JPH0637361A - 赤外線検出器 - Google Patents
赤外線検出器Info
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- JPH0637361A JPH0637361A JP19062392A JP19062392A JPH0637361A JP H0637361 A JPH0637361 A JP H0637361A JP 19062392 A JP19062392 A JP 19062392A JP 19062392 A JP19062392 A JP 19062392A JP H0637361 A JPH0637361 A JP H0637361A
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- infrared detector
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、低コストで検出感度の良好な赤外
線検出器を提供することを目的とする。 【構成】 本発明の赤外線検出器１０は、基板１との間
に空隙３を持つ橋梁型構造を呈するとともに、上部電極
７、焦電効果を有する薄膜素子６及び下部電極５の積層
体からなる赤外線検出単位素子１１を、前記基板１上に
複数個近接して配列し、各赤外線検出単位素子１１の上
部電極７、下部電極５を並列接続したものである。この
構成により、生産性が良く低コスト化が可能であり、か
つ、赤外線の集光面積が広く検出感度の良好な赤外線検
出器１０を提供することができる。
線検出器を提供することを目的とする。 【構成】 本発明の赤外線検出器１０は、基板１との間
に空隙３を持つ橋梁型構造を呈するとともに、上部電極
７、焦電効果を有する薄膜素子６及び下部電極５の積層
体からなる赤外線検出単位素子１１を、前記基板１上に
複数個近接して配列し、各赤外線検出単位素子１１の上
部電極７、下部電極５を並列接続したものである。この
構成により、生産性が良く低コスト化が可能であり、か
つ、赤外線の集光面積が広く検出感度の良好な赤外線検
出器１０を提供することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、赤外線検出器に関し、
より詳しくは、工場，家屋，店舗等防犯の必要な箇所に
用いられ、人体検知等を目的とする焦電効果を利用した
赤外線検出器に関する。
より詳しくは、工場，家屋，店舗等防犯の必要な箇所に
用いられ、人体検知等を目的とする焦電効果を利用した
赤外線検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、焦電効果を利用した熱型赤外線検
出器は、図６に示すように、セラミックス焦電材料や、
単結晶焦電材料等のバルク材料を薄く加工した集電素子
２５の表裏に分割電極２８Ａ，２８Ｂ及び共通電極２７
を形成した検出素子２０を接着剤２２により基板２１か
ら浮かした状態で支持し、分割電極２８Ａ，２８Ｂから
電気信号を取り出すデュアル型の構成としている（実開
昭５７−８４４４７号）。
出器は、図６に示すように、セラミックス焦電材料や、
単結晶焦電材料等のバルク材料を薄く加工した集電素子
２５の表裏に分割電極２８Ａ，２８Ｂ及び共通電極２７
を形成した検出素子２０を接着剤２２により基板２１か
ら浮かした状態で支持し、分割電極２８Ａ，２８Ｂから
電気信号を取り出すデュアル型の構成としている（実開
昭５７−８４４４７号）。
【０００３】このようにすれば、周囲の温度変化に対し
て集電素子２５の分極方位が反対になり、移動する熱源
のみを検出することが可能となる。
て集電素子２５の分極方位が反対になり、移動する熱源
のみを検出することが可能となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たバルク材料を用いた従来の赤外線検出器の場合、以下
に述べる２点の問題があった。
たバルク材料を用いた従来の赤外線検出器の場合、以下
に述べる２点の問題があった。
【０００５】まず第１に、セラミック焦電材料や単結晶
焦電材料を加工する場合、これらの材料は脆性材料であ
るため極めて加工が困難であり、実用的には厚さ約１０
０μｍ程度が限度であった。このため、検出素子２０の
熱容量が大きくなり、赤外線に対する応答が遅くなり、
さらに熱的ノイズが大きくなってしまう。この結果、十
