JPS5854516B2 - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS5854516B2 JPS5854516B2 JP13626380A JP13626380A JPS5854516B2 JP S5854516 B2 JPS5854516 B2 JP S5854516B2 JP 13626380 A JP13626380 A JP 13626380A JP 13626380 A JP13626380 A JP 13626380A JP S5854516 B2 JPS5854516 B2 JP S5854516B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- semiconductor laser
- thickness
- reflective surface
- threshold current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザに関し、特に反射面表面に形成す
る保護膜に関する。
る保護膜に関する。
半導体レーザの主要構成要素である半導体レーザ素子は
第１図□示すごとく、結晶臂開面１を反射面とし、活性
層２を発光部とする光共振器が構成されている。
第１図□示すごとく、結晶臂開面１を反射面とし、活性
層２を発光部とする光共振器が構成されている。
なお３はクラッド層、４は電極層、６は半導体基板であ
る。
る。
かかる構造の半導体レーザ素子の動作を長時間にわたり
安定ならしめるため、かねてより上記結晶臂開面１より
なる反射面１上にアルミナＡｌ２Ｏ。
安定ならしめるため、かねてより上記結晶臂開面１より
なる反射面１上にアルミナＡｌ２Ｏ。
或いは二酸化シリコン５ｉ０２等よりなる保護膜６を形
成して反射面１の変性及び汚染を防止している。
成して反射面１の変性及び汚染を防止している。
そして上記保護膜６を設けたことによる反射面１での反
射率の低下を防ぐため保護膜中での波長λの１／２、ま
たはその整数倍としていた。
射率の低下を防ぐため保護膜中での波長λの１／２、ま
たはその整数倍としていた。
ところが保護膜６の厚さをλ／２またはその判数倍に正
確に制御することは必ずしも容易では）い。
確に制御することは必ずしも容易では）い。
しかも１〔μ扉〕波帯のような長波長帯用（半導体レー
ザにおいては保護膜６の膜厚も厚くするので、保護膜６
の形成に長時間を要すること、従ってまた保護膜６を形
成する間に半導体結晶しよりその成分元素が気化して反
射面１の変成や（護膜６の汚染を生じ易いという問題が
ある。
ザにおいては保護膜６の膜厚も厚くするので、保護膜６
の形成に長時間を要すること、従ってまた保護膜６を形
成する間に半導体結晶しよりその成分元素が気化して反
射面１の変成や（護膜６の汚染を生じ易いという問題が
ある。
本発明の目的は上記問題点を解消して、反射石の保護効
果を損なうことなくしかも形成容易な（護膜を具備する
半導体レーザを提供することに２る。
果を損なうことなくしかも形成容易な（護膜を具備する
半導体レーザを提供することに２る。
本発明の特徴は、半導体レーザ素子の２つのＬ射面表面
に形成された保護膜の厚さを発光の保ｇ膜中での長の１
／１０以下としたことにある。
に形成された保護膜の厚さを発光の保ｇ膜中での長の１
／１０以下としたことにある。
以下本発明の一実施例を図面により説明する。
第２図は本実施例の要部である半導体レーザ）子の構造
を示す断面図であって、第１図と同→分は同一符号で示
しである。
を示す断面図であって、第１図と同→分は同一符号で示
しである。
更に６及び７は金ぶ電極、１６はアルミナＡＬ２０３よ
りなり且つそσ中での波長λの１７１０以下の厚さの保
護膜でｊる。
りなり且つそσ中での波長λの１７１０以下の厚さの保
護膜でｊる。
前述の如く保護膜の厚さをλ／２または整数層とした時
に反射率は最大となり、その結果しきし値電流Ｉｔｈは
保護膜が無い時の値Ｉ ｔｈｏとはｔ・同一となる。
に反射率は最大となり、その結果しきし値電流Ｉｔｈは
保護膜が無い時の値Ｉ ｔｈｏとはｔ・同一となる。
保護膜の厚さがλ／２またはその卑数倍でない時は１ｔ
ｈはＩ ｔｈｏよりも大きくなる。
ｈはＩ ｔｈｏよりも大きくなる。
第３図はその模様を示す曲線図で、横軸は保護ルの厚さ
ｔ、縦軸はしきい値電流比Ｉｔｈ／Ｉｔｈｏ’！示す。
ｔ、縦軸はしきい値電流比Ｉｔｈ／Ｉｔｈｏ’！示す。
本実施例においてはｔを従来とは異なりλ７１以下とし
たので、 Ｉ ｔｈ ／Ｉ ｔｈｏは１より大きい力１
．１を超えることはない。
たので、 Ｉ ｔｈ ／Ｉ ｔｈｏは１より大きい力１
．１を超えることはない。
つまりしきい値電流σばらつきは１０［％］以下である
。
。
この程度のに：らつきは従来においても膜厚誤差により
発生し１いた。
発生し１いた。
従って保護膜の厚さｔを従来の如く最適佃のλ／２とす
る代りに本実施例の如くλ／１０以下としてもしきい値
電流１ｔｈの分布は何ら異なる所はない。
る代りに本実施例の如くλ／１０以下としてもしきい値
電流１ｔｈの分布は何ら異なる所はない。
一方ｔをλ／１０以下と薄くすることにより、保護膜１
６を形成するのに要する時間をきわめて短かくすること
