JPS59211292A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体レーザ装置、特に高出力半導体レーザ
装置に関するものである。

従来例の構成とその問題点 第１図は、従来の半導体レーザ装置を示しており、１は
活性層、２はキャビティ端面に形成したＳ　ｘ　０２膜
、３はＳ　１０２膜２の表面に形成したＡｕ膜、４，５
は電極である。

このような従来の半導体レーザにおいて、高出力を得る
方法として、第１図に示すように、半導体レーザの二つ
のキャビテイ面の一方にのみＳ　ｚ０２゜膜２およびＡ
ｕの膜３を耐着する方法が行われている。しかしながら
、半導体レーザをＣＷ発振させるためには、活性領域１
は薄くし々ければならないので、ある程度（〜０．２μ
ｍ）までしか厚くできず、従って取シ出せる出力には限
度がある。

発明の目的 本発明は、前記欠点を除去し、高出力を容易に取り出す
ことができる半導体レーザ装置を提供することを目的と
する。

発明の構成 前記目的を達成するために、本発明の半導体レーザ装置
は、活性層のキャビテイ面および側面が絶縁膜でおおわ
れ、さらにその上に金属膜が付着されるとともに、前記
キャビテイ面の一方に付着された金属膜の一部が除去さ
れて構成されていも実施例の説明 以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。

なお、従来例を示す第１図と同一箇所には同一番号を付
している。

第２図は本発明の半導体レーザ装置の一実施例の斜視図
である−。レーザ素子１ｏのキャビテイ面と側面にスパ
ッタリングにより　８１０２膜２を厚さ２６００人だけ
付着する。さらに一方のキャビテイ面の８１０２膜２の
表面に、直径５μｍのワイアを載置して、Ｓ　１０２２
の上にＡｕ　を蒸着する。蒸着後、前記ワイアを取シ除
くと、キャビテイ面の一方に窓６が形成されたＡｕ膜３
が形成される。

この構造の半導体レーザ装置はキャビテイ面および側面
の四面がＡｕ　でおおわれているので、光は多重共振し
、低しきい値で発振する。そしてその発振光は一つの窓
６を通してのみ取り出される。

この構造によりしきい値を低くすることができるので、
活性層１の厚さを１〜２μｍＫｔで大きくしても、容易
にＣＷ全発振得ることができる。したがって、活性層の
厚さを厚くすれば高密度出力にも耐えられるので、高出
力室温ＣＷ発振が容易に得られる。

第３図は、活性層の厚さを２μｍとして構成された本発
明のレーザ装置の電流−出力特性（−）を、活性層の厚
さが０．２μｍの第１図の構成の半導体レーザ装置の特
性（ｂ）と比較して示した図である。

しきい値ｂｃはほとんど変らないが、最大出力は、α発
振で５００ｍＷ以上得ることができ、従来の半導体レー
ザの１０倍以上の出力が得られる。

また、本発明の半導体レーザは、５０℃、３００ｍＷで
６００Ｈ以上のＣＷ全発振再現性よく実現した。

発明の効果 本発明の半導体レーザ装置は、キャビテイ面および側面
がＡｕ膜で囲１れているので、光が多重共振を起こし、
しきい値電流がきわめて低くなる。

また活性層の厚さを大きくすることにより、容易に高出
力を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来の半導体レーザ装置の側面図、第２図は
、本発明の実施例の半導体レーザ装置の斜視図、第３図
は本発明（ａ）と従来例（ｂ）の電流−出力特性を示す
図である。 １・・・・・・活性層、４，６・・・・・・電極、２・
・印−５ｉＯ２膜、３・・・・・・Ａｕ膜、６・・・・
・・窓。 第１図 第３図 ｔｈ 丁　　　［ｍハ１

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 活性層の側面およびキャビテイ面が絶縁膜でお付着され
   たことを特徴とする半導体レーザ装置。