JPH11186656A - 半導体レーザ素子用反射膜及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ素子用反射膜及びその製造方法Info
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- JPH11186656A JPH11186656A JP36576597A JP36576597A JPH11186656A JP H11186656 A JPH11186656 A JP H11186656A JP 36576597 A JP36576597 A JP 36576597A JP 36576597 A JP36576597 A JP 36576597A JP H11186656 A JPH11186656 A JP H11186656A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 信頼性の高い安定した特性が得られるととも
に、複数波長のレーザ光を発振するレーザ装置に簡便に
形成する。 【解決手段】 ＧａＡｓレーザ素子基板の共振器端面上
に第１層目としてＡｌ2Ｏ3膜を、成膜温度１３０℃でス
パッタ法によって成膜し、膜厚を光学膜厚でλ／１６に
制御する。次に、第２層目のα−Ｓｉ：Ｈ膜を、成膜温
度２００℃でスパッタ成膜する。第２層膜の光学膜厚
は、λ／８に制御する。次に、第３層目のＡｌ2Ｏ3膜
を、成膜温度１３０℃でスパッタ成膜する。第３層膜の
光学膜厚は、λ／１６に制御する。次に、第４層目のα
−Ｓｉ：Ｈ膜を、成膜温度２００℃でスパッタ成膜す
る。第４層膜１８の光学膜厚は、λ／８に制御する。次
に、第５層目のＡｌ2Ｏ3膜を、成膜温度１３０℃でスパ
ッタ成膜する。第５層膜の光学膜厚は、λ／１６に制御
する。
に、複数波長のレーザ光を発振するレーザ装置に簡便に
形成する。 【解決手段】 ＧａＡｓレーザ素子基板の共振器端面上
に第１層目としてＡｌ2Ｏ3膜を、成膜温度１３０℃でス
パッタ法によって成膜し、膜厚を光学膜厚でλ／１６に
制御する。次に、第２層目のα−Ｓｉ：Ｈ膜を、成膜温
度２００℃でスパッタ成膜する。第２層膜の光学膜厚
は、λ／８に制御する。次に、第３層目のＡｌ2Ｏ3膜
を、成膜温度１３０℃でスパッタ成膜する。第３層膜の
光学膜厚は、λ／１６に制御する。次に、第４層目のα
−Ｓｉ：Ｈ膜を、成膜温度２００℃でスパッタ成膜す
る。第４層膜１８の光学膜厚は、λ／８に制御する。次
に、第５層目のＡｌ2Ｏ3膜を、成膜温度１３０℃でスパ
ッタ成膜する。第５層膜の光学膜厚は、λ／１６に制御
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体レーザ素
子の共振器端面（レーザ光出射端面）に形成される反射
膜にかかり、更に具体的には、複数の異なるモードのレ
ーザ光を出力する半導体レーザ素子を含むレーザ装置に
好適な反射膜の改良に関する。
子の共振器端面（レーザ光出射端面）に形成される反射
膜にかかり、更に具体的には、複数の異なるモードのレ
ーザ光を出力する半導体レーザ素子を含むレーザ装置に
好適な反射膜の改良に関する。
【０００２】
【背景技術】半導体レーザ素子の光出射端面には、出射
効率を向上させるために、Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ
4，ＴｉＯ2などの誘電体物質による反射膜が、例えば光
学膜厚λ／２（λはレーザ光の波長）で形成されてい
る。図６にはその様子が示されている。同図(A)は、単
一波長の半導体レーザ素子９００における共振器端面に
は、反射膜９０２，９０４がそれぞれ形成されている。
素子９００で発振したレーザ光のうちの主ビームは例え
ば反射膜９０２から出力され、モニタ光は反射膜９０４
から出力される。同図(B)は、半導体レーザ素子９０６
における共振器方向の一端に反射膜９０８が形成された
例である。なお、図中の矢印は、レーザ光の射出方向を
示す（以下同様）。
効率を向上させるために、Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ
4，ＴｉＯ2などの誘電体物質による反射膜が、例えば光
学膜厚λ／２（λはレーザ光の波長）で形成されてい
る。図６にはその様子が示されている。同図(A)は、単
一波長の半導体レーザ素子９００における共振器端面に
は、反射膜９０２，９０４がそれぞれ形成されている。
素子９００で発振したレーザ光のうちの主ビームは例え
ば反射膜９０２から出力され、モニタ光は反射膜９０４
から出力される。同図(B)は、半導体レーザ素子９０６
