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GEBIET DER
ERFINDUNG
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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleiter-Laser-Vorrichtung,
von der man erwartet, dass sie anwendbar ist auf dem Gebiet der
optischen Informationsverarbeitung, sowie ein Verfahren zum Herstellen
der Vorrichtung und einen optischen Scheiben-Apparat (disk apparatus),
in welchem die Halbleiter-Laser-Vorrichtung verwendet wird als sein licht-emittierender
Abschnitt.
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STAND DER
TECHNIK
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Im
allgemeinen wird ein Endfacetten-Reflexionsfilm auf einer Endfacette
der Laserlichtresonanzkavität
einer Halbleiter-Laser-Vorrichtung angebracht. Insbesondere sollte
eine reflexive Endfacette, welche eine Rückseiten-Endfacette, gegenüberliegend
der Laserlicht-emittierenden Facette ist, eine hohe Reflexivität aufweisen.
Folglich wird ein Endfacetten-Reflexionsfilm mit einer hohen Reflexion
ausgebildet durch alternatives Stapeln von Filmen mit niedrigem
und hohem refraktivem Index, welche eine Dicke aufweisen von λ/4n1 bzw. λ/4n2, wobei λ eine Oszillationswellenlänge des
Laserlichts ist, n1 ein refraktiver Index
des Films mit niedrigem refraktivem Index bei der Wellenlänge λ ist, und
n2 ein refkrativer Index des Films mit hohem
refraktivem Index der Wellenlänge λ ist.
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Jeder
der Filme mit hohem und niedrigem refraktivem Index, welche den
Endfacetten-Reflexionsfilm
ausbilden, sollte einen hinreichend kleinen Absorptionskoeffizienten
bei der Wellenlänge
des Laserlichts aufweisen. Folglich werden Siliziumdioxid (SiO2) oder Aluminiumoxid (Al2O3), welche jeweils einen kleinen Absorptionskoeffizienten
in einem breiten Bereich aufweisen, welcher Bereiche des sichtbaren
und ultravioletten Lichts des Spektrums abdeckt, als Filme mit niedrigem
refraktivem Index in den Endfacetten-Reflexionsfilmen verwendet. Auf der
anderen Seite sind verschiedene dielektrische Materialien einsetzbar
für den
Film mit hohem refraktivem Index in dem Endfacetten-Reflexionsfilm, abhängend von
der Wellenlänge
des Laserlichts.
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Beispielsweise
wird in einem im infraroten oder im roten Licht emittierenden Halbleiterlasergerät aus Aluminium-Gallium-Arsenid
(AlGaAs), welche einen Laserstrahl mit einer Wellenlänge von
ungefähr 780
nm ausgibt, amorphes Silizium (α-Si)
eingesetzt für
die Filme mit hohem refraktivem Index des Gerätes. In diesem Fall ist der
Absorptionskoeffizient des amorphen Siliziums für Licht mit einer Wellenlänge von
780 nm 4 × 104 cm–1.
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Beispielhafte
Anwendungen dieses infraroten im roten Licht emittierenden Halbleiterlasergerätes im Gebiet
von optischen Scheiben-Apparaten (disc apparatus) schließen eine
Laservorrichtung für ein
4 × CD-R
(CD-beschreibbar) ein, auf welchem Daten nur einmal vierfach schneller
in Normalgeschwindigkeit geschrieben werden können. In der Laservorrichtung
für das
4 × CD-R
sind multiple Paare von Siliziumdioxid und amorphe Siliziumfilme
gestapelt als ein Endfacetten-Reflexionsfilm für die Rück-Endfacette. Falls beispielsweise
der Endfacetten-Reflexionsfilm aus zwei Paaren (Zyklen) an Siliziumdioxid
und amorphen Siliziumfilmen besteht, kann die Reflexivität 95% sein.
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Unter
Verwendung dieses Endfacetten-Reflexionsfilm kann einer Laservorrichtung
für ein
4 × Cd-R
eine optische Ausgabe von 100 mW im pulsgesteuerten Modus bei einem
Arbeitszyklus von 50% oder 80 mW bei einem Continuous-wave (CW)
gesteuerten Modus aufweisen.
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Auf
der anderen Seite wird Titandioxid (TiO2) anstelle
des amorphen Siliziums für
die Filme mit hochrefraktivem Index einer im roten Licht emittierenden
Halbleiter-Laser-Vorrichtung
aus Aluminium-Gallium-Indium-Phosphid (AlGaInP) verwendet, welche einen
Laserstrahl mit einer Wellenlänge
von ungefähr 650
nm ausgibt. Amorphes Silizium wird nicht verwendet aus den folgenden
Gründen.
Wenn amorphes Silizium verwendet werden würde für den Endfacetten-Reflexionsfilm
würde sich
die Lichtabsorption in der amorphen Siliziumschicht erhöhen aufgrund
des Absorptionskoeffizienten von amorphem Silizium gegenüber Licht
mit einer Wellenlänge
von ungefähr
650 nm, welcher hoch ist. Aufgrund des Anstieges in der Temperatur,
verursacht durch diese Lichtabsorption, nimmt die Kristallinität der Laservorrichtung
in der Umgebung der Resonanzkavität der Endfacette davon ab und
folglich sinkt die Verlässlichkeit
der Vorrichtung.
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Mit
Blick auf diesen Sachverhalt wird Titanoxid mit einem refraktivem
Index, welcher hinreichend höher
ist, als der von Siliziumdioxid, und mit dem Absorptionskoeffizienten,
welcher geringer ist, als von amorphem Silizium, verwendet für den Endfacetten-Reflexionsfilm der
Rotlicht-emittierenden Halbleiter-Laser-Vorrichtung mit einer Wellenlänge von
ungefähr
650 nm. Der Absorptionskoeffizient von amorphem Silizium gegenüber Licht
mit einer Wellenlänge von
650 nm beträgt
1 × 105 cm–1, wohingegen der Ab sorptionskoeffizient
von Titanoxid gegenüber
Licht mit einer Wellenlänge
von 650 nm 2 cm–1 beträgt.
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Des
weiteren wird in einer violettes Licht emittierenden Halbleiter-Laser-Vorrichtung
mit einer Oszillationswellenlänge
von etwa 400 nm, welche nun entwickelt worden ist, eine gestapelte
Struktur bestehend aus Siliziumdioxid und Titanoxidfilmen verwendet
als Endfacetten-Reflexionsfilm. Beispielsweise wird eine Halbleiter-Laser-Vorrichtung
aus Aluminium-Indium-Gallium-Nitrid (AlInGaNi) verwendet, in welcher
ein Stapel von Siliziumdioxid und Titandioxid als Endfacetten-Reflexionsfilm
eingesetzt wird, und dies wurde berichtet in Jpn. J. Appl. Phys.
