JPS6313381A - 光電センサ - Google Patents
光電センサInfo
- Publication number
- JPS6313381A JPS6313381A JP61156839A JP15683986A JPS6313381A JP S6313381 A JPS6313381 A JP S6313381A JP 61156839 A JP61156839 A JP 61156839A JP 15683986 A JP15683986 A JP 15683986A JP S6313381 A JPS6313381 A JP S6313381A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phthalocyanine
- photoelectric sensor
- film
- thin
- illuminance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000009501 film coating Methods 0.000 abstract 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FRLJSGOEGLARCA-UHFFFAOYSA-N cadmium sulfide Chemical compound [S-2].[Cd+2] FRLJSGOEGLARCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000792 Monel Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAIPAZQMEIHHTJ-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Co] Chemical compound [Cr].[Co] WAIPAZQMEIHHTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- VXAPDXVBDZRZKP-UHFFFAOYSA-N nitric acid phosphoric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O.OP(O)(O)=O VXAPDXVBDZRZKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000001007 phthalocyanine dye Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光電センサに関する。更に詳しくは。
波長感度にすぐれかつ製作の容易な光電センサに関する
。
。
従来、光電センサとして一般的に使用されているものは
、硫化カドミウムセルとシリコンまたはゲルマニウムフ
ォトダイオードである。しかるに、硫化カドミウムセル
は５２０ｎｍ付近の波長に中心感度を有しており、また
フォトダイオードは８５０ｎｍ付近の波長に中心感度を
有しているので、光源の波長に合わせて受光素子である
光電センサを選択する必要がある。
、硫化カドミウムセルとシリコンまたはゲルマニウムフ
ォトダイオードである。しかるに、硫化カドミウムセル
は５２０ｎｍ付近の波長に中心感度を有しており、また
フォトダイオードは８５０ｎｍ付近の波長に中心感度を
有しているので、光源の波長に合わせて受光素子である
光電センサを選択する必要がある。
ところで、近年光通信の分野では、波長領域が５５０〜
８００ｎｍのＬＥＤが使用されることが多いが、受光素
子に最適なものがないため、フォトダイオードなどが使
用されている。また、このフォトダイオードの材料とし
ては、単結晶のシリコン、ゲルマニウムが使用されてい
るため、基本的にコストが高いという問題もみられる。
８００ｎｍのＬＥＤが使用されることが多いが、受光素
子に最適なものがないため、フォトダイオードなどが使
用されている。また、このフォトダイオードの材料とし
ては、単結晶のシリコン、ゲルマニウムが使用されてい
るため、基本的にコストが高いという問題もみられる。
本発明者は、５５０−８００ｎｍの波長領域に良好、な
感度を有し、しかもコスト的に廉価なものとしてフタロ
シアニン系色素材料に着目し、これを薄膜化して絶縁性
基板上の電極を覆う構造とすることにより、照度の変化
を抵抗値の変化としてとらえることに成功し、ここに有
用な光電センサを得ることができた。
感度を有し、しかもコスト的に廉価なものとしてフタロ
シアニン系色素材料に着目し、これを薄膜化して絶縁性
基板上の電極を覆う構造とすることにより、照度の変化
を抵抗値の変化としてとらえることに成功し、ここに有
用な光電センサを得ることができた。
〔問題点を解決するための手段〕および〔作用〕従って
、本発明は光電センサに係り、この光電センサは、導電
性くし形電極を有する絶縁性基板表面に、電極部分を覆
うフタロシアニン薄膜またはフタロシアニン−金属錯体
薄膜を形成せしめてなる。
、本発明は光電センサに係り、この光電センサは、導電
性くし形電極を有する絶縁性基板表面に、電極部分を覆
うフタロシアニン薄膜またはフタロシアニン−金属錯体
薄膜を形成せしめてなる。
かかる光電センサの一態様が１図面の第１図に平面図と
して示されており、絶縁性基板１上に導電性くし形電極
２，２′が形成され、その表面をフタロシアニン薄膜ま
たはフタロシアニン−金属錯体薄膜３が覆っており、各
取出電極部分には半田付けあるいは銀ペースト４，４′
によりリード線５，５′が取り付けられている。
して示されており、絶縁性基板１上に導電性くし形電極
２，２′が形成され、その表面をフタロシアニン薄膜ま
たはフタロシアニン−金属錯体薄膜３が覆っており、各
取出電極部分には半田付けあるいは銀ペースト４，４′
によりリード線５，５′が取り付けられている。
絶縁性基板上への導電性くし形電極の形成は。
従来の例にならって行われる。即ち、ガラス、アルミナ
、石英などの絶縁性基板上に、ステンレススチール、ハ
ステロイＣ、インコネル、モネル、金、銀、銅、白金、
アルミニウム、鉄、コバルト、ニッケルなどの耐食性金
属や電極形成材料金属をスパッタリング法、イオンブレ
ーティング法などにより、約０．１〜０．５μｍ程度の