における共振器方向の一端に反射膜９０８が形成された
例である。なお、図中の矢印は、レーザ光の射出方向を
示す（以下同様）。
【０００３】反射膜は、単一誘電体物質による単層構造
の場合もあるが、単層反射膜を組み合わせて多層構造と
する場合もある。単層膜では、単一波長（例えば７９０
nm）に対して目的の反射率（例えば３０〜３５％）が得
られるような分光特性となるように、材料などが選択さ
れる。多層膜では、多層構造全体として所望の特性が得
られるように、層数や材料などが選択される。
の場合もあるが、単層反射膜を組み合わせて多層構造と
する場合もある。単層膜では、単一波長（例えば７９０
nm）に対して目的の反射率（例えば３０〜３５％）が得
られるような分光特性となるように、材料などが選択さ
れる。多層膜では、多層構造全体として所望の特性が得
られるように、層数や材料などが選択される。
【０００４】成膜方法としては、ＥＢ真空蒸着法やマグ
ネトロンＲＦスパッタ法などが一般的であるが、膜質の
良さからスパッタ法が広く使われている。成膜プロセス
は、反射膜の密着性を向上させるために基板（レーザ素
子基板）温度を２００℃〜３００℃に保ち、この状態で
スパッタを行って反射膜を成膜している。この方法は、
単層構造及び多層構造のいずれの場合も同様である。図
７には、その成膜の条件をグラフに示したもので、横軸
は成膜時間，縦軸は成膜温度である。同図の例では、３
００度一定で反射膜は成膜される。
ネトロンＲＦスパッタ法などが一般的であるが、膜質の
良さからスパッタ法が広く使われている。成膜プロセス
は、反射膜の密着性を向上させるために基板（レーザ素
子基板）温度を２００℃〜３００℃に保ち、この状態で
スパッタを行って反射膜を成膜している。この方法は、
単層構造及び多層構造のいずれの場合も同様である。図
７には、その成膜の条件をグラフに示したもので、横軸
は成膜時間，縦軸は成膜温度である。同図の例では、３
００度一定で反射膜は成膜される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ような背景技術には、次のような不都合がある。 (1) 基板温度を２００℃〜３００℃で一定に保ったまま
反射膜を形成する。このため、反射膜に応力歪みが残存
しやすく、耐環境試験などで膜にクラックが生じたり、
あるいは膜が剥がれることがあり、信頼性に悪影響を及
ぼしている。
ような背景技術には、次のような不都合がある。 (1) 基板温度を２００℃〜３００℃で一定に保ったまま
反射膜を形成する。このため、反射膜に応力歪みが残存
しやすく、耐環境試験などで膜にクラックが生じたり、
あるいは膜が剥がれることがあり、信頼性に悪影響を及
ぼしている。
【０００６】(2)反射膜は、上述したように単一波長に
対して所定の反射率が得られる分光特性となっている。
このため、例えば多重波長で発振するレーザーアレイ，
例えばＣＤ−Ｒ用の７９０nmと、ＤＶＤ用の６５０nmｍ
とで発振するような二波長レーザ装置に反射膜をコーテ
ィングする場合、波長に応じた分光特性の膜を別個に形
成しなければならない。
対して所定の反射率が得られる分光特性となっている。
このため、例えば多重波長で発振するレーザーアレイ，
例えばＣＤ−Ｒ用の７９０nmと、ＤＶＤ用の６５０nmｍ
とで発振するような二波長レーザ装置に反射膜をコーテ
ィングする場合、波長に応じた分光特性の膜を別個に形
成しなければならない。
【０００７】図８には、その一例が示されており、ＣＤ
−Ｒ用レーザ素子９１０には、波長７９０nmに対応する
反射膜９１２を共振器端面を形成する。一方、ＤＶＤ用
レーザ素子９２０には、波長６５０nmに対応する反射膜
９２２を共振器端面に形成する。この際に、反射膜９１
２，９２２は同一でないため、マスクを使用して別々に
レーザ素子９１０，９２０にコーティングする必要があ
り、製造工程が複雑になる。
−Ｒ用レーザ素子９１０には、波長７９０nmに対応する
反射膜９１２を共振器端面を形成する。一方、ＤＶＤ用
レーザ素子９２０には、波長６５０nmに対応する反射膜
９２２を共振器端面に形成する。この際に、反射膜９１
２，９２２は同一でないため、マスクを使用して別々に
レーザ素子９１０，９２０にコーティングする必要があ
り、製造工程が複雑になる。
【０００８】この発明は、以上の点に着目したもので、
信頼性の高い安定した特性が得られるとともに、複数波
長のレーザ光を発振するレーザ装置に簡便に形成するこ
とができるレーザ素子用反射膜，その製造方法，レーザ
装置を提供することを、その目的とするものである。
信頼性の高い安定した特性が得られるとともに、複数波