分な検出感度が得られないという問題があった。
焦電材料を加工する場合、これらの材料は脆性材料であ
るため極めて加工が困難であり、実用的には厚さ約１０
０μｍ程度が限度であった。このため、検出素子２０の
熱容量が大きくなり、赤外線に対する応答が遅くなり、
さらに熱的ノイズが大きくなってしまう。この結果、十
分な検出感度が得られないという問題があった。
【０００６】第２に、バルク材料を加工してデュアル型
の赤外線検出器を構成する場合、検出素子２０の加工精
度に限界があるため、デュアル型として機能する検出素
子２０の素子特性に微妙なばらつきが生じ、周囲の温度
変化等に対して十分な補償ができないため、周辺温度等
の外乱によるノイズレベルが高くなって、結果的に検出
感度が低下してしまう問題があった。
の赤外線検出器を構成する場合、検出素子２０の加工精
度に限界があるため、デュアル型として機能する検出素
子２０の素子特性に微妙なばらつきが生じ、周囲の温度
変化等に対して十分な補償ができないため、周辺温度等
の外乱によるノイズレベルが高くなって、結果的に検出
感度が低下してしまう問題があった。
【０００７】従来においても、上述した第１の問題を解
決するために、赤外線検出素子を薄膜として絶縁性基板
上に形成し、その後、赤外線検出部に当たる基板の一部
をこの基板裏部より、若しくは基板上のスリットを通し
てエッチングで除去する構造が提案されている（特開平
1-291541号，特開昭60-30115号）。
決するために、赤外線検出素子を薄膜として絶縁性基板
上に形成し、その後、赤外線検出部に当たる基板の一部
をこの基板裏部より、若しくは基板上のスリットを通し
てエッチングで除去する構造が提案されている（特開平
1-291541号，特開昭60-30115号）。
【０００８】しかしながらこれらの構造は、まず基板の
エッチング等に長時間を要し、生産コストの上昇を招く
ことが問題になる。
エッチング等に長時間を要し、生産コストの上昇を招く
ことが問題になる。
【０００９】さらに、人体等の赤外線の波長が約１０μ
ｍ程度と大きいため、赤外線集光光学系上、現実的なデ
バイスを得るためには赤外線検出部を赤外線の波長より
十分大きく取らねばならない。この際赤外線検出部の構
造は大型になると、これを構成する部材間の熱膨脹差に
起因する応力等により機械的に脆弱になり、実際に作製
する上で非常な困難を伴う。
ｍ程度と大きいため、赤外線集光光学系上、現実的なデ
バイスを得るためには赤外線検出部を赤外線の波長より
十分大きく取らねばならない。この際赤外線検出部の構
造は大型になると、これを構成する部材間の熱膨脹差に
起因する応力等により機械的に脆弱になり、実際に作製
する上で非常な困難を伴う。
【００１０】さらに、仮にこれらの構造を作製し得て
も、実際にデュアル型赤外線検出器を形成する場合、バ
ルク材料を加工して用いた場合と同様に素子間のばらつ
きに起因して結果的に高い検出感度が得られないという
問題がある。
も、実際にデュアル型赤外線検出器を形成する場合、バ
ルク材料を加工して用いた場合と同様に素子間のばらつ
きに起因して結果的に高い検出感度が得られないという
問題がある。
【００１１】そこで、本発明は、低コストで検出感度の
良好な赤外線検出器を提供することを目的とするもので
ある。
良好な赤外線検出器を提供することを目的とするもので
ある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の赤外線検
出器は、基板との間に空隙を持つ橋梁型構造を呈すると
ともに、上部電極、焦電効果を有する薄膜素子及び下部
電極の積層体からなる赤外線検出単位素子を、前記基板
上に複数個近接して配列し、各赤外線検出単位素子の上
部電極，下部電極を並列接続したものである。
出器は、基板との間に空隙を持つ橋梁型構造を呈すると
ともに、上部電極、焦電効果を有する薄膜素子及び下部
電極の積層体からなる赤外線検出単位素子を、前記基板
上に複数個近接して配列し、各赤外線検出単位素子の上
部電極，下部電極を並列接続したものである。
【００１３】請求項２記載の赤外線検出器は、前記上部
電極は赤外線吸収能を有し、前記下部電極は赤外線反射
能を有する構成としたものである。
電極は赤外線吸収能を有し、前記下部電極は赤外線反射
能を有する構成としたものである。
【００１４】請求項３記載の赤外線検出器は、前記上部