厚さの薄膜を形成させ、次にそこにフォトレジストパタ
ーンを形成させる。
、石英などの絶縁性基板上に、ステンレススチール、ハ
ステロイＣ、インコネル、モネル、金、銀、銅、白金、
アルミニウム、鉄、コバルト、ニッケルなどの耐食性金
属や電極形成材料金属をスパッタリング法、イオンブレ
ーティング法などにより、約０．１〜０．５μｍ程度の
厚さの薄膜を形成させ、次にそこにフォトレジストパタ
ーンを形成させる。
゛例えば電極形成材料がアルミニウムの場合には、この
ようにして形成された電極形成材料金属薄膜へのフォト
レジストパターンの形成は、周知のフォトリソグラフ技
術を適用することによって行われる。即ち、金属薄膜上
にフォトレジストコーティングを行ない、そこにくし形
電極のパターンの陰画または陽画を焼付けたガラス乾板
を重ね、光照射による焼付けおよび現像によって行われ
る。
ようにして形成された電極形成材料金属薄膜へのフォト
レジストパターンの形成は、周知のフォトリソグラフ技
術を適用することによって行われる。即ち、金属薄膜上
にフォトレジストコーティングを行ない、そこにくし形
電極のパターンの陰画または陽画を焼付けたガラス乾板
を重ね、光照射による焼付けおよび現像によって行われ
る。
この後、湿式化学エツチングが行われるが、エツチング
液としては、リン酸−硫酸一無ホクロム酸−水（重量比
６５ ： １５ ： ５ ： １５）混合液、Ｂ）ＩＦ
（フッ酸系）、塩化第２鉄水溶液、硝酸、リン酸−硝
酸混合液などが用いられる。
液としては、リン酸−硫酸一無ホクロム酸−水（重量比
６５ ： １５ ： ５ ： １５）混合液、Ｂ）ＩＦ
（フッ酸系）、塩化第２鉄水溶液、硝酸、リン酸−硝
酸混合液などが用いられる。
また、電極形成材料として金が用いられる場合には、金
ペーストを用いるスクリーン印刷法などを適用すること
ができ、この場合には絶縁性基板上に金ペーストをスク
リーン印刷でくし形に塗布し、次いでこれを約１００〜
２００℃の温度で焼結させることにより、くし形電極の
形成が行われる。このようにくし形電極の形成に際して
焼結工程がとられるため、絶縁性基板としては熱的に安
定なアルミナ基板などが用いられることが好ましい。
ペーストを用いるスクリーン印刷法などを適用すること
ができ、この場合には絶縁性基板上に金ペーストをスク
リーン印刷でくし形に塗布し、次いでこれを約１００〜
２００℃の温度で焼結させることにより、くし形電極の
形成が行われる。このようにくし形電極の形成に際して
焼結工程がとられるため、絶縁性基板としては熱的に安
定なアルミナ基板などが用いられることが好ましい。
このようにして絶縁性基板上に形成させた導電性くし形
電極の表面は、波長感度にすぐれたフタロシアニン薄膜
またはフタロシアニン−金属錯体薄膜によって覆われる
。
電極の表面は、波長感度にすぐれたフタロシアニン薄膜
またはフタロシアニン−金属錯体薄膜によって覆われる
。
フタロシアニン−金属錯体としては、コバルト。
銅、鉄、ニッケル、鉛などとの錯体、好ましくは出力の
大きさの点から鉛錯体が用いられる。これらの金属錯体
あるいはフタロシアニンによる導電性くし形電極の被覆
は、一般に真空蒸着法などによって行われ、その被覆は
約１００〜５０００人の厚さで行われる。
大きさの点から鉛錯体が用いられる。これらの金属錯体
あるいはフタロシアニンによる導電性くし形電極の被覆
は、一般に真空蒸着法などによって行われ、その被覆は
約１００〜５０００人の厚さで行われる。
〔作用〕および〔発明の効果〕
このようにして作成される本発明の光電センサは、これ
に５５０−８００ｎｍの光を照射した場合、照度に対応
して素子抵抗が変化することが確かめられたので、素子
抵抗を測定することにより照度を計測することができる
。
に５５０−８００ｎｍの光を照射した場合、照度に対応
して素子抵抗が変化することが確かめられたので、素子
抵抗を測定することにより照度を計測することができる
。
しかも、光電センサは、波長感度を有するフタロシアニ
ン系薄膜の形成が真空蒸着法などの適用により、容易に
行なうことができるという特徴を有している。
ン系薄膜の形成が真空蒸着法などの適用により、容易に
行なうことができるという特徴を有している。
従って、５５０〜８００ｎｎ＋の波長感度を有する光電
センサは、 ＬＥＤのような受光素子としてすぐれてお
り、光通信分野で有効な素子として用いられる。
センサは、 ＬＥＤのような受光素子としてすぐれてお
り、光通信分野で有効な素子として用いられる。
また、近接スイッチ（光スィッチ）などの簡便な用途に
おいても、すぐれた機能を発揮する。
おいても、すぐれた機能を発揮する。
第１図に図示されるような光電センサを作製した。即ち
、厚さ０．６ｍｍのアルミナ基板上に、スクリーン印刷
法により金ペーストを塗布し、これを１５０℃の温度で
焼結してくし形電極を形成させた後、フタロシアニン−
鉛錯体を真空蒸着法により厚さ３０００人でくし形電極
部分を覆うように形成させた。
、厚さ０．６ｍｍのアルミナ基板上に、スクリーン印刷
法により金ペーストを塗布し、これを１５０℃の温度で
焼結してくし形電極を形成させた後、フタロシアニン−
鉛錯体を真空蒸着法により厚さ３０００人でくし形電極
部分を覆うように形成させた。
このようにして作製された光電センサは、中心波長７５
００ｍの光をハロゲンランプから照射し、その抵抗値を
測定した。得られた結果は第２図のグラフに示され、こ
の結果から照度に対応して素子抵抗が変化することが分
かる。
００ｍの光をハロゲンランプから照射し、その抵抗値を
測定した。得られた結果は第２図のグラフに示され、こ
の結果から照度に対応して素子抵抗が変化することが分
かる。
第１図は、本発明に係る光電センサの一態様の平面図で
ある。第２図はこの光電センサを用いて測定した照度−
素子抵抗の関係を示すグラフである。 （符号の説明） １・・・・・絶縁性基板 ２・・・・・導電性くし形電極 ３・・・・・金属錯体薄膜
ある。第２図はこの光電センサを用いて測定した照度−
素子抵抗の関係を示すグラフである。 （符号の説明） １・・・・・絶縁性基板 ２・・・・・導電性くし形電極 ３・・・・・金属錯体薄膜
Claims (1)
- １、導電性くし形電極を有する絶縁性基板表面に、電極
部分を覆うフタロシアニン薄膜またはフタロシアニン−
