JPH0745910A - 半導体レーザー - Google Patents
半導体レーザーInfo
- Publication number
- JPH0745910A JPH0745910A JP19066993A JP19066993A JPH0745910A JP H0745910 A JPH0745910 A JP H0745910A JP 19066993 A JP19066993 A JP 19066993A JP 19066993 A JP19066993 A JP 19066993A JP H0745910 A JPH0745910 A JP H0745910A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- semiconductor laser
- laser
- layer
- films
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体レーザーのｐｎ接合が露出している端面
に反射率の高い多層ミラーを作製するにあたり、反射膜
の光学的特性を最適に保ちながら、同時にｐｎ接合での
電流リークを無くし、電気的特性の劣化を抑えることを
目的とする。 【構成】本発明は、ｐ型とｎ型の半導体層を有し、隣接
するｐ型とｎ型の半導体２，４の界面を横切って端面
９，１０に形成された多層反射膜により、素子内部に特
定の波長λの光を閉じ込める半導体レーザーにおいて、
多層反射膜７，８と半導体の端面の間に、光学的な厚さ
がレーザーの発振波長λの１／２の整数倍である透明な
絶縁膜６を形成する。 【効果】電気的な絶縁性はレーザーの端面に形成された
透明な絶縁膜で確保され、反射率はその絶縁膜の上に形
成された多層反射膜で制御されるので、電気的な特性と
光学的な特性が独立に最適化でき、半導体レーザーの高
性能化とばらつきの低減を図れる。
に反射率の高い多層ミラーを作製するにあたり、反射膜
の光学的特性を最適に保ちながら、同時にｐｎ接合での
電流リークを無くし、電気的特性の劣化を抑えることを
目的とする。 【構成】本発明は、ｐ型とｎ型の半導体層を有し、隣接
するｐ型とｎ型の半導体２，４の界面を横切って端面
９，１０に形成された多層反射膜により、素子内部に特
定の波長λの光を閉じ込める半導体レーザーにおいて、
多層反射膜７，８と半導体の端面の間に、光学的な厚さ
がレーザーの発振波長λの１／２の整数倍である透明な
絶縁膜６を形成する。 【効果】電気的な絶縁性はレーザーの端面に形成された
透明な絶縁膜で確保され、反射率はその絶縁膜の上に形
成された多層反射膜で制御されるので、電気的な特性と
光学的な特性が独立に最適化でき、半導体レーザーの高
性能化とばらつきの低減を図れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光情報処理や光伝送に
おける基本素子である半導体発光素子に関し、特に、端
面発光型の半導体レーザーに関する。
おける基本素子である半導体発光素子に関し、特に、端
面発光型の半導体レーザーに関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、光情報処理や光伝送における基本
素子である端面発光型半導体レーザーでは、ｐｎ接合が
露出している共振器の両端に光を閉じ込めるミラー（反
射膜）を形成している。この反射膜として通常用いられ
ているものには、屈折率の高い誘電体と低い誘電体を交
互に積層した誘電体交互層による多層ミラーと、絶縁膜
上に反射率の大きな高反射材料を形成した２層ミラーの
２種類がある。また、レーザーの発振しきい電流値を減
少させるためや、高出力のレーザーを作製するために
は、より反射率の高い反射ミラーが必要となる。
素子である端面発光型半導体レーザーでは、ｐｎ接合が
露出している共振器の両端に光を閉じ込めるミラー（反
射膜）を形成している。この反射膜として通常用いられ
ているものには、屈折率の高い誘電体と低い誘電体を交
互に積層した誘電体交互層による多層ミラーと、絶縁膜
上に反射率の大きな高反射材料を形成した２層ミラーの
２種類がある。また、レーザーの発振しきい電流値を減
少させるためや、高出力のレーザーを作製するために
は、より反射率の高い反射ミラーが必要となる。
【０００３】誘電体交互層による多層ミラーとしては、
Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）とＳｉ（シリコン）の層を交互に
積層した組み合わせや、ＴｉＯ2（酸化チタン）とＳｉ
Ｏ2（酸化シリコン）の組み合わせなど、様々な組み合
わせの誘電体交互膜による反射ミラーが報告されてい
る。この誘電体交互層による多層ミラーは吸収が少な
く、層数を増すことで反射率を向上させることができ、
誘電体自身が絶縁性であるものが多い。そのため、２層
ミラーよりさらに高い反射率を実現するためによく用い
られている。図３は、誘電体多層膜の例（P.L.Derry，
A.Yariv，et al.，Applied PhysicsLetters，vol.50，p
p.1773〜1775，1987）で、ＧａＡｓ基板１００の上に積
