JPS6073448A - 雰囲気センサ - Google Patents
雰囲気センサInfo
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- JPS6073448A JPS6073448A JP18273383A JP18273383A JPS6073448A JP S6073448 A JPS6073448 A JP S6073448A JP 18273383 A JP18273383 A JP 18273383A JP 18273383 A JP18273383 A JP 18273383A JP S6073448 A JPS6073448 A JP S6073448A
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- semiconductor
- vacuum
- intermediate layer
- film
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、電圧−電流特性が非直線性を有し、特に真空
度の測定に適した雰囲気センサに関づる。
度の測定に適した雰囲気センサに関づる。
従来、単結晶の酸化物半導体と金属との接合による素子
がダイオード特性を右り−ることか知られている。また
、この素子をカス、例えば水素に接触さけた場合、その
ダイオード特性が変化しガス成分の検知が可能であるこ
とも知られている。
がダイオード特性を右り−ることか知られている。また
、この素子をカス、例えば水素に接触さけた場合、その
ダイオード特性が変化しガス成分の検知が可能であるこ
とも知られている。
第１図はこのような（，１１来素子を示ｉ１′概略イδ
成図で、図中１はＺ「〕０の単結晶、２（Ｊ、金属薄膜
電極であり通常蒸着法により取付【）られている。３゜
３はリードであり、通常リート３と半導体１とはＡ−ム
性接触となっている。この素子の電圧−電流特性は第２
図に実線で示す−如くダイオード特性を有している。ま
た、微開のカスが混入した場合、その特性が第２図中破
線に示ター如くなり、これからガス検知が可能であるこ
とが判る。
成図で、図中１はＺ「〕０の単結晶、２（Ｊ、金属薄膜
電極であり通常蒸着法により取付【）られている。３゜
３はリードであり、通常リート３と半導体１とはＡ−ム
性接触となっている。この素子の電圧−電流特性は第２
図に実線で示す−如くダイオード特性を有している。ま
た、微開のカスが混入した場合、その特性が第２図中破
線に示ター如くなり、これからガス検知が可能であるこ
とが判る。
しかしながら、この種の素子を雰囲気センサとして用い
る場合、基板上で酸化物の単結晶を得ることが極めて困
難であること、シリコン半導体との結合によるデバイス
の小形化が−Ｃきない等の欠点を有しており、実用的で
はなかった。
る場合、基板上で酸化物の単結晶を得ることが極めて困
難であること、シリコン半導体との結合によるデバイス
の小形化が−Ｃきない等の欠点を有しており、実用的で
はなかった。
一方、最近の薄膜技術は急速な進歩を遂げており、その
技術のかかる分野への応用が試みられている。その−例
として、絶縁性基板上に一対の電極を形成し、その上に
薄膜状酸、化物半導体を通常の薄膜作成技術で形成した
素子がある。このような素子は、半導体自体の抵抗値の
変化を読取るセンサであり（いわゆる半導１本式ガスレ
ンＶ）１、半導体を２００〜３００ ［℃］程度に加熱
づる必要がある。さらに、真空度に対しては感度を示さ
ないものであった。また、この種の薄膜素子において、
金属電極とＴ ｉ ０２との間でショットキー・バリア
を形成し、Ｈ２等の雰囲気中でのダイオード特の変化を
測定する試みもある。しかしながら、良好なバリアを形
成するためには５００ ［℃］程度の高温処理が必要で
゛あり、工程の増加、半導体基板上への一体化が不可能
なこと等から雰囲気センサとしての実用の点で問題があ
った。
技術のかかる分野への応用が試みられている。その−例
として、絶縁性基板上に一対の電極を形成し、その上に
薄膜状酸、化物半導体を通常の薄膜作成技術で形成した
素子がある。このような素子は、半導体自体の抵抗値の
変化を読取るセンサであり（いわゆる半導１本式ガスレ