金属錯体薄膜を形成せしめた光電センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61156839A JPS6313381A (ja) | 1986-07-03 | 1986-07-03 | 光電センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61156839A JPS6313381A (ja) | 1986-07-03 | 1986-07-03 | 光電センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6313381A true JPS6313381A (ja) | 1988-01-20 |
Family
ID=15636497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61156839A Pending JPS6313381A (ja) | 1986-07-03 | 1986-07-03 | 光電センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6313381A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03137894A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-12 | Matsushita Giken Kk | スイッチング・メモリ複合機能素子アレイ |
| US5281542A (en) * | 1992-03-31 | 1994-01-25 | At&T Bell Laboratories | Planar quantum well photodetector |
| JP2014507068A (ja) * | 2011-02-07 | 2014-03-20 | サントル・ナショナル・ドゥ・ラ・レシェルシュ・サイエンティフィーク−セ・エン・エール・エス− | 最適化されたトリアゾール粒子配置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6086552A (ja) * | 1983-10-19 | 1985-05-16 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 光導電性材料 |
-
1986
- 1986-07-03 JP JP61156839A patent/JPS6313381A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6086552A (ja) * | 1983-10-19 | 1985-05-16 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 光導電性材料 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03137894A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-12 | Matsushita Giken Kk | スイッチング・メモリ複合機能素子アレイ |
| US5281542A (en) * | 1992-03-31 | 1994-01-25 | At&T Bell Laboratories | Planar quantum well photodetector |
| JP2014507068A (ja) * | 2011-02-07 | 2014-03-20 | サントル・ナショナル・ドゥ・ラ・レシェルシュ・サイエンティフィーク−セ・エン・エール・エス− | 最適化されたトリアゾール粒子配置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Fiaccabrino et al. | Thin‐film microfabrication of electrochemical transducers | |
| GB2149922A (en) | Capacitive moisture sensor and process for producing same | |
| JPS6313381A (ja) | 光電センサ | |
| US3164795A (en) | Photoelectric structures | |
| JPH08278196A (ja) | 赤外線検出器およびその製造方法 | |
| JP2564030B2 (ja) | 電気化学測定用カーボン薄膜電極の製造方法 | |
| EP0193304A3 (en) | Image sensor manufacturing method | |
| JPH0219757A (ja) | 電気化学測定用微小電極セルおよびその製造方法 | |
| JPH0528340B2 (ja) | ||
| JPH02140655A (ja) | 電気化学的検出器およびその製造方法 | |
| JPS63208751A (ja) | 結露センサ | |
| JPH01301159A (ja) | 電気化学測定用微小電極セルおよびその製造方法 | |
| JPS60146145A (ja) | 酸素電極 | |
| KR0162298B1 (ko) | 태양전지의 제조공정 | |
| JPH01246877A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH04104051A (ja) | 湿度センサ | |
| JPS5784876A (en) | Manufacture of thermal head | |
| JPS5661175A (en) | Thin-film solar cell | |
| JP2607631B2 (ja) | 電気化学式センサ | |
| JP2005210018A (ja) | 光導電素子 | |
| JPH05335605A (ja) | 有機イメージセンサ | |
| JPS61198051A (ja) | 半導体イオンセンサの電極形成方法 | |
| JP2539003B2 (ja) | 電気化学式センサ | |
| JPH0668476B2 (ja) | 薄膜感湿素子 | |
| JPS60167388A (ja) | 光検出器 |