JPS61100621A - 焦電形赤外線センサの製造方法 - Google Patents
焦電形赤外線センサの製造方法Info
- Publication number
- JPS61100621A JPS61100621A JP59222430A JP22243084A JPS61100621A JP S61100621 A JPS61100621 A JP S61100621A JP 59222430 A JP59222430 A JP 59222430A JP 22243084 A JP22243084 A JP 22243084A JP S61100621 A JPS61100621 A JP S61100621A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pyroelectric
- electrode
- film
- membrane
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 3
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 abstract description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 229910020608 PbNbO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000009503 electrostatic coating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N15/00—Thermoelectric devices without a junction of dissimilar materials; Thermomagnetic devices, e.g. using the Nernst-Ettingshausen effect
- H10N15/10—Thermoelectric devices using thermal change of the dielectric constant, e.g. working above and below the Curie point
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は赤外線を利用する火災報知器、人体検知器、侵
入善報器、非接触温度計等に用いる焦電形赤外線センサ
の製造方法に関する。
入善報器、非接触温度計等に用いる焦電形赤外線センサ
の製造方法に関する。
従来の焦電形赤外線セ／すは第３図に示すように、基板
４上に支持柱３が設けられ、この支持柱３上には（＋）
または（−）の電極２，５が上下に設けられた焦電体１
が設けられている。この焦電体１の上には赤外線吸収体
（図示せず）が配設されている。
４上に支持柱３が設けられ、この支持柱３上には（＋）
または（−）の電極２，５が上下に設けられた焦電体１
が設けられている。この焦電体１の上には赤外線吸収体
（図示せず）が配設されている。
前記焦電体１は焦電効果特性を有する複合金属塩（例え
ばＰｂＴ ｉ０３ 、ＰｂＮｂＯ３など）（’）結晶体
又はセラミックスを薄膜小片化して用いている。この薄
膜化は焦電結晶体又はセラミックス体をウェハー上で支
持柱３に接着した後、適当な厚さに研摩することによっ
てなされている。したがって、焦電効果特性を有する複
合金属塩を結晶化あるいはセラミックス化をする段階ま
では比較的容易であっても、このものを薄膜化、小片化
することは一般に困難を伴ない量産性に乏しい。
ばＰｂＴ ｉ０３ 、ＰｂＮｂＯ３など）（’）結晶体
又はセラミックスを薄膜小片化して用いている。この薄
膜化は焦電結晶体又はセラミックス体をウェハー上で支
持柱３に接着した後、適当な厚さに研摩することによっ
てなされている。したがって、焦電効果特性を有する複
合金属塩を結晶化あるいはセラミックス化をする段階ま
では比較的容易であっても、このものを薄膜化、小片化
することは一般に困難を伴ない量産性に乏しい。
さらに、焦電体が厚いと熱容量が大きいために赤外線セ
ンサの感度は低いものとなり、又焦電体膜厚さに比例し
て内部雑音が増加するという問題点がある。
ンサの感度は低いものとなり、又焦電体膜厚さに比例し
て内部雑音が増加するという問題点がある。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的は従来困難であった焦電体の薄膜化を短時間で容
易に行い、焦電体の熱容量を小さくして高感度化させ、
また焦電体膜厚さに比例して増加する内部雑音を減少し
た高性能な焦電形赤外線センサの製造方法を提供するこ
とＫある。
の目的は従来困難であった焦電体の薄膜化を短時間で容
易に行い、焦電体の熱容量を小さくして高感度化させ、
また焦電体膜厚さに比例して増加する内部雑音を減少し
た高性能な焦電形赤外線センサの製造方法を提供するこ
とＫある。
本発明は、焦電効果特性を有する複合金属塩の成１分金
属を含む金属有機化合物の溶液を絶縁性支持体上に設け
られた電極板の少なくとも一部領域を含むように塗布し
、その後これを加熱または自然乾燥することによって焦
電体を薄膜状忙なるようにし、この焦電体膜を介して前
記電極と対向する対極電極を設けるようにしたことを特
徴とする焦電形赤外線センサの製造方法である。
属を含む金属有機化合物の溶液を絶縁性支持体上に設け
られた電極板の少なくとも一部領域を含むように塗布し
、その後これを加熱または自然乾燥することによって焦
電体を薄膜状忙なるようにし、この焦電体膜を介して前
記電極と対向する対極電極を設けるようにしたことを特
