JPS62821A - 赤外線検出素子 - Google Patents
赤外線検出素子Info
- Publication number
- JPS62821A JPS62821A JP60139441A JP13944185A JPS62821A JP S62821 A JPS62821 A JP S62821A JP 60139441 A JP60139441 A JP 60139441A JP 13944185 A JP13944185 A JP 13944185A JP S62821 A JPS62821 A JP S62821A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pyroelectric
- electrode
- substrate
- film
- deposited
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 3
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 101001033280 Homo sapiens Cytokine receptor common subunit beta Proteins 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 102000055647 human CSF2RB Human genes 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は焦電型の赤外線検出素子に関する。
従来の技術
焦電型の赤外線検出素子は出力インピーダンスが高いの
で、FIETなどでインピーダンス変換をする必要があ
る。従来の技術では焦電体素子と(National
Technical Report)、 Vol 2a
。
で、FIETなどでインピーダンス変換をする必要があ
る。従来の技術では焦電体素子と(National
Technical Report)、 Vol 2a
。
/i3,453.(197B))また従来の薄膜トラン
ジスタ(TPT)ではゲート酸化物に酸化人β等低誘電
率の材料を用いたものが殆んどであった。
ジスタ(TPT)ではゲート酸化物に酸化人β等低誘電
率の材料を用いたものが殆んどであった。
発明が解決しようとする問題点
前者の方式では、2つの素子が必要かのです衣な体積が
必要である。しかも、ワイヤボンド等を用いるので雑音
が発生しやすい。後者の場合は、TPTのゲート酸化物
に比較的誘電率の小さな材料を用いるので容量を大きく
とるために、膜厚を薄くする必要があり、耐圧や歩留の
点が問題である。
必要である。しかも、ワイヤボンド等を用いるので雑音
が発生しやすい。後者の場合は、TPTのゲート酸化物
に比較的誘電率の小さな材料を用いるので容量を大きく
とるために、膜厚を薄くする必要があり、耐圧や歩留の
点が問題である。
問題点を解決するための手段
赤外センサと薄膜トランジスタを同一基板上に作成する
とともに、薄膜トランジスタのゲート酸化物として焦電
体膜を用いる。
とともに、薄膜トランジスタのゲート酸化物として焦電
体膜を用いる。
作用
上記の構成によシ小型になり、雑音が低くなる。
また、ゲート酸化物として焦電体膜を用いるので、作成
も容易である。また、従来の酸化物に比べ誘電率が大き
いので、膜厚を厚くでき、耐圧も上り、歩留りも高くな
る。
も容易である。また、従来の酸化物に比べ誘電率が大き
いので、膜厚を厚くでき、耐圧も上り、歩留りも高くな
る。
実施例
図は本実施例で作製した赤外線検出素子の断面図である
。(100)でへき開し、鏡面研摩したMgO単結晶か
らなる基板1(厚さ400μm)上にスパッタ法でpt
からなる下部型C2を形成し。
。(100)でへき開し、鏡面研摩したMgO単結晶か
らなる基板1(厚さ400μm)上にスパッタ法でpt
からなる下部型C2を形成し。
その上に厚さ4μmの焦電体薄膜3を形成し、Ni O
rからなる上部電極4を蒸着(厚さ300人)した。つ
ぎに、半導体層6としてN型になる様にIn などをド
ープしたCdSe薄膜を蒸着した。最後にソース電極5
.ドレイン電極7を蒸着し赤外線検出素子を作成した。
rからなる上部電極4を蒸着(厚さ300人)した。つ
ぎに、半導体層6としてN型になる様にIn などをド
ープしたCdSe薄膜を蒸着した。最後にソース電極5
.ドレイン電極7を蒸着し赤外線検出素子を作成した。
なお、上部電極4に対応する部分すなわち焦電型赤外線
検出部として動作する部分においては、基板1に開口8
が設けられている。
検出部として動作する部分においては、基板1に開口8
が設けられている。
赤外線検出素子としての特性を調べるため、温度500
にの黒体炉を光源とし、光チョッパーで100Hzでチ
ョップした赤外光を20(mの距離から素子に照射し、
出力をロックインアンプで増巾して測定した。赤外線検
出素子としての特性を示す検出能り米で素子の評価を行
なった。結果を表1に示す。
にの黒体炉を光源とし、光チョッパーで100Hzでチ
ョップした赤外光を20(mの距離から素子に照射し、
出力をロックインアンプで増巾して測定した。赤外線検
出素子としての特性を示す検出能り米で素子の評価を行
なった。結果を表1に示す。
(以下余 白)
コレら<7)D米の値はSiのJ−FETとPbTiO
s薄膜を組み合せた場合のD’=2X108C7++〜
4Σ/Wと比べ高感度である。またFITが同一基板上
に作り込まれているので、素子は小さく、特に高密度の
アレイセンサに有利である。また、焦電体膜は4μmの
厚さがあり、耐電圧も高く、ピンホール等による欠陥も
なく、歩留シは100%であった。
s薄膜を組み合せた場合のD’=2X108C7++〜
4Σ/Wと比べ高感度である。またFITが同一基板上
に作り込まれているので、素子は小さく、特に高密度の
アレイセンサに有利である。また、焦電体膜は4μmの
厚さがあり、耐電圧も高く、ピンホール等による欠陥も
なく、歩留シは100%であった。
発明の効果
本発明による赤外線検出素子は、小型で高感度であり、
また作製も容易であるから、実用的にきわめて有効であ
る。
また作製も容易であるから、実用的にきわめて有効であ
る。
図は本発明の一実施例における赤外線検出素子の断面図
である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・下部電極、3・・
・・・・焦電体膜、4・・・・・・上部電極、5・・・
・・・ソース電極、6・・・・・・半導体層、7・・・
・・・ドレイン電極。
である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・下部電極、3・・
・・・・焦電体膜、4・・・・・・上部電極、5・・・
