JP2008211234A - 窒化物半導体レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 窒化物半導体レーザダイオードのレーザ端面に設けられた保護層は、窒化物レーザダイオードが発振する光に対して透明であるAl1-x-y-zGaxInyBzN(0≦x、y、z≦1、且つ、0≦x+y+z≦1)からなり、Bを含む。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施形態にかかる青色の窒化物半導体レーザ装置100の斜視図である。
本発明による実施形態2の窒化物半導体レーザ装置200を図4Aおよび図4Bを参照して説明する。図4Aは実施形態2の窒化物半導体レーザ装置200の斜視図であり、図4Bは図4Aの4B−4B’線に沿った断面図である。
本発明による実施形態3の窒化物半導体レーザ装置300の断面図を図5に示す。窒化物半導体レーザ装置300は、反射層30bの構成が実施形態2の窒化物半導体レーザ装置200と異なる。窒化物半導体レーザ装置300のその他の構成は、窒化物半導体レーザ装置200と同様なので、実質的に同じ機能を有する構成要素は同じ参照符号で示し、その詳細な説明は省略する。
本発明による実施形態4の窒化物半導体レーザ装置400の断面図を図6に示す。窒化物半導体レーザ装置400は、半導体レーザダイオード10の後面に形成されている保護層20cの構成が実施形態2の窒化物半導体レーザ装置200と異なる。窒化物半導体レーザ装置400のその他の構成は、窒化物半導体レーザ装置200と同様なので、実質的に同じ機能を有する構成要素は同じ参照符号で示し、その詳細な説明は省略する。
本発明による実施形態5の窒化物半導体レーザ装置500の断面図を図8に示す。窒化物半導体レーザ装置500は、半導体レーザダイオード10の後面に形成されている反射層40の構成が実施形態2の窒化物半導体レーザ装置200と異なる。窒化物半導体レーザ装置500のその他の構成は、窒化物半導体レーザ装置200と同様なので、実質的に同じ機能を有する構成要素は同じ参照符号で示し、その詳細な説明は省略する。
本発明の実施形態6は、実施形態5の窒化物半導体レーザ装置500において、半導体レーザダイオード10の後面に設けられた保護層(GaN)20bを省略し、半導体レーザダイオード10の後面にAl0.5Ga0.5N層41(0.01μm)/AlN層42(0.03μm)/Al0.5Ga0.5N層41(0.01μm)/GaN層43(0.04μm)の4層積層体を16対堆積する。この構成によっても、高い反射率を有する反射層を得ることができる。
11 n型電極
12 基板
13、15 クラッド層
14 MQW活性層
16 電極形成層
17 p型電極
20a、20b、20c 保護層
30a、30b、40 反射層
31 AlN層
32 GaN層
33 SiO2層
34 TiO2層
41 Al0.5Ga0.5N層
42 AlN層
43 GaN層
60、70 レーザダイオード
61、72 サファイア基板
62 電極形成層
62a 下部電極形成層
62b 上部電極形成層
63、65、73、75 クラッド層
64、74 MQW活性層
66 電極形成層
67 n型電極
68 p型電極
69 保護層
76 N電極形成層
77 Ni/Au電極
90 反射層
91 SiO2層
92 TiO2層
100、200、300、400、500 窒化物半導体レーザ装置
600、700 窒化物半導体レーザ装置
Claims (13)
- 窒化物半導体レーザダイオードと、前記窒化物半導体レーザダイオードのレーザ端面に設けられた保護層とを有し、
前記保護層は、前記窒化物レーザダイオードが発振する光に対して透明であるAl1-x-y-zGaxInyBzN(0≦x、y、z≦1、且つ、0≦x+y+z≦1)からなり、
前記保護層はBを含む窒化物半導体レーザ装置。 - 前記保護層の屈折率をn、前記窒化物レーザダイオードが発振する光の波長をλとするとき、前記保護層の厚さが、λ/2nの整数倍である請求項1記載の窒化物半導体レーザ装置。
- 前記窒化物半導体レーザダイオードは、InuGa1-uN/InvGa1-vN(0≦u、v≦1)からなる多重量子井戸活性層を有する請求項1に記載の窒化物半導体レーザ装置。
- 前記保護層はMO−CVD法あるいはMBE法で形成されている請求項1に記載の窒化物半導体レーザ装置。
- 前記保護層に接して、前記窒化物レーザダイオードが発振する光を反射する反射層を更に有する請求項1に記載の窒化物半導体レーザ装置。
- 前記反射層は、屈折率が互いに異なる第1および第2層が交互に積層された積層構造を有する請求項5に記載の窒化物半導体レーザ装置。
- 前記第1層の屈折率をn1、前記第2層の屈折率をn2、前記窒化物レーザダイオードが発振する光の波長をλとすると、前記第1層および第2層の厚さは、それぞれλ/4n1およびλ/4n2の関係を満足する請求項6記載の窒化物半導体レーザ装置。
- 前記保護層の厚さは、前記保護層の屈折率をn、前記窒化物レーザダイオードが発振する光の波長をλとしたとき、λ/2nの整数倍の厚さである請求項5に記載の窒化物半導体レーザ装置。
- 前記保護層の厚さが、前記保護層の屈折率をn、前記窒化物レーザダイオードが発振する光の波長をλとしたとき、λ/4nの厚さである請求項5に記載の窒化物半導体レーザ装置。
- 前記第1層および第2層は、それぞれ、SiO2およびTiO2、または前記窒化物レーザダイオードが発振する光に対して透明であり、且つ屈折率が互いに異なる2種類のAl1-a-b-cGaaInbBcN(0≦a、b、c≦1、且つ、0≦a+b+c≦1)からなる請求項6に記載の窒化物半導体レーザ装置。
- 前記第1層と第2層との間に第3層をさらに有し、前記第1層、第2層および第3層は結晶層であって、前記第1層と前記第3層との格子定数の差は、前記第1層と前記第2層との格子定数の差よりも小さい請求項6記載の窒化物半導体レーザ装置。
- 前記第1層/第3層/第2層からなる前記反射層がGaN/AlGaN/AlN積層構造を有する請求項11に記載の窒化物半導体レーザ装置。
- 前記保護層および前記反射層が、MO−CVD法あるいはMBE法で形成されている請求項5に記載の窒化物半導体レーザ装置。
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---|---|---|---|---|
JP2001068780A (ja) * | 1999-08-30 | 2001-03-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
CA2319867A1 (en) * | 1999-09-16 | 2001-03-16 | Shusuke Kaya | Semiconductor laser device |
DE60033017T2 (de) * | 1999-11-30 | 2007-05-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma | Halbleiterlaser, verfahren zu dessen herstellung und optische plattenvorrichtung |