長のレーザ光を発振するレーザ装置に簡便に形成するこ
とができるレーザ素子用反射膜，その製造方法，レーザ
装置を提供することを、その目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、この発明の反射膜は、第１の温度で形成される第１
の光学膜厚の第１の膜と、第２の温度で形成される第２
の光学膜厚の第２の膜を、交互に積層したことを特徴と
する。主要な形態の一つによれば、前記第１の膜は、１
３０℃で成膜される光学膜厚λ／１６のＡｌ2Ｏ3膜であ
り、前記第２の膜は、２００℃で成膜される光学膜厚λ
／８のシリコン膜であり、５層の積層構造としたことを
特徴とする。他の形態によれば、前記シリコン膜は、α
−ＳｉＨ膜もしくはＳｉの結晶膜であることを特徴とす
る。
め、この発明の反射膜は、第１の温度で形成される第１
の光学膜厚の第１の膜と、第２の温度で形成される第２
の光学膜厚の第２の膜を、交互に積層したことを特徴と
する。主要な形態の一つによれば、前記第１の膜は、１
３０℃で成膜される光学膜厚λ／１６のＡｌ2Ｏ3膜であ
り、前記第２の膜は、２００℃で成膜される光学膜厚λ
／８のシリコン膜であり、５層の積層構造としたことを
特徴とする。他の形態によれば、前記シリコン膜は、α
−ＳｉＨ膜もしくはＳｉの結晶膜であることを特徴とす
る。
【００１０】本発明の反射膜製造方法は、共振器端面上
に、温度１３０℃で光学膜厚λ／１６の厚さにＡｌ2Ｏ3
膜を第１層膜として形成するステップ；この第１層膜上
に、温度２００℃で光学膜厚λ／８の厚さにα−ＳｉＨ
膜を第２層膜として形成するステップ；この第２層膜上
に、温度１３０℃で光学膜厚λ／１６の厚さにＡｌ2Ｏ3
膜を第３層膜として形成するステップ；この第３層膜上
に、温度２００℃で光学膜厚λ／８の厚さにα−ＳｉＨ
膜を第４層膜として形成するステップ；この第４層膜上
に、温度１３０℃で光学膜厚λ／１６の厚さにＡｌ2Ｏ3
膜を第５層膜として形成するステップ；を含むことを特
徴とする。
に、温度１３０℃で光学膜厚λ／１６の厚さにＡｌ2Ｏ3
膜を第１層膜として形成するステップ；この第１層膜上
に、温度２００℃で光学膜厚λ／８の厚さにα−ＳｉＨ
膜を第２層膜として形成するステップ；この第２層膜上
に、温度１３０℃で光学膜厚λ／１６の厚さにＡｌ2Ｏ3
膜を第３層膜として形成するステップ；この第３層膜上
に、温度２００℃で光学膜厚λ／８の厚さにα−ＳｉＨ
膜を第４層膜として形成するステップ；この第４層膜上
に、温度１３０℃で光学膜厚λ／１６の厚さにＡｌ2Ｏ3
膜を第５層膜として形成するステップ；を含むことを特
徴とする。
【００１１】この発明の前記及び他の目的，特徴，利点
は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。
は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。図１には、本形態における半導体レ
ーザ素子の反射膜の形成手順がグラフとして示されてい
る。図１のグラフは前記図７に対応するもので、横軸は
成膜時間，縦軸は成膜温度である。図２には、レーザ素
子の一方の共振器端面における反射膜の積層構成が示さ
れている。これら図１，図２に示すように、本形態で
は、まずＧａＡｓレーザ素子基板１０の共振器端面上に
第１層目としてＡｌ2Ｏ3膜１２を形成する。第１層膜１
２は、成膜温度１３０℃でスパッタ法によって成膜し、
膜厚を光学膜厚でλ／１６に制御する。
て詳細に説明する。図１には、本形態における半導体レ
ーザ素子の反射膜の形成手順がグラフとして示されてい
る。図１のグラフは前記図７に対応するもので、横軸は
成膜時間，縦軸は成膜温度である。図２には、レーザ素
子の一方の共振器端面における反射膜の積層構成が示さ
れている。これら図１，図２に示すように、本形態で
は、まずＧａＡｓレーザ素子基板１０の共振器端面上に
第１層目としてＡｌ2Ｏ3膜１２を形成する。第１層膜１
２は、成膜温度１３０℃でスパッタ法によって成膜し、
膜厚を光学膜厚でλ／１６に制御する。
【００１３】次に、第２層目のα−Ｓｉ：Ｈ（水素化ア
モルファスシリコン）膜１４を、成膜温度２００℃でス
パッタ成膜する。第２層膜１４の光学膜厚は、λ／８に
制御する。次に、第３層目のＡｌ2Ｏ3膜１６を、成膜温
度１３０℃でスパッタ成膜する。第３層膜１６の光学膜
厚は、λ／１６に制御する。次に、第４層目のα−Ｓ
ｉ：Ｈ膜１８を、成膜温度２００℃でスパッタ成膜す
る。第４層膜１８の光学膜厚は、λ／８に制御する。次
に、第５層目のＡｌ2Ｏ3膜２０を、成膜温度１３０℃で
