JPH0772330A

JPH0772330A - 選択された周波数の光を反射するためのミラーおよびそれを形成するための方法

Info

Publication number: JPH0772330A
Application number: JP6110702A
Authority: JP
Inventors: Samuel Lu; サミュエル・リュ; Ming-Jau Sun; ミン−ジャン・サン; Alan F Stewart; アラン・エフ・スチュワート; Anthony W Louderback; アンソニー・ダブリュ・ローダーバック
Original assignee: Litton Systems Inc
Current assignee: Northrop Grumman Guidance and Electronics Co Inc
Priority date: 1993-05-26
Filing date: 1994-05-25
Publication date: 1995-03-17
Anticipated expiration: 2012-07-09
Also published as: EP0626597B1; JP2627864B2; DE69414458D1; DE69414458T2; US5513039A; EP0626597A1

Abstract

(57)【要約】【目的】リングレーザジャイロスコープにおいて紫外
線波長に晒された際のミラー表面の劣化に耐えられるよ
うにするための光学コーティングを提供する。【構成】選択された周波数の光を反射するためのミラ
ー２０は、基板４０の上にコーティングされた、２つの
誘電体材料でできた複数個の交互になった４分の１波長
の厚みの層を含み、これらは紫外放射に晒された際の物
理変化および化学変化に耐えるものである。材料は異な
った屈折率を有する。材料は好ましくは屈折率の高い層
４４、Ｈとしてアルミナおよびタンタラの混合物を含
み、屈折率の低い層４６、Ｌとしてアルミナを含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の背景】この発明は、一般に光学表面における特
定の光の波長の反射および透過を制御するための光学コ
ーティングに関する。この発明は特に、リングレーザジ
ャイロスコープのミラーのための光学コーティングに関
する。さらにより特定的には、この発明はリングレーザ
ジャイロスコープにおいて紫外線波長に晒されたミラー
表面の劣化に耐える光学コーティングに関する。

【０００２】リングレーザジャイロスコープは、回転を
測定するのにサニャック効果を用いる。閉じた経路の中
で互いに逆方向に伝わる光線は、経路の面に垂直な軸に
ついて回転速度と正比例する異なった遷移時間を有す
る。リングレーザジャイロスコープにおいては、閉じた
経路は光線を経路に沿って導くミラーによって規定され
る。経路は一般に、形状としては四角形または三角形の
いずれかであるが、原理的にはいかなる多角形の閉じた
経路をも使うことができる。閉じた経路は典型的にはガ
ラスセラミック材料で形成されるフレームまたは本体の
中に形成されたキャビティ内にある。

【０００３】キャビティは排気されてから、レーザのた
めのゲイン媒体であるヘリウムおよびネオンの混合物で
満たされる。放電によりゲイン媒体が励起され、それに
より光が増幅し、コヒーレント光源がもたらされる。ミ
ラーは、レーザの適正な動作を促進する態様で光線を閉
じた経路に沿って導くべく、正確に整列されなければな
らない。使用可能な信号をもたらすであろうレーザビー
ムの強度を提供するには、ミラー表面に不純物があって
はならない。

【０００４】一旦、システム内に共振周波数でレーザ発
振が起こると、互いに逆方向に伝わるレーザ光線が横切
る経路の長さの差が、結果として差周波数またはうなり
周波数をもたらし、これは光検出器によって感知されて
増幅器で増幅される。うなり周波数は、互いに逆方向に
伝わる光線に対し光学的にヘテロダイン効果を起こした
結果生じる。

【０００５】ほとんどすべてのレーザで、有効なレーザ
パワー出力はそのレーザの作動寿命にわたって減少す
る。この有効なパワーの減少は、光学素子における損失
によって強められる。比較的低い利得でレーザ光線を発
するレーザでは、有効なパワーが減少することは非常に
重大なことであり得る。高い利得で動作するレーザ（何
らかの可視光の周波数でレーザ光線を発するレーザな
ど）では、光学素子からの損失はしばしば、望ましいも
のではないとはいえ、チューブの作動寿命の間は耐えら
れ得るものである。しかしながら、そのような利得の高
いレーザでも、そのような損失を排除するまたは最小限
にすることが望ましい。光学素子における損失を排除す
るまたは最小限にすることで、チューブの有用寿命を延
ばし、その有用寿命の間チューブの動作をより効率的か
つ正確にすることができる。

【０００６】ガスイオンレーザのチューブにおいて発生
されるプラズマアークにより、大きいフォトンフラック
スが生成されうるが、これらのフラックスはそのフラッ
クスに晒された光学素子表面に対し物理変化および化学
変化を開始させることができる。より特定的には、これ
らのフォトンフラックスは、露出された光学素子表面に
おける光減少をもたらすことができる。