・・・ソース電極、6・・・・・・半導体層、7・・・
・・・ドレイン電極。
Claims (3)
- (1)基板上に形成された下部電極と、この下部電極上
に形成された焦電体膜と、この焦電体膜上に形成された
上部電極とからなる焦電型赤外センサと、前記焦電体膜
をゲート酸化物に、また前記下部電極の一部をゲート電
極として前記基板上に形成された薄膜トランジスタとを
有する赤外線検出素子。 - (2)焦電体膜として、組成式Pb_xLa_yTi_
zZr_ωO_3で表わされ、下記組成範囲(A)、(
B)、(C)のうちいずれかの組成をもつ膜を用いたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の赤外線検出
素子。 (A)0.70≦x<1、0.9≦x+y≦1、0.9
5≦z≦1、ω=0 (B)x=1、y=0、0.45≦z<1、z+ω=1 (C)0.83≦x<1、x+y=1、0.5≦z<1
、0.96≦z+ω≦1 - (3)焦電体膜としてPb_5Ge_3O_1_1を用
いたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の赤外
線検出素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60139441A JPH0752124B2 (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 赤外線検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60139441A JPH0752124B2 (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 赤外線検出素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62821A true JPS62821A (ja) | 1987-01-06 |
JPH0752124B2 JPH0752124B2 (ja) | 1995-06-05 |
Family
ID=15245270
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60139441A Expired - Lifetime JPH0752124B2 (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 赤外線検出素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0752124B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0373807A2 (en) * | 1988-12-13 | 1990-06-20 | Pilkington Thorn Optronics Limited | Thermal imaging device |
EP0596329A1 (en) * | 1992-11-04 | 1994-05-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pyroelectric infrared detector and method of fabricating the same |
EP0640815A1 (en) * | 1993-08-23 | 1995-03-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pyroelectric infrared radiation detector and method of producing the same |
US5708205A (en) * | 1995-05-19 | 1998-01-13 | Hitachi, Ltd. | Measuring element for a mass air flow sensor and mass air flow sensor using the measuring element |
US6397673B1 (en) | 1998-05-06 | 2002-06-04 | Hitachi, Ltd. | Air flow measuring apparatus |
US6839643B2 (en) | 2002-06-19 | 2005-01-04 | Hitachi, Ltd. | Flowmeter and flowmeter system |
US7565255B2 (en) | 2003-10-01 | 2009-07-21 | Hitachi, Ltd. | Thermal flow meter and control system |
JP2018500577A (ja) * | 2014-10-31 | 2018-01-11 | エンベリオン オイEmberion Oy | 感知装置 |
WO2019008202A2 (es) | 2017-07-04 | 2019-01-10 | CARLOS JAVIER, Martínez García | Recipiente con capuchón dosificador |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5232288A (en) * | 1975-09-04 | 1977-03-11 | Westinghouse Electric Corp | Pyroelectric field effect electromagnetic radiation detector |
JPS5536324U (ja) * | 1978-08-29 | 1980-03-08 |
-
1985
- 1985-06-26 JP JP60139441A patent/JPH0752124B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5232288A (en) * | 1975-09-04 | 1977-03-11 | Westinghouse Electric Corp | Pyroelectric field effect electromagnetic radiation detector |
JPS5536324U (ja) * | 1978-08-29 | 1980-03-08 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0373807A2 (en) * | 1988-12-13 | 1990-06-20 | Pilkington Thorn Optronics Limited | Thermal imaging device |
