JPH0432285A - 端面出射型半導体発光素子 - Google Patents
端面出射型半導体発光素子Info
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- JPH0432285A JPH0432285A JP2137171A JP13717190A JPH0432285A JP H0432285 A JPH0432285 A JP H0432285A JP 2137171 A JP2137171 A JP 2137171A JP 13717190 A JP13717190 A JP 13717190A JP H0432285 A JPH0432285 A JP H0432285A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
-
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- H01S5/0282—Passivation layers or treatments
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- H01S5/0283—Optically inactive coating on the facet, e.g. half-wave coating
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
技術分野
この発明は１発光した光が素子の端面から出射され、そ
の光出射端面または光反射端面に端面コート膜が形成さ
れている端面出射型半導体発光素子に関する。
の光出射端面または光反射端面に端面コート膜が形成さ
れている端面出射型半導体発光素子に関する。
従来技術とその問題点
半導体レーザなどの端面出射型発光素子の端面劣化はＣ
ＯＤ （Ｃａｔａｓｔｒｏｐｈｉｃ ０ｐｔｉｅａｌ
Ｄａｍａｇｅ ）によること、およびこのＣＯＤは端面
ての局所的な発熱によることが報告されている（たとえ
ばＡｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、、 ５５ （１
９８９） １１５２） 、これによると端面の温度が高
いほどＣＯＤが早く起ることが予測されている。そこで
ＣＯＤを起りにくくするために端面部での発熱を抑える
ことが必要となるが、そのために端面部に電流を流れな
いようにするとか、端面を（Ｎ Ｈ４）２ ｓ処理する
などして不純物準位を下げるなどの工夫がなされている
。
ＯＤ （Ｃａｔａｓｔｒｏｐｈｉｃ ０ｐｔｉｅａｌ
Ｄａｍａｇｅ ）によること、およびこのＣＯＤは端面
ての局所的な発熱によることが報告されている（たとえ
ばＡｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、、 ５５ （１
９８９） １１５２） 、これによると端面の温度が高
いほどＣＯＤが早く起ることが予測されている。そこで
ＣＯＤを起りにくくするために端面部での発熱を抑える
ことが必要となるが、そのために端面部に電流を流れな
いようにするとか、端面を（Ｎ Ｈ４）２ ｓ処理する
などして不純物準位を下げるなどの工夫がなされている
。
発明の概要
発明の目的
この発明は端面出射型半導体発光素子において、端面で
の放熱性を上げるという観点から端面劣化を防止しよう
とするものである。
の放熱性を上げるという観点から端面劣化を防止しよう
とするものである。
発明の構成２作用および効果
この発明は２発光した光が素子の端面から出射し、その
光出射端面または光反射端面に端面コート膜が形成され
ている端面出射型半導体発光素子において、上記端面コ
ート膜に熱伝導率の高い材料が用いられていることを特
徴とする。
光出射端面または光反射端面に端面コート膜が形成され
ている端面出射型半導体発光素子において、上記端面コ
ート膜に熱伝導率の高い材料が用いられていることを特
徴とする。
上記保護膜の材料にはＢｅＯ（ベリリア）または５ｉＣ
（炭化珪素）を挙げることができる。
（炭化珪素）を挙げることができる。
この発明によると、端面出射型半導体発光素子において
端面の保護や反射率の制御等の目的で設けられている端
面コート膜として熱伝導率のよい材料が用いられている
から、端面部での放熱性を向上し、端面部での局所的な
温度上昇を抑えることができ、ＣＯＤ等による端面劣化
を防止し１発光素子の長寿命化を達成しうる。
端面の保護や反射率の制御等の目的で設けられている端
面コート膜として熱伝導率のよい材料が用いられている
から、端面部での放熱性を向上し、端面部での局所的な
温度上昇を抑えることができ、ＣＯＤ等による端面劣化
を防止し１発光素子の長寿命化を達成しうる。
実施例の説明
図面はこの発明の実施例を示すもので、端面出射型半導
体レーザの断面を表わしている。
体レーザの断面を表わしている。
ｎ −ＧａＡｓ基板１上に、 ｎ−ＡｐＧａＡｓ下部ク
ラッド層り、アンドープＡ、１７ＧａＡｓ活性層３．ｐ
−Ａ、１）ＧａＡｓ上部クラッド層４． ｐ−ＧａＡ
ｓキャップ層５を順次成長させる。ｎ −ＧａＡｓ基板
１の下面にＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ電極６が、ｐ−ＧａＡｓ
キャップ層５の上面にＣｒ／Ａｕ電極７がそれぞれ形成
されている。またこの半導体レーザの両側面にパシベー
ション膜（保護膜または酸化防止膜）８が形成さレテい
る。パシベーション膜８は熱伝導率の高い材料（たとえ
ばＢｅｄ、 ＳｉＣなど）より構成され。
ラッド層り、アンドープＡ、１７ＧａＡｓ活性層３．ｐ
−Ａ、１）ＧａＡｓ上部クラッド層４． ｐ−ＧａＡ
ｓキャップ層５を順次成長させる。ｎ −ＧａＡｓ基板
１の下面にＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ電極６が、ｐ−ＧａＡｓ
キャップ層５の上面にＣｒ／Ａｕ電極７がそれぞれ形成
されている。またこの半導体レーザの両側面にパシベー
ション膜（保護膜または酸化防止膜）８が形成さレテい
る。パシベーション膜８は熱伝導率の高い材料（たとえ
ばＢｅｄ、 ＳｉＣなど）より構成され。
出射光の波の整合をとるためにその厚さはほぼλ／ ２
ｎとされている（λは出射光の波長、ｎはパシベーシ
ョン膜８の屈折率である）。パシベーション膜８は電子
ビーム蒸着またはスパッタリングにより素子の端面に形
成される。
ｎとされている（λは出射光の波長、ｎはパシベーシ
ョン膜８の屈折率である）。パシベーション膜８は電子
ビーム蒸着またはスパッタリングにより素子の端面に形
成される。
図面に示す半導体レーザにおいて、電極６と７の間に電
流が流されると活性層３で発光したレーザ光が両端面か
ら外部に出射される。このレーザ発振動作により端面部