ンＶ）１、半導体を２００〜３００ ［℃］程度に加熱
づる必要がある。さらに、真空度に対しては感度を示さ
ないものであった。また、この種の薄膜素子において、
金属電極とＴ ｉ ０２との間でショットキー・バリア
を形成し、Ｈ２等の雰囲気中でのダイオード特の変化を
測定する試みもある。しかしながら、良好なバリアを形
成するためには５００ ［℃］程度の高温処理が必要で
゛あり、工程の増加、半導体基板上への一体化が不可能
なこと等から雰囲気センサとしての実用の点で問題があ
った。
本発明の目的は、薄膜による素子で電圧−電流特性に良
好なダイオード特性を持たせることができ、特に真空度
測定に適した雰囲気センサを提供することにある。
好なダイオード特性を持たせることができ、特に真空度
測定に適した雰囲気センサを提供することにある。
〔発明の１既要〕
本発明の骨子は、薄膜状酸化物半導体とこれに接合すべ
き金属電極との間に絶縁膜若しくは高抵抗膜を設けるこ
とにある。
き金属電極との間に絶縁膜若しくは高抵抗膜を設けるこ
とにある。
前）ボしたような、中間層を有しない薄膜素子で良好な
タイオード特性が１ｑられないのは、半導体と金属電極
との間に局在準位が生じ、ショツ１〜キーバリアの形成
が旨くできないためと考えられる。
タイオード特性が１ｑられないのは、半導体と金属電極
との間に局在準位が生じ、ショツ１〜キーバリアの形成
が旨くできないためと考えられる。
これを解決Ｊる方法として、前、述のような高温で熱処
理することが考えられるが、シリコンデバイスに結合さ
せる薄膜素子の場合、上記熱処理がシリコンデバイスに
悪影響を及はづ等の問題を招くし、また製造峙に余分な
熱処理１稈が入ってしまう。そこで、本発明者等が鋭意
研究を重ねた結果、薄膜状酸化物半導体と金属電極との
間に絶縁膜若しくは高抵抗膜を介在させれば、高温熱処
理を要することなく上記局在単位の影響を極めて小さく
できることが判明した。
理することが考えられるが、シリコンデバイスに結合さ
せる薄膜素子の場合、上記熱処理がシリコンデバイスに
悪影響を及はづ等の問題を招くし、また製造峙に余分な
熱処理１稈が入ってしまう。そこで、本発明者等が鋭意
研究を重ねた結果、薄膜状酸化物半導体と金属電極との
間に絶縁膜若しくは高抵抗膜を介在させれば、高温熱処
理を要することなく上記局在単位の影響を極めて小さく
できることが判明した。
本発明はこのような点に着目してなされたものであり、
薄膜素子を用いた雰囲気センサにおいて、支持基板上の
第１の電極上に形成された薄膜状酸化物半導体の表面に
絶縁膜若しくは高抵抗膜からなる中間層を形成し、この
中間層上に第２の電極を形成し、上記各電極間がダイオ
ード特性を示すようにし、この特性の変化からガス検知
及び真空度の測定を行うようにしたちのである。
薄膜素子を用いた雰囲気センサにおいて、支持基板上の
第１の電極上に形成された薄膜状酸化物半導体の表面に
絶縁膜若しくは高抵抗膜からなる中間層を形成し、この
中間層上に第２の電極を形成し、上記各電極間がダイオ
ード特性を示すようにし、この特性の変化からガス検知
及び真空度の測定を行うようにしたちのである。
本発明によれば、絶縁膜若しくは高抵抗膜からなる中間
層の存在により電圧−電流特性に良好なダイオード特性
を得ることができ、刀スの混入や真空度の変化ににり上
記特性に著しい変化を常；晶で持たせることができる。
層の存在により電圧−電流特性に良好なダイオード特性
を得ることができ、刀スの混入や真空度の変化ににり上
記特性に著しい変化を常；晶で持たせることができる。
このため、ガス成分の検知及び真空度の測定を常温で高
精度に行うことができる。また、熱処理を必要としない
ので、シリコン等の半導体上に順次積層することも可能
であり、シリコン半導体どの結合デバイスの小形化に極
めて有効である。また、常温でガス検出能力、真空度測
定能力を有するため、センυ使用時の消費電力が少ない
うえに加熱しないためセンサ寿命が長くなる。特に、従
来の半導体方式のカスセンサ等では検出づることのでき
なかった真空度を測定できる効果は大なるものである。
精度に行うことができる。また、熱処理を必要としない
ので、シリコン等の半導体上に順次積層することも可能
であり、シリコン半導体どの結合デバイスの小形化に極
めて有効である。また、常温でガス検出能力、真空度測
