JPS60146145A - 酸素電極 - Google Patents
酸素電極Info
- Publication number
- JPS60146145A JPS60146145A JP59002464A JP246484A JPS60146145A JP S60146145 A JPS60146145 A JP S60146145A JP 59002464 A JP59002464 A JP 59002464A JP 246484 A JP246484 A JP 246484A JP S60146145 A JPS60146145 A JP S60146145A
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- JP
- Japan
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- electrode
- oxygen
- cathode
- electrolyte
- substrate
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/404—Cells with anode, cathode and cell electrolyte on the same side of a permeable membrane which separates them from the sample fluid, e.g. Clark-type oxygen sensors
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Pathology (AREA)
- Electrodes For Compound Or Non-Metal Manufacture (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、酸素電極に関する。更に詳しくは、クラーク
型酸素電極に関する。
型酸素電極に関する。
内部電解液を蓄えたガラス管などの容器開口部に内部電
極カソードを設け、更にこれを酸素透過膜で覆ってなる
クラーク型酸素電極は、バイオセンサーの信号変換素子
として多く用いられているが、内部電解液を含む電極系
を酸素透過膜で被覆しなければならないという構造上の
制約から、それの小型化が困難であった。
極カソードを設け、更にこれを酸素透過膜で覆ってなる
クラーク型酸素電極は、バイオセンサーの信号変換素子
として多く用いられているが、内部電解液を含む電極系
を酸素透過膜で被覆しなければならないという構造上の
制約から、それの小型化が困難であった。
かかる構造上の制約を伴なうクラーク型酸素電極を小型
化するための一つの提案が行われており（信学技報第８
２巻第２９７号第１４５〜１５０頁、１９８２）、この
提案によれば、第１図に示される如き断面を有するクラ
ーク型酸素電極が、第２図（ａ）〜（１）に示されるよ
うな工程を経て製造される下部Ｓ１ウエハを用いて組立
てられる。
化するための一つの提案が行われており（信学技報第８
２巻第２９７号第１４５〜１５０頁、１９８２）、この
提案によれば、第１図に示される如き断面を有するクラ
ーク型酸素電極が、第２図（ａ）〜（１）に示されるよ
うな工程を経て製造される下部Ｓ１ウエハを用いて組立
てられる。
（工程ａ）下部Ｓ１ウエハｌの熱酸化により、その上下
両面に厚さ１．３１１ｍ （Ｄ ５ｉｎ２屑２゜２′を
形成させる （工程ｂ）上面８１０２層の窓開けを行なう（工程Ｃ）
１０％ＫＯ）Ｉを用い、８０℃で８１異方性エツチング
を行ない、内部電解液を蓄 える溝部分を形成させる （工程ｄ）Ｓｉ異方性エツチングされたものの窓開けを
行なう （工程ｅ）再び１０％ＫＯ！（，８０℃の条件下で８１
異方性エツチングを行ｙ；（い、アノードのＡｇメッキ
層の厚さく約５０μｐｎ）の分だけ予めｓ１ウェハを堀
り下げ、酸 素透過膜とＡｕカソードの間隙を狭く 保ち、それにより応答速度を速くする ようにする （工程ｆ）再度Ｓ１異方性エツチングされたものについ
て熱酸化を行ない、エツチング 面に厚さ０．６μｍの５１０２層３を形成させる （工程ｇ）図示された位置に、真空蒸着法により０ｒ−
Ａｕカソード４およびＯｒ＝Ａｇ了ノード５を形成させ