層したレーザー部１０１の共振器の端面に、光学的な厚
さが発振波長の１／４であるＳｉとＡｌ2Ｏ3の多層膜１
０２をコーティングしたものである。
Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）とＳｉ（シリコン）の層を交互に
積層した組み合わせや、ＴｉＯ2（酸化チタン）とＳｉ
Ｏ2（酸化シリコン）の組み合わせなど、様々な組み合
わせの誘電体交互膜による反射ミラーが報告されてい
る。この誘電体交互層による多層ミラーは吸収が少な
く、層数を増すことで反射率を向上させることができ、
誘電体自身が絶縁性であるものが多い。そのため、２層
ミラーよりさらに高い反射率を実現するためによく用い
られている。図３は、誘電体多層膜の例（P.L.Derry，
A.Yariv，et al.，Applied PhysicsLetters，vol.50，p
p.1773〜1775，1987）で、ＧａＡｓ基板１００の上に積
層したレーザー部１０１の共振器の端面に、光学的な厚
さが発振波長の１／４であるＳｉとＡｌ2Ｏ3の多層膜１
０２をコーティングしたものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の多層ミラーを作
製するにあたって考慮すべき問題は、光学的特性と電気
的な特性は同時に最適化できない場合があるということ
である。即ち、半導体レーザーの出射端面にミラーを形
成するためには、ｐｎ接合を横切ってミラーを形成する
必要があり、ｐｎ接合でショートを引き起こさないため
には、ｐｎ接合に接する反射膜材料は絶縁物である必要
があり、同時に所望の反射率を実現できなくてはならな
い。この２つの条件は常に満足されるとは限らず、光学
的特性を向上させるために理想的な材料が絶縁体でない
ために、反射膜の作製後にショートを引き起こす例があ
る。
製するにあたって考慮すべき問題は、光学的特性と電気
的な特性は同時に最適化できない場合があるということ
である。即ち、半導体レーザーの出射端面にミラーを形
成するためには、ｐｎ接合を横切ってミラーを形成する
必要があり、ｐｎ接合でショートを引き起こさないため
には、ｐｎ接合に接する反射膜材料は絶縁物である必要
があり、同時に所望の反射率を実現できなくてはならな
い。この２つの条件は常に満足されるとは限らず、光学
的特性を向上させるために理想的な材料が絶縁体でない
ために、反射膜の作製後にショートを引き起こす例があ
る。
【０００５】例えば、ＴｉＯ2 とＳｉＯ2による交互層
ミラーの場合、屈折率が高く膜の強度や耐環境性に優れ
たＴｉＯ2 は概ね絶縁性ではあるが、成膜条件によって
は完全に絶縁体とすることは難しく、ｐｎ接合に接触さ
せると電流リークの原因となり、無効電流が増加して半
導体レーザーの発振しきい電流値が増加する問題があ
る。一方、ＳｉＯ2 は良好な絶縁性を示すが、屈折率が
低いため、ＳｉＯ2 からｐｎ接合の上に積層すると、Ｔ
ｉＯ2 から積層した場合に比べ層数に対する反射率の向
上が低く、所望の反射率を得るためには、層数を増やさ
なくてはならない。しかし、層数を増やすことは、ミラ
ーを形成する工程のコストが向上するので望ましくな
い。
ミラーの場合、屈折率が高く膜の強度や耐環境性に優れ
たＴｉＯ2 は概ね絶縁性ではあるが、成膜条件によって
は完全に絶縁体とすることは難しく、ｐｎ接合に接触さ
せると電流リークの原因となり、無効電流が増加して半
導体レーザーの発振しきい電流値が増加する問題があ
る。一方、ＳｉＯ2 は良好な絶縁性を示すが、屈折率が
低いため、ＳｉＯ2 からｐｎ接合の上に積層すると、Ｔ
ｉＯ2 から積層した場合に比べ層数に対する反射率の向
上が低く、所望の反射率を得るためには、層数を増やさ
なくてはならない。しかし、層数を増やすことは、ミラ
ーを形成する工程のコストが向上するので望ましくな
い。
【０００６】本発明は上記事情に鑑みなされたものであ
って、半導体レーザーのｐｎ接合が露出している端面に
反射率の高い多層ミラーを作製するにあたり、反射膜の
光学的特性を最適に保ちながら、同時にｐｎ接合での電
流リークを無くし、電気的特性の劣化を抑えることを目
的とする。
って、半導体レーザーのｐｎ接合が露出している端面に
反射率の高い多層ミラーを作製するにあたり、反射膜の
光学的特性を最適に保ちながら、同時にｐｎ接合での電
流リークを無くし、電気的特性の劣化を抑えることを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、ｐ型とｎ型の半導体層を有し、隣接する
ｐ型とｎ型の半導体の界面を横切って端面に形成された
多層ミラー（多層反射膜）により、素子内部に特定の波
長λの光を閉じ込める半導体レーザーにおいて、多層反
射膜と半導体の端面の間に、光学的な厚さがレーザーの
発振波長λの２分の１の整数倍である透明な絶縁膜を形
成する。
め、本発明は、ｐ型とｎ型の半導体層を有し、隣接する
ｐ型とｎ型の半導体の界面を横切って端面に形成された
多層ミラー（多層反射膜）により、素子内部に特定の波
長λの光を閉じ込める半導体レーザーにおいて、多層反
射膜と半導体の端面の間に、光学的な厚さがレーザーの
