に向けてダイクロイックミラー８１を透
過し、緑感層の感光領域ＳＧと重複する波長領域の光
（図１９に示すハッチングを付した領域を感光させる波
長領域の光）はダイクロイックミラー８１により反射さ
れることになる。

【０１０５】さらに、単一のダイクロイックミラー等に
より青色の波長領域の光と緑色の波長領域の光とを分離
する構成ではないため、図２０に示すダイクロイックミ
ラーの反射（透過）強度の傾斜に起因する分色混合の発
生を確実に防止することが可能となる。

【０１０６】なお、上述したダイクロイックミラー８
１、８２、８３に換えて、ダイクロイックプリズムを使
用するようにしてもよい。この場合においては、ダイク
ロイックミラー８１、８２、８３において発生しやすい
非点収差を防止することが可能となる。また、図２およ
び図１４に示す実施形態のようにクロスプリズム７０を
使用した場合においても、同様に、非点収差を防止する
ことが可能となる。

【０１０７】上述した実施形態においては、いずれも、
光源ユニット３ｂにおける複数個のＧａＮ系ＬＥＤ素子
１から出射される青色の光と、光源ユニット３ｇにおけ
る複数個のＧａＮ系ＬＥＤ素子１から出射される緑色の
光と、および、光源ユニット８における複数個のＬＥＤ
素子２から出射される赤色の光とを、クロスプリズム７
０またはダイクロイックミラー８１、８２、８３を利用
して合成した上で、感光材料６に照射する構成となって
いるが、光源ユニット３ｂにおける複数個のＧａＮ系Ｌ
ＥＤ素子１から出射される青色の光と、光源ユニット３
ｇにおける複数個のＧａＮ系ＬＥＤ素子１から出射され
る緑色の光と、光源ユニット８における複数個のＬＥＤ
素子２から出射される赤色の光とを、個別に感光材料６
上に照射するようにしてもよい。

【０１０８】

【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、緑色の
光を出射する第２のＬＥＤ素子と感光材料との間、また
は、青色の光を出射する第３のＬＥＤ素子と感光材料と
の間の少なくとも一方に、特定の波長領域の光のみを通
過させることにより第２のＬＥＤ素子から出射された光
の波長領域と第３のＬＥＤ素子から出射された光の波長
領域が重複することを防止する波長帯域制限手段を配設
したことから、光源としてＬＥＤ素子を使用した場合に
おいても、分色混合の発生を防止することが可能とな
る。

【０１０９】請求項２に記載の発明によれば、波長帯域
制限手段が第２のＬＥＤ素子と感光材料との間、およ
び、第３のＬＥＤ素子と感光材料との間の両方に配設さ
れていることから、設計の自由度を向上させながら、分
色混合の発生を確実に防止することが可能となる。

【０１１０】請求項３に記載の発明によれば、第１のＬ
ＥＤ素子から出射された赤色の光と、第２のＬＥＤ素子
から出射された緑色の光と、第３のＬＥＤ素子から出射
した青色の光とを合成して感光材料に照射する合成手段
を備えることから、合成された光により精度よく画像を
記録することが可能となる。

【０１１１】請求項４に記載の発明によれば、合成手段
がクロスプリズムから構成されていることから、単一の
素子を使用して赤色の光と緑色の光と青色の光とを合成
することができ、また、非点収差の発生を防止すること
が可能となる。

【０１１２】請求項５に記載の発明によれば、緑色の光
を出射する第２のＬＥＤ素子と感光材料との間に配設さ
れた緑色の光を反射する第１のダイクロイック素子と、
青色の光を出射する第３のＬＥＤ素子と感光材料との間
に配設された青色の光を反射または透過する第２のダイ
クロイック素子とを備えたことから、光源としてＬＥＤ
素子を使用した場合においても、分色混合の発生を防止
することが可能となる。

【０１１３】請求項６に記載の発明によれば、緑色の光
を出射する第２のＬＥＤ素子が赤色の光を出射する第１
のＬＥＤ素子および青色の光を出射する第３のＬＥＤ素
子よりも多数配設されていることから、第２のＬＥＤ素
子の露光量不足をその数を増加させることにより補償す
ることが可能となる。

【０１１４】請求項７に記載の発明によれば、前記第
１、第２、第３のＬＥＤ素子の各々に対応させてアパー
チャ部材を配設しているので、そのアパーチャの大きさ
や形状を赤色、緑色、青色の各々の光に必要とされる光
量等に対応させて最適なものに調整することが可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る画像記録装置の斜視図である。