【０００７】そのようなレーザで光学素子に用いられて
きた例示的材料は、結晶ＳｉＯ₂、Ｓｉ、溶融Ｓｉ
Ｏ₂、サファイア、ダイヤモンド、ＢｅＯ、ＭｇＦ₂、
ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＢａＦ₂、ＣａＦ₂、ダイヤモンド
状の炭素、イットリウムアルミニウムガーネット（ＹＡ
Ｇ）、イットリウムリチウムフッ化物（ＹＬＦ）などを
含むが、これらに限定されるわけではない。特定的に
は、リングレーザジャイロスコープのミラーは一般に、
スタックとして配列される交互になったＳｉＯ₂および
ＴｉＯ₂の多層を含む。これらの材料はしばしば、フォ
トンフラックスに晒された表面において物理変化や化学
変化、特に光減少を受ける。ＳｉＯ₂／ＴｉＯ ₂の多層
スタックでできたＺＬＧミラーは、出力パワー降下とミ
ラーの複屈折シフトとに関連して紫外／プラズマの劣化
を示す。

【０００８】光学的応用のための誘電コーティングは、
一般に真空蒸着、スパッタリング、または低温溶液デポ
ジションによって適切なガラス、セラミック、または金
属の基板の上に形成される。ウェイ（Ｗｅｉ）らに対し
１９８９年１月３１日に発行された米国特許Ｒｅ．３
２，８４９号、リー（Ｌｅｅ）に対し１９８９年５月９
日に発行された米国特許第４，８２７，８７０号、およ
びスコット（Ｓｃｏｔｔ）らに対し１９８８年１２月２
７日に発行された米国特許第４，７９３，９８０号は、
ミラー基板上に誘電コーティングを形成するのに用いら
れてよい装置および方法を開示する。米国特許Ｒｅ．３
２，８４９号、４，８２７，８７０号、および４，７９
３，９８０号は、ここでは引用により本開示の中に援用
される。

【０００９】光学コーティングのために用いられる特定
の光学的機能および１つまたは複数の波長は、コーティ
ングの設計を規定する。ここで言うコーティングの設計
という用語は、堆積されるべき材料の個々の層の数、こ
れらの層の厚さ、およびそれらの層を製造する材料のこ
とである。個々の層を形成する材料間の屈折率の差は、
コーティングの設計と組合わせると、そのコーティング
に独特な機能を与えるという物理的特性である。たとえ
ば、コーティングは反射板、反射防止板、偏光子、およ
び他の光学素子として機能するよう設計することができ
る。

【００１０】大きいフォトンフラックスに晒されても光
減少を被ることのないレーザ光学部品を提供すること
は、特にそのレーザが動作中に紫外放射を発するもので
ある場合、当該技術における進歩であろう。このような
レーザは紫外放射を、光線に付随させて、または光線の
一部として生じるものであって、貴ガスイオンレーザ、
エキシマレーザ、ＣＯ₂レーザ、自由電子レーザ、原子
金属蒸気レーザなどを含む。

【００１１】

【発明の概要】選択された周波数の光を反射するため
の、この発明に従うミラーは、ゼロドゥア（Ｚｅｒｏｄ
ｕｒ）ガラスセラミック材料または他の、適切な温度の
安定性を有する適切な物質で、形成されてよい基板を含
む。紫外放射に晒された際の物理変化や化学変化に強い
第１の誘電体材料の複数の層が、第１の誘電体材料の選
択された周波数に対応する波長の４分の１に等しい厚さ
になるまで基板上にコーティングされる。紫外放射に晒
された際の物理変化および化学変化に強い第２の誘電体
材料の第２組の層が、第２の誘電体材料における選択さ
れた周波数に対応する波長の４分の１に等しい厚さにな
るまで第１組の層の上にコーティングされる。第１およ
び第２の材料の層は、第１の材料および第２の材料の層
のスタックをつくり出すべく交互に塗布される。

【００１２】第１の誘電体材料は好ましくはタンタラす
なわちＴａ₂Ｏ₅からなり、第２の誘電体はアルミナす
なわちＡｌ₂Ｏ₃からなる。

【００１３】第１の誘電体材料は酸化チタンＴｉＯ₂か
らなっていてもよく、第２の誘電体はアルミナＡｌ₂Ｏ
₃からなっていてもよい。

【００１４】この発明に従うミラーはＴｉＯ₂の交互に
なった層のスタックを含むよう形成されてもよく、第２
の誘電体は二酸化ケイ素ＳｉＯ₂を含む。第３および第
４の誘電体材料の複数層がスタックに加えられる。第３
の誘電体材料はタンタラを含んでもよく、第４の誘電体
の層はアルミナを含んでもよい。代替的には、第３の誘
電体材料はＳｉＯ₂とＨｆＯ₂との混合物またはＡｌ₂
Ｏ₃とＨｆＯ₂との混合物を含んでもよく、第４の誘電
体の層はＡｌ₂Ｏ₃を含んでもよい。