発振波長λの２分の１の整数倍である透明な絶縁膜を形
成する。
【０００８】
【作用】特定の波長λの入射光に対して光学的な厚さが
λ／２の整数倍である膜は、膜に光の吸収がないとする
と完全に透明となることがよく知られている。そこで、
多層反射膜の第１層目に吸収のない透明な絶縁膜を形成
することで、レーザー端面のｐｎ接合での電流のリーク
を抑制しつつ、光学的にはレーザー端面に何も膜（光学
膜）が形成されていないのと等価な条件となる。そし
て、この膜の上に反射膜を形成すると、反射膜の光学特
性は下地となるこの絶縁層の影響を受けないので、最適
化された反射膜の特性を劣化させることはない。さらに
この膜は絶縁性であるため、絶縁膜の上に形成された反
射膜は必ずしも絶縁性である必要がないので、所望の反
射特性を最適化する材料を任意に選択することができ、
電気的な特性と光学的な特性の両方を最適化できる。即
ち、半導体レーザー端面の電流リークを抑制しつつ、反
射膜の光学的特性を所望の値に制御することができる。
λ／２の整数倍である膜は、膜に光の吸収がないとする
と完全に透明となることがよく知られている。そこで、
多層反射膜の第１層目に吸収のない透明な絶縁膜を形成
することで、レーザー端面のｐｎ接合での電流のリーク
を抑制しつつ、光学的にはレーザー端面に何も膜（光学
膜）が形成されていないのと等価な条件となる。そし
て、この膜の上に反射膜を形成すると、反射膜の光学特
性は下地となるこの絶縁層の影響を受けないので、最適
化された反射膜の特性を劣化させることはない。さらに
この膜は絶縁性であるため、絶縁膜の上に形成された反
射膜は必ずしも絶縁性である必要がないので、所望の反
射特性を最適化する材料を任意に選択することができ、
電気的な特性と光学的な特性の両方を最適化できる。即
ち、半導体レーザー端面の電流リークを抑制しつつ、反
射膜の光学的特性を所望の値に制御することができる。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。 ［実施例１］図１は本発明の第１の実施例を示す半導体
レーザーの概略的断面図であり、図中の符号１はｐ型Ｇ
ａＡｓ基板、２はｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層
（キャリア濃度：１×１０18ｃｍ~3，１．５μｍ）、３
はＡｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ活性層（ノンドープ，０．０５μ
ｍ）、４はｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層（キャリ
ア濃度：５×１０17ｃｍ~3，１．５μｍ）、５はｎ型Ｇ
ａＡｓキャップ層（キャリア濃度：１×１０18ｃｍ~3，
０．２μｍ）、１６はｐ側電極、１７はｎ側電極であ
る。尚、レーザーの発振波長λは約７４０ｎｍである。
する。 ［実施例１］図１は本発明の第１の実施例を示す半導体
レーザーの概略的断面図であり、図中の符号１はｐ型Ｇ
ａＡｓ基板、２はｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層
（キャリア濃度：１×１０18ｃｍ~3，１．５μｍ）、３
はＡｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ活性層（ノンドープ，０．０５μ
ｍ）、４はｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層（キャリ
ア濃度：５×１０17ｃｍ~3，１．５μｍ）、５はｎ型Ｇ
ａＡｓキャップ層（キャリア濃度：１×１０18ｃｍ~3，
０．２μｍ）、１６はｐ側電極、１７はｎ側電極であ
る。尚、レーザーの発振波長λは約７４０ｎｍである。
【００１０】半導体レーザーの端面に接する絶縁膜６は
Ａｌ2Ｏ3で、その光学的な厚さはλ／２で、実際の厚さ
は約２２８ｎｍである。この上に光学的厚さがλ／４で
あるＴｉＯ2 層７とＳｉＯ2 層８を交互に積層した。層
厚は各々８４ｎｍ，１２６ｎｍである。また、レーザー
光の出射端面９では交互膜を３ペア、反対側の反射面１
０では反射率を上げるために６ペア積層した。各層とも
酸素を導入しながらＥＢ(Ｅlectron Ｂeam）蒸着により
作製し、成膜中の酸素量を圧力が約１×１０~5Ｔorr と
なるように設定した。また、この時の基板温度は約２０
０℃である。図１に示す構成の半導体レーザーにおいて
は、Ａｌ2Ｏ3膜６は絶縁性であるため、直接ＴｉＯ2 層
７から交互膜を積層した場合に比べて、レーザー端面で
の電流リークが抑制され、また、ＴｉＯ2 とＳｉＯ2 交
互膜の反射率がＡｌ2Ｏ3を含んだ多層ミラー全体の反射
率を決める。
Ａｌ2Ｏ3で、その光学的な厚さはλ／２で、実際の厚さ
は約２２８ｎｍである。この上に光学的厚さがλ／４で
あるＴｉＯ2 層７とＳｉＯ2 層８を交互に積層した。層
厚は各々８４ｎｍ，１２６ｎｍである。また、レーザー
光の出射端面９では交互膜を３ペア、反対側の反射面１
０では反射率を上げるために６ペア積層した。各層とも
酸素を導入しながらＥＢ(Ｅlectron Ｂeam）蒸着により