る （工程ｈ）所望の寸法にカットする （工程土）アノードにＡｇメツキロを施ず（工程ｊ）同
様に、上部Ｓ１ウエハ７について、−辺の長さが約４０
０μｍの正方形の孔８を８１異方形エツチングにより設
け、全面的にＳｉＯ□層９を形成させる（第１図参照） （工程ｋ）このように加工された下部ウェハー１と上部
ウェハー７とを、テフロン膜な どの酸素透過膜１０を介して積み重ね、この換の下の部
分にＩＭ ＫＯＨ水溶液のような内部電解液１１を蓄え
ると共に、その周囲をエポキシ樹脂などでシール １２する（第１図参照） このようにして組立てられる酸素電極には、次のような
難点がみられる。
両面に厚さ１．３１１ｍ （Ｄ ５ｉｎ２屑２゜２′を
形成させる （工程ｂ）上面８１０２層の窓開けを行なう（工程Ｃ）
１０％ＫＯ）Ｉを用い、８０℃で８１異方性エツチング
を行ない、内部電解液を蓄 える溝部分を形成させる （工程ｄ）Ｓｉ異方性エツチングされたものの窓開けを
行なう （工程ｅ）再び１０％ＫＯ！（，８０℃の条件下で８１
異方性エツチングを行ｙ；（い、アノードのＡｇメッキ
層の厚さく約５０μｐｎ）の分だけ予めｓ１ウェハを堀
り下げ、酸 素透過膜とＡｕカソードの間隙を狭く 保ち、それにより応答速度を速くする ようにする （工程ｆ）再度Ｓ１異方性エツチングされたものについ
て熱酸化を行ない、エツチング 面に厚さ０．６μｍの５１０２層３を形成させる （工程ｇ）図示された位置に、真空蒸着法により０ｒ−
Ａｕカソード４およびＯｒ＝Ａｇ了ノード５を形成させ
る （工程ｈ）所望の寸法にカットする （工程土）アノードにＡｇメツキロを施ず（工程ｊ）同
様に、上部Ｓ１ウエハ７について、−辺の長さが約４０
０μｍの正方形の孔８を８１異方形エツチングにより設
け、全面的にＳｉＯ□層９を形成させる（第１図参照） （工程ｋ）このように加工された下部ウェハー１と上部
ウェハー７とを、テフロン膜な どの酸素透過膜１０を介して積み重ね、この換の下の部
分にＩＭ ＫＯＨ水溶液のような内部電解液１１を蓄え
ると共に、その周囲をエポキシ樹脂などでシール １２する（第１図参照） このようにして組立てられる酸素電極には、次のような
難点がみられる。
（１）Ａｕカソードの電極面積が酸素透過膜面積と比較
して小さいこと （２） Ａｕカソードと酸素透過膜との間の間隔を狭く
するために、下部Ｓ１ウエハ基板に対し５１１４方性エ
ツチング全２回行わなければならないこと（３）前記工
程ｆにより凹凸面が形成された下部Ｓ１ウエハ基板に対
し、電極として互いに累なる２種類の金属パターンを形
成させなければならないこと この場合、金属パターンを形成させるための真空蒸着は
、基板の蒸着不要部分を金属板などで依って蒸着全行ｔ
Ｃうマスク法が有効であるが、この方法ではマスキング
が凹凸面の形状によって類推であるばかりで番まなく、
蒸着膜の密着性もよくないという問題がある。
して小さいこと （２） Ａｕカソードと酸素透過膜との間の間隔を狭く
するために、下部Ｓ１ウエハ基板に対し５１１４方性エ
ツチング全２回行わなければならないこと（３）前記工
程ｆにより凹凸面が形成された下部Ｓ１ウエハ基板に対
し、電極として互いに累なる２種類の金属パターンを形
成させなければならないこと この場合、金属パターンを形成させるための真空蒸着は
、基板の蒸着不要部分を金属板などで依って蒸着全行ｔ
Ｃうマスク法が有効であるが、この方法ではマスキング
が凹凸面の形状によって類推であるばかりで番まなく、
蒸着膜の密着性もよくないという問題がある。
密着性のよい方法としては、スパッタリング法があるが
、この方法は蒸着物質のまわり込みが著しく、従って上
記のようなマスク法は使用できず、蒸着膜をフォトエツ
チングでパターニングする必要がある。しかるに、この
方法では、同一基板上に異なる２種の金属パターンを形
成させるためには、フォトエツチング工程を著しく増や
さなければならず、換言すれば工程数を少なくして密着
性のよい電極を形成させることは困難であるといえる。
、この方法は蒸着物質のまわり込みが著しく、従って上
記のようなマスク法は使用できず、蒸着膜をフォトエツ
チングでパターニングする必要がある。しかるに、この
方法では、同一基板上に異なる２種の金属パターンを形
成させるためには、フォトエツチング工程を著しく増や
さなければならず、換言すれば工程数を少なくして密着
性のよい電極を形成させることは困難であるといえる。