EP0596329A1 (en) * | 1992-11-04 | 1994-05-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pyroelectric infrared detector and method of fabricating the same |
US5413667A (en) * | 1992-11-04 | 1995-05-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pyroelectric infrared detector fabricating method |
US5483067A (en) * | 1992-11-04 | 1996-01-09 | Matsuhita Electric Industrial Co., Ltd. | Pyroelectric infrared detector and method of fabricating the same |
EP0640815A1 (en) * | 1993-08-23 | 1995-03-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pyroelectric infrared radiation detector and method of producing the same |
US5471060A (en) * | 1993-08-23 | 1995-11-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pyroelectric infrared radiation detector and method of producing the same |
US5708205A (en) * | 1995-05-19 | 1998-01-13 | Hitachi, Ltd. | Measuring element for a mass air flow sensor and mass air flow sensor using the measuring element |
US6397673B1 (en) | 1998-05-06 | 2002-06-04 | Hitachi, Ltd. | Air flow measuring apparatus |
US6839643B2 (en) | 2002-06-19 | 2005-01-04 | Hitachi, Ltd. | Flowmeter and flowmeter system |
US7457711B2 (en) | 2002-06-19 | 2008-11-25 | Hitachi, Ltd. | Flowmeter and flowmeter system |
US7565255B2 (en) | 2003-10-01 | 2009-07-21 | Hitachi, Ltd. | Thermal flow meter and control system |
JP2018500577A (ja) * | 2014-10-31 | 2018-01-11 | エンベリオン オイEmberion Oy | 感知装置 |
WO2019008202A2 (es) | 2017-07-04 | 2019-01-10 | CARLOS JAVIER, Martínez García | Recipiente con capuchón dosificador |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0752124B2 (ja) | 1995-06-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6635495B2 (en) | Infrared detecting element, infrared two-dimensional image sensor, and method of manufacturing the same | |
US6305840B1 (en) | Thermopile detector and method for fabricating the same | |
US5821598A (en) | Uncooled amorphous YBaCuO thin film infrared detector | |
JPS62821A (ja) | 赤外線検出素子 | |
JPS60242354A (ja) | Fet型センサ | |
US5034608A (en) | Infrared sensor operable without cooling | |
CN101995295A (zh) | 非制冷红外焦平面阵列及其制备方法与应用 | |
JPS60253958A (ja) | センサ | |
Ueno et al. | Monolithic uncooled infrared image sensor with 160 by 120 pixels | |
Von Münch et al. | P (VDF/TrFE) copolymer films for the fabrication of pyroelectric arrays | |
JPS62822A (ja) | 赤外線検出素子 | |
Okuyama et al. | Integrated pyroelectric infrared sensor using PbTiO3 thin film | |
CN109613065B (zh) | 一种半导体湿度传感器及其制备方法 | |
JPS61153537A (ja) | 半導体圧力センサ | |
JPS6021781Y2 (ja) | 赤外線検出器 | |
JPS6361944A (ja) | Fet型センサ | |
JP2787198B2 (ja) | 薄膜焦電型赤外線検出素子及びその作製方法 | |
JPH0637361A (ja) | 赤外線検出器 | |
JPH11271142A (ja) | 強誘電体薄膜材料、その製造方法およびそれを用いた赤外線検出素子 | |
JP3269199B2 (ja) | 焦電型赤外線検出素子 | |
JPS61100621A (ja) | 焦電形赤外線センサの製造方法 | |
JPS60168043A (ja) | Fet型センサ | |
JPS60171425A (ja) | 焦電形熱検出素子 | |
Setiadi et al. | A comparative study of integrated ferroelectric polymer pyroelectric sensors | |
JPH0450732A (ja) | 光検知器 |