US6798798B2 (en) * | 2000-12-12 | 2004-09-28 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser apparatus and fabrication method of same, and semiconductor laser module |
KR100387240B1 (ko) * | 2001-05-22 | 2003-06-12 | 삼성전기주식회사 | 공기층을 포함하는 반사막을 이용한 레이저 다이오드 및그 제조 방법 |
EP1770189B1 (en) * | 2001-06-06 | 2013-07-10 | Ammono S.A. | Apparatus for obtaining bulk monocrystalline gallium-containing nitride |
US6822272B2 (en) * | 2001-07-09 | 2004-11-23 | Nichia Corporation | Multilayered reflective membrane and gallium nitride-based light emitting element |
US7067849B2 (en) * | 2001-07-17 | 2006-06-27 | Lg Electronics Inc. | Diode having high brightness and method thereof |
US6949395B2 (en) * | 2001-10-22 | 2005-09-27 | Oriol, Inc. | Method of making diode having reflective layer |
JP4097601B2 (ja) * | 2001-10-26 | 2008-06-11 | アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン | 窒化物半導体レーザ素子、及びその製造方法 |
US7148520B2 (en) | 2001-10-26 | 2006-12-12 | Lg Electronics Inc. | Diode having vertical structure and method of manufacturing the same |
IL161420A0 (en) * | 2001-10-26 | 2004-09-27 | Ammono Sp Zoo | Substrate for epitaxy |
JP2003204110A (ja) * | 2001-11-01 | 2003-07-18 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ装置およびこれを用いた半導体レーザモジュール |
AU2002354463A1 (en) * | 2002-05-17 | 2003-12-02 | Ammono Sp.Zo.O. | Bulk single crystal production facility employing supercritical ammonia |
WO2003098757A1 (fr) * | 2002-05-17 | 2003-11-27 | Ammono Sp.Zo.O. | Structure d'element electroluminescent comprenant une couche de monocristaux de nitrure en vrac |
US20060138431A1 (en) * | 2002-05-17 | 2006-06-29 | Robert Dwilinski | Light emitting device structure having nitride bulk single crystal layer |
CN100339512C (zh) * | 2002-06-26 | 2007-09-26 | 波兰商艾蒙诺公司 | 获得大单晶含镓氮化物的方法的改进 |
EP1520329A2 (en) * | 2002-06-26 | 2005-04-06 | AMMONO Sp.z o.o. | Nitride semiconductor laser device and a method for improving its performance |
PL224991B1 (pl) * | 2002-12-11 | 2017-02-28 | Ammono Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością | Podłoże do stosowania dla urządzeń opto-elektrycznych lub elektrycznych oraz sposób jego wytwarzania |
KR101088991B1 (ko) * | 2002-12-11 | 2011-12-01 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 벌크 단결정 갈륨-함유 질화물의 제조공정 |
DE10323860A1 (de) * | 2003-03-28 | 2004-11-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaservorrichtung und Herstellungsverfahren |
US7609737B2 (en) | 2003-07-10 | 2009-10-27 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element |
PL1769105T3 (pl) * | 2004-06-11 | 2014-11-28 | Ammono S A | Objętościowy monokrystaliczny azotek galu oraz sposób jego wytwarzania |
PL371405A1 (pl) * | 2004-11-26 | 2006-05-29 | Ammono Sp.Z O.O. | Sposób wytwarzania objętościowych monokryształów metodą wzrostu na zarodku |
US20060140228A1 (en) * | 2004-12-28 | 2006-06-29 | Mcdonald Mark E | Semi-integrated designs with in-waveguide mirrors for external cavity tunable lasers |
JP5285835B2 (ja) * | 2005-07-13 | 2013-09-11 | 株式会社東芝 | 半導体素子およびその製造方法 |
JP2007103814A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP5191650B2 (ja) * | 2005-12-16 | 2013-05-08 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 |