定能力を有するため、センυ使用時の消費電力が少ない
うえに加熱しないためセンサ寿命が長くなる。特に、従
来の半導体方式のカスセンサ等では検出づることのでき
なかった真空度を測定できる効果は大なるものである。
第３図は本発明の一実施例を示づ概略構成図である。図
中１１は絶縁性の基板であり、この基板′１１上には第
１の電極１２が形成され、その上には薄膜状酸化物半導
体１３が形成されている。半導体１３の上には絶縁膜若
しくは高抵抗膜からなる薄い中間層１４が形成され、そ
の上には第２の電極１５が形成されている。ここて、電
極１２は例えばＡＵであり、蒸着法等にＪ、り形成され
る。
中１１は絶縁性の基板であり、この基板′１１上には第
１の電極１２が形成され、その上には薄膜状酸化物半導
体１３が形成されている。半導体１３の上には絶縁膜若
しくは高抵抗膜からなる薄い中間層１４が形成され、そ
の上には第２の電極１５が形成されている。ここて、電
極１２は例えばＡＵであり、蒸着法等にＪ、り形成され
る。
半導体１３は例えばＮ型導電性を示づ一酸化スズ５ｎｏ
２であり、酸化スズをターゲラ１〜として高周波スパッ
タリング法等により形成される。中間層１４は例えばア
ルミナを含／ｖだＥｌｉ化スズ、アルミナ等をターゲッ
トとして高周波スパッタリング法等により形成される。
２であり、酸化スズをターゲラ１〜として高周波スパッ
タリング法等により形成される。中間層１４は例えばア
ルミナを含／ｖだＥｌｉ化スズ、アルミナ等をターゲッ
トとして高周波スパッタリング法等により形成される。
動作電極（第２の電極）１４は例えばＰＬであり、スパ
ッタリング法等により形成される。
ッタリング法等により形成される。
このような構成であれば、良好なショツ１〜キー接合が
できるので、第４図に示す如く電圧−電流特性に良好な
ダイオード特性が得られる。さらに、ガスの混入−％’
ｌ真空度の変化により、後述する如く常温で上記特性が
著しく変化するのが判明した。
できるので、第４図に示す如く電圧−電流特性に良好な
ダイオード特性が得られる。さらに、ガスの混入−％’
ｌ真空度の変化により、後述する如く常温で上記特性が
著しく変化するのが判明した。
このため、ガス検知及び真空度の測定に極めて有効であ
る。また、この素子のガスに対する特性を調べたところ
、例えば大気中と２ Ｘ １０ ’ ［ｔｏｒｒ］の真
空度においては、動作電流が負の電流、すなわちダイオ
ードの逆特性の電流が約５倍変化するものであった。従
来のような圧力差を利用する真空計、熱伝導を利用でる
ものに比べ、直接電気的出力が得られるため非常に有効
である。また、１００ ［℃］においては大気中と大気
に水素１００［ｐｐｍ］が混入した場合の逆方向電流が
約５倍変化するものであった。従来の半導体方式のガス
センザでは上記真空度の検出はできなかった。
る。また、この素子のガスに対する特性を調べたところ
、例えば大気中と２ Ｘ １０ ’ ［ｔｏｒｒ］の真
空度においては、動作電流が負の電流、すなわちダイオ
ードの逆特性の電流が約５倍変化するものであった。従
来のような圧力差を利用する真空計、熱伝導を利用でる
ものに比べ、直接電気的出力が得られるため非常に有効
である。また、１００ ［℃］においては大気中と大気
に水素１００［ｐｐｍ］が混入した場合の逆方向電流が
約５倍変化するものであった。従来の半導体方式のガス
センザでは上記真空度の検出はできなかった。
なお、前記中間層１４の厚さは５０［人］以下では一様
な膜ができず効果がないこと、また１０００［入］以上
では電流が流れなくなることから５０〜１０００［入Ｊ
であることが好ましい。また、−動作電極はＰｔに限ら
ずＣｒ、Ｎｉ、Ｐｄ。
な膜ができず効果がないこと、また１０００［入］以上
では電流が流れなくなることから５０〜１０００［入Ｊ
であることが好ましい。また、−動作電極はＰｔに限ら
ずＣｒ、Ｎｉ、Ｐｄ。
Ｉｒ等の金属であれば良く金属の種類によりバリアの高
さを変えることができ、カスに対し選択性を付与するこ
ともできる。また、第１の電極１２の八Ｕは通常酸化物
半導体とはオーム性接触を持たないが、上述のような１
ｌｌｉ型では殆どオーム性であり、ダイオード特性には
何等問題とならない。
さを変えることができ、カスに対し選択性を付与するこ
ともできる。また、第１の電極１２の八Ｕは通常酸化物