【図２】画像記録装置における光源部９および結像光学
系４等を示す側面概要図である。

【図３】光源ユニット３の構成を示す斜視図である。

【図４】光源ユニット３の構成を示す正面図である。

【図５】ＧａＮ系ＬＥＤ素子１の斜視図である。

【図６】ＧａＮ系ＬＥＤ素子１の三面図である。

【図７】結像光学系４をＧａＮ系ＬＥＤ素子１およびシ
リンドリカルレンズ３３とともに示す平面図である。

【図８】結像光学系４をＧａＮ系ＬＥＤ素子１およびシ
リンドリカルレンズ３３とともに示す側面図である。

【図９】光源ユニット８の構成を示す斜視図である。

【図１０】光源ユニット８の要部を示す正面図である。

【図１１】ＬＥＤ素子２の斜視図である

【図１２】アパーチャプレート６８ｂ、６８ｇ、６８ｒ
の説明図である。

【図１３】他の実施形態に係るアパーチャプレート６８
ｇの説明図である。

【図１４】他の実施形態に係る光源部９および結像光学
系４等を示す側面概要図である。

【図１５】他の実施形態に係る光源部９の要部を示す概
要図である。

【図１６】一般的なカラー画像記録用の感光材料の分光
感度を示す図である。

【図１７】赤色、緑色、青色の光の発光スペクトルを示
す図である。

【図１８】カラー画像記録用の感光材料の分光感度と赤
色、緑色、青色の光の発光スペクトルとを示す図であ
る。

【図１９】カラー画像記録用の感光材料の分光感度と赤
色、緑色、青色の光の発光スペクトルとを示す図であ
る。

【図２０】ダイクロイックミラーの反射（透過）強度を
示す説明図である。

【符号の説明】

１ ＧａＮ系ＬＥＤ素子 ２ ＬＥＤ素子 ３ 光源ユニット ４ 結像光学系 ５ 記録ヘッド ６ 感光材料 ７ 記録ドラム ８ 光源ユニット ９ 光源部 ３３ シリンドリカルレンズ ６７ リレー光学系 ６８ アパーチャプレート ７０ クロスプリズム ７１ 第１の誘電体多層膜 ７２ 第２の誘電体多層膜 ７３ 波長帯域制限フィルター ７４ 波長帯域制限フィルター ７５ アパーチャ ８１、８２、８３ ダイクロイックミラー

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 赤色、緑色、青色の光に各々感光するカ
   ラー画像記録用の感光材料に対し、赤色、緑色、青色の
   光を照射してカラー画像を記録する画像記録装置におい
   て、 赤色の光を出射する第１のＬＥＤ素子と、 緑色の光を出射する第２のＬＥＤ素子と、 青色の光を出射する第３のＬＥＤ素子と、 前記第２のＬＥＤ素子と前記感光材料との間、または、
   前記第３のＬＥＤ素子と前記感光材料との間の少なくと
   も一方に配設され、特定の波長領域の光のみを通過させ
   ることにより、前記第２のＬＥＤ素子から出射された光
   の波長領域と前記第３のＬＥＤ素子から出射された光の
   波長領域が重複することを防止する波長帯域制限手段
   と、 を備えたことを特徴とする画像記録装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の画像記録装置におい
   て、 前記波長帯域制限手段は、前記第２のＬＥＤ素子と前記
   感光材料との間、および、前記第３のＬＥＤ素子と前記
   感光材料との間の両方に配設されている画像記録装置。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２いずれかに記載
   の画像記録装置において、 前記第１のＬＥＤ素子から出射された赤色の光と、前記
   第２のＬＥＤ素子から出射された緑色の光と、前記第３
   のＬＥＤ素子から出射した青色の光とを合成して前記感
   光材料に照射する合成手段を備えた画像記録装置。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の画像記録装置におい
   て、 前記合成手段はクロスプリズムから構成される画像記録
   装置。
5. 【請求項５】 赤色、緑色、青色の光に各々感光するカ
   ラー画像記録用の感光材料に対し、赤色、緑色、青色の
   光を照射してカラー画像を記録する画像記録装置におい
   て、 赤色の光を出射する第１のＬＥＤ素子と、 緑色の光を出射する第２のＬＥＤ素子と、 青色の光を出射する第３のＬＥＤ素子と、 前記第２のＬＥＤ素子と前記感光材料との間に配設され
   た、緑色の光を反射する第１のダイクロイック素子と、 前記第３のＬＥＤ素子と前記感光材料との間に配設され
   た、青色の光を反射または透過する第２のダイクロイッ
   ク素子と、 を備えたことを特徴とする画像記録装置。
6. 【請求項６】 請求項１乃至請求項５いずれかに記載の
   画像記録装置において、 前記第２のＬＥＤ素子が、前記第１のＬＥＤ素子および
   前記第３のＬＥＤ素子よりも多数配設されている画像記
   録装置。
7. 【請求項７】 請求項１乃至請求項６いずれかに記載の
   画像記録装置において、 前記第１、第２、第３のＬＥＤ素子の各々に対応させて
   アパーチャ部材を配設した画像記録装置。