電極，下部電極を並列接続する配線路にトリミング領域
を設けたものである。
電極，下部電極を並列接続する配線路にトリミング領域
を設けたものである。
【００１５】請求項４記載の赤外線検出器は、前記赤外
線検出器を複数個用いて構成したものである。
線検出器を複数個用いて構成したものである。
【００１６】
【作用】本発明の赤外線検出器は、基板との間に空隙を
持つ橋梁型構造を呈するとともに、上部電極、焦電効果
を有する薄膜素子及び下部電極の積層体からなる赤外線
検出単位素子を、基板上に複数個近接して配列し、各赤
外線検出単位素子の上部電極，下部電極を並列接続した
ものである。
持つ橋梁型構造を呈するとともに、上部電極、焦電効果
を有する薄膜素子及び下部電極の積層体からなる赤外線
検出単位素子を、基板上に複数個近接して配列し、各赤
外線検出単位素子の上部電極，下部電極を並列接続した
ものである。
【００１７】赤外線検出単位素子が形成する橋梁型構造
は、基板をエッチングで除去する製法と比較して、製法
上の困難性が少なく従来の半導体製造プロセスと互換性
があることから生産性の点で著しく有効である。また、
この橋梁型構造は、赤外線検出単位素子を構成する部材
間の熱膨脹係数の差等に起因する応力等を最小限に抑え
ることが可能である。この結果、本発明の赤外線検出器
は、生産性が良く、低コスト化が可能である。
は、基板をエッチングで除去する製法と比較して、製法
上の困難性が少なく従来の半導体製造プロセスと互換性
があることから生産性の点で著しく有効である。また、
この橋梁型構造は、赤外線検出単位素子を構成する部材
間の熱膨脹係数の差等に起因する応力等を最小限に抑え
ることが可能である。この結果、本発明の赤外線検出器
は、生産性が良く、低コスト化が可能である。
【００１８】また、実際の赤外線検出器を構成するため
に、前記赤外線検出単位素子を複数個、好ましくは２次
元平面状に近接して配列し、それぞれの赤外線検出単位
素子の上部電極，下部電極を並列に接続することで、一
個の赤外線検出器を形成する。
に、前記赤外線検出単位素子を複数個、好ましくは２次
元平面状に近接して配列し、それぞれの赤外線検出単位
素子の上部電極，下部電極を並列に接続することで、一
個の赤外線検出器を形成する。
【００１９】このような並列構造により、赤外線検出単
位素子の大きさを数１０μｍ程度の寸法にとどめたま
ま、赤外線検出器としては赤外線集光光学系から要求さ
れる必要な面積を得ることができる。この結果、赤外線
検出単位素子を十分小さな面積で形成でき、赤外線検出
単位素子を構成する部材間の熱膨脹係数の差等に起因す
る応力等により橋梁型構造に生じる支障を最小限に抑え
ることが可能になる。
位素子の大きさを数１０μｍ程度の寸法にとどめたま
ま、赤外線検出器としては赤外線集光光学系から要求さ
れる必要な面積を得ることができる。この結果、赤外線
検出単位素子を十分小さな面積で形成でき、赤外線検出
単位素子を構成する部材間の熱膨脹係数の差等に起因す
る応力等により橋梁型構造に生じる支障を最小限に抑え
ることが可能になる。
【００２０】また、焦電効果を有する薄膜素子の上部電
極，下部電極を、赤外線吸収層と赤外線反射層として機
能する構成とすることで、赤外線検出体単位素子の赤外
線に対する実効感度を向上させることができる。
極，下部電極を、赤外線吸収層と赤外線反射層として機
能する構成とすることで、赤外線検出体単位素子の赤外
線に対する実効感度を向上させることができる。
【００２１】さらに、赤外線検出単位素子の上部電極、
下部電極を接続する配線路にはトリミングにより切断可
能な部分、即ち、トリミング領域を設けることにより、
赤外線検出器を構成する赤外線検出単位素子中の不良素
子を電気的に分離することが可能となり、赤外線検出器
の製造部留まりを向上させ、かつ、赤外線検出器の検出
感度の調整が可能となる。
下部電極を接続する配線路にはトリミングにより切断可
能な部分、即ち、トリミング領域を設けることにより、
赤外線検出器を構成する赤外線検出単位素子中の不良素
子を電気的に分離することが可能となり、赤外線検出器
の製造部留まりを向上させ、かつ、赤外線検出器の検出
感度の調整が可能となる。
【００２２】さらに、この赤外線検出器を複数個用いた
構成とすれば、各赤外線検出器間の特性のばらつきを、
各赤外線検出器間の赤外線検出単位素子の数をこれらの
特性が同一になるようにトリミングすることで調整で