こうした問題は、根本的には同一基板上にアノードおよ
びカソードの両電極を形成させなければならないことに
原因すると考えることができる。
びカソードの両電極を形成させなければならないことに
原因すると考えることができる。
そこで、本発明者らは、それぞれ異なる基板上に７ノー
ド電極およびカソードＴｔＬ極金形成させることを検討
した結果、効率的に目的とする酸素電極が得られること
を見出した。
ド電極およびカソードＴｔＬ極金形成させることを検討
した結果、効率的に目的とする酸素電極が得られること
を見出した。
従って、本発明は酸素電極に係り、この酸素電極は、Ｓ
ｉ異方性エツチングにより８１基板上に溝を形成し、そ
こに内部電解液金蓄え、更にこれを酸素透過膜て楓って
７；（るクラーク型＠素電極において、アノード電極を
８１基板側または酸素透過膜の電解液側に、またこれに
対応してカソード電極全酸素透過膜の電解液側または８
１基板側にそれぞれ形成せしめてなる。
ｉ異方性エツチングにより８１基板上に溝を形成し、そ
こに内部電解液金蓄え、更にこれを酸素透過膜て楓って
７；（るクラーク型＠素電極において、アノード電極を
８１基板側または酸素透過膜の電解液側に、またこれに
対応してカソード電極全酸素透過膜の電解液側または８
１基板側にそれぞれ形成せしめてなる。
図面の第３図−１本発明に係るクラーク型酸素電極の一
態様ｒ示す断面図であり、それは第４図（ａ）〜（ｆ）
に示されるような工程企経て製造される下部Ｓ１ウエハ
を用いて組立てられる。
態様ｒ示す断面図であり、それは第４図（ａ）〜（ｆ）
に示されるような工程企経て製造される下部Ｓ１ウエハ
を用いて組立てられる。
（工程ａ）下部Ｓ１ウエハ１の熱酸化により、その上下
両面に厚さ１．３μｍの５ｉｎ２層２．２′を形成させ
る （工程ｂ）上面５１ＮＪの窓開けを行なう（工程Ｃ）４
４％ＫＯＨを用い、８０℃で８１異方性エツチングを行
ない、内部電解液を蓄 える溝部分を形成させる （工程ｄ）再び熱酸化を行ない、エツチング面に厚さ０
．６μｍのＳ ｉ Ｏ２層１３を形成させる（工程θ）
約１００μｍの深さにエツチングされた海部分に、Ｏｒ
Ａｇアノード１４’ｔ ＯｒおよびＡｇを順次スパッ
タリング（真 空度６ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒｒ ）することにより形成
させる 〔スパッタ条件〕 Ｏｒ： スパッタエツチング ３０Ｗ−１０分間スパッ
タリング １４０Ｗ−２０分間 厚さ ０．３〜０．６μ？ＩＺ Ａｈ； スパッタエツチング ａｏｗ−３３Ｍ４ｊスパ
ツタリング ８０Ｗ−３０分間 厚さ １．０〜１．３μｍ スパッタリング後、フォトエツチング によりＯｒ −Ａ ｇ被膜をアノード電極形状にバター
ニングする （工程ｆ）所望の寸法にカットする （工程ｇ）同様に、上部Ｓ１ウエハ７について、正方形
の孔８を８１異方性エツチング により設け、全面的に８１０２層９を形成させる（第３
図参照） （工Ｈｈ）このように加工された下部ウェハ１と上部ウ
ェハ７とを、一方の面側にＡｕ カソード１５をスパッタリング（真空 度６ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒｒ ）により形成さセたテフ
ロン膜などの酸素ゐ過膜１０を介 し、Ａｕカソード側を下向きにして積 み正ね、このＡｕカソードの下の部分 にＩＭ ＫＯＨ水溶液のような内部電解液１１を蓄える
と共に、その周囲にエポ キシ樹脂などでシール１２する 〔スパッタ条件〕 Ａｕ： スパッタエツチング ２ｏｗ−ａ分間スパッタ
リング ８０Ｗ−３０分間 厚さ ７５０人 なお、スパッタリングにより形成され るＡｕカソードの形状は、全面的また は部分的に形成させることができ、部 分的な形状の形成は、格子状、ジグザ グ状、くシ状など任意の形状にバター ニングすることにより行われ、この場 合には酸素透過膜のｅｐ／素Ｊ３過度を向上させる このようにして組立てられた本発明の酸素電極がバイオ
センサーの信号変換素子として用いられた場合、被測定
系中の酸素は酸素透過膜を透過してＡｕカソードに達す
る。そこで、予めアノード−カソード間に適当な′屯田
（〜−０．７Ｖ）を印加しておくと、カソードに達した
酸素分子は次式のように還元され、電極糸の゛ｒｆｉ流
値が変化づ−る。このときの電流値の変化社は、被測定