作製し、成膜中の酸素量を圧力が約１×１０~5Ｔorr と
なるように設定した。また、この時の基板温度は約２０
０℃である。図１に示す構成の半導体レーザーにおいて
は、Ａｌ2Ｏ3膜６は絶縁性であるため、直接ＴｉＯ2 層
７から交互膜を積層した場合に比べて、レーザー端面で
の電流リークが抑制され、また、ＴｉＯ2 とＳｉＯ2 交
互膜の反射率がＡｌ2Ｏ3を含んだ多層ミラー全体の反射
率を決める。
【００１１】［実施例２］図２は本発明の第２の実施例
を示す半導体レーザーの概略的断面図であり、符号１か
ら５及び１６，１７の部分は実施例１と同じである。図
２において、半導体レーザーの端面に接する絶縁膜１１
はＳｉＯ2 で、その光学的な厚さはλ／２とし、実際の
厚さは２５３ｎｍである。この上に光学的厚さがλ／４
であるＴｉＯ2 層１２とＳｉＯ2層１３を交互に積層し
た。また、レーザー光の出射端面１４では交互膜を３ペ
ア、反対側の反射面１５では反射率を上げるために６ペ
ア積層した。図２に示す構成の半導体レーザーにおいて
は、ＳｉＯ2 膜１１は絶縁性であるため、レーザー端面
での電流リークが抑制される。またミラーの材料がＳｉ
Ｏ２とＴｉＯ２ の２種類だけなので、２つの材料につ
いての成膜条件を最適化するだけでよいのでプロセスが
簡単になる。
を示す半導体レーザーの概略的断面図であり、符号１か
ら５及び１６，１７の部分は実施例１と同じである。図
２において、半導体レーザーの端面に接する絶縁膜１１
はＳｉＯ2 で、その光学的な厚さはλ／２とし、実際の
厚さは２５３ｎｍである。この上に光学的厚さがλ／４
であるＴｉＯ2 層１２とＳｉＯ2層１３を交互に積層し
た。また、レーザー光の出射端面１４では交互膜を３ペ
ア、反対側の反射面１５では反射率を上げるために６ペ
ア積層した。図２に示す構成の半導体レーザーにおいて
は、ＳｉＯ2 膜１１は絶縁性であるため、レーザー端面
での電流リークが抑制される。またミラーの材料がＳｉ
Ｏ２とＴｉＯ２ の２種類だけなので、２つの材料につ
いての成膜条件を最適化するだけでよいのでプロセスが
簡単になる。
【００１２】尚、本発明の半導体レーザーに用いられる
多層ミラーは、上記の光学材料の組み合わせに限定され
ず、他の光学膜の組み合わせでも適用可能である。ま
た、電流が流れるｐｎ接合と多層ミラーが接する構造の
半導体レーザーなら、上記の実施例以外の構成や発振波
長のレーザーにも同様に本発明による多層ミラーが適用
できる。
多層ミラーは、上記の光学材料の組み合わせに限定され
ず、他の光学膜の組み合わせでも適用可能である。ま
た、電流が流れるｐｎ接合と多層ミラーが接する構造の
半導体レーザーなら、上記の実施例以外の構成や発振波
長のレーザーにも同様に本発明による多層ミラーが適用
できる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体レーザーの電気的な絶縁性はレーザーの端面に形
成された透明な絶縁膜で確保され、反射率はその絶縁膜
の上に形成された多層反射膜で制御されるので、電気的
な特性と光学的な特性が独立に最適化でき、半導体レー
ザーの高性能化とばらつきの低減を図れる。
半導体レーザーの電気的な絶縁性はレーザーの端面に形
成された透明な絶縁膜で確保され、反射率はその絶縁膜
の上に形成された多層反射膜で制御されるので、電気的
な特性と光学的な特性が独立に最適化でき、半導体レー
ザーの高性能化とばらつきの低減を図れる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す半導体レーザーの
概略的断面図である。
概略的断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例を示す半導体レーザーの
概略的断面図である。
概略的断面図である。
【図３】従来技術の一例を示す半導体レーザーの概略的
断面図である。
断面図である。
１：ｐ型ＧａＡｓ基板 ２：ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層 ３：ＡｌＧａＡｓ活性層 ４：ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層 ５：ｎ型ＧａＡｓキャップ層 ６，１１：絶縁膜 ７，１２：ＴｉＯ2 層 ８，１３：ＳｉＯ2 層 ９，１４：レーザーの出射端面 １０，１５：レーザーの反射面 １６：ｐ側電極 １７：ｎ側電極 １００：ＧａＡｓ基板 １０１：レーザー部 １０２：多層膜
Claims (1)
- 【請求項１】ｐ型とｎ型の半導体層を有し、隣接するｐ
型とｎ型の半導体の界面を横切って端面に形成された多
層ミラー（多層反射膜）により、素子内部に特定の波長
λの光を閉じ込める半導体レーザーにおいて、 前記多層ミラーのうち半導体に接する層の光学的厚さが
λ／２の整数倍であり、かつその層が透明で電気的な絶