【００１５】この発明の目的に対する認識、ならびにそ
の構造および動作の方法に対するより完全な理解は、以
下に述べる好ましい実施例の説明を詳細に読み、かつ添
付の図面を参照することによって得られるであろう。

【００１６】

【好ましい実施例の説明】図１および２を参照して、基
本的なリングレーザジャイロスコープ１０はフレーム１
２を含み、これは一般的に矩形であって、その角が切り
取られて４つの装着面１４から１７を形成する。複数個
のミラー１８から２１がそれぞれ装着面１４から１７に
装着される。キャビティ２２がフレーム１２の中に形成
されて、ミラー１８から２１の間でフレーム１２に沿っ
て矩形経路を形成する。リングレーザジャイロスコープ
１０には他の構造が用いられてもよい。具体的には、リ
ングレーザジャイロスコープは３つのミラーを備える三
角形の形態（図示せず）を有していてもよいし、４つよ
り多くのミラーを有していてもよい。リングレーザジャ
イロスコープは平坦な光学経路を有するように形成され
ても平坦なところのない光学経路を有するよう形成され
てもよい。リングレーザジャイロスコープ１０の基本的
な説明は、この発明の有用性を示すために例として提示
されたものであって、特定のリングレーザジャイロスコ
ープ構造にこの発明を限定するためのものではない。

【００１７】キャビティ２２にはゲイン媒体が入れられ
る。ゲイン媒体は典型的にはヘリウムとネオンとの混合
物であって、電気的に励起されると互いに逆方向に伝わ
る光線２６および２８をキャビティ２２内に生じる。プ
ラズマ放電はキャビティ２２の領域２４に限られる。エ
ネルギは電源（図示せず）によってゲイン媒体に送られ
る。この電源は１対のアノード３２および３４ならびに
カソード３６に適切な電圧を印加するものである。

【００１８】ミラー１８および１９の少なくとも一方
は、部分的に透過性にして光線の一部をキャビティの外
に出して処理できるようにし、それにより回転速度を定
め、かつキャビティの長さを制御するための信号を与え
る。たとえばミラー１８に入射する光線の一部は、ミラ
ー１８を通って結合光学手段２３に伝播する。結合光学
手段２３はプリズムであってもよく、これは内部の反射
によって、キャビティ内のミラー表面に突き当たったと
きには互いに垂直であった光線が平行かつ重ねられた状
態で出るようにする。結合光学手段２３はこのように、
右回りの光線と左回りの光線とが干渉するようにする。
適切な結合光学手段の構造的特徴はよく知られているの
で、ここではこれ以上詳しくは説明しない。

【００１９】光検出器２５が、２つの光線の干渉パター
ンにおける光の強度を示す電気信号を生成する。光検出
器２５から出力された電気信号は、リングレーザジャイ
ロスコープが装着された装置の回転速度を定めるために
処理されてもよい。

【００２０】ミラー２０および２１は光線の強度におけ
る損失を最小限にするために、可能な限り高い反射率を
有しているべきである。ミラー２０および２１は一般に
適切なアクチュエータ（図示せず）によって動かすこと
ができ、キャビティ２２内における光線の光路長を、ゲ
イン媒体によって放射される光の波長における共振を提
供するよう選択された値に、維持する。

【００２１】この発明はミラー１８から２０の構造に向
けられている。図３を参照して、たとえばミラー２０
は、基板４０と、屈折率の高い材料Ｈおよび屈折率の低
い材料Ｌからなる複数の層とを含む。基板は好ましくは
ゼロドゥア（ＺＥＲＯＤＵＲ）の商標で商業的に入手可
能であるガラスセラミック材料で形成される。このゼロ
ドゥアガラスセラミック材料はリングレーザジャイロス
コープのフレームおよびミラー基板をつくるのに用いら
れる。ゼロドゥアガラスセラミック材料の特性は、リン
グレーザジャイロスコープの技術分野ではよく知られて
いる。これは熱膨張率が非常に低く、したがってリング
レーザジャイロスコープの動作温度範囲内での温度変化
について受ける寸法の変化が非常に小さい。