Vol. 38 (1999) pp. L18–L186.
Der Absorptionskoeffizient von Titaniumoxid gegenüber Licht
mit einer Wellenlänge von
400 nm ist 2400 cm–1.
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In
jüngster
Zeit muss eine Laservorrichtung für einen optischen Scheiben-Apparat
seine Ausgabeleistung erhöhen,
um die Aufzeichnungsoperation einer optischen Scheibe zu beschleunigen
und seine Wellenlänge
erniedrigen, um die Aufzeichnungsdichte zu erhöhen.
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Jedoch
besteht ein Problem dahingehend, dass weder der bekannte End-Facetten-Reflexionsfilm als
ein Stapel aus Siliziumdioxid und amorphen Siliziumfilmen für infrarotes
oder rotes Licht emittierende Halbleiter-Laser-Vorrichtung mit einer
Oszillationswellenlänge
von ungefähr
780 nm, noch der bekannte Endfacetten-Reflexionsfilm als ein Stapel
von Siliziumdioxid- und Titanoxidfilmen für die rotes Licht emittierende
Halbleiter-Laser-Vorrichtung
mit einer Oszillationswellenlänge
von ungefähr
650 nm die Anforderung der Zunahme der Ausgabeleistung von Laservorrichtungen
erfüllen
können.
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Desweiteren
besteht ein weiteres Problem, dass der Endfacetten-Reflexionsfilm
als ein Stapel von Siliziumdioxid- und Titanoxidfilmen für die violettes
Licht emittierende Halbleiter-Laser-Vorrichtung mit einer Oszillationswellenlänge von
ungefähr
400 nm nicht die Anforderungen des Absenkens der Wellenlänge von
Laservorrichtungen erfüllen
kann.
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Dies
liegt daran, dass Licht, emittiert von dieser Halbleiter-Laser-Vorrichtung,
in dem Film mit hohem refraktivem Index bei einem unzureichend kleinen
Koeffizienten absorbiert wird. Dementsprechend steigt, falls diese
Laservorrichtung ihre Ausgabeleistung erhöht, die Temperatur merklich
aufgrund der Zunahme der Menge an Licht, absorbiert in dem Film mit
hohem refraktivem Index. Als ein Ergebnis verschlechtert sich die
Kristallinität
der Halbleiter-Laser-Vorrichtungen speziell im Teil der aktiven
Region in der Nähe
der Resonanzkavitäts-Endfacette
davon.
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Auf
dieselbe Art und Weise ist es, falls eine Laservorrichtung eine
Oszillationswellenlänge
von 400 nm oder weniger aufweisen sollte, schwierig, die Vorrichtung
geeignet zu betreiben mit einem bekannten Endfacetten-Reflexionsfilm
in Form einer gestapelten Struktur, welche Siliziumdioxid einschließt. Dies
liegt daran, dass der Absorptionskoeffizient von Titanoxid stark
bei kurzen Wellenlängen
zunimmt.
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JP
10-031106 offenbart einen Laserspiegel für eine Vielzahl von Wellenlängen, welcher
durch alternatives Anordnen von Schichten mit hohem refraktivem
Index und Schichten mit niedrigem refraktivem Index auf einem optischen
Substrat erzeugt wird.
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US-5
372 874 offenbart ein optisches Vielschicht-Coating, welches zumindest
eine Schicht an Nioboxid einschließt, welches durch DC-reaktives Sputtern
abgeschieden wurde, wohingegen zumindest eine weitere Schicht mit
einem refraktiven Index, welcher sich von Nioboxidschicht unterscheidet,
an die Nioboxidschicht angrenzt.
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JP 07 007 225 offenbart
einen Reflektor, welcher ausgebildet wird durch Bereitstellen eines Al
2O
3-Films, eines
MgO-Films, und eines Al
2O
3-Films mit
einer optischen Dicke von 1/2, 1/4 bzw. 1/4fach größer als
die Oszillationswellenlänge
auf einer geschnittenen Endfläche
einer ZnSe-Laserdiode, wodurch eine Endgrenzflächen-Reflexivität von 4%
erhalten wird.
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Der
Stand der Technik
JP 60 182
526 betrifft einen optischen Informationsprozessor der
eine geglättete
Oberfläche
aufweist, welche einer optischen Scheibe gegenüberliegt.
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Der
Stand der Technik
JP 06 111
792 betrifft eine Glühbirne
mit einem Reflexionsfilm ausgebildet über einer äußeren Oberfläche davon.
Der Reflexionsfilm besteht aus einer Schicht mit hohem refraktivem
Index, bestehend aus Metalloxid und einer Schicht mit geringem refraktivem
Index, bestehend aus Metallnitrid.
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Des
weiteren offenbart der Stand der Technik
JP 09 283 843 einen Halbleiterlaser.
Dieser Stand der Technik offenbart, dass, wenn besagter Laser hergestellt
wird, ein Film geringer Reflexivität, welcher einen Zweischichtfilm
umfasst, der einen dünnen
Nitrid-Siliziumfilm
und einen dünnen
Silizium-Oxidfilm umfasst, als eine Isolationsschicht, bestehend
aus einem Nitrid eines Elements durch ein Sputterverfahren auf der
vorderen Grenzfläche
und einem Film hoher Reflexivität
auf der rückwärtigen Grenzfläche eines
Elementes ausgebildet wird.
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JP 01 167 231 offenbart
einen orientierten Kristallfilm, welcher erhalten wird unter Verwendung eines
Targets durch Einbringen eines Ba und Na in einen dünnen dielektrischen
Film, gefolgt von Kalzinierung, Schleifen und Formgeben.
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OFFENBARUNG
DER ERFINDUNG
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Es
ist daher eine Aufgabe der Erfindung, diese Probleme des Standes
der Technik zu lösen
und einen Endfacetten-Reflexionsfilm zu erhalten, welcher die Bedürfnisse
des Erhöhens
der Ausgabeleistung sowie des Absenkens der Wellenlänge für Halbleiter-Laser-Vorrichtungen
erfüllen
kann.