スパッタ成膜する。第５層膜２０の光学膜厚は、λ／１
６に制御する。なお、成膜時間は、各層いずれも３０分
である。
モルファスシリコン）膜１４を、成膜温度２００℃でス
パッタ成膜する。第２層膜１４の光学膜厚は、λ／８に
制御する。次に、第３層目のＡｌ2Ｏ3膜１６を、成膜温
度１３０℃でスパッタ成膜する。第３層膜１６の光学膜
厚は、λ／１６に制御する。次に、第４層目のα−Ｓ
ｉ：Ｈ膜１８を、成膜温度２００℃でスパッタ成膜す
る。第４層膜１８の光学膜厚は、λ／８に制御する。次
に、第５層目のＡｌ2Ｏ3膜２０を、成膜温度１３０℃で
スパッタ成膜する。第５層膜２０の光学膜厚は、λ／１
６に制御する。なお、成膜時間は、各層いずれも３０分
である。
【００１４】このように、３層のＡｌ2Ｏ3膜と、２層の
α−Ｓｉ：Ｈ膜を、光学膜厚λ／１６，λ／８で交互に
積層することで、反射膜２２がレーザ素子基板１０の共
振器端面上に形成される。また、Ａｌ2Ｏ3膜１２，１
６，２０は成膜温度１３０℃で形成され、α−Ｓｉ：Ｈ
膜１４，１８は成膜温度２００℃で形成される。
α−Ｓｉ：Ｈ膜を、光学膜厚λ／１６，λ／８で交互に
積層することで、反射膜２２がレーザ素子基板１０の共
振器端面上に形成される。また、Ａｌ2Ｏ3膜１２，１
６，２０は成膜温度１３０℃で形成され、α−Ｓｉ：Ｈ
膜１４，１８は成膜温度２００℃で形成される。
【００１５】図３には、この５層構造の反射膜２２の分
光特性が示されている。なお、比較のため、２層のＡｌ
2Ｏ3膜と１層のα−Ｓｉ：Ｈ膜を光学膜厚λ／４で積層
した３層構造の反射膜と、５層のＡｌ2Ｏ3膜と４層のα
−Ｓｉ：Ｈ膜を光学膜厚λ／４で積層した９層構造の反
射膜の分光特性を示す。
光特性が示されている。なお、比較のため、２層のＡｌ
2Ｏ3膜と１層のα−Ｓｉ：Ｈ膜を光学膜厚λ／４で積層
した３層構造の反射膜と、５層のＡｌ2Ｏ3膜と４層のα
−Ｓｉ：Ｈ膜を光学膜厚λ／４で積層した９層構造の反
射膜の分光特性を示す。
【００１６】図３に示すように、本形態にかかる５層構
造では、ＣＤ−Ｒ及びＤＶＤ用に必要な波長６２０nm〜
７９０nmの間で反射率が３２％〜３４％とほぼフラット
で安定した特性が得られている。しかしながら、３層構
造や９層構造では、波長６２０nm〜７９０nmの間で安定
した特性が得られない。次に、５層構造の反射膜につい
て耐環境試験を行ったところ、試験後のクラック観察に
おいてクラックの発生は認められなかった。これは、図
１に示すように、各層を、比較的低い温度であって、か
つ、層毎に交互に異なる温度で成膜することで、膜中の
応力歪みが緩和されたためと考えられる。
造では、ＣＤ−Ｒ及びＤＶＤ用に必要な波長６２０nm〜
７９０nmの間で反射率が３２％〜３４％とほぼフラット
で安定した特性が得られている。しかしながら、３層構
造や９層構造では、波長６２０nm〜７９０nmの間で安定
した特性が得られない。次に、５層構造の反射膜につい
て耐環境試験を行ったところ、試験後のクラック観察に
おいてクラックの発生は認められなかった。これは、図
１に示すように、各層を、比較的低い温度であって、か
つ、層毎に交互に異なる温度で成膜することで、膜中の
応力歪みが緩和されたためと考えられる。
【００１７】図４，図５には、以上の５層構造の反射膜
を利用したレーザ装置が示されている。図４は平面図，
図５は斜視図である。これらの図において、基板３０上
には、ＤＶＤ用レーザ素子３２と、ＣＤ−Ｒ用レーザ素
子３４がそれぞれ分離して形成されている。ＤＶＤ用レ
ーザ素子３２は波長６５０nmのレーザ光を発振し、ＣＤ
−Ｒ用レーザ素子３４は波長７９０nmのレーザ光を発振
する。これらレーザ素子３２，３４の共振器端面には、
前記５層構造の反射膜３６，３８が全体に形成されてい
る。これら反射膜３６，３８は、図３に示したように、
波長６２０nm〜７９０nmでほぼ一定の反射率となってい
る。このため、レーザ素子３２，３４の発振波長が異な
るものの、反射膜３６，３８の作用はほぼ同一であり、
良好な特性が得られる。従って、レーザ素子毎にマスク
を使用して反射膜を形成するというような複雑な作業を
必要とせず、簡便に反射膜を形成することができる。
を利用したレーザ装置が示されている。図４は平面図，
図５は斜視図である。これらの図において、基板３０上
には、ＤＶＤ用レーザ素子３２と、ＣＤ−Ｒ用レーザ素
子３４がそれぞれ分離して形成されている。ＤＶＤ用レ
ーザ素子３２は波長６５０nmのレーザ光を発振し、ＣＤ
−Ｒ用レーザ素子３４は波長７９０nmのレーザ光を発振
する。これらレーザ素子３２，３４の共振器端面には、
前記５層構造の反射膜３６，３８が全体に形成されてい