き、これにより、周辺温度等の外乱の影響を完全に補償
できるため、橋梁型構造の焦電型赤外線検出器の高い検
出感度を損うこと無く、実用価値の高い高感度の赤外線
検出器を得ることができる。
構成とすれば、各赤外線検出器間の特性のばらつきを、
各赤外線検出器間の赤外線検出単位素子の数をこれらの
特性が同一になるようにトリミングすることで調整で
き、これにより、周辺温度等の外乱の影響を完全に補償
できるため、橋梁型構造の焦電型赤外線検出器の高い検
出感度を損うこと無く、実用価値の高い高感度の赤外線
検出器を得ることができる。
【００２３】
【実施例】以下に、本発明の実施例を詳細に説明する。
【００２４】図１に示す赤外線検出器１０は、シリコン
単結晶基板からなる基板１上に形成したＳｉＯ2 の絶縁
層２との間に空隙３を持つ橋梁型構造を呈するととも
に、赤外線吸収能を有する上部電極７、焦電効果を有す
る薄膜素子６及び赤外線反射能を有する下部電極５の積
層体からなる赤外線検出単位素子１１を、前記基板１上
に縦５素子，横１０素子のマトリックス状にそれぞれ縦
約５μｍ，横約２０μｍの間隔をおいて近接して配列
し、各赤外線検出単位素子１１の上部電極７，下部電極
５を並列接続したものである。
単結晶基板からなる基板１上に形成したＳｉＯ2 の絶縁
層２との間に空隙３を持つ橋梁型構造を呈するととも
に、赤外線吸収能を有する上部電極７、焦電効果を有す
る薄膜素子６及び赤外線反射能を有する下部電極５の積
層体からなる赤外線検出単位素子１１を、前記基板１上
に縦５素子，横１０素子のマトリックス状にそれぞれ縦
約５μｍ，横約２０μｍの間隔をおいて近接して配列
し、各赤外線検出単位素子１１の上部電極７，下部電極
５を並列接続したものである。
【００２５】前記赤外線検出単位素子１１の下部電極５
は、列（縦方向）毎に形成した共通電極８に接続され、
各列毎の共通電極８はさらに赤外線検出単位素子１１の
マトリックス外部にある行（横方向）に沿った共通電極
９ａに接続され、赤外線検出器１０の一方の出力として
いる。
は、列（縦方向）毎に形成した共通電極８に接続され、
各列毎の共通電極８はさらに赤外線検出単位素子１１の
マトリックス外部にある行（横方向）に沿った共通電極
９ａに接続され、赤外線検出器１０の一方の出力として
いる。
【００２６】また、赤外線検出単位素子１１の上部電極
７は、前記共通電極９と反対側の上部電極７用の共通電
極９ｂに、それぞれ個別の配線でもって接続され、赤外
線検出器１０の他方の出力としている。赤外線検出器１
０の特性を調整するときには、この共通電極９ｂへの接
続部１３をレーザー光で焼き切ることにより行う。
７は、前記共通電極９と反対側の上部電極７用の共通電
極９ｂに、それぞれ個別の配線でもって接続され、赤外
線検出器１０の他方の出力としている。赤外線検出器１
０の特性を調整するときには、この共通電極９ｂへの接
続部１３をレーザー光で焼き切ることにより行う。
【００２７】即ち、接続部１３は、トリミング領域とし
て機能するようになっている。
て機能するようになっている。
【００２８】図２，図３は、前記赤外線検出単位素子１
１の構造を示すものである。
１の構造を示すものである。
【００２９】この赤外線検出単位素子１１の製造工程を
以下に説明する。
以下に説明する。
【００３０】まず、シリコン単結晶の基板１の表面に、
熱酸化によりＳｉＯ2 の絶縁層２を１０００オングスト
ロームの厚さに形成した。次に、基板１の絶縁層２上
に、ＺｎＯ膜をスパッタ法により約３μｍの厚さに形成
し、橋梁型構造の空隙３に当たる面積約２０μｍ×２０
μｍの部分を残してエッチングにより除去した。この
後、ＣＶＤ法により橋梁型構造の基体となるＳｉ3 Ｎ4
膜４を約１μｍの厚さに形成した。
熱酸化によりＳｉＯ2 の絶縁層２を１０００オングスト
ロームの厚さに形成した。次に、基板１の絶縁層２上
に、ＺｎＯ膜をスパッタ法により約３μｍの厚さに形成
し、橋梁型構造の空隙３に当たる面積約２０μｍ×２０
μｍの部分を残してエッチングにより除去した。この
後、ＣＶＤ法により橋梁型構造の基体となるＳｉ3 Ｎ4
膜４を約１μｍの厚さに形成した。
【００３１】次に、赤外線反射層を兼ねるＰｔ膜からな
る下部電極５を約３０００オングストロームの厚さにス
パッタ法で形成し、イオンミリングにより所定の電極構
造にパターニングした。この下部電極５の上に、チタン
酸ジルコン酸鉛薄膜をスパッタ法により約１μｍの厚さ
