JPS63164265U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS63164265U JPS63164265U JP5728787U JP5728787U JPS63164265U JP S63164265 U JPS63164265 U JP S63164265U JP 5728787 U JP5728787 U JP 5728787U JP 5728787 U JP5728787 U JP 5728787U JP S63164265 U JPS63164265 U JP S63164265U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- multilayer structure
- structure layer
- semiconductor laser
- cleavage surfaces
- electrodes
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 claims 3
- 230000007017 scission Effects 0.000 claims 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Description
第１図は本考案の半導体レーザチツプの斜視図
、第２図及び第３図はその製造工程を説明する斜
視図である。 １，２……電極、３……多層構造層、４……ガ
リウム・アルミニウムひ素層、５……発光部、６
，７……へき解面。
、第２図及び第３図はその製造工程を説明する斜
視図である。 １，２……電極、３……多層構造層、４……ガ
リウム・アルミニウムひ素層、５……発光部、６
，７……へき解面。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 ２つの電極と、２つの該電極の間に形成された
所定材料よりなる多層構造層と、該多層構造層の
レーザ光を出力する２つの第１のへき解面と、該
多層構造層の該レーザ光を出力しない２つの第２
のへき解面とを備える半導体レーザチツプを所定
の基板上に固定した半導体レーザ装置において、 ２つの該第１のへき解面と２つの該第２のへき
解面はいずれも所定の材料により表面処理が施さ
れるとともに、外気に直接触れていることを特徴
とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5728787U JPS63164265U (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5728787U JPS63164265U (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63164265U true JPS63164265U (ja) | 1988-10-26 |
Family
ID=30886860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5728787U Pending JPS63164265U (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63164265U (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51120690A (en) * | 1975-04-16 | 1976-10-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing method for semiconductor apparatus |
| JPS5635316A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-08 | Kurata Denshi Kk | Method of manufacturing electric contacts |
| JPS59211292A (ja) * | 1983-05-16 | 1984-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
-
1987
- 1987-04-15 JP JP5728787U patent/JPS63164265U/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51120690A (en) * | 1975-04-16 | 1976-10-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing method for semiconductor apparatus |
| JPS5635316A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-08 | Kurata Denshi Kk | Method of manufacturing electric contacts |
| JPS59211292A (ja) * | 1983-05-16 | 1984-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |