JPS63208751A - 結露センサ - Google Patents
結露センサInfo
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- JPS63208751A JPS63208751A JP4198887A JP4198887A JPS63208751A JP S63208751 A JPS63208751 A JP S63208751A JP 4198887 A JP4198887 A JP 4198887A JP 4198887 A JP4198887 A JP 4198887A JP S63208751 A JPS63208751 A JP S63208751A
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- Japan
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- layer
- electrodes
- detecting circuit
- condensation
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- Pending
Links
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は結露センサに関するものである。
従来の技術
近年、ビデオテープレコーダの普及は目ざましく、また
年゛々小型化の傾向にある。そして、これらのビデオテ
ープレコーダに搭載されている回転ヘッドシリンダ用結
露センサについてもまた小型のものが望まれている。
年゛々小型化の傾向にある。そして、これらのビデオテ
ープレコーダに搭載されている回転ヘッドシリンダ用結
露センサについてもまた小型のものが望まれている。
従来の結露センサは、セラミック基板上に、一対の電極
が厚膜印刷技術を用いて形成され、さらにこの電極間に
感湿抵抗体層が形成されているものである（特公昭６１
−３３３７４号公報）。
が厚膜印刷技術を用いて形成され、さらにこの電極間に
感湿抵抗体層が形成されているものである（特公昭６１
−３３３７４号公報）。
発明が解決しようとする問題点
この結露センサは、スクリーン印刷法で作製されている
ものであるため、その小型化もスクリーンのパターンに
制約されている。ところが、スクリーンのパターンの細
密化にも限度があるため、その小型化にも限界がある。
ものであるため、その小型化もスクリーンのパターンに
制約されている。ところが、スクリーンのパターンの細
密化にも限度があるため、その小型化にも限界がある。
本発明は、これまでの結露センサに比べて非常に小型の
センサを提供しようとするものである。
センサを提供しようとするものである。
問題点を解決するための手段
本発明の結露センサは、半導体基板上に感湿抵抗体層と
それに接続された検知回路とを一体的に形成したもので
ある。
それに接続された検知回路とを一体的に形成したもので
ある。
作用
半導体基板の上に感湿抵抗体層および検知回路を一体的
に形成しているので、半導体製造技術を使うことができ
、結露センサを小型化できるだけでなく、その量産も容
易となる。
に形成しているので、半導体製造技術を使うことができ
、結露センサを小型化できるだけでなく、その量産も容
易となる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、第１図、第２図を用
いて述べる。
いて述べる。
図において、１は半導体基板たとえばシリコン基板で、
酸素雰囲気中において１１００℃の温度で２時間加熱さ
れて酸化され、その表面にシリコン酸化膜２が形成され
ている。３は多結晶シリコン層で、シリコン酸化膜２上
に蒸着法で形成されている。多結晶シリコン層３の一点
鎖線で囲まれている部分４には、検知回路部が、不純物
をイオン注入法で注入し、配線することによって形成さ
れている。５，６は電極で、検知回路部からの多結晶シ
リコン層３の延出部分上にＴｉ、 Ｐｔ、およびＡｕが
順次蒸着され、積層されて形成されている。これらの電
極５．６の厚さは約０．８μｍ、電極間距離は約４０ｕ
ｍ、電極幅は約１０μｍである。
酸素雰囲気中において１１００℃の温度で２時間加熱さ
れて酸化され、その表面にシリコン酸化膜２が形成され
ている。３は多結晶シリコン層で、シリコン酸化膜２上
に蒸着法で形成されている。多結晶シリコン層３の一点
鎖線で囲まれている部分４には、検知回路部が、不純物
をイオン注入法で注入し、配線することによって形成さ
れている。５，６は電極で、検知回路部からの多結晶シ
リコン層３の延出部分上にＴｉ、 Ｐｔ、およびＡｕが
順次蒸着され、積層されて形成されている。これらの電
極５．６の厚さは約０．８μｍ、電極間距離は約４０ｕ
ｍ、電極幅は約１０μｍである。
７はパッシベーション膜で、電極５，６およびその周辺
部分を除いた他の部分上に化学気相蒸着（ＣＶＤ）法で
形成されている。このパッシベーション膜７上にはカッ
プリング剤が塗布され焼付けられている。８は厚さ約３
μｍの感湿抵抗体層で、これは、電極５，６およびその
周辺部分を除いた他の部分上にスクリーン印刷法でスト
リッパブルコート材を塗り、加熱固化させて厚さ約２０
μｍの膜としてから、導電性粉末を分散した液状の吸湿
性樹脂をスプレーガンで塗布し、１６０℃で３０分間焼
付けた後、ストリッパブルコートを剥離することによっ
て形成されたものである。９は撥水性の保護膜で、シリ
コーン樹脂などを塗布することによって形成されている
ものである。この保護膜９は、その表面に結露して生じ
た水をいった吸収し、それを感湿抵抗層８へ透過させる
ためのもので、水が感湿抵抗層８に直接液することを阻
止する。これにより、結露中に溶存する物質が感湿抵抗
層８に侵入汚染して、その特性を低下させることが防止
される。
部分を除いた他の部分上に化学気相蒸着（ＣＶＤ）法で
形成されている。このパッシベーション膜７上にはカッ
プリング剤が塗布され焼付けられている。８は厚さ約３
μｍの感湿抵抗体層で、これは、電極５，６およびその
周辺部分を除いた他の部分上にスクリーン印刷法でスト
リッパブルコート材を塗り、加熱固化させて厚さ約２０
μｍの膜としてから、導電性粉末を分散した液状の吸湿
性樹脂をスプレーガンで塗布し、１６０℃で３０分間焼
付けた後、ストリッパブルコートを剥離することによっ
て形成されたものである。９は撥水性の保護膜で、シリ
コーン樹脂などを塗布することによって形成されている
ものである。この保護膜９は、その表面に結露して生じ
た水をいった吸収し、それを感湿抵抗層８へ透過させる
ためのもので、水が感湿抵抗層８に直接液することを阻
止する。これにより、結露中に溶存する物質が感湿抵抗
層８に侵入汚染して、その特性を低下させることが防止
される。
この実施例の結露センサを作製するには、これら構成要
素を半導体製造技術でシリコンウェハに多数個同時に形
成しておき、その後、シリコン基板１をスクライブして
、たとえば約２ｍｍＸ０．８膿の寸法の素子に細分割す
ればよるのが実際的である。
素を半導体製造技術でシリコンウェハに多数個同時に形
成しておき、その後、シリコン基板１をスクライブして
、たとえば約２ｍｍＸ０．８膿の寸法の素子に細分割す