る。これら反射膜３６，３８は、図３に示したように、
波長６２０nm〜７９０nmでほぼ一定の反射率となってい
る。このため、レーザ素子３２，３４の発振波長が異な
るものの、反射膜３６，３８の作用はほぼ同一であり、
良好な特性が得られる。従って、レーザ素子毎にマスク
を使用して反射膜を形成するというような複雑な作業を
必要とせず、簡便に反射膜を形成することができる。
【００１８】このように、本形態によれば、耐環境試験
においてクラックの発生が認められなかったことなどか
ら、信頼性向上に大きく貢献できる。また、分光特性も
６２０nm〜７９０nm間で反射率が３２％〜３４％とほぼ
平坦で安定した特性が得られていることから、例えば一
つはＤＶＤ用半導体レーザ（発振波長６５０nm），もう
一つはＣＤ−Ｒ用半導体レーザ（発振波長７９０nm）と
いった多重波長のレーザアレイの端面反射膜に好適であ
る。すなわち、発振波長６５０nmの端面反射膜と発振波
長７９０nmの端面反射膜を別々に形成する必要がなく、
一つのプロセスと膜構造で良好な信頼性と分光特性を確
保することができる。従って、ＣＤ−Ｒ及びＤＶＤの両
方を再生するような光ピックアップの光源に好適である
などの利点がある。
においてクラックの発生が認められなかったことなどか
ら、信頼性向上に大きく貢献できる。また、分光特性も
６２０nm〜７９０nm間で反射率が３２％〜３４％とほぼ
平坦で安定した特性が得られていることから、例えば一
つはＤＶＤ用半導体レーザ（発振波長６５０nm），もう
一つはＣＤ−Ｒ用半導体レーザ（発振波長７９０nm）と
いった多重波長のレーザアレイの端面反射膜に好適であ
る。すなわち、発振波長６５０nmの端面反射膜と発振波
長７９０nmの端面反射膜を別々に形成する必要がなく、
一つのプロセスと膜構造で良好な信頼性と分光特性を確
保することができる。従って、ＣＤ−Ｒ及びＤＶＤの両
方を再生するような光ピックアップの光源に好適である
などの利点がある。
【００１９】この発明には数多くの実施形態があり、以
上の開示に基づいて多様に改変することが可能である。
例えば、前記形態では、３層のＡｌ2Ｏ3膜と２層のα−
Ｓｉ：Ｈ膜を、光学膜厚λ／１６とλ／８，成膜温度１
３０℃と２００℃で交互に形成することとしたが、成膜
温度や使用する材料などは同様の特性が得られる範囲内
で変更可能である。例えば、α−Ｓｉ：Ｈ膜の代わりに
Ｓｉを使用し、２７０℃程度で結晶膜を形成しても、同
様の特性が得られる。
上の開示に基づいて多様に改変することが可能である。
例えば、前記形態では、３層のＡｌ2Ｏ3膜と２層のα−
Ｓｉ：Ｈ膜を、光学膜厚λ／１６とλ／８，成膜温度１
３０℃と２００℃で交互に形成することとしたが、成膜
温度や使用する材料などは同様の特性が得られる範囲内
で変更可能である。例えば、α−Ｓｉ：Ｈ膜の代わりに
Ｓｉを使用し、２７０℃程度で結晶膜を形成しても、同
様の特性が得られる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レーザ素子の共振器端面の反射膜を、第１の温度で形成
される第１の膜と、第２の温度で形成される第２の膜の
積層構造としたので、信頼性の高い安定した特性が得ら
れるとともに、複数波長のレーザ光を発振するレーザ装
置に簡便に形成することができるという効果がある。
レーザ素子の共振器端面の反射膜を、第１の温度で形成
される第１の膜と、第２の温度で形成される第２の膜の
積層構造としたので、信頼性の高い安定した特性が得ら
れるとともに、複数波長のレーザ光を発振するレーザ装
置に簡便に形成することができるという効果がある。
【図１】この発明の一実施形態における反射膜の製造手
順を示す図である。
順を示す図である。
【図２】前記形態にかかる反射膜の積層構造を示す図で
である。
である。
【図３】前記形態にかかる反射膜の分光特性を示す図で
である。
である。
【図４】前記形態にかかる反射膜を利用した二波長レー
ザ装置を示す平面図である。
ザ装置を示す平面図である。
【図５】図４の二波長レーザ装置を示す斜視図である。
【図６】一般的なレーザ素子を示す図である。
【図７】背景技術における反射膜製造の手順を示す図で
ある。
ある。
【図８】背景技術おける二波長レーザ装置を示す平面図
である。
である。
１０…レーザ素子基板 １２…第１層膜 １４…第２層膜 １６…第３層膜 １８…第４層膜 ２０…第５層膜 ２２…反射膜 ３０…基板 ３２…ＤＶＤ用レーザ素子 ３４…ＣＤ−Ｒ用レーザ素子 ３６，３８…反射膜
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体レーザ素子の共振器端面に形成さ