徴とする焦電形赤外線センサの製造方法である。
次に、本発明の実施例について説明する。
第１図は本発明に係る焦電型赤外線センサの製造方法に
より焦電体が形成された赤外線センナの一実施例を示す
平面図であり、第２図はその断面図である。
より焦電体が形成された赤外線センナの一実施例を示す
平面図であり、第２図はその断面図である。
図において、シリコン等で構成された基板３１上に酸化
珪素及び窒化珪素等で構成された薄膜状の支持体３２が
設けられている。この基板３１は化学腐食等によって孔
３３が設けられている。この支持体３２上には電極３４
が形成され、この電極３４の一端が支持体３２中央部の
焦電体薄膜３６の下部電極となり、他端は外部とのリー
ド電極となる。
珪素及び窒化珪素等で構成された薄膜状の支持体３２が
設けられている。この基板３１は化学腐食等によって孔
３３が設けられている。この支持体３２上には電極３４
が形成され、この電極３４の一端が支持体３２中央部の
焦電体薄膜３６の下部電極となり、他端は外部とのリー
ド電極となる。
前記電極３４上には本発明によって製造された焦電体の
薄膜３６が形成されており、この焦電体薄膜３６の上部
には電極５が形成されている。この電極５の一端側は前
記焦電体薄膜３６の上部電極となり、他端は外部へのリ
ード電極となっている。
薄膜３６が形成されており、この焦電体薄膜３６の上部
には電極５が形成されている。この電極５の一端側は前
記焦電体薄膜３６の上部電極となり、他端は外部へのリ
ード電極となっている。
上記焦電体薄膜３６上部に位置する電極３５の上側には
赤外線吸収体３７が形成されている。
赤外線吸収体３７が形成されている。
前記焦電体薄膜３６は焦電効果特性を示す複合金属塩（
例えばＰｂＴ ｉ０３ 、ＰｂＮｂＯ３、ＰＬＺＴ、Ｐ
ＺＴ等）の成分金属と有機化合物例えばアルコールカル
ボ／酸等の錯体な有機溶媒に溶かし、これを塗布、乾燥
、焼成を繰り返して所定の膜厚にして得ることができる
。
例えばＰｂＴ ｉ０３ 、ＰｂＮｂＯ３、ＰＬＺＴ、Ｐ
ＺＴ等）の成分金属と有機化合物例えばアルコールカル
ボ／酸等の錯体な有機溶媒に溶かし、これを塗布、乾燥
、焼成を繰り返して所定の膜厚にして得ることができる
。
例えば、焦電効果特性を有する複合金属塩ｐｂＴｉｅ３
を用いた場合Ｐｂ、Ｔｉのアルコラード又はカルボン酸
塩環ヲトルエン、ベンゼン、エステル等の有機□溶媒に
溶かし、この溶液を支持薄膜３２上に塗布して適当な温
度例えば自然乾燥では一昼夜、５５０〜７５０℃では１
時間で乾燥焼成する。支持薄膜３２上への複合金属塩の
塗布忙はスクリーン印刷法、スピーチ塗布法、浸せき引
揚げ法、スプレ静電塗布法等があるが、有機溶媒の種類
、乾燥焼成の熱処理等の種々の条件により適当な塗布法
が選択される。
を用いた場合Ｐｂ、Ｔｉのアルコラード又はカルボン酸
塩環ヲトルエン、ベンゼン、エステル等の有機□溶媒に
溶かし、この溶液を支持薄膜３２上に塗布して適当な温
度例えば自然乾燥では一昼夜、５５０〜７５０℃では１
時間で乾燥焼成する。支持薄膜３２上への複合金属塩の
塗布忙はスクリーン印刷法、スピーチ塗布法、浸せき引
揚げ法、スプレ静電塗布法等があるが、有機溶媒の種類
、乾燥焼成の熱処理等の種々の条件により適当な塗布法
が選択される。
上記のような塗膜熱分解法によって得られた焦電体薄膜
３６の厚さは数μｍ程度となり、従来の方法によって得
られた焦電体薄膜の厚さ数十μｍであるのに比べてかな
り薄くなる。したがって、係る焦電体薄膜３６は熱容量
が小さくなる為に、赤外線吸収体３７における赤外線の
入手に伴い極めて敏感に温度上昇が行われる。したがっ
て、焦電体薄膜３６内での分極構造が温度上昇に伴って
鋭敏に変化し、この変化が前記電極３４と３５の間の電
荷を変化させ、この変化を外部回路によって、赤外線が
敏感に検知される。
３６の厚さは数μｍ程度となり、従来の方法によって得
られた焦電体薄膜の厚さ数十μｍであるのに比べてかな
り薄くなる。したがって、係る焦電体薄膜３６は熱容量
が小さくなる為に、赤外線吸収体３７における赤外線の
入手に伴い極めて敏感に温度上昇が行われる。したがっ
て、焦電体薄膜３６内での分極構造が温度上昇に伴って
鋭敏に変化し、この変化が前記電極３４と３５の間の電
荷を変化させ、この変化を外部回路によって、赤外線が
敏感に検知される。
また、焦電体薄膜３６の膜厚が薄くなることＫより雑音
が減少することとなる。
が減少することとなる。
なお、本実施例では基盤３１及びその基盤上はヒートシ
ンクとなっている為に外部温度に等しくなる。また必要
に応じて赤外線センサーの素子全面に絶縁保護膜を形成
することもできる。
ンクとなっている為に外部温度に等しくなる。また必要
に応じて赤外線センサーの素子全面に絶縁保護膜を形成
することもできる。
以上説明したように本発明によれば、焦電効果特性を示
す複合金属塩の成分金属を含む金属有機化合物溶液を塗
布して焦電体膜を形成している為に、焦電体膜の厚さを
容易に短時間で薄くすることができる。したがって、焦
電体膜の形状を任意の形にすることやその面積を大きく
することが可能となる。
す複合金属塩の成分金属を含む金属有機化合物溶液を塗
布して焦電体膜を形成している為に、焦電体膜の厚さを
容易に短時間で薄くすることができる。したがって、焦
電体膜の形状を任意の形にすることやその面積を大きく
することが可能となる。
第１図は本発明に係る焦電形赤外線センサの製遣方法に
より得られた赤外線センサの平面図、第２図はその断面
図、第３図は従来の焦電形赤外線センナの断面図である
。 ３１・・・基板、 ３２・・・支持体、 ３４．３５・
・・電極、 ３６・・・焦電体薄膜、 ３７・・・赤外
線吸収代理人 弁理士 鵜 沼 辰 之 （ほか２名） 第１図 第２図 第３図
より得られた赤外線センサの平面図、第２図はその断面