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Um
diese Aufgabe zu erfüllen,
wird entsprechend der vorliegenden Erfindung, Nioboxid (Nb2O5) verwendet für den Film
mit hohem refelxiven Index in einem Endfacetten-Reflexionsfilm für eine Halbleiter-Laser-Vorrichtung.
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Genauer
gesagt, wird eine Halbleiter-Laser-Vorrichtung, wie sie in Anspruch
1 definiert wird, zur Verfügung
gestellt, um die oben erwähnte
Aufgabe zu erfüllen.
Bevorzugte Ausführungsformen
der erfindungsgemäßen Vorrichtung
sind Gegenstand der abhängigen
Ansprüche.
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In
der ersten Halbleiter-Laser-Vorrichtung enthält der refelxive Film, ausgebildet
auf der Endfacette der Resonanzkavität beispielsweise Nioboxid mit
einem Lichtabsorptions-Koeffizienten,
welcher kleiner ist als der von Titanoxid. Deshalb wird eine geringere
Menge an Laserlicht darauf absorbiert im Vergleich zu Titanoxid
und ein Anstieg in der Temperatur des refelxiven Filmes wird unterdrückt. Als
ein Ergebnis ist es möglich,
die Kristallstruktur der Halbleiterschichten gegen Zerstörung in
der Umgebung der Endfacetten der Resonanzkavität zu sichern, und die Laservorrichtung
kann ihre Ausgabeleistung steigern oder ihre Wellenlänge absenken.
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Entsprechend
der bevorzugten Ausführungsform,
wie in Anspruch 4 definiert, erreicht die Halbleiter-Laser-Vorrichtung
desweiteren die Wirkung, dass die Reflexivität, wie gewünscht, erhöht werden kann.
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Entsprechend
der bevorzugten Ausführungsform,
wie in Anspruch 6 definiert, werden die refraktiven Filme der Halbleiter-Laser-Vorrichtung
vielfach gestapelt. Dementsprechend nimmt die Reflexivität weiter
zu. Darüber
hinaus kann in einer Laservorrichtung mit einer Oszillatorwellenlänge, welche zum
roten Teil des Spektrums gehört,
ein Dielektrikum mit einem refraktiven Index verwendet werden, welcher
größer ist
als der von Nioboxid, bei spielsweise Titanoxid, für die zweite
dielektrische Schicht, welche auf der anderen Seite des refelxiven
Filmes, d.h. gegenüberliegend
der Endfacette der Resonanzkavität
liegt, nämlich
die am weitesten außen
gelegene zweite dielektrische Schicht. Anschließend ist es möglich, die
Reflexivität
des refelxiven Filmes zu erhöhen,
da der Absorptionskoeffizient von Titanoxid nicht zu hoch ist im
roten Teil des Spektrums.
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Ein
erfindungsgemäßes Verfahren
zum Herstellen einer Halbleiter-Laser-Vorrichtung ist in Anspruch
8 definiert.
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Entsprechend
des erfindungsgemäßen Verfahrens
zum Herstellen einer Halbleiter-Laser-Vorrichtung
wurden entsprechend dem erfindungsgemäßen Verfahren zum Herstellen
einer Halbleiter-Laser-Vorrichtung durch Schneiden und Ätzen eines Substrates,
auf welchem eine Vielzahl von Halbleiterschichten abgeschieden worden
sind, die Endfacette einer Resonanzkavität auf den Halbleiterlaserschichten
exponiert und ein refelxiver Film, welcher Nioboxid enthält, ausgebildet
auf der exponierten Endfacette der Resonanzkavität.
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In
dem Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-Laser-Vorrichtung
schließt
der Schritt des Ausbildens des refelxiven Filmes vorzugsweise den Schritt
des Ausbildens des refelxiven Filmes in Form einer Vielschichtstruktur
ein, welche eine erste dielektrische Schicht einschließt mit einem
refraktiven Index, welcher kleiner ist als der von Nioboxid, sowie eine
zweite dielektrische Schicht aus Nioboxid. Anschließend wird
die Halbleiter-Laser-Vorrichtung,
wie definiert in den Ansprüchen
4 oder 6, ausgebildet.
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Ein
erfindungsgemäßer optischer
Scheiben-Apparat, wie er im Anspruch 12 definiert wird, wird auch
zur Verfügung
gestellt.
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In
dem optischen Scheiben-Apparat schließt die Halbleiter-Laser-Vorrichtung
als Lichtemissionsquelle den refelxiven Film ein, welcher Nioboxid
enthält
und auf der Endfacette der Resonanzkavität ausgebildet wird. Dementsprechend
kann die Lichtemissionsquelle die Anforderung des Erhöhens der
Ausgabeleistung oder des Absenkens der Wellenlänge der Halbleiter-Laser-Vorrichtung
bewerkstelligen.
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KURZE BESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNGEN
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1 ist
eine perspektivische Ansicht, welche eine Halbleiter-Laser-Vorrichtung
zeigt, die im violetten Licht emittiert, entsprechend der ersten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
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2 ist
eine schematische Ansicht, welche zeigt, wie die refelxive Endfacette
der Halbleiter-Laser-Vorrichtung, die in violettem Licht emittiert,
entsprechend der ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung hergestellt wird.
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3(a) und 3(b) zeigen
die Wellenlängenabhängigkeit
eines Filmes mit hohem refraktiven Index in einem Endfacetten-Reflexionsfilm
für eine Laservorrichtung,
die im violetten Licht emittiert entsprechend der ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung: 3(a) ist
ein Diagramm, welches den Lichtabsorptionskoeffizienten davon zeigt; und 3(b) ist ein Diagramm, welches den refraktiven
Index davon zeigt.
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4 ist
ein Diagramm, welches zeigt, wie sich die Reflexivität des Endfacetten-Reflexionsfilmes
der Halbleiter-Laser-Vorrichtung, die im violetten Licht emittiert,
entsprechend der ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung gegen Licht mit einer Wellenlänge von
400 nm abhängend
von ihrer Dicke verändert.
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5 ist
eine perspektivische Ansicht, welche eine im infraroten oder roten
Licht emittierende Halbleiter-Laser-Vorrichtung entsprechend einer zweiten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt.
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6 ist
eine schematische Repräsentation, welche
eine Anordnung für
einen optischen Scheiben-Apparat zeigt gemäß einer dritten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
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BESTER MODUS
ZUM DURCHFÜHREN
DER ERFINDUNG
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AUSFÜHRUNGSFORM 1
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Eine
erste Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung wird beschrieben unter Verweis auf die Zeichnungen.