れる積層構造の反射膜において、 第１の温度で形成される第１の光学膜厚の第１の膜と、
第２の温度で形成される第２の光学膜厚の第２の膜を、
交互に積層したことを特徴とする半導体レーザ素子用反
射膜。 - 【請求項２】 前記第１の膜は、１３０℃で成膜される
光学膜厚λ／１６のＡｌ2Ｏ3膜であり、前記第２の膜
は、２００℃で成膜される光学膜厚λ／８のシリコン膜
であり、５層の積層構造としたことを特徴とする請求項
１記載の半導体レーザ素子用反射膜。 - 【請求項３】 前記シリコン膜は、α−ＳｉＨ膜もしく
はＳｉの結晶膜であることを特徴とする請求項２記載の
半導体レーザ素子用反射膜。 - 【請求項４】 半導体レーザ素子の共振器端面に反射膜
をスパッタ法で形成する半導体レーザ素子用反射膜の製
造方法において、 前記共振器端面上に、温度１３０℃で光学膜厚λ／１６
の厚さにＡｌ2Ｏ3膜を第１層膜として形成するステッ
プ；この第１層膜上に、温度２００℃で光学膜厚λ／８
の厚さにα−ＳｉＨ膜を第２層膜として形成するステッ
プ；この第２層膜上に、温度１３０℃で光学膜厚λ／１
６の厚さにＡｌ2Ｏ3膜を第３層膜として形成するステッ
プ；この第３層膜上に、温度２００℃で光学膜厚λ／８
の厚さにα−ＳｉＨ膜を第４層膜として形成するステッ
プ；この第４層膜上に、温度１３０℃で光学膜厚λ／１
６の厚さにＡｌ2Ｏ3膜を第５層膜として形成するステッ
プ；を含むことを特徴とする半導体レーザ素子用反射膜
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36576597A JPH11186656A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 半導体レーザ素子用反射膜及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36576597A JPH11186656A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 半導体レーザ素子用反射膜及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186656A true JPH11186656A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18485057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36576597A Pending JPH11186656A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 半導体レーザ素子用反射膜及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186656A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001077457A (ja) * | 1999-09-08 | 2001-03-23 | Sony Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| JP2001077456A (ja) * | 1999-09-07 | 2001-03-23 | Sony Corp | 半導体レーザおよび光学部品用コート膜 |
| EP1137134A2 (en) * | 2000-03-14 | 2001-09-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser device and method of fabricating the same |
| JP2001320131A (ja) * | 2000-03-01 | 2001-11-16 | Sony Corp | 多波長半導体レーザ素子アレイ及びその作製方法 |
| US6771586B2 (en) | 2001-01-19 | 2004-08-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser element, method for manufacturing the same, and optical pickup using the same |
| US6798811B1 (en) | 1999-11-30 | 2004-09-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device, method for fabricating the same, and optical disk apparatus |