半導体とはオーム性接触を持たないが、上述のような１
ｌｌｉ型では殆どオーム性であり、ダイオード特性には
何等問題とならない。
また、他の金属も殆どオーム性であり、第１の金属電極
として使用可能である。
として使用可能である。
次に、上記実施例素子をその製造方法を基により具体的
に説明する。
に説明する。
〈具体例１〉
まず、第５図（ａ）に示す如くアルミナ基板１１上に第
１の電極１２としてＡＵを被着し、その上に１薄膜状酸
化物半導体１３として５１１０２を形成しｊｌと。この
半導体１３の作成法は、３ｎメタルをタニゲットとした
スパッタリング法によった。
１の電極１２としてＡＵを被着し、その上に１薄膜状酸
化物半導体１３として５１１０２を形成しｊｌと。この
半導体１３の作成法は、３ｎメタルをタニゲットとした
スパッタリング法によった。
すムわち、基板温度を３００ ［℃］どし、スパッタガ
スにＡｒと０２との混合ガスを用いて高周波によりスパ
ッタし、基板１１及び電極１２上に厚さ５０００［人コ
に作成した。次いで、Ａｌ２Ｏ３をターゲラｉ−としＡ
ｒ−０２混合ガスを用い、スパッタリングにより第５図
（ｂ）に示づ如く厚さ１００［人コの絶縁膜（中間層）
１４を形成した。次いで、第５図（Ｃ）に示す如く中間
層１４を選択的に除去し、続いて第５図（ｄ）に示す如
く動作電極（第２の電極）１５としてｐｔを蒸着法によ
り約３００ ［人］の厚さに形成した。
スにＡｒと０２との混合ガスを用いて高周波によりスパ
ッタし、基板１１及び電極１２上に厚さ５０００［人コ
に作成した。次いで、Ａｌ２Ｏ３をターゲラｉ−としＡ
ｒ−０２混合ガスを用い、スパッタリングにより第５図
（ｂ）に示づ如く厚さ１００［人コの絶縁膜（中間層）
１４を形成した。次いで、第５図（Ｃ）に示す如く中間
層１４を選択的に除去し、続いて第５図（ｄ）に示す如
く動作電極（第２の電極）１５としてｐｔを蒸着法によ
り約３００ ［人］の厚さに形成した。
かくして（ｑられた素子の電圧−電流特性は、前記第４
図に示す如く良好なタイオード特性を有していた。第６
図は大気中と真空中における特性のｐ ｔ（−）側を拡
大したものである。真空中において電流が約５倍増加し
、真空計として応用できるのが判る。このように常温で
真空度を測定することができるので真空計としては非常
に有効である。
図に示す如く良好なタイオード特性を有していた。第６
図は大気中と真空中における特性のｐ ｔ（−）側を拡
大したものである。真空中において電流が約５倍増加し
、真空計として応用できるのが判る。このように常温で
真空度を測定することができるので真空計としては非常
に有効である。
また、第７図は１００［°Ｃ１にＪ５ｉプるＨ２１００
０［１）ｌ１ｍ］が空気中に混入した場合の特性であり
、約５（８以上変化しており、カス検知素子としても働
くことが判る。常湿でも同様な効果がｉｑられるが、い
ずれにせよ従来に比べ低温で動作できる。
０［１）ｌ１ｍ］が空気中に混入した場合の特性であり
、約５（８以上変化しており、カス検知素子としても働
くことが判る。常湿でも同様な効果がｉｑられるが、い
ずれにせよ従来に比べ低温で動作できる。
ｆ＋ａ’ −
な喝ｆ、ここではＰｔ側（第２の電極１５側）を負に印
加、ずなわち電子がｐｔから半導体側に流れるようにし
た。
加、ずなわち電子がｐｔから半導体側に流れるようにし
た。
〈具体例２〉
この例では、前記中＠層として高抵抗膜を用いた。りな
わら、前記第５図（ａ）に示７までの工程は同じで、そ
の後Ａｌ２Ｏ３を１［ｍｏ１％］含む５ｎ０２をターゲ
ットとじ、先と同様なスパッタ法により半導体１３上に
高抵抗５１１０２膜（中間層）１４を形成した。これ以
降は、先の具体例と同様にして第２の電極１５を形成し
た。
わら、前記第５図（ａ）に示７までの工程は同じで、そ
の後Ａｌ２Ｏ３を１［ｍｏ１％］含む５ｎ０２をターゲ
ットとじ、先と同様なスパッタ法により半導体１３上に
高抵抗５１１０２膜（中間層）１４を形成した。これ以
降は、先の具体例と同様にして第２の電極１５を形成し
た。
かくして形成された素子にあっても前記第６図及びＭ７
図に示したのと略同様な特性が得られ、さらに１００［
℃］にお番ノるｌ−１２１０００［１１Ｆ１ｍ ］が大
気に混入した場合の特性は約７倍変化していた。また、