に形成し、橋梁型構造上で下部電極５を覆う部分を残し
てエッチングで除去し、これを焦電効果を有する薄膜素
子６とした。この後、上部電極７としてスパッタ法によ
りＮｉＣｒ薄膜を約１００オングストロームの厚さに形
成し、パターニングを行った。
る下部電極５を約３０００オングストロームの厚さにス
パッタ法で形成し、イオンミリングにより所定の電極構
造にパターニングした。この下部電極５の上に、チタン
酸ジルコン酸鉛薄膜をスパッタ法により約１μｍの厚さ
に形成し、橋梁型構造上で下部電極５を覆う部分を残し
てエッチングで除去し、これを焦電効果を有する薄膜素
子６とした。この後、上部電極７としてスパッタ法によ
りＮｉＣｒ薄膜を約１００オングストロームの厚さに形
成し、パターニングを行った。
【００３２】最後に前記Ｓｉ3 Ｎ4 膜４を橋梁型構造を
形成するようにエッチングによりパターニングした。こ
の時、空隙３に相当するＺｎＯ膜も同時にエッチングに
より除去された。
形成するようにエッチングによりパターニングした。こ
の時、空隙３に相当するＺｎＯ膜も同時にエッチングに
より除去された。
【００３３】以上の工程により、図２，図３に示す赤外
線検出単位素子１１を得た。
線検出単位素子１１を得た。
【００３４】このような赤外線検出単位素子１１によれ
ば、基板１をエッチングで除去する従来の製法と比較し
て、製法上の困難性が少なく従来から行われている半導
体製造プロセスと互換性があることから生産性の点で著
しく有効である。
ば、基板１をエッチングで除去する従来の製法と比較し
て、製法上の困難性が少なく従来から行われている半導
体製造プロセスと互換性があることから生産性の点で著
しく有効である。
【００３５】また、焦電効果を有する薄膜素子６の上部
電極７，下部電極５は、赤外線吸収層と赤外線反射層と
して機能するため、赤外線検出体単位素子１１の赤外線
に対する実効感度を向上させることができる。
電極７，下部電極５は、赤外線吸収層と赤外線反射層と
して機能するため、赤外線検出体単位素子１１の赤外線
に対する実効感度を向上させることができる。
【００３６】さらに詳述すると、赤外線検出単位素子１
１が形成する橋梁型構造は、基板１をエッチングで除去
する製法と比較して、製法上の困難性が少なく従来の半
導体製造プロセスと互換性があることから生産性の点で
著しく有効である。
１が形成する橋梁型構造は、基板１をエッチングで除去
する製法と比較して、製法上の困難性が少なく従来の半
導体製造プロセスと互換性があることから生産性の点で
著しく有効である。
【００３７】また、実際の赤外線検出器１０を構成する
ために、前記赤外線検出単位素子１１を図１に示すよう
に、基板１上に縦５素子、横１０素子のマトリックス状
にそれぞれ縦約５μｍ，横約２０μｍの間隔をおいて近
接して配列し、各赤外線検出単位素子１１の上部電極
７，下部電極５を並列接続することで、赤外線検出単位
素子１１の大きさを約１０μｍ程度の寸法にとどめたま
ま、赤外線検出器１０としては赤外線集光光学系から要
求される必要な面積を得ることができる。この結果、赤
外線検出単位素子１１を十分小さな面積で形成でき、赤
外線検出単位素子１１を構成する部材間の熱膨脹係数の
差等に起因する応力等により橋梁型構造に生じる支障を
最小限に抑えることが可能になる。
ために、前記赤外線検出単位素子１１を図１に示すよう
に、基板１上に縦５素子、横１０素子のマトリックス状
にそれぞれ縦約５μｍ，横約２０μｍの間隔をおいて近
接して配列し、各赤外線検出単位素子１１の上部電極
７，下部電極５を並列接続することで、赤外線検出単位
素子１１の大きさを約１０μｍ程度の寸法にとどめたま
ま、赤外線検出器１０としては赤外線集光光学系から要
求される必要な面積を得ることができる。この結果、赤
外線検出単位素子１１を十分小さな面積で形成でき、赤
外線検出単位素子１１を構成する部材間の熱膨脹係数の
差等に起因する応力等により橋梁型構造に生じる支障を
最小限に抑えることが可能になる。
【００３８】図４に、前記赤外線検出器１０を用いたい
わゆる２素子型と称される移動熱源を検出する赤外線検
出器１０Ａを示す。
わゆる２素子型と称される移動熱源を検出する赤外線検
出器１０Ａを示す。
【００３９】この赤外線検出器１０Ａは、前記赤外線検
出単位素子１１を左右それぞれ１０素子づつ並列に接続
して赤外線検出器１０とし、さらに、左右の赤外線検出