で生じる発熱は熱伝導性の高い材料から構成される両端
面のパシベーション膜８により外部に放熱され、温度上
昇を抑えられる。
流が流されると活性層３で発光したレーザ光が両端面か
ら外部に出射される。このレーザ発振動作により端面部
で生じる発熱は熱伝導性の高い材料から構成される両端
面のパシベーション膜８により外部に放熱され、温度上
昇を抑えられる。
パシベーション膜８の材料の一つであるＢｅＯは、下表
に示すとおり、従来のパシベーション膜として用いられ
たＡｊｌ１２０３と比較すると、屈折率はほぼ同じであ
るが、熱伝導率は約１０倍近くあり端面部での放熱を改
善することができることが分る。
に示すとおり、従来のパシベーション膜として用いられ
たＡｊｌ１２０３と比較すると、屈折率はほぼ同じであ
るが、熱伝導率は約１０倍近くあり端面部での放熱を改
善することができることが分る。
図面はこの発明の実施例を示すもので、端面出射型半導
体レーザの断面図である。
体レーザの断面図である。
８・・・パシベーション膜。
以 上
半導体発光素子の一方の端面における光の反射率を制御
するために反射膜が形成される場合がある。この発明は
、膜厚λ／２ｎのパシベーション膜のみならず、どのよ
うな反射膜にも適用できる。たとえばＢｅｄ、 ＳｉＣ
等の熱伝導率の高い材料を用い、その膜厚をほぼλ／
４ ｎとしてＡＲコート膜とすることもできるし、膜厚
λ／ ４ ｎのＢｅＯ膜とＳｉＣ膜とを交互に配して多
層膜を形成することによりＨＲコート膜とすることもで
きる。
するために反射膜が形成される場合がある。この発明は
、膜厚λ／２ｎのパシベーション膜のみならず、どのよ
うな反射膜にも適用できる。たとえばＢｅｄ、 ＳｉＣ
等の熱伝導率の高い材料を用い、その膜厚をほぼλ／
４ ｎとしてＡＲコート膜とすることもできるし、膜厚
λ／ ４ ｎのＢｅＯ膜とＳｉＣ膜とを交互に配して多
層膜を形成することによりＨＲコート膜とすることもで
きる。
端面コートの材料としてはＢｅＯに限らずＳｉＣなど熱
伝導率の高いものならばよい。
伝導率の高いものならばよい。
Claims (2)
- （１）発光した光が素子の端面から出射し、その光出射
端面または光反射端面に端面コート膜が形成されている
端面出射型半導体発光素子において、上記端面コート膜
に熱伝導率の高い材料が用いられていることを特徴とす
る端面出射型半導体発光素子。 - （２）上記端面コート膜の材料にＢｅＯまたはＳｉＣが
用いられている請求項（１）に記載の端面出射型半導体
発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2137171A JPH0432285A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 端面出射型半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2137171A JPH0432285A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 端面出射型半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0432285A true JPH0432285A (ja) | 1992-02-04 |
Family
ID=15192480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2137171A Pending JPH0432285A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 端面出射型半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0432285A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH114030A (ja) * | 1997-06-12 | 1999-01-06 | Nec Corp | 励起型固体レーザ装置 |
| KR100584376B1 (ko) * | 2004-11-10 | 2006-05-26 | 삼성전자주식회사 | 산화 차단층들을 갖는 레이저 다이오드의 제작 방법 |
| EP2290766A2 (de) | 2009-08-28 | 2011-03-02 | m2k-laser GmbH | Hochleistungs-Diodenlaser und Verfahren zum Herstellen eines Hochleistung-Diodenlasers |
-
1990
- 1990-05-29 JP JP2137171A patent/JPH0432285A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH114030A (ja) * | 1997-06-12 | 1999-01-06 | Nec Corp | 励起型固体レーザ装置 |
| KR100584376B1 (ko) * | 2004-11-10 | 2006-05-26 | 삼성전자주식회사 | 산화 차단층들을 갖는 레이저 다이오드의 제작 방법 |
| EP2290766A2 (de) | 2009-08-28 | 2011-03-02 | m2k-laser GmbH | Hochleistungs-Diodenlaser und Verfahren zum Herstellen eines Hochleistung-Diodenlasers |
| DE102009054912A1 (de) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | M2K-Laser Gmbh | Hochleistungs-Diodenlaser und Verfahren zum Herstellen eines Hochleistungs-Diodenlasers |
| EP2290766A3 (de) * | 2009-08-28 | 2015-04-22 | m2k-laser GmbH | Hochleistungs-Diodenlaser und Verfahren zum Herstellen eines Hochleistung-Diodenlasers |
| US9450375B2 (en) | 2009-08-28 | 2016-09-20 | M2K-Laser Gmbh | High-power diode laser and method for producing a high-power diode laser |
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