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1 zeigt
eine Halbleiter-Laser-Vorrichtung entsprechend einer ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung, welche eine Halbleiter-Laser-Vorrichtung
darstellt, welche Licht mit einer Oszillationswellenlänge von
ungefähr
400 nm emittiert.
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Wie
in 1 gezeigt, schließt die Halbleiter-Laser-Vorrichtung 10 eine
Resonanzkavität 12 ein,
in welche eine aktive Quantenpotentialtopf-Schicht 11 bestehend
aus Barriereschichten aus Galliumnitrid (GaN), um ein Beispiel zu
nennen, und Potentialschichten aus Indium-Gallium-Nitrid (InGaN),
um ein Beispiel zu nennen, vertikal in einem Sand wich angeordnet
sind zwischen zumindest Lichtwellenleitern von n- und p-Typ-Aluminium-Gallium-Nitrid
(AlGaN) um ein Beispiel zu nennen.
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Ein
Endfacetten-Reflexionsfilm 13 wird ausgebildet auf einer
reflexiven Endfacette 10b gegenüberliegend einer Licht emittierenden
Endfacette 10a für
Laserlicht 100 in der Resonanzkavität 12.
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Der
Endfacetten-Reflexionsfilm 13 weist eine Struktur auf,
welche eine Vielzahl von Einheitsreflexionsfilmen 130 einschließt, wobei
jeder davon aus einem Film mit niedrigem refraktiven Index 13a aus
Siliziumdioxid (SiO2) als erste dielektrische
Schicht und einem Film mit hohem refraktivem Index 13b aus
Nioboxid (Nb2O5)
als eine zweite dielektrische Schicht besteht. Die Filme mit hohem
und niedrigem refraktiven Index 13a bzw. 13b werden
in dieser Reihenfolge auf der Endfacette der Resonanzkavität 12 abgeschieden.
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Die
Dicke der Filme mit niedrigem und hohem refraktiven Index 13a bzw. 13b und
die Anzahl der Einheitsreflexionsfilme 130 kann eingestellt
werden auf entsprechend geeignete Werte entsprechend den Spezifikationen
der Halbleiter-Laser-Vorrichtung. Beispielsweise besteht, falls
drei Paare von Einheitsreflexionsfilmen 130 vorliegen,
jedes davon aus Siliziumdioxid- und Nioboxid-Filmen mit einer Dicke
von ungefähr
68 nm bzw. 40 nm, die ausgebildet werden, und der Endfacetten-Reflexionsfilm 13 kann einen
Reflexionsgrad von 93,3% aufweisen.
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In
diesem Fall kann, selbst falls Titanoxid (TiO2)
für den
Film mit hohem refraktiven Index 13b als Reflexionsfilm
für Laserlicht
mit einer Oszillationswellenlänge
von ungefähr
400 nm verwendet wird, wie in den bekannten Verfahren, der resultierende Reflexionsgrad
substantiell gleich sein zu demjenigen, erhalten durch Nioboxid.
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Jedoch
in der ersten Ausführungsform
wird Nioboxid für
den Film mit hohem refraktivem Index 13b des Endfacetten-Reflexionsfilms 13 verwendet und
der Lichtabsorptionskoeffizient von Nioboxid ist geringer als derjenige
von Titanoxid. Folglich kann ein Anstieg in der Temperatur in der
Umgebung der Endfacette der Resonanzkavität 12 unterdrückt werden.
Als ein Ergebnis ist die Kristallinität der aktiven Quantenpotentialtopf-Schicht 11 und
der umgebenden Abschnitte davon weniger wahrscheinlich eine, die
sich verschlechtert, und die Halbleiter-Laser-Vorrichtung kann ihre
Ausgabeleistung erhöhen.
Die aktive Schicht weist eine Quantenpotentialtopf-Struktur auf
in der illustrierten Ausführungsform,
muss jedoch keine solche aufweisen.
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Desweiteren
ist die erste Ausführungsform nicht
nur beim Erhöhen
der Ausgabeleistung effizient, sondern auch im Absenken der Oszillationswellenlänge auf
eine kurze Wellenlänge
von 400 nm oder weniger, welche zum ultravioletten Teil des Lichts
des Spektrums zählt.
Genauer gesagt, wird, falls die Einheitsreflexionsfilme 130 aus
Siliziumdioxid und Titanoxid, für
den Endfacetten-Reflexionsfilm 13 für eine Halbleiter-Laser-Vorrichtung,
die im ultravioletten Lichtbereich emittiert, verwendet werden, die
Vorrichtung aufgrund der Absorption von Licht im Titanoxid abgebaut
werden. Im Gegensatz dazu ist der Lichtabsorptionskoeffizient von
Nioboxid in der ersten Ausführungsform
kleiner als derjenige von Titanoxid für den Fall von Licht aus dem
ultravioletten Teil des Spektrums. Dementsprechend kann der Abbau
der Vorrichtung aufgrund der abgesenkten Wellenlänge unterdrückt werden.
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Der
Nioboxidfilm dient auch als Passivierungsfilm, der verhindert, dass
Wasser, Wasserstoff od. dgl. von außen in die Laservorrichtung
eindringen bzw. eindiffundieren. Ein Gruppe III–V-Nitrid-Halbleiter, welche
ein Halbleitermaterial darstellt, das besonders geeignet ist zum
Emittieren von violettem Licht mit einer Oszillationswellenlänge von
ungefähr 400
nm tendiert dazu, elektrische Eigenschaften aufzuweisen, welche
durch Wasserstoff verschlechtert werden, insbesondere durch natürliche Umgebung. Jedoch
wird in der Halbleiter-Laser-Vorrichtung dieser Ausführungsform
eine der Resonanzkavitäts-Endfacetten mit Nioboxid
bedeckt, was das Eindringen von Wasserstoff verhindert. Folglich
ist es möglich,
den Abbau der Vorrichtung aufgrund der Diffusion von äußeren Verunreinigungen,
wie z.B. Wasserstoff zu verhindern.
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Danach
wird ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-Laser-Vorrichtung
mit dieser Struktur unter Verweis auf die Zeichnungen beschrieben.
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2 zeigt
schematisch ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-Laser-Vorrichtung gemäß der ersten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung, welche ein Verfahren darstellt zum Ausbilden eines
Endfacetten-Reflexionsfilm mit einem Sputterprozess. In diesem Fall
kann ein Magnetron-Sputtersystem beispielsweise verwendet werden
als Sputter-Abscheidungssystem.