ればよるのが実際的である。
この実施例では、半導体基板としてシリコン基板を使用
しているが、他の半導体基板を使ってもよ（、またその
表面に絶縁層を形成した基板を用いてもよい。また、電
極５，６にはＴｉ、ＰｔおよびＡｕの積層体を使用して
いるが、耐食性を有する他の金属たとえばＴｉとＡｕの
積層体や＋ＣｒとＡｕとの積層体などを使用してもよい
。
しているが、他の半導体基板を使ってもよ（、またその
表面に絶縁層を形成した基板を用いてもよい。また、電
極５，６にはＴｉ、ＰｔおよびＡｕの積層体を使用して
いるが、耐食性を有する他の金属たとえばＴｉとＡｕの
積層体や＋ＣｒとＡｕとの積層体などを使用してもよい
。
発明の効果
本発明によれば、半導体基板上に感湿抵抗体および検知
回路を一体的に形成した構造であるため、非常に小型な
結露センサを得ることができる。そして、半導体製造技
術で作製できるので、す、蚤産化が容易で、その再現性
がよいだけでなく、安価なものとすることができる。
回路を一体的に形成した構造であるため、非常に小型な
結露センサを得ることができる。そして、半導体製造技
術で作製できるので、す、蚤産化が容易で、その再現性
がよいだけでなく、安価なものとすることができる。
第１図は本発明にかかる結露センサの−の実施例の平面
図、第２図は第１図のＡ−Ａ’線に沿った断面図である
。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・シリコン
酸化膜、３・・・・・・多結晶シリコン層、４・・・・
・・検知回路部、５．６・・・・・・電極、７・・・・
・・カップリング剤が付与されているパッシベーション
膜、８・・・・・・感湿抵抗体層。
図、第２図は第１図のＡ−Ａ’線に沿った断面図である
。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・シリコン
酸化膜、３・・・・・・多結晶シリコン層、４・・・・
・・検知回路部、５．６・・・・・・電極、７・・・・
・・カップリング剤が付与されているパッシベーション
膜、８・・・・・・感湿抵抗体層。
Claims (1)
- 半導体基板上に、電極と、吸湿性樹脂に導電性粉末を
分散した感湿抵抗体層および撥水性の保護膜により被覆
された結露感知部と、前記結露感知部に電気的に接続さ
れた検知回路とが一体化されていることを特徴とする結
露センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4198887A JPS63208751A (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 結露センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4198887A JPS63208751A (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 結露センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63208751A true JPS63208751A (ja) | 1988-08-30 |
Family
ID=12623575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4198887A Pending JPS63208751A (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 結露センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63208751A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003065990A (ja) * | 2001-08-27 | 2003-03-05 | Denso Corp | ガスセンサおよびその製造方法 |
| US7340952B2 (en) | 2004-09-14 | 2008-03-11 | Denso Corporation | Capacitive humidity sensor |
| JP2008261634A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Mikuni Corp | 水素センサー |
| JP2020046409A (ja) * | 2018-09-21 | 2020-03-26 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 結露センサーおよびそれを用いた冷蔵庫 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5899740A (ja) * | 1981-12-09 | 1983-06-14 | Hokuriku Denki Kogyo Kk | 結露センサ |
| JPS6197558A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | Hitachi Ltd | 感湿素子 |
| JPS61166045A (ja) * | 1985-01-18 | 1986-07-26 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-02-25 JP JP4198887A patent/JPS63208751A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5899740A (ja) * | 1981-12-09 | 1983-06-14 | Hokuriku Denki Kogyo Kk | 結露センサ |
| JPS6197558A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | Hitachi Ltd | 感湿素子 |
| JPS61166045A (ja) * | 1985-01-18 | 1986-07-26 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003065990A (ja) * | 2001-08-27 | 2003-03-05 | Denso Corp | ガスセンサおよびその製造方法 |
| US7340952B2 (en) | 2004-09-14 | 2008-03-11 | Denso Corporation | Capacitive humidity sensor |
| JP2008261634A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Mikuni Corp | 水素センサー |
| JP2020046409A (ja) * | 2018-09-21 | 2020-03-26 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 結露センサーおよびそれを用いた冷蔵庫 |
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