糸中の酸素濃度に比例するため、こｉＬにより酸素濃度
の測定を行なうことができる。
両面に厚さ１．３μｍの５ｉｎ２層２．２′を形成させ
る （工程ｂ）上面５１ＮＪの窓開けを行なう（工程Ｃ）４
４％ＫＯＨを用い、８０℃で８１異方性エツチングを行
ない、内部電解液を蓄 える溝部分を形成させる （工程ｄ）再び熱酸化を行ない、エツチング面に厚さ０
．６μｍのＳ ｉ Ｏ２層１３を形成させる（工程θ）
約１００μｍの深さにエツチングされた海部分に、Ｏｒ
Ａｇアノード１４’ｔ ＯｒおよびＡｇを順次スパッ
タリング（真 空度６ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒｒ ）することにより形成
させる 〔スパッタ条件〕 Ｏｒ： スパッタエツチング ３０Ｗ−１０分間スパッ
タリング １４０Ｗ−２０分間 厚さ ０．３〜０．６μ？ＩＺ Ａｈ； スパッタエツチング ａｏｗ−３３Ｍ４ｊスパ
ツタリング ８０Ｗ−３０分間 厚さ １．０〜１．３μｍ スパッタリング後、フォトエツチング によりＯｒ −Ａ ｇ被膜をアノード電極形状にバター
ニングする （工程ｆ）所望の寸法にカットする （工程ｇ）同様に、上部Ｓ１ウエハ７について、正方形
の孔８を８１異方性エツチング により設け、全面的に８１０２層９を形成させる（第３
図参照） （工Ｈｈ）このように加工された下部ウェハ１と上部ウ
ェハ７とを、一方の面側にＡｕ カソード１５をスパッタリング（真空 度６ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒｒ ）により形成さセたテフ
ロン膜などの酸素ゐ過膜１０を介 し、Ａｕカソード側を下向きにして積 み正ね、このＡｕカソードの下の部分 にＩＭ ＫＯＨ水溶液のような内部電解液１１を蓄える
と共に、その周囲にエポ キシ樹脂などでシール１２する 〔スパッタ条件〕 Ａｕ： スパッタエツチング ２ｏｗ−ａ分間スパッタ
リング ８０Ｗ−３０分間 厚さ ７５０人 なお、スパッタリングにより形成され るＡｕカソードの形状は、全面的また は部分的に形成させることができ、部 分的な形状の形成は、格子状、ジグザ グ状、くシ状など任意の形状にバター ニングすることにより行われ、この場 合には酸素透過膜のｅｐ／素Ｊ３過度を向上させる このようにして組立てられた本発明の酸素電極がバイオ
センサーの信号変換素子として用いられた場合、被測定
系中の酸素は酸素透過膜を透過してＡｕカソードに達す
る。そこで、予めアノード−カソード間に適当な′屯田
（〜−０．７Ｖ）を印加しておくと、カソードに達した
酸素分子は次式のように還元され、電極糸の゛ｒｆｉ流
値が変化づ−る。このときの電流値の変化社は、被測定
糸中の酸素濃度に比例するため、こｉＬにより酸素濃度
の測定を行なうことができる。
０＋２ＨＯ＋４θ−一→４０Ｈ一
本発明に係るクラーク型酸素＠極は、小型化されており
、なお次のような特徴を有する。
、なお次のような特徴を有する。
（］）酸素透過膜側にカソードを形成させているので、
酸素透過膜とカソードとの間の間隔を狭くするためのＳ
ｉ異方性エツチング工程が不要となり、ｓ１％方性エツ
チングは一回だけでよい（２）電極形成時、下部Ｓ１ウ
ニ八基板にはアノードのみを形成すればよく、このため
電極面形成のための蒸着法としてスパッタリングを用い
ることカ可能であり、フォトエツチングによるｇ極部分
のバターニングも一回でよい （３）酸素透過膜の電解液側全面にカソードを形成させ
ることが可能なので、酸素透過膜面積に対するカソード
面位の割合を最大とすることができ、゛また酸素透過膜
に直接カソードが形成されているので、信号変換素子と
しての応答速度が大きい（４）逆に、下部Ｓ１ウエハ基
板側にカソードを、また酸素凸過膜の電解液側にアノー
ドを形成させることもできる 上記のようにして製作された酸素電極を用い、センサー
窓付近の温Ｉ！１２４℃で−０，４Ｖの電圧をそこに印
加しながら、空気中でノズルから窒素ガスと酸素ガスと
を交互に吹き付け、そのときの電流値の変化番電圧値の
変化として測定したところ、第５図のグラフに示される
如く、最大出力３４０ ｍＶの値から電流値として６８
０ ｎＡの信号変化（Ｎ２→０２）が得られ、また立上
り応答速度（Ｎ２→０２）は、９５％応答詩間が約４〜
５秒間であることがグラフから読みとれｆｒ−。