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Zunächst wird
eine schematische Struktur des Abscheidungssystems beschrieben werden.
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Wie
in 2 gezeigt, schließt das Magnetron-Sputtersystem 20 eine
Abscheidungskammer 23 ein. Die Kammer 23 weist
folgende Komponenten auf: einen Gaseinlassan schluss 21 im
oberen Teil einer Wand davon; und einen Auslassanschluss 22 in einem
unteren Teil einer anderen Wand davon, so dass der Anschluss 22 dem
Gaseinlassabschnitt 21 gegenüberliegt.
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Eine
Anode 24 ist auf dem Boden der Abscheidungskammer 23 angeordnet
und ein Laser-Vorrichtungs-Prototyp 10A, auf welchem der
Reflexionsfilm abgeschieden werden sollte, ist auf der Anode 24 montiert
mit den Reflexionsendfacetten der Resonanzkavitäten 12, welche nach
oben gerichtet sind. In diesem Fall ist der Laser-Vorrichtungs-Prototyp 10a ein
gestreifter Halbleiter-Waver, in welchem multiple Resonanzkavitäten 12 ausgebildet
wurden. Desweiteren wurde der Laser-Vorrichtungs-Prototyp 10A in
einer Richtung substantiell vertikal zur Länge der Resonanzkavität geschnitten,
um die reflexiven Endfacetten 10b zu exponieren.
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Eine
Platten-Magnetronelektrode 26, auf welcher ein Plattenzielelement 25 aus
Nioboxid (Nb2O5)
platziert ist, um der Anode 24 gegenüberzuliegen, ist auf der Wand
der Abscheidungskammer 23 angeordnet. Folglich liegen die
exponierten Reflexionsendfacetten 10b des Laser-Vorrichtungs-Prototyps 10A dem
Zielelement 25 gegenüber.
Als nächstes
wird ein Abscheidungsverfahren beschrieben.
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Zuerst
wird Plasmaerzeugungsgas, enthaltend Argon (Ar) als hauptsächliche
Komponente durch den Gaseinlassanschluss 21 in die Abscheidungskammer 22 eingebracht
unter einem verminderten Druck. Anschließend wird Radiofrequenzenergie
auf das Zielelement 25 angewandt, um ein Plasma in der
Umgebung der Oberfläche
des Zielelementes 25 zu erzeugen. Zu dieser Zeit wird die
Oberfläche
des Zielelementes 25 einem Sputtern mit Argonionen unterzogen,
welche gegen das Zielelement 25 kollidieren. Als ein Ergebnis
wird ein dielektrischer Film auf den Reflexionsendfacetten 10b des
Laser-Vorrichtungs-Prototypen 10A,
platziert auf der Anode 24, abgeschieden. In der Ausführungsform werden
drei Paare von Einheitsreflexionsfilmen 130 bestehend aus
den Filmen mit niedrigem und hohem refraktivem Index 13a und 13b beispielsweise
aus Siliziumdioxid bzw. Nioboxid ausgebildet.
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Der
Film mit niedrigem refraktivem Index 13b wird abgeschieden
durch einen reaktiven Sputter-Prozess unter Verwendung von Silizium
(Si) als Zielelement 25, Argon (Ar) als plasmaerzeugendes Gas
und Sauerstoff (O2) als reaktives Gas.
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Auf
der anderen Seite ist, wo der Film mit hohem refraktivem Index 13b abgeschieden
wird durch Aussetzen des Zielelements 25 aus Nioboxid gegenüber dem
Sputtern unter Verwendung von Argonionen die Molfraktion von Sauerstoff
in dem Nioboxidfilm, der abgeschieden wurde, wahrscheinlicherweise
geringer als stöchiometrisch
definiert. Dementsprechend wird vorzugsweise, um diesen Mangel an Sauerstoff
in Nioboxid zu verhindern, ein Oxidgas mit dem Argongas während des
Abscheidungsprozesses eingebracht.
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In
dieser Ausführungsform
wird die Fließrate in
dem bereitgestellten Argon auf ungefähr 10 sccm (Standard-Kubikzentimeter
pro Minute) eingestellt und die Fließrate von Sauerstoff, der bereitgestellt wird,
wird auf ungefähr
40 sccm eingestellt. Darüber hinaus
wird der Druck im Inneren der Abscheidungskammer 23 auf
ungefähr
0,1 Pa gesetzt und die Radiofrequenzleistung wird auf ungefähr 1 kW
während des
Abscheidungsprozesses eingestellt. Unter diesen Bedingungen kann
ein Film mit hohem refraktivem Index 13b aus Nioboxid abgeschieden
werden bei einer Abscheidungsrate von ungefähr 8 nm/min, wobei substantiell
kein Sauerstoffmangel erzeugt wird.
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Nioboxid
wird verwendet als Zielelement 25, um den Film mit hohem
refraktivem Index 13b abzuscheiden. Alternativ kann der
Film abgeschieden werden durch einen reaktiven Sputter-Prozess unter Verwendung
von metallischem Niob (Nb) als Zielelement 25 und Sauerstoffgas
als reaktives Gas.
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Desweiteren
wird der Endfacetten-Reflexionsfilm 13 vorzugsweise in
vacuo abgeschieden über
einen Prozess, um die Kontamination der Grenzfläche zwischen den Filmen mit
niedrigem und hohem refraktiven Index 13a und 13b aus
Siliziumdioxid und Nioboxid zu vermeiden. Aus diesem Grund ist es
bevorzugt, ein Sputter-System einzusetzen mit einer Vielkammerstruktur,
welche zwei Abscheidungskammern für Siliziumdioxid bzw. Nioboxid
einschließt,
oder einer Sputter-System mit einer Vielquellstruktur, in welchem
Quellmaterial für
Siliziumdioxid und Nioboxid in einer Abscheidungskammer hergestellt
werden.
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Wie
oben beschrieben, kann ein dielektrischer Film mit geringem Absorptionskoeffizienten und
hohem refraktivem Index relativ leicht unter Verwendung von Nioboxid
(Nb2O5) abgeschieden
werden. Folglich ist dieses Material leicht anwendbar, nicht nur
auf die im violetten Lichtbereich emittierende Halbleiter-Laser-Vorrichtung,
sondern auch auf Laservorrichtungen, wie z.B. eine im roten Lichtbereich
emittierende Halbleiter-Laser-Vorrichtung,
welche Laserlicht in anderen Wellenlängenbereichen des Spektrums
emittiert.