【００２２】基板４０は光学的平面４２を有し、この上
に屈折率の高い材料からなる薄い層４４が形成される。
屈折率の高い層の厚さは好ましくはλ／（４ｎ₁ｃｏｓ
θ１）であり、このときλは真空下でのレーザ光の波長
であり、ｎ₁は屈折率であり、θ１は層４４の表面に対
する法線と、レーザ光線が層４４に突き当たるときの方
向との間で測定される入射角度である。この出願では、
波長は６３２８Åである。屈折率の高い材料は好ましく
はタンタラＴａ₂Ｏ₅であり、その屈折率ｎ₁＝２．０
５である。

【００２３】屈折率の高い層４４の上には屈折率の低い
層４６が形成される。屈折率の低い材料４６の厚さは、
やはりレーザ光の４分の１波長である。屈折率の低い材
料は好ましくは屈折率ｎ₂＝１．６５のアルミナＡｌ₂
Ｏ₃で形成される。各層の厚さＴはλ／（４ｎ₂ｃｏｓ
θ２）に等しく、このときλは真空下でのレーザ光の波
長であり、ｎ₂は屈折率であり、θ２は層４６の表面に
対する法線とレーザ光線が層４６に突き当たる際の方向
との間で測定される入射角度である。

【００２４】ミラー２０は好ましくは屈折率の高いＴａ
₂Ｏ₅の層を３３個有しており、これらは３３個の屈折
率の低いＡｌ₂Ｏ₃の層と交互になって多層のミラーコ
ーティングを形成するための通常の態様でスタックを形
成するよう配列される。屈折率の低いＡｌ₂Ｏ₃の３３
番目の層５０の上にはＡｌ₂Ｏ₃の外側層５２が形成さ
れる。屈折率の低い材料でできた外側層５２は、好まし
くは層５０と同じ厚みを有し、ミラー２０の外側表面に
おける電界を最小限にするようミラー２０の中に含まれ
る。

【００２５】上述のように形成されたミラー２０は、１
００％近い反射率を有する。入射してくる光の一部を結
合光学手段２３に透過させるミラー１８は、１９９０年
２月２７日にリュ（Ｌｕ）らに対し発行された米国特許
第４，９０４，０８３号で開示される態様で配列された
Ｔａ₂Ｏ₅およびＡｌ₂Ｏ₃が交互になった層で形成さ
れてよい。リューらは２つの多層の４分の１波長スタッ
クの間に挟まれた、多層の非４分の１波長スタックを開
示する。４分の１波長スタックの１つは基板上に形成さ
れる。

【００２６】タンタラおよびアルミナはリングレーザジ
ャイロスコープのミラーコーティングを形成するにあた
り他の材料に優る著しい利点を有している。タンタラお
よびアルミナは紫外放射に長く晒されても劣化によく耐
え、複数の４分の１波長コーティングにおいて形成され
ても結晶化しない。層の間の各インタフェースは、散乱
が起こるかもしれないところである。結晶化は散乱を引
き起こすので望ましくない。

【００２７】タンタラの屈折率とアルミナの屈折率とが
近いため、さらなる利点が得られる。１つの層における
表面の細かい凹凸は、スタックの中を辿って、スタック
に続いて加えられた層に達し、ここで最初に所与の表面
の凹凸が現われる。散乱した光は相関しているものおよ
び相関していないものとして特徴づけられる。相関する
散乱とは、最初の凹凸、および最初の凹凸によって引き
起こされた後続する凹凸からの、散乱した光の強化であ
る。相関する光はしたがって最小限にされなければなら
ない。相関する散乱の量は、比率ｎ₁／ｎ₂に依存して
おり、したがって屈折率の高い材料と低い材料との屈折
率が互いに近ければ相関する散乱の量を低減する助けと
なる。

【００２８】多くの異なったコーティング材料が評価さ
れている。ＳｉＯ₂をドーピングされたＨｆＯ₂および
Ａｌ₂Ｏ₃をドーピングされたコーティングの吸着およ
び複屈折は、紫外放射に晒されても非常に安定している
ということが発見されている。したがって、ＨｆＯ₂は
Ａｌ₂Ｏ₃と結合してＡｌ₂Ｏ₃／ＳｉＯ₂−ＨｆＯ ₂
またはＡｌ₂Ｏ₃／Ａｌ₂Ｏ₃−ＨｆＯ₂の耐紫外／プ
ラズマのミラーのスタックを形成するのに適切なコーテ
ィング材料である。ＳｉＯ₂−ＨｆＯ₂の屈折率および
Ａｌ₂Ｏ₃の屈折率はそれぞれ１．９５および１．６５
程度であり、反射率の高いミラーをつくり上げるには各
材料の層が約３５個必要である。ドーパントの量はＨｆ
Ｏ₂における結晶化を回避すべく選択される。典型的な
応用では、ＳｉＯ₂−ＨｆＯ₂層はおよそ２０％程度が
ＳｉＯ₂であり、８０％程度がＨｆＯ₂である。アルミ
ナをドーピングされたハフニアが屈折率の高い層として
用いられ、アルミナが屈折率の低い層として用いられた
場合、Ａｌ₂Ｏ₃−ＨｆＯ ₂層は約５％から７％がＡｌ
₂Ｏ₃であり、９５％から９３％がＨｆＯ₂である。