室温における酸素濃度の変化に対する電流の変化は第８
図に示づ゛如く酸素濃度の減少により電流が増加するも
のであった。ここで、印加電圧は第２のＮ極１５側を負
とし、１［ｖ］とした。
図に示したのと略同様な特性が得られ、さらに１００［
℃］にお番ノるｌ−１２１０００［１１Ｆ１ｍ ］が大
気に混入した場合の特性は約７倍変化していた。また、
室温における酸素濃度の変化に対する電流の変化は第８
図に示づ゛如く酸素濃度の減少により電流が増加するも
のであった。ここで、印加電圧は第２のＮ極１５側を負
とし、１［ｖ］とした。
く具体例３〉
この例では、前記高抵抗膜としての中間層゛１４を相互
拡散により形成した。すなわち、前記第５図（ａ＞に示
す工程の後Ａｌ２０ａをターゲラ１〜としＡｒ−０２混
合ガス中で高周波によりスパッタし、前記半府体′１３
上に約５０［人コのＡｌ２Ｏ３層を形成した。次いで、
先の具体例と同様にして第２のＮｔ１１５を形成した後
、空気中４００［℃］で５［１−１ｒ］熱処理した。こ
れにより、上記Ａｌ２０ａ層と半導体層との相互拡散を
行わせ、高抵抗層（中間層）１４を形成した。真空Ｂ１
の場合は、このような熱処理は要しないが、例えば１０
０［℃コ程度でガスセンサとして用いる場合に、特性の
安定等の効果がある。
拡散により形成した。すなわち、前記第５図（ａ＞に示
す工程の後Ａｌ２０ａをターゲラ１〜としＡｒ−０２混
合ガス中で高周波によりスパッタし、前記半府体′１３
上に約５０［人コのＡｌ２Ｏ３層を形成した。次いで、
先の具体例と同様にして第２のＮｔ１１５を形成した後
、空気中４００［℃］で５［１−１ｒ］熱処理した。こ
れにより、上記Ａｌ２０ａ層と半導体層との相互拡散を
行わせ、高抵抗層（中間層）１４を形成した。真空Ｂ１
の場合は、このような熱処理は要しないが、例えば１０
０［℃コ程度でガスセンサとして用いる場合に、特性の
安定等の効果がある。
かくして形成された素子は、先の具体例２と同様にＨ２
や０２ガスに対しＰｔが負となる印加電圧において大き
な電流変化を示した。
や０２ガスに対しＰｔが負となる印加電圧において大き
な電流変化を示した。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。前記薄膜状酸化物半導体を形成する材料としては酸
化スズに限らず、通常大気中でＮ型特性を示す材料、例
えば７ｎＯ，ＴｉＯ２，Ｖ２Ｏ５等も有効であり、場合
にＪ−っでは抵抗値を減少させる目的で不純物として３
．１ｌｌｌｉから６価の金属イオンを添加した材料も有
効である。また、Ｐ型ｉｆｆ電性を示ず材１１、例えば
Ｃｕ２０２ 、Ｎ ｉＱ。
い。前記薄膜状酸化物半導体を形成する材料としては酸
化スズに限らず、通常大気中でＮ型特性を示す材料、例
えば７ｎＯ，ＴｉＯ２，Ｖ２Ｏ５等も有効であり、場合
にＪ−っでは抵抗値を減少させる目的で不純物として３
．１ｌｌｌｉから６価の金属イオンを添加した材料も有
効である。また、Ｐ型ｉｆｆ電性を示ず材１１、例えば
Ｃｕ２０２ 、Ｎ ｉＱ。
１） ｂ Ｏ等や、これらに不純物を添加して抵抗値を
制御さぜた材料も有効である。さらに、作成法も高周波
スパッタリンクによる方法だけでなく通常の薄膜形成法
、例えば蒸着法、イオンブレーティング法等も有効であ
り、いずれも着脱後にｒｌ結工程等の熱処理を要しない
方法である。また、中間層としての絶縁膜を形成づる（
Δ料はＡｌ２Ｏ３に限らずＴａ２０５ 、Ｓ ｉ ０２
、 Ｎ−１ｃ＋ｏ、Ｃａｂ。
制御さぜた材料も有効である。さらに、作成法も高周波
スパッタリンクによる方法だけでなく通常の薄膜形成法
、例えば蒸着法、イオンブレーティング法等も有効であ
り、いずれも着脱後にｒｌ結工程等の熱処理を要しない
方法である。また、中間層としての絶縁膜を形成づる（
Δ料はＡｌ２Ｏ３に限らずＴａ２０５ 、Ｓ ｉ ０２
、 Ｎ−１ｃ＋ｏ、Ｃａｂ。
Ｓｉ３Ｎ＋笠の絶縁体であれは良く、その形成法もスパ
ッタ法に限らず通常の薄膜形成法であれば良いことは勿
論である。さらに、中間層としての高抵抗層を形成する
材料は５１１０２に対するＡｌ２Ｏ３だけでなく、主た
る半導体材料に侵入し、いわゆる原子化制御により高抵
抗層を形成する材料、例えばＮ型の３ｎ０２に対しては
その他にアルカリ金属、アルカリ土類金属等、１価から