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3(a) und 3(b) zeigen
Ergebnisse von Bewertungen, welche erhalten wurden unter Verwendung
einer spektroskopischen Ellipsometrie. Genauer gesagt zeigen die 3(a) und 3(b) die Wellenlängenverteilungen
des Lichtabsorptionskoeffizienten und des refraktiven Index für den Film
mit hohem refraktivem Index aus Nioboxid gemäß der ersten Ausführungsform
sowie einen Vergleichsfilm mit hohem refraktivem Index aus Titanoxid,
abgeschieden durch einen reaktiven Sputter-Prozess.
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Wie
in 3(a) gezeigt, nimmt, wenn die Wellenlänge abnimmt,
der Absorptionskoeffizient von Nioboxid, angegeben durch die durchgezogene
Linie, monoton zu, ist jedoch viel kleiner als derjenige von Titanoxid,
wie durch die unterbrochene Linie angezeigt wird. Der Vergleich
der Absorptionskoeffizienten von beiden bei einer Wellenlänge beispielsweise
von 400 nm zeigt, dass der Absorptionskoeffizient von Titanoxid
2400 cm–1 ist,
während
derjenige von Nioboxid 109 cm–1 ist.
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Auf
der anderen Seite nimmt der refraktive Index von Nioboxid monoton
zu, wie in 3(b) gezeigt wird, wenn die
Wellenlänge
abnimmt, ist jedoch in gewisser Weise kleiner als derjenige von
Titanoxid. Wie zu sehen ist, zeigt Titanoxid einen größeren refraktiven
Index als derjenige von Nioboxid. Vergleicht man die refraktiven
Indizes davon bei einer Wellenlänge
von beispielsweise 400 nm, ist der refraktive Index von Titanoxid
2,95, während
derjenige von Nioboxid 2,52 ist.
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Im
allgemeinen verschlechtert sich eine Laservorrichtung in nicht vernachlässigbarer
Art und Weise aufgrund von Lichtabsorption in einer Situation, wo
der Lichtabsorptionskoeffizient 103 cm–1 bis 104 cm–1 oder höher ist.
Nimmt man an, dass ein Wellenlängenbereich,
der mit einem Lichtabsorptionskoeffizienten von 104 cm–1 oder
weniger korrespondiert auf ein Material anwendbar ist für den Endfacetten-Reflexionsfilm 13 kann
Titanoxid nicht bei verschiedenen Wellenlängen von ungefähr 370 nm
oder weniger eingesetzt werden, jedoch kann Nioboxid mit verschiedenen
Wellenlängen,
welche nicht kleiner sind als 340 nm eingesetzt werden.
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Wie
in 3(b) gezeigt wird, ist der refraktive
Index von Nioboxid in gewisser Weise kleiner als derjenige von Titanoxid,
aber hinreichend größer als derjenige
von Siliziumdioxid (SiO2) für den Film
mit niedrigem refraktivem Index 13a. Folglich kann unter Verwendung
der Einheitsreflexionsfilme 130, jeweils bestehend aus
Siliziumdioxid und Nioboxidfilmen der Endfacetten-Reflexionsfilm 13 eine
hinreichend hohe Reflexivität
erlangen.
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4 zeigt,
wie sich der Reflexionsgrad des Endfacetten-Reflexionsfilm der Halbleiter-Laser-Vorrichtung
gemäß der ersten
Ausführungsform
gegenüber
Licht in einer Wellenlänge
von 400 nm verändert,
abhängend
von seiner Dicke. In diesem Fall werden drei Paare von Einheitsreflexionsfilmen 130, wobei
jeder aus dem Film mit geringem refraktivem Index 13a aus
Siliziumdioxid mit einer Dicke von ungefähr 68 nm, bestimmt durch λ/4n1 und dem Film mit hohem refraktivem Index 13b aus
Nioboxid mit einer Dicke von 40 nm, bestimmt durch λ/4n2 besteht, gestapelt, wodurch der Endfacetten-Reflexionsfilm 13 mit
einem Reflexionsgrad von etwa 93,9% erhalten wird, wobei λ 400 nm ist,
n1 der refraktive Index von Siliziumdioxid
bei einer Wellenlänge
von 400 nm ist und n2 der refraktive Index
von Nioboxid bei einer Wellenlänge
von 400 nm ist.
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In
der ersten Ausführungsform
wird ein Magnetron-Sputtersystem eingesetzt in einem Abscheidungsprozeß für den Nioboxidfilm.
Alternativ kann auch ECR, Radiofrequenz oder Helicon-Sputter-Systeme
eingesetzt werden.
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Falls
der Einheitsreflektionsfilm 130, bestehend aus den Filmen
mit niedrigem bzw. hohem refraktivem Index 13a und 13b einen
seiner Filme mit niedrigem refraktivem Index aufweist, ausgebildet auf
der Endfacette, wird ein Unterschied in dem refraktiven Index erzeugt
zwischen dem Film mit niedrigem refraktivem Index 13a und
der Halbleiterschicht, welche in Kontakt mit diesem Film 13a steht. Als
ein Ergebnis nimmt der Reflexionsgrad des Einheitsreflexionsfilmes 130 zu.
Jedoch kann, obwohl der Reflexionsgrad abnimmt, einer der Filme
mit hohem refraktivem Index 13b auf dem Endabschnitt zur Verfügung gestellt
werden, oder ein jeder der am weitesten innen oder am weitesten
außen
gelegenen Einheitsreflextionsfilme 130 kann mit nur einem
von den beiden Typen von Filmen enden, d.h. die Filme mit niedrigem
oder hohem refraktivem Index 13a oder 13b können als
die am weitesten innen gelegenen oder am weitesten außen gelegenen
Filme eingesetzt werden. Selbst in diesem Fall werden die Effekte
der vorliegenden Erfindung nicht verlorengehen.
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Desweiteren
wird Siliziumdioxid verwendet für
den Film mit niedrigem refraktivem Index 13a. Alternativ
kann Aluminiumoxid (Al2O3)
eingesetzt werden.
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Desweiteren
kann ein Siliziumdioxid oder Aluminiumoxidfilm mit einem geringen
refraktiven Index auch eingesetzt werden als ein Passivierungsfilm
der lichtemittierenden Endfacette 10a der Resonanzkavität 12,
d.h. gegenüberliegend
der Reflexionsendfacette 10b.