器１０における素子群の分極方位が打ち消し合うように
これらを直列に接続して、図示しないインピーダンス変
換用ＦＥＴに出力するようにしたものである。このこの
赤外線検出器１０Ａの等価回路を図５に示す。
出単位素子１１を左右それぞれ１０素子づつ並列に接続
して赤外線検出器１０とし、さらに、左右の赤外線検出
器１０における素子群の分極方位が打ち消し合うように
これらを直列に接続して、図示しないインピーダンス変
換用ＦＥＴに出力するようにしたものである。このこの
赤外線検出器１０Ａの等価回路を図５に示す。
【００４０】この移動熱源検出用の赤外線検出器１０Ａ
は、各赤外線検出単位素子１１が薄膜素子６で形成され
ているため、きわめて応答性が良くかつノイズレベルが
低い上、左右の素子群の電気的特性を前記接続部１３の
トリミングにより非常に高い精度で一致させることがで
きるため、周辺の温度変化等の外乱によるノイズレベル
を著しく小さ抑えることができ、実効的な検出感度を非
常に高くすることができる。
は、各赤外線検出単位素子１１が薄膜素子６で形成され
ているため、きわめて応答性が良くかつノイズレベルが
低い上、左右の素子群の電気的特性を前記接続部１３の
トリミングにより非常に高い精度で一致させることがで
きるため、周辺の温度変化等の外乱によるノイズレベル
を著しく小さ抑えることができ、実効的な検出感度を非
常に高くすることができる。
【００４１】なお、本実施例においては、赤外線検出単
位素子１１を形成する基板１として、熱酸化膜を施した
シリコン基板を用いた場合について説明したが、この場
合、予めシリコン基板上に赤外線検出器からの出力信号
を増幅する出力増幅回路及びその信号処理回路を搭載し
て、同一基板上に赤外線検出器と信号増幅回路，信号処
理回路を集積したセンサとすることも容易である。
位素子１１を形成する基板１として、熱酸化膜を施した
シリコン基板を用いた場合について説明したが、この場
合、予めシリコン基板上に赤外線検出器からの出力信号
を増幅する出力増幅回路及びその信号処理回路を搭載し
て、同一基板上に赤外線検出器と信号増幅回路，信号処
理回路を集積したセンサとすることも容易である。
【００４２】
【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、赤外線検
出単位素子を構成する部材間の熱膨脹係数の差等に起因
する応力等により橋梁型構造に生じる支障を最小限に抑
えることができ、生産性が良く低コスト化が可能となる
とともに、赤外線の集光面積が広く検出感度の良好な赤
外線検出器を提供することができる。
出単位素子を構成する部材間の熱膨脹係数の差等に起因
する応力等により橋梁型構造に生じる支障を最小限に抑
えることができ、生産性が良く低コスト化が可能となる
とともに、赤外線の集光面積が広く検出感度の良好な赤
外線検出器を提供することができる。
【００４３】また、焦電効果を有する薄膜素子の上部電
極，下部電極を、赤外線吸収層と赤外線反射層として機
能させることで、赤外線検出体単位素子の赤外線に対す
る実効感度を向上させることができる。
極，下部電極を、赤外線吸収層と赤外線反射層として機
能させることで、赤外線検出体単位素子の赤外線に対す
る実効感度を向上させることができる。
【００４４】さらに、配線路にトリミング領域を設けた
ことで、製造歩留まりの向上、検出感度の調整も可能と
なる。
ことで、製造歩留まりの向上、検出感度の調整も可能と
なる。
【００４５】さらに、赤外線検出器を複数個の構成と
し、配線路にトリミング領域を設けることで、各赤外線
検出器間の特性調整による高精度の電気的特性を得るこ
とができ、実効的な検出感度の向上を図ることができ
る。
し、配線路にトリミング領域を設けることで、各赤外線
検出器間の特性調整による高精度の電気的特性を得るこ
とができ、実効的な検出感度の向上を図ることができ
る。
【図１】本発明の赤外線検出器の実施例を示す回路図
【図２】本実施例における赤外線検出単位素子の構造を
示す断面図
示す断面図
【図３】本実施例における赤外線検出単位素子の構造を
示す平面図
示す平面図
【図４】本実施例における赤外線検出器を用いた移動熱
源を検出する赤外線検出器の構成図
源を検出する赤外線検出器の構成図
【図５】図４に示す赤外線検出器の等価回路図
【図６】従来の赤外線検出器の断面図
１ 基板 ２ 絶縁層 ３ 空隙 ５ 下部電極層 ６ 薄膜素子 ７ 下部電極層 １０ 赤外線検出器 １１ 赤外線検出単位素子