図、第３図は従来の焦電形赤外線センナの断面図である
。 ３１・・・基板、 ３２・・・支持体、 ３４．３５・
・・電極、 ３６・・・焦電体薄膜、 ３７・・・赤外
線吸収代理人 弁理士 鵜 沼 辰 之 （ほか２名） 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 基板上に絶縁性支持体を設け、該支持体上に電極板を配
設する工程と、前記電極板の少なくとも一部領域を含む
ように焦電効果特性を有する複合金属塩の成分金属を含
む金属有機化合物の溶液を塗布し、乾燥して焦電体膜を
構成する工程と、前記焦電体膜を介して前記電極板と接
触しないように対向する対極電極板を設ける工程とから
なる焦電形赤外線センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59222430A JPS61100621A (ja) | 1984-10-23 | 1984-10-23 | 焦電形赤外線センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59222430A JPS61100621A (ja) | 1984-10-23 | 1984-10-23 | 焦電形赤外線センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61100621A true JPS61100621A (ja) | 1986-05-19 |
Family
ID=16782270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59222430A Pending JPS61100621A (ja) | 1984-10-23 | 1984-10-23 | 焦電形赤外線センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61100621A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04134711U (ja) * | 1991-06-10 | 1992-12-15 | 東海興業株式会社 | 自動車の固定窓用モ−ル付窓材 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5723407A (en) * | 1980-07-16 | 1982-02-06 | Kagaku Gijutsucho Mukizai | Method of forming pyroelectric porcelain thin film |
-
1984
- 1984-10-23 JP JP59222430A patent/JPS61100621A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5723407A (en) * | 1980-07-16 | 1982-02-06 | Kagaku Gijutsucho Mukizai | Method of forming pyroelectric porcelain thin film |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04134711U (ja) * | 1991-06-10 | 1992-12-15 | 東海興業株式会社 | 自動車の固定窓用モ−ル付窓材 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08313359A (ja) | ハイブリッド熱画像作成装置のための焦平面アレイとその製造法 | |
| US4224520A (en) | Room temperature two color infrared detector | |
| KR100254611B1 (ko) | 박막 적외선 센서의 제조방법 및 그 구조 | |
| JPS6212454B2 (ja) | ||
| JPS61100621A (ja) | 焦電形赤外線センサの製造方法 | |
| EP0274881B1 (en) | Thermal detectors and process for manufacturing the same | |
| JPS62821A (ja) | 赤外線検出素子 | |
| JPH0792025A (ja) | 赤外線センサ | |
| JPH055291B2 (ja) | ||
| JPH0862038A (ja) | 赤外線検出素子及びその製造方法 | |
| JPS62822A (ja) | 赤外線検出素子 | |
| JPS63208751A (ja) | 結露センサ | |
| JPH06105235B2 (ja) | 湿度検知素子 | |
| JPH0227228A (ja) | 熱画像作成装置およびその製造方法 | |
| JPH03189526A (ja) | サーモパイル | |
| JPS6138427A (ja) | 赤外線検出素子 | |
| JPS60171425A (ja) | 焦電形熱検出素子 | |
| JPS5842965A (ja) | 酸素センサ素子 | |
| JPS63110778A (ja) | 熱電素子の製造方法 | |
| JPS6359083B2 (ja) | ||
| JPH0448509Y2 (ja) | ||
| JP2720173B2 (ja) | 焦電材料 | |
| JPS6332328A (ja) | 焦電型赤外線センサ | |
| JP2505702Y2 (ja) | 焦電型赤外線検出器 | |
| JPH07286897A (ja) | 焦電型赤外線素子およびその製造方法 |