縁物からなることを特徴とする半導体レーザー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19066993A JPH0745910A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 半導体レーザー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19066993A JPH0745910A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 半導体レーザー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745910A true JPH0745910A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=16261929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19066993A Pending JPH0745910A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 半導体レーザー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0745910A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11284271A (ja) * | 1998-03-30 | 1999-10-15 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| JP2000036633A (ja) * | 1999-07-16 | 2000-02-02 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 半導体レ―ザ |
| JP2004289108A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光素子 |
| JP2008211234A (ja) * | 1998-04-06 | 2008-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体レーザ装置 |
| JP2008227169A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Nec Electronics Corp | 半導体レーザ素子 |
| US8094696B2 (en) | 2009-03-25 | 2012-01-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser device |
| JP2013503466A (ja) * | 2009-08-26 | 2013-01-31 | ナノプラス ゲーエムベーハー ナノシステムズ アンド テクノロジーズ | レーザーミラー上に取り付けられた吸収体を備える半導体レーザー |
-
1993
- 1993-07-30 JP JP19066993A patent/JPH0745910A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6667187B2 (en) | 1998-03-30 | 2003-12-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser and method of manufacturing the same |
| JPH11284271A (ja) * | 1998-03-30 | 1999-10-15 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| US6370177B1 (en) | 1998-03-30 | 2002-04-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser and method of manufacturing the same |
| JP4598845B2 (ja) * | 1998-04-06 | 2010-12-15 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体レーザ装置 |
| JP2008211234A (ja) * | 1998-04-06 | 2008-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体レーザ装置 |
| JP2008252138A (ja) * | 1998-04-06 | 2008-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体レーザ装置 |
| JP4598841B2 (ja) * | 1998-04-06 | 2010-12-15 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体レーザ装置 |
| JP2000036633A (ja) * | 1999-07-16 | 2000-02-02 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 半導体レ―ザ |