KR100853241B1 (ko) * | 2005-12-16 | 2008-08-20 | 샤프 가부시키가이샤 | 질화물 반도체 발광소자 및 질화물 반도체 레이저 소자의제조방법 |
CN101499619B (zh) * | 2006-03-06 | 2012-07-18 | 夏普株式会社 | 氮化物半导体发光器件 |
JP5004597B2 (ja) * | 2006-03-06 | 2012-08-22 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JP5430826B2 (ja) | 2006-03-08 | 2014-03-05 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
JP4444304B2 (ja) * | 2006-04-24 | 2010-03-31 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 |
GB2439973A (en) * | 2006-07-13 | 2008-01-16 | Sharp Kk | Modifying the optical properties of a nitride optoelectronic device |
JP4310352B2 (ja) * | 2007-06-05 | 2009-08-05 | シャープ株式会社 | 発光デバイスおよび発光デバイスの製造方法 |
JP5014967B2 (ja) * | 2007-12-06 | 2012-08-29 | シャープ株式会社 | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
JPWO2009147853A1 (ja) * | 2008-06-06 | 2011-10-27 | パナソニック株式会社 | 半導体発光素子 |
KR100999695B1 (ko) * | 2009-02-16 | 2010-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
JP2012109499A (ja) * | 2010-11-19 | 2012-06-07 | Sony Corp | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
DE102017108435A1 (de) * | 2017-04-20 | 2018-10-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaserdiode und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01115191A (ja) * | 1987-10-28 | 1989-05-08 | Nec Corp | 半導体レーザ及びその製造方法 |
JPH0745910A (ja) * | 1993-07-30 | 1995-02-14 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザー |
JPH08222797A (ja) * | 1995-01-17 | 1996-08-30 | Hewlett Packard Co <Hp> | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5889890A (ja) * | 1981-11-24 | 1983-05-28 | Hitachi Ltd | レ−ザ−ダイオ−ド |
JPS599989A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体素子 |
JPS61134094A (ja) * | 1984-12-05 | 1986-06-21 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
JPH02137287A (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
JP2743106B2 (ja) | 1990-01-12 | 1998-04-22 | アルプス電気株式会社 | 半導体レーザ |
JPH04208585A (ja) | 1990-12-01 | 1992-07-30 | Fujitsu Ltd | 半導体発光素子 |
US5146465A (en) | 1991-02-01 | 1992-09-08 | Apa Optics, Inc. | Aluminum gallium nitride laser |
JPH06268327A (ja) | 1993-03-17 | 1994-09-22 | Hitachi Ltd | 半導体発光素子 |
JP3523700B2 (ja) | 1995-01-12 | 2004-04-26 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
JP2891348B2 (ja) | 1995-11-24 | 1999-05-17 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
CN1264262C (zh) | 1995-11-06 | 2006-07-12 | 日亚化学工业株式会社 | 氮化物半导体器件 |
US5799028A (en) * | 1996-07-18 | 1998-08-25 | Sdl, Inc. | Passivation and protection of a semiconductor surface |
-
1999
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01115191A (ja) * | 1987-10-28 | 1989-05-08 | Nec Corp | 半導体レーザ及びその製造方法 |
JPH0745910A (ja) * | 1993-07-30 | 1995-02-14 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザー |
JPH08222797A (ja) * | 1995-01-17 | 1996-08-30 | Hewlett Packard Co <Hp> | 半導体装置およびその製造方法 |
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EP0949731A2 (en) | 1999-10-13 |
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EP0949731B1 (en) | 2002-03-06 |
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