３価となる金属或いはその酸化物が有効である。他のＮ
型半導体材料に対しても同様の考え方から半導体のイオ
ン価数より小さい価数を持つ金属酸化物が有効である。
ッタ法に限らず通常の薄膜形成法であれば良いことは勿
論である。さらに、中間層としての高抵抗層を形成する
材料は５１１０２に対するＡｌ２Ｏ３だけでなく、主た
る半導体材料に侵入し、いわゆる原子化制御により高抵
抗層を形成する材料、例えばＮ型の３ｎ０２に対しては
その他にアルカリ金属、アルカリ土類金属等、１価から
３価となる金属或いはその酸化物が有効である。他のＮ
型半導体材料に対しても同様の考え方から半導体のイオ
ン価数より小さい価数を持つ金属酸化物が有効である。
さらに、Ｐ型半導体に関しては、逆の考え方から価数の
高い金属或いはその酸化物、例えばＮｉＯに関してはＣ
ｒ２０３ 、 Ａ １２０３等である。
高い金属或いはその酸化物、例えばＮｉＯに関してはＣ
ｒ２０３ 、 Ａ １２０３等である。
また、前記基板としては、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁性基板の
他にＳｉ等の半導体基板を用いることもできる。さらに
、前記第１の金属電極として金属板を用い、基板を兼ね
備えさせることも可能である。さらに、測定対象とする
ガスは常温でガス状物質となる物に限らず、測定湿度に
おいて液体若しくは固体と共存し蒸気状で存在する物質
、例えばアルコール等であってもよい。また、測定温度
を維持するためにヒータ等の加熱部材をイ］加するよう
にしてもよい。さらに、第１の電極と半導体との間に高
抵抗層を設け、ツェナーダイオード特性を付与すること
もできる。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、
便々変形して実施することができる。
他にＳｉ等の半導体基板を用いることもできる。さらに
、前記第１の金属電極として金属板を用い、基板を兼ね
備えさせることも可能である。さらに、測定対象とする
ガスは常温でガス状物質となる物に限らず、測定湿度に
おいて液体若しくは固体と共存し蒸気状で存在する物質
、例えばアルコール等であってもよい。また、測定温度
を維持するためにヒータ等の加熱部材をイ］加するよう
にしてもよい。さらに、第１の電極と半導体との間に高
抵抗層を設け、ツェナーダイオード特性を付与すること
もできる。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、
便々変形して実施することができる。
第１図は従来のガス検知素子を示づ概略構成図、第２図
はこの素子の電圧−電流特性を示す特性図、第３図は本
発明の一実施例に係わる薄膜素子を示づ概略構成図、第
４図は上記実施例素子の電圧−電流特性を示す特性図、
第５図（ａ）〜（ｄ）は上記素子の！！！造工程を示す
工程断面図、第６図乃至第８図はそれぞれ上記素子の作
用を示す特性図である。 １１・・・絶縁基板、１２・・・第′１の電極、１３・
・・薄膜状酸化物半導体府、１４・・・絶縁膜、高抵抗
膜（中間層）、１５・・・第２の電極。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 ３
はこの素子の電圧−電流特性を示す特性図、第３図は本
発明の一実施例に係わる薄膜素子を示づ概略構成図、第
４図は上記実施例素子の電圧−電流特性を示す特性図、
第５図（ａ）〜（ｄ）は上記素子の！！！造工程を示す
工程断面図、第６図乃至第８図はそれぞれ上記素子の作
用を示す特性図である。 １１・・・絶縁基板、１２・・・第′１の電極、１３・
・・薄膜状酸化物半導体府、１４・・・絶縁膜、高抵抗
膜（中間層）、１５・・・第２の電極。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 ３
Claims (2)
- （１）基板と、この基板上に形成された第１の電極と、
この第１の電極上に形成された薄膜状酸化物半導体と、
この半導体上に形成された絶縁膜若しくは高抵抗膜から
なる中間層と、この中間層上に形成された第２の電極と
を具備し、前記第１及び第２の電極間がダイオード特性
を示１ことを特徴どする雰囲気センサ。 - （２）前記中間層の１１５１厚が５０〜１０００［入］
