JPH0423152U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0423152U JPH0423152U JP6319490U JP6319490U JPH0423152U JP H0423152 U JPH0423152 U JP H0423152U JP 6319490 U JP6319490 U JP 6319490U JP 6319490 U JP6319490 U JP 6319490U JP H0423152 U JPH0423152 U JP H0423152U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- emitting diode
- light emitting
- center
- bonding surface
- Prior art date
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- Pending
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- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 5
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Description
第１図は本考案による第１実施例を説明するた
めの発光ダイオード構造の斜視図、第２図は第１
実施例の発光ダイオードの光取り出し効果説明図
、第３図は第２実施例を説明するための発光ダイ
オード構造の斜視図、第４図は第２実施例の発光
ダイオードの光取出し効果の説明図、第５図は従
来の発光ダイオードチツプ構造の斜視図、第６図
はメサ形成型の従来発光ダイオード構造の斜視図
、第７図は従来発光ダイオードの光取り出し角の
説明図である。 １は表面電極、２はｎ型ＧａＡｌＡｓ層、３は
ｐ型ＧａＡｌＡｓ層、４はｐ型ＧａＡｓ基板、５
は裏面電極、６は発光部、７は端面、８は接合面
、９は軸芯、１０は光取出し面である。
めの発光ダイオード構造の斜視図、第２図は第１
実施例の発光ダイオードの光取り出し効果説明図
、第３図は第２実施例を説明するための発光ダイ
オード構造の斜視図、第４図は第２実施例の発光
ダイオードの光取出し効果の説明図、第５図は従
来の発光ダイオードチツプ構造の斜視図、第６図
はメサ形成型の従来発光ダイオード構造の斜視図
、第７図は従来発光ダイオードの光取り出し角の
説明図である。 １は表面電極、２はｎ型ＧａＡｌＡｓ層、３は
ｐ型ＧａＡｌＡｓ層、４はｐ型ＧａＡｓ基板、５
は裏面電極、６は発光部、７は端面、８は接合面
、９は軸芯、１０は光取出し面である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ 少なくとも接合面に平行方向に光を取り出す
発光ダイオードにおいて、 接合面に垂直な光取り出し端面を、軸芯が発光
中心とほぼ一致する円筒面状に形成したことを特
徴とする発光ダイオード。 ２ 接合面に垂直方向および平行方向に光を取り
出す発光ダイオードにおいて、 光取り出し面を、中心が発光中心とほぼ一致す
る半球面状に形成したことを特徴とする発光ダイ
オード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6319490U JPH0423152U (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6319490U JPH0423152U (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0423152U true JPH0423152U (ja) | 1992-02-26 |
Family
ID=31593027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6319490U Pending JPH0423152U (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0423152U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002076435A (ja) * | 2000-09-05 | 2002-03-15 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 半導体発光素子 |
-
1990
- 1990-06-14 JP JP6319490U patent/JPH0423152U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002076435A (ja) * | 2000-09-05 | 2002-03-15 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 半導体発光素子 |