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Darüber hinaus
wird ein Gruppe III–V-Nitrid-Halbleiter,
welcher Galliumnitrid als hauptsächliche
Komponente enthält,
als ein Halbleitermaterial für
die im violetten Licht emittierende Halbleiter-Laser-Vorrichtung
mit einer Oszilattionswellenlänge
von ungefähr
400 nm eingesetzt. Alternativ kann auch irgendeiner von Gruppe II–VI-Verbindungshalbleitern, wie
z.B. Zink-Selenid (ZnSe), Zink-Sulfid (ZnS) bzw. Zink-Oxid (ZnO)
eingesetzt werden.
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AUSFÜHRUNGSFORM 2
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Im
folgenden wird eine zweite Ausführungsform
der Erfindung beschrieben werden.
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In
der ersten Ausführungsform,
wie oben beschrieben, wird Nioboxid verwendet als Film mit hohem
refraktiven Index, welcher die Anforderungen für erniedrigte Wellenlängen erfüllen kann.
Auf der anderen Seite ist die zweite Ausführungsform so angepaßt, dass
sie die Anforderungen des Erhöhens
der Ausgabeleistung einer Halbleiter-Laser-Vorrichtung mit einer langen Oszillationswellenlänge erfüllen kann,
wobei die Wellenlänge
die infraroten bis roten Bereiche des Spektrums abdeckt.
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Beispielsweise
sollte eine Laservorrichtung für
eine 16 × CD-R,
auf welcher Daten einmal mit sechzehnfacher Geschwindigkeit im Vergleich
zur Normalgeschwindigkeit geschrieben werden können, eine Ausgabe von 160
mW in einem Pulsbetriebmodus bei einem Arbeitszyklus von 50% aufweisen
sowie 110 mW in einem CW-Betriebsmodus. Folglich kann der bekannte
Endfacetten-Reflexionsfilm, welcher aus einem Film von geringem
refraktivem Index aus Siliziumdioxid besteht und einem Film mit
hohem refraktiven Index aus amorphem Silizium, nicht die hinreichende
Verlässlichkeit
gewährleisten.
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Mit
Blick auf diese Tatsache sind in der zweiten Ausführungsform
erste und zweite dielektrische Schichten für einen Endfacetten-Reflexionsfilm
aus Siliziumdioxid (SiO2) und Nioboxid (Nb2O5) ausgebildet,
wodurch die Langzeitverlässlichkeit
für eine
infrarot- oder rotes Licht emittierenden Halbleiter-Laser-Vorrichtung
für die
16 × CD-R
gewährleistet
wird.
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5 zeigt
eine Halbleiter-Laser-Vorrichtung entsprechend der zweiten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung, welche eine Halbleiter-Laser-Vorrichtung
ist, die in infrarotem oder rotem Lichtbereich emittiert, mit einer
Oszillationswellenlänge von
ungefähr
780 nm.
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Wie
in 5 gezeigt, schließt die Halbleiter-Laser-Vorrichtung 30 eine
Resonanzkavität 32 ein,
in welcher eine Quantenpotentialtopfaktivitätsschicht 31 bestehend
aus Barriereschichten aus Aluminium-Gallium-Arsenid (AlGaAs), um
ein Beispiel zu nennen und Potential-Topfschichten aus Gallium-Arsenid,
um ein Beispiel zu nennen (GaAs), vertikal in einem Sandwich angeordnet
sind zwischen zumindest Wellenleiterschichten aus N- und P-Typ Aluminium-Gallium-Arsenid
(AlGaAs), um ein Beispiel zu nennen. Die aktive Schicht weist auch
eine Quantenpotentialtopfstruktur in der zweiten Ausführungsform
auf, dies muss jedoch nicht der Fall sein.
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Ein
Endfacetten-Reflexionsfilm 33 wird ausgebildet auf einer
reflexiven Endfacette 30b, welche einer lichtemittierenden
Endfacette 30a für
Laserlicht 100 in der Resonanzkavität 32 gegenüberliegt.
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Der
Endfacetten-Reflexionsfilm 33 weist eine Struktur auf,
welche eine Vielzahl von Einheitsreflexionsfilmen 330 aufweist,
wobei jede davon aus einem Film mit geringem refraktiven Index 33a aus
Siliziumdioxid als einer ersten dielektrischen Schicht besteht und
einem Film mit hohem refraktivem Index 33b aus Nioboxid
als einer zweiten dielektrischen Schicht. Die Filme mit niedrigem
und hohem refraktivem Index 33a und 33b werden
in dieser Reihenfolge auf der Endfacette der Resonanzkavität 32 abgeschieden.
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Die
Dicke der Filme mit niedrigem und hohem refraktivem Index 33a und 33b sowie
die Anzahl der Einheits-Reflexionsfilme 330 kann eingestellt werden
auf die entsprechenden geeigneten Werte entsprechend den Spezifizierungen
der Halbleiter-Laser-Vorrichtung. Beispielsweise wierd, falls die Siliziumdioxid
und Nioboxidfilme für
zwei Paare von Einheitsreflexionsfilmen 330 ausgebildet
werden, so dass ihre Dicke, bestimmt durch λ/41 und λ/42, eingestellt werden kann, der Endfacetten-Reflexionsfilm 33 einen
Reflexionsgrad von etwa 85% aufweisen.
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Entsprechend
der zweiten Ausführungsform wird
Nioboxid verwendet für
den Film mit hohem refraktivem Index 33b des Endfacetten-Reflexionsfilms 33,
ausgebildet auf der refelxiven Endfacette 30b der Resonanzkavität 32,
und der Lichtabsorptionskoeffizient von Nioboxid ist kleiner als
der von amorphem Silizium. Folglich kann ein Anstieg in der Temperaturumgebung
der Endfacette der Resonanzkavität 33 unterdrückt werden.
Als ein Ergebnis wird sich die Kristallinität der Quantenpotentialtopf-Aktivitätsschicht 31 und
der umgebenden Abschnitte davon weniger wahrscheinlich verschlechtern,
und die Halbleiter-Laser-Vorrichtung kann ihre Ausgabeleistung vergrößern.
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Dies
liegt daran, dass der Lichtabsorptionskoeffizient von amorphem Silizium
gegenüber
Licht mit einer Wellenlänge
von 780 nm 4 × 104 cm–1 ist, während derjenige
von Nioboxid gegenüber
Licht mit einer Wellenlänge
von 780 nm substantiell Null ist, d.h. 10–3 cm–1 oder
weniger und die Absorption von Licht in dem Endfacetten-Reflexionsfilm 33 stark
reduziert werden kann.