Claims (4)
- 【請求項１】 基板との間に空隙を持つ橋梁型構造を呈
するとともに、上部電極、焦電効果を有する薄膜素子及
び下部電極の積層体からなる赤外線検出単位素子を、前
記基板上に複数個近接して配列し、各赤外線検出単位素
子の上部電極，下部電極を並列接続したことを特徴とす
る赤外線検出器。 - 【請求項２】 前記上部電極は赤外線吸収能を有し、前
記下部電極は赤外線反射能を有する請求項１記載の赤外
線検出器。 - 【請求項３】 前記上部電極，下部電極を並列接続する
配線路にトリミング領域を設けたものである請求項１又
は２記載の赤外線検出器。 - 【請求項４】 前記赤外線検出器を、複数個用いて構成
したものであるで請求項１乃至３のいずれかに記載の赤
外線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19062392A JPH0637361A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 赤外線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19062392A JPH0637361A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 赤外線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0637361A true JPH0637361A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16261154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19062392A Pending JPH0637361A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 赤外線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0637361A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012137366A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Seiko Epson Corp | 熱型光検出器、熱型光検出装置、電子機器および熱型光検出器の製造方法 |
| US8941063B2 (en) | 2010-12-22 | 2015-01-27 | Seiko Epson Corporation | Thermal detector, thermal detection device, electronic instrument, and thermal detector manufacturing method |
| CN108538954A (zh) * | 2018-05-24 | 2018-09-14 | 南方科技大学 | 一种热释电器件及其制造方法 |
-
1992
- 1992-07-17 JP JP19062392A patent/JPH0637361A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8941063B2 (en) | 2010-12-22 | 2015-01-27 | Seiko Epson Corporation | Thermal detector, thermal detection device, electronic instrument, and thermal detector manufacturing method |
| JP2012137366A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Seiko Epson Corp | 熱型光検出器、熱型光検出装置、電子機器および熱型光検出器の製造方法 |
| CN108538954A (zh) * | 2018-05-24 | 2018-09-14 | 南方科技大学 | 一种热释电器件及其制造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010828 |