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の雰
囲気センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18273383A JPS6073448A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 雰囲気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18273383A JPS6073448A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 雰囲気センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6073448A true JPS6073448A (ja) | 1985-04-25 |
Family
ID=16123484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18273383A Pending JPS6073448A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 雰囲気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6073448A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2016125283A1 (ja) * | 2015-02-05 | 2017-11-16 | 富士通株式会社 | ガスセンサ及びセンサ装置 |
| JPWO2016143053A1 (ja) * | 2015-03-10 | 2017-12-21 | 富士通株式会社 | ガスセンサ及びセンサ装置 |
| WO2018123674A1 (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 気体検出装置、気体センサシステム、燃料電池自動車、及び水素検出方法 |
| WO2018123673A1 (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 気体検出装置、気体検出システム、燃料電池自動車、及び気体検出方法 |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP18273383A patent/JPS6073448A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2016125283A1 (ja) * | 2015-02-05 | 2017-11-16 | 富士通株式会社 | ガスセンサ及びセンサ装置 |
| JPWO2016143053A1 (ja) * | 2015-03-10 | 2017-12-21 | 富士通株式会社 | ガスセンサ及びセンサ装置 |
| WO2018123674A1 (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 気体検出装置、気体センサシステム、燃料電池自動車、及び水素検出方法 |
| WO2018123673A1 (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 気体検出装置、気体検出システム、燃料電池自動車、及び気体検出方法 |
| JPWO2018123673A1 (ja) * | 2016-12-28 | 2019-10-31 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 気体検出装置、気体検出システム、燃料電池自動車、及び気体検出方法 |
| JPWO2018123674A1 (ja) * | 2016-12-28 | 2019-10-31 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 気体検出装置、気体センサシステム、燃料電池自動車、及び水素検出方法 |
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