ができる。
６を形成するのに要する時間をきわめて短かくすること
ができる。
このことは反射面１を高温にさらす時間が短かくなるこ
とを意味し、そのため反射面１において使用した半導体
結晶の成分元素が気化する等の理由により生じる反射面
の変性を著しく軽減ないしは防止することが可能となり
、発光特性の不良率が減少し、また高温放置によるしき
い値電流の変動が著しく改善された。
とを意味し、そのため反射面１において使用した半導体
結晶の成分元素が気化する等の理由により生じる反射面
の変性を著しく軽減ないしは防止することが可能となり
、発光特性の不良率が減少し、また高温放置によるしき
い値電流の変動が著しく改善された。
なお本実施例に示した厚さがλ／１０以下の保護膜１６
を形成する方法は従来と何ら異ならしめる必要はないの
で、半導体レーザの製造工程は従来と何ら変る所はない
。
を形成する方法は従来と何ら異ならしめる必要はないの
で、半導体レーザの製造工程は従来と何ら変る所はない
。
また保護膜１６の材質はアルミナＡｌ２Ｏ３に限定され
る必要はなく、二酸化シリコン５ｉ０２等通常用いられ
るものの中から適宜選択して良い。
る必要はなく、二酸化シリコン５ｉ０２等通常用いられ
るものの中から適宜選択して良い。
以上説明したごとく本発明によれば、反射面１上を被覆
する保護膜１６を発光の保護膜中での波長λの１／１０
以下の厚さとすることにより、しきい値電流のばらつき
を増大させることなく、半導体レーザの製造歩留り及び
信頼度が向上する。
する保護膜１６を発光の保護膜中での波長λの１／１０
以下の厚さとすることにより、しきい値電流のばらつき
を増大させることなく、半導体レーザの製造歩留り及び
信頼度が向上する。
しかもその製造工程には何ら変更を加える必要はない。
第１図は従来の半導体レーザを示す要部断面図、第２図
は本発明の一実施例を示す要部断面図、第３図は保護膜
の厚さｔとしきい値電流比（Ｉｔｈ／Ｉｔｈｏ）との関
係を示す曲線図である。 図において、１は反射面、２は活性層、１６は保護膜を
示す。
は本発明の一実施例を示す要部断面図、第３図は保護膜
の厚さｔとしきい値電流比（Ｉｔｈ／Ｉｔｈｏ）との関
係を示す曲線図である。 図において、１は反射面、２は活性層、１６は保護膜を
示す。
Claims (1)
- １ 半導体レーザ素子の２つの反射面表面に保護膜を有
する半導体レーザにおいて、前記保護膜の厚さを当該半
導体レーザ素子の発光の該保護膜中での波長の１／１０
以下としたことを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13626380A JPS5854516B2 (ja) | 1980-09-30 | 1980-09-30 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13626380A JPS5854516B2 (ja) | 1980-09-30 | 1980-09-30 | 半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5760884A JPS5760884A (en) | 1982-04-13 |
| JPS5854516B2 true JPS5854516B2 (ja) | 1983-12-05 |
Family
ID=15171092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13626380A Expired JPS5854516B2 (ja) | 1980-09-30 | 1980-09-30 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5854516B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH064621U (ja) * | 1992-06-24 | 1994-01-21 | 株式会社チノー | 電子計器 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5814590A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ |
| JP5851866B2 (ja) * | 2012-02-02 | 2016-02-03 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
-
1980
- 1980-09-30 JP JP13626380A patent/JPS5854516B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH064621U (ja) * | 1992-06-24 | 1994-01-21 | 株式会社チノー | 電子計器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5760884A (en) | 1982-04-13 |
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