酸素透過膜とカソードとの間の間隔を狭くするためのＳ
ｉ異方性エツチング工程が不要となり、ｓ１％方性エツ
チングは一回だけでよい（２）電極形成時、下部Ｓ１ウ
ニ八基板にはアノードのみを形成すればよく、このため
電極面形成のための蒸着法としてスパッタリングを用い
ることカ可能であり、フォトエツチングによるｇ極部分
のバターニングも一回でよい （３）酸素透過膜の電解液側全面にカソードを形成させ
ることが可能なので、酸素透過膜面積に対するカソード
面位の割合を最大とすることができ、゛また酸素透過膜
に直接カソードが形成されているので、信号変換素子と
しての応答速度が大きい（４）逆に、下部Ｓ１ウエハ基
板側にカソードを、また酸素凸過膜の電解液側にアノー
ドを形成させることもできる 上記のようにして製作された酸素電極を用い、センサー
窓付近の温Ｉ！１２４℃で−０，４Ｖの電圧をそこに印
加しながら、空気中でノズルから窒素ガスと酸素ガスと
を交互に吹き付け、そのときの電流値の変化番電圧値の
変化として測定したところ、第５図のグラフに示される
如く、最大出力３４０ ｍＶの値から電流値として６８
０ ｎＡの信号変化（Ｎ２→０２）が得られ、また立上
り応答速度（Ｎ２→０２）は、９５％応答詩間が約４〜
５秒間であることがグラフから読みとれｆｒ−。
第１ｒＡは、公知技術におけるクラーク型酸素電極の断
面図であり、第２図はそれの組立てに用いられる下部Ｓ
１ウエハの製造工程を示している。 第３図は、本発明に係るクラーク型酸素電極の一態様の
断面図であり、第４図はそれの組立てに用いられる下部
Ｓ１ウエハの製造工程を示している。 また、第５図は、本発明クラーク型酸素電極の信号検ａ
＋′ｆｃ経時的な電圧値の変化として示したグラフであ
る。 （符号の説明） １・・・・・・・・・・・・・・・下部Ｓ１ウエハ２．
３・・・…５１ｏ２Ｉ曽 ４・・・・・・・・・・・・・・・カソード電極５・・
・・・・・・・・・・・・・アノード電極６・・・・・
・・・・・・・・・・メッキ９・…聞用曲５ｉｎ２層 １０・・・・・・・・・・・・・・・酸素透過膜１１・
・・・・・・・・・・・・・・内部電解液１３・・・・
・曲・曲・５ｉｎ２Ｊ皆 １４・・・・・・・・・・・・・・・アノード電極１５
・川・・・・・・・・・・・カッ−ド電極代理人 弁理士 吉 １）俊 夫 第１図 （ｂ） ＝＝：：：コ （ｅ）■二ｙＸゴｙ （ｈ） Ｃコ０：コ （１）ごｙｆり 第３図 第４図 （ｅ） ｌ：ｍシｅ （ｆ） Ｉ：シピコ
面図であり、第２図はそれの組立てに用いられる下部Ｓ
１ウエハの製造工程を示している。 第３図は、本発明に係るクラーク型酸素電極の一態様の
断面図であり、第４図はそれの組立てに用いられる下部
Ｓ１ウエハの製造工程を示している。 また、第５図は、本発明クラーク型酸素電極の信号検ａ
＋′ｆｃ経時的な電圧値の変化として示したグラフであ
る。 （符号の説明） １・・・・・・・・・・・・・・・下部Ｓ１ウエハ２．
３・・・…５１ｏ２Ｉ曽 ４・・・・・・・・・・・・・・・カソード電極５・・
・・・・・・・・・・・・・アノード電極６・・・・・
・・・・・・・・・・メッキ９・…聞用曲５ｉｎ２層 １０・・・・・・・・・・・・・・・酸素透過膜１１・
・・・・・・・・・・・・・・内部電解液１３・・・・
・曲・曲・５ｉｎ２Ｊ皆 １４・・・・・・・・・・・・・・・アノード電極１５
・川・・・・・・・・・・・カッ−ド電極代理人 弁理士 吉 １）俊 夫 第１図 （ｂ） ＝＝：：：コ （ｅ）■二ｙＸゴｙ （ｈ） Ｃコ０：コ （１）ごｙｆり 第３図 第４図 （ｅ） ｌ：ｍシｅ （ｆ） Ｉ：シピコ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｆ３ｊ−異方性エツチングにより８１基板上に溝を
形成し、そこに内部電解液ｆ：蓄え、更にこれを酸素透
過膜で覆ってなるクラーク型酸素電極において、アノー
ド電極をＳｉ基板側または酸素透過膜の電解液側に、ま
たこれに対応してカソード電極を酸素透過膜の電解液側
またはＳｉ基板側にそれぞれ形成せしめた酸素電極。 ２、アノード電極およびカソード電極をそれぞれスパッ
タリングにより形成させた特許請求の範囲第１項記載の
