JPS5838952B2 - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS5838952B2 JPS5838952B2 JP622776A JP622776A JPS5838952B2 JP S5838952 B2 JPS5838952 B2 JP S5838952B2 JP 622776 A JP622776 A JP 622776A JP 622776 A JP622776 A JP 622776A JP S5838952 B2 JPS5838952 B2 JP S5838952B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- semiconductor laser
- present
- carbon
- laser device
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザ装置、さらに詳しくいえばファブ
リペロ形装置の鏡面またはその近傍の劣化を防止するた
めの層を設けた改良された半導体レーザ装置に関する。
リペロ形装置の鏡面またはその近傍の劣化を防止するた
めの層を設けた改良された半導体レーザ装置に関する。
ファブリペロ形半導体装置または、その他の形式のレー
ザ装置において、レーザ光出力をとり出す結晶面に、誘
電体被膜または誘電体被膜で絶縁された金属膜を付着さ
せ、反射防止、完全反射などの種々の光学的機能をもた
せる必要の生ずる場合がしばしばある。
ザ装置において、レーザ光出力をとり出す結晶面に、誘
電体被膜または誘電体被膜で絶縁された金属膜を付着さ
せ、反射防止、完全反射などの種々の光学的機能をもた
せる必要の生ずる場合がしばしばある。
被膜の素材の面から考えると、５ｉ０２ 、Ｓｉ３Ｎ４
などはガリウムをとり込み易い性質をもっており、鏡面
を構成する■−■属化金化合物陥を導入し易いという問
題がある。
などはガリウムをとり込み易い性質をもっており、鏡面
を構成する■−■属化金化合物陥を導入し易いという問
題がある。
またＳｉＯなとは水分（Ｈ２Ｏ）を含み易いので、半導
体レーザの長期安定動作を害する要因となっている。
体レーザの長期安定動作を害する要因となっている。
以上のように従来の半導体レーザ装置の鏡面に設けられ
る、誘電体被膜は、自体の材料について種々の問題を有
するものであった。
る、誘電体被膜は、自体の材料について種々の問題を有
するものであった。
本発明は以上述べたような鏡面に設けられる誘電体被膜
の問題に着目してなされたものであって、本発明の目的
は鏡面の劣化、半導体素子本体の劣化の要因を除去した
改良された半導体レーザ装置を提供することにある。
の問題に着目してなされたものであって、本発明の目的
は鏡面の劣化、半導体素子本体の劣化の要因を除去した
改良された半導体レーザ装置を提供することにある。
前記目的を達成するために本発明による半導体レーザ装
置は、半導体レーザ装置において、前記装置の半導体の
入出力端面のいずれか一方または両方にダイヤモンド構
造もしくはダイヤモンド構造に近い構造の炭素薄膜層を
形成しである。
置は、半導体レーザ装置において、前記装置の半導体の
入出力端面のいずれか一方または両方にダイヤモンド構
造もしくはダイヤモンド構造に近い構造の炭素薄膜層を
形成しである。
このような構成によれば、炭素薄膜層が、光学的に透明
な膜として機能するほか、保護膜として機能する。
な膜として機能するほか、保護膜として機能する。
この炭素薄膜層はきわめで安定なものであるから、この
層上にさらに任意の誘電体層を形成することも可能であ
り、そのときは、セパレータとして機能する。
層上にさらに任意の誘電体層を形成することも可能であ
り、そのときは、セパレータとして機能する。
したがって、前述した構成によれば本発明の目的は完全
に達成される。
に達成される。
なお、本願発明の発明者の一人は、半導体レーザ装置（
特願昭５１−５３３１号）の発明をしている。
特願昭５１−５３３１号）の発明をしている。
前記発明に係る明細書において、炭素薄膜を有する半導
体レーザ装置について述べているが、本発明とは趣旨を
異にするものである。
体レーザ装置について述べているが、本発明とは趣旨を
異にするものである。
特願昭５１−５３３１号に係る発明における炭素薄膜は
、横モード制御のために共振器端面の活性層領域の中心
部分を除いた部分には着させたものである。
、横モード制御のために共振器端面の活性層領域の中心
部分を除いた部分には着させたものである。
そして炭素薄膜は、反射防止膜の素材の一例として例示
されたものである。
されたものである。
以下詳しく説明するように、本発明における炭素薄膜は
、出射端面の保護のために設けられた保護膜である。
、出射端面の保護のために設けられた保護膜である。
したがって、保護膜として機能する構成を持つもので、
反射防止膜の素材の一例としての炭素薄膜とは目的構成
を異にするものである。
反射防止膜の素材の一例としての炭素薄膜とは目的構成
を異にするものである。
以下、本発明をさらに詳しく説明する。
ダイヤモンド構造もしくはそれに近い構造を呈する炭素
膜は稠密な原子配列をもつ。
膜は稠密な原子配列をもつ。
したがって、種々の必要な光学的機能を有する誘電体薄
膜をこの上に成長する際、高温中で処理されても、ダイ
ヤモンド状炭素膜が保護膜として作用し、ｐＮ接合の特
性などが害されることなく、不純物の混入は防止される
。
膜をこの上に成長する際、高温中で処理されても、ダイ
ヤモンド状炭素膜が保護膜として作用し、ｐＮ接合の特
性などが害されることなく、不純物の混入は防止される
。
また従前の誘電体薄膜はＩＩ−Ｖ族化合物にとり好まし
くない性質、例えばＳｉＯ２がガリウムを含みやすい等
々の性質をもつが、光学的に、あるいは、製造上膜厚そ
の他のコントロールが容易である等の長所を有する物質
をこのダイヤモンド状炭素膜の上にけ着させ、光学的に
機能させるように構成することができる。
くない性質、例えばＳｉＯ２がガリウムを含みやすい等