| US6985504B2 (en) | 2002-02-19 | 2006-01-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser and method for manufacturing the same |
| JP2010219436A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Sony Corp | 多波長半導体レーザおよび光学記録再生装置 |
-
1997
- 1997-12-22 JP JP36576597A patent/JPH11186656A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001077456A (ja) * | 1999-09-07 | 2001-03-23 | Sony Corp | 半導体レーザおよび光学部品用コート膜 |
| JP2001077457A (ja) * | 1999-09-08 | 2001-03-23 | Sony Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| US6798811B1 (en) | 1999-11-30 | 2004-09-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device, method for fabricating the same, and optical disk apparatus |
| US7292615B2 (en) | 1999-11-30 | 2007-11-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device, method for fabricating the same, and optical disk apparatus |
| JP2001320131A (ja) * | 2000-03-01 | 2001-11-16 | Sony Corp | 多波長半導体レーザ素子アレイ及びその作製方法 |
| EP1137134A2 (en) * | 2000-03-14 | 2001-09-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser device and method of fabricating the same |
| US6628689B2 (en) | 2000-03-14 | 2003-09-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser device and method of fabricating the same |
| EP1137134A3 (en) * | 2000-03-14 | 2004-05-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser device and method of fabricating the same |
| US6771586B2 (en) | 2001-01-19 | 2004-08-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser element, method for manufacturing the same, and optical pickup using the same |
| US6985504B2 (en) | 2002-02-19 | 2006-01-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser and method for manufacturing the same |
| US7142576B2 (en) | 2002-02-19 | 2006-11-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser |
| JP2010219436A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Sony Corp | 多波長半導体レーザおよび光学記録再生装置 |
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