| JP2004289108A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光素子 |
| JP2008227169A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Nec Electronics Corp | 半導体レーザ素子 |
| US8094696B2 (en) | 2009-03-25 | 2012-01-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser device |
| US20120076168A1 (en) * | 2009-03-25 | 2012-03-29 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser device |
| US8233514B2 (en) | 2009-03-25 | 2012-07-31 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser device |
| JP2013503466A (ja) * | 2009-08-26 | 2013-01-31 | ナノプラス ゲーエムベーハー ナノシステムズ アンド テクノロジーズ | レーザーミラー上に取り付けられた吸収体を備える半導体レーザー |
| US8879599B2 (en) | 2009-08-26 | 2014-11-04 | Nanoplus Gmbh Nanosystems And Technologies | Semiconductor laser with absorber applied to a laser mirror |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7065118B2 (en) | Semiconductor laser | |
| US5677924A (en) | Resonant-cavity optical device | |
| US5513202A (en) | Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser | |
| JP3856300B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| US20100127154A1 (en) | Nitride-based semiconductor laser device and optical pickup | |
| US5841584A (en) | Dielectric multilayered reflector | |
| US6946684B2 (en) | Optical semiconductor device with low reflectance coating | |
| KR100653320B1 (ko) | 반도체 레이저장치 | |
| JP2005340567A (ja) | 表面発光型半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| KR940005762B1 (ko) | 반도체레이저장치 | |
| JPS60242689A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPH08191171A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JPH0745910A (ja) | 半導体レーザー | |
| US7852893B2 (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH0722695A (ja) | 自励発振型半導体レーザ素子 | |
| JP2010109139A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2009260093A (ja) | 光半導体装置 | |
| JP2008227169A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP3097938B2 (ja) | 面発光半導体レーザ | |
| JPH11238940A (ja) | 半導体レーザの製造方法および該方法による半導体レーザ | |
| KR100754956B1 (ko) | 반도체 레이저장치 및 레이저시스템 | |
| JP2004031863A (ja) | 面発光型半導体レーザ素子 | |
| JP3080312B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| US20100118908A1 (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH06132605A (ja) | 長波長帯面発光半導体レーザ |