々の性質をもつが、光学的に、あるいは、製造上膜厚そ
の他のコントロールが容易である等の長所を有する物質
をこのダイヤモンド状炭素膜の上にけ着させ、光学的に
機能させるように構成することができる。
このときダイヤモンド状炭素膜を共振器構成物質と誘電
体との隔離膜として機能させることができる。
体との隔離膜として機能させることができる。
また、この炭素膜の原子配列の稠密性は半導体レーザ素
子の長期動作時の劣化の一因である共振器鏡面構成物質
のアウトディフュージョンまたは外部雰囲気のインディ
フュージョンに対する防止機能をも併せ持っている。
子の長期動作時の劣化の一因である共振器鏡面構成物質
のアウトディフュージョンまたは外部雰囲気のインディ
フュージョンに対する防止機能をも併せ持っている。
図は本発明により構成した半導体レーザ装置の好ましい
実施例を示す断面図である。
実施例を示す断面図である。
４は半導体レーザ装置の共振器鏡であり、右側の鏡面に
ダイヤモンド構造もしくはダイヤモンド構造に近い構造
を呈する炭素薄膜１とＳｉＯ２の薄膜２とがけ着してい
る。
ダイヤモンド構造もしくはダイヤモンド構造に近い構造
を呈する炭素薄膜１とＳｉＯ２の薄膜２とがけ着してい
る。
３はレーザ発振のための活性層である。本発明の実施例
では１と２とは、レーザの発振光に対する反射防止膜と
して機能している。
では１と２とは、レーザの発振光に対する反射防止膜と
して機能している。
ダイヤモンド構造もしくはダイヤモンド構造に近い構造
を呈する炭素薄膜を例えば数１００人程度鏡面に成長し
、次にＳｉＯ２をスパッタ法またはＣＶＤ法により膜厚
を制御しながら成長する。
を呈する炭素薄膜を例えば数１００人程度鏡面に成長し
、次にＳｉＯ２をスパッタ法またはＣＶＤ法により膜厚
を制御しながら成長する。
膜厚は、炭素膜とＳｉＯ２膜を込みにして全体で反射防
止膜となるように調節しである。
止膜となるように調節しである。
以上詳しく説明した実施例につき、本発明の範囲内で種
々の変形を施すことができる。
々の変形を施すことができる。
例えは入出力面は要求される種々の光学的機能によって
異った構造をとらせることが可能であるが、要は、ダイ
ヤモンド状炭素膜には共振器構成物質と外界との間の物
質の移動を阻止させさらに必要に応じ炭素膜上に成長す
る誘電均質により、所望の光学的機能を果さしめる構造
をとることにあり、本発明の範囲は、それ等の変形例を
含めて特許請求の範囲記載のすべてにおよぶものである
。
異った構造をとらせることが可能であるが、要は、ダイ
ヤモンド状炭素膜には共振器構成物質と外界との間の物
質の移動を阻止させさらに必要に応じ炭素膜上に成長す
る誘電均質により、所望の光学的機能を果さしめる構造
をとることにあり、本発明の範囲は、それ等の変形例を
含めて特許請求の範囲記載のすべてにおよぶものである
。
図は本発明による半導体レーザ装置の断面図である。
１・・・・・・炭素薄膜層、２・・・・・・誘電体層、
３・・・・・・活性層、４・・・・・・共振鏡面。
３・・・・・・活性層、４・・・・・・共振鏡面。
Claims (1)
- １ 半導体レーザ装置において、前記装置の半導体の入
出力端面のいずれか一方または両方の端面鏡面にダイヤ
モンド構造もしくはダイヤモンド構造に近い構造の炭素
薄膜層を形成したことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP622776A JPS5838952B2 (ja) | 1976-01-22 | 1976-01-22 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP622776A JPS5838952B2 (ja) | 1976-01-22 | 1976-01-22 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5290281A JPS5290281A (en) | 1977-07-29 |
| JPS5838952B2 true JPS5838952B2 (ja) | 1983-08-26 |
Family
ID=11632621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP622776A Expired JPS5838952B2 (ja) | 1976-01-22 | 1976-01-22 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5838952B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6253547U (ja) * | 1985-09-25 | 1987-04-02 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2514743B1 (fr) * | 1981-10-21 | 1986-05-09 | Rca Corp | Pellicule amorphe a base de carbone, du type diamant, et son procede de fabrication |
| WO2008090727A1 (ja) * | 2007-01-25 | 2008-07-31 | Nec Corporation | 窒化物系半導体光素子 |
-
1976
- 1976-01-22 JP JP622776A patent/JPS5838952B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6253547U (ja) * | 1985-09-25 | 1987-04-02 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5290281A (en) | 1977-07-29 |
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