酸素電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59002464A JPS60146145A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | 酸素電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59002464A JPS60146145A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | 酸素電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60146145A true JPS60146145A (ja) | 1985-08-01 |
Family
ID=11530022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59002464A Pending JPS60146145A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | 酸素電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60146145A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63238548A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-04 | Masao Karube | 酸素電極 |
| JPS63238549A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-04 | Masao Karube | マイクロバイオセンサ |
| EP0299778A2 (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-18 | Sri International | Microelectrochemical sensor and sensor array |
| EP0299779A2 (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-18 | Sri International | Fast response time microsensors for gaseous and vaporous species |
-
1984
- 1984-01-10 JP JP59002464A patent/JPS60146145A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63238548A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-04 | Masao Karube | 酸素電極 |
| JPS63238549A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-04 | Masao Karube | マイクロバイオセンサ |
| JPH0584860B2 (ja) * | 1987-03-27 | 1993-12-03 | Masao Karube | |
| EP0299778A2 (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-18 | Sri International | Microelectrochemical sensor and sensor array |
| EP0299779A2 (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-18 | Sri International | Fast response time microsensors for gaseous and vaporous species |
| JPS6488245A (en) * | 1987-07-15 | 1989-04-03 | Stanford Res Inst Int | Ready response microsensor for gaseous and vaporous object |
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