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Als
ein modifiziertes Beispiel der zweiten Ausführungsform kann amorphes Siliziumhydrid (α-Si:H), d.h.
amorphes Silizium, welches Wasserstoff enthält, verwendet werden, anstelle
von Nioboxid für
den Film mit hohem refraktivem Index 33b in der zweiten
Einheit für
den Endfacetten-Reflexionsfilm 33. Dann kann der Endfacetten-Reflexionsfilm 33 seinen
Reflexionsgrad erhöht
auf etwa 90% aufweisen.
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Mit
Blick auf diese Punkte kann zur Erhöhung der Ausgabeleistung von
einer im infraroten oder im roten Licht emittierenden Halbleiter-Laser-Vorrichtung
Nioboxid verwendet werden, für
einen jeden der Filme mit hohem refraktivem Index 33b in
den zwei Paaren von Einheitsreflexionsfilmen 330 und der
Endfacetten-Reflexionsfilm 33 kann aus drei oder mehr Paaren
von Einheitsreflexionsfilmen 330 bestehen.
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Wo
die Ausgabeleistung nicht so hoch sein muss (beispielsweise in einer
Laservorrichtung für ein
4 × CD-R)
kann ein Dielektrikum mit einem refraktiven Index, welcher größer ist
als derjenige von Nioboxid, verwendet werden für die äußeren Filme mit hohem refraktiven
Index 33b in allen Einheitsreflexionsfilmen 330,
welche sich von der ersten Einheit der Reflexionsendfacette 30b unterscheiden,
um einen hohen Reflexionsgrad bei einer vorbestimmten Menge von
eingebrachtem Strom zu erhalten.
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AUSFÜHRUNGSFORM 3
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Im
folgenden wird die dritte Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung beschrieben werden unter Verweis auf die
Zeichnungen.
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6 zeigt
schematisch die Anordnung für einen
optischen Scheiben-Apparat entsprechend der dritten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung. In 6 wird in
dem optischen Scheiben-Apparat gemäß der dritten Ausführungsform
die Halbleiter-Laser-Vorrichtung
der vorliegenden Erfindung, d.h. die Halbleiter-Laser-Vorrichtung
entsprechend der ersten Ausführungsform,
welche violettes Licht emittiert, als Lichtemissionsquelle 41 des
optischen Scheiben-Apparates eingesetzt.
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Wie
in 6 gezeigt, sind in dem Scheiben-Apparat die Lichtemissions-Endfacetten
der Halbleiter-Laser-Vorrichtung, welche als Lichtemissionsquelle 41 dient,
und die datenspeichernde Oberfläche
der optischen Scheibe 50, welche als Speichermedium fungiert,
auf welchem die gewünschten Daten
aufgezeichnet wurden, so angeordnet, dass sie einander gegenüberliegen.
Ein optisches Kondensorsystem 40 wird zwischen der Lichtemissionsquelle 41 und
der optischen Scheibe 50 platziert.
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In
dem optischen Kondensorsystem 40 sind eine Kollimatorlinse 42,
welche das Licht 51, das von der Lichtemissionsquelle 41 emittiert
wird, in paralleles Licht verändert;
ein Beugungsgitter 43, welche das parallele Licht in drei
Strahlen unterteilt (nicht gezeigt); ein Halbprisma 44,
welches das emittierte Licht 51 transmittiert und den optischen
Pfad des Lichtes 52, reflektiert von der optischen Scheibe 50 verändert; und
eine Kondensorlinse 45, welche die drei Stahlen auf die
optische Scheibe 50 fokussiert in dieser Reihenfolge angeordnet,
so dass die Linse 42 am nächsten zur Lichtemissionsquelle 41 liegt.
In der illustrierten Ausführungsform
wird Laserlicht mit einer Wellenlänge von ungefähr 400 nm
als emittiertes Licht 51 verwendet.
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Ein
jeder der drei Strahlen wird auf die optische Scheibe 50 fokussiert,
wobei die Form des Spots eine Größe von ungefähr 0,4 μm aufweist.
Ein Steuerschaltkreis 46 wird zur Verfügung gestellt, um die Radialverschiebung
der optischen Scheibe 50 durch geeignetes Bewegen der Kondensorlinse 45 zu
korrigieren. Die Verschiebung wird detektiert basierend auf den
Positionen der drei Spots.
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Eine
Empfängerlinse 47,
welche das Licht 52 kondensiert; eine zylindrische Linse 48,
welche einen Fokusfehler detektiert; und eine Fotodiode 49 als
ein Fotodetektor zum Umwandeln des kondensierten reflektierten Lichts 52 in
ein elektrisches Signal werden auf dem optischen Pfad an Licht 52 angeordnet,
welches aus dem Halbprisma 44 reflektiert wird.
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Auf
diese Art und Weise wird die Halbleiter-Laser-Vorrichtung verwendet
als Lichtemissionsquelle 41 des optischen Scheiben-Apparates,
welcher folgendes einschließt:
Das optische Kondensorsystem 40, welches das emittierte
Licht 51 zur optischen Scheibe 50 leitet; sowie
die Fotodiode 49, welches das Licht 52 aufnimmt,
welches aus der optischen Scheibe 50 reflektiert wurde.
In der Laservorrichtung wird Nioboxid, welches einen Absorptionskoeffizienten
aufweist, der kleiner ist als der vom amorphen Silizium oder Titanoxid,
als Film mit hohem refraktivem Index in dem Endfacetten-Reflexionsfilm
eingesetzt, der auf der Endfacette, gegenüberliegend der Lichtemissionsendfacette
gebildet ist. Auf diese Weise ist es, falls die Vorrichtung eine
Oszillationswellenlänge
von 400 nm oder weniger aufweisen sollte, möglich, eine Langzeitverlässlichkeit für die Lichtemissionsquelle 41 sicherzustellen
sowie eventuell für
den optischen Scheiben-Apparat.
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Als
ein modifiziertes Beispiel der dritten Ausführungsform, falls die infraroten
oder roten Lichtbereiche emittierende Halbleiter-Laser-Vorrichtung
entsprechend der zweiten Ausführungsform
als Halbleiter-Laser-Vorrichtung verwendet wird, um als Lichtemissionsquelle 41 zu
fungieren, realisiert der Apparat eine Langzeitverlässlichkeit
als 16 × CD-ROM-Laufwerk.