【００２９】図４を参照して、紫外放射に晒されても耐
えることができるという望ましい特性を有する反射率の
高いミラー７０は、従来のＳｉＯ₂／ＴｉＯ₂多層スタ
ック７２にＡｌ₂Ｏ₃／ＳｉＯ₂−ＨｆＯ₂またはＡｌ
₂Ｏ₃／Ａｌ₂Ｏ₃−ＨｆＯ ₂の交互になった層を上か
らコーティングすることによって形成されてもよい。こ
の技術により、耐紫外／プラズマのミラーを構成するの
に必要な層の数を低減することができる。酸化チタンＴ
ｉＯ₂は約２．３２の屈折率を有する。ＳｉＯ ₂は約
１．４６の屈折率を有する。たとえば、スタック７２の
上にＴａ₂Ｏ₅、ＳｉＯ₂−ＨｆＯ₂またはＡｌ₂Ｏ₃
−ＨｆＯ₂からなる３つの層７６、７７、および７８を
Ａｌ₂Ｏ₃でできた３つの層７９、８０、および８１と
交互にして、高い反射率と紫外放射に晒された際の耐性
とを達成することができる。上方の層８４はＡｌ₂Ｏ₃
でできた４分の１波長の厚みのコーティングである。

【００３０】ここで説明されるミラーはジーマン（Ｚｅ
ｅｍａｎ）リングレーザジャイロスコープ（ＺＬＧ）、
従来の２モードリングレーザジャイロスコープ、および
紫外／プラズマによるミラーへの損傷が問題となるかも
しれない他の応用で用いるのに適している。

【００３１】ここで開示される構造および方法は、本発
明の原理を説明するものである。本発明はその精神また
は本質的な特性から逸脱することなく他の特定的な形式
で実施されてもよい。説明された実施例はあらゆる面に
おいて、限定的なものではなく、例示的かつ説明的なも
のとして考えられるべきである。したがって、この発明
の範囲を規定するのは上の好ましい実施例の説明ではな
く、前掲の特許請求の範囲である。特許請求の範囲と等
価な意味および範囲内にある、ここで説明された実施例
に対する変形はすべて、この発明の範囲内に包含され
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】リングレーザジャイロスコープのフレームと装
着装置との間に接続された絶縁リングを示す、リングレ
ーザジャイロスコープの平面図である。

【図２】図１のリングレーザジャイロスコープの正面図
である。

【図３】上に複数個の層が形成されている基板を含む、
この発明に従うミラーを示す断面図である。

【図４】従来のミラー上に形成された耐紫外線コーティ
ングを示す断面図である。

【符号の説明】

２０ミラー４０基板４４屈折率の高い層４６屈折率の低い層Ｈ屈折率の高い層Ｌ屈折率の低い層

フロントページの続き (72)発明者ミン−ジャン・サンアメリカ合衆国、91364 カリフォルニア州、ウッドランド・ヒルズ、ダグエアー・アベニュ、3950 (72)発明者アラン・エフ・スチュワートアメリカ合衆国、91320 カリフォルニア州、サウザンド・オークス、スプルース・ヒル・コート、892 (72)発明者アンソニー・ダブリュ・ローダーバックアメリカ合衆国、97405 オレゴン州、ユージーン、ローレイン・ハイウェイ、 86141

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板（４０）と、紫外放射に晒された際の物理変化および化学変化に耐え
る、屈折率ｎ₁を有する第１の誘電体材料でできた第１
組の層（４４、Ｈ）とを含み、前記第１組の層は第１の
誘電体材料における選択された周波数に対応する波長の
４分の１に等しい厚さになるまで基板の上にコーティン
グされ、さらに紫外放射に晒された際の物理変化および
化学変化に耐える、屈折率ｎ₂を有する第２の誘電体材
料でできた第２組の層（４６、Ｌ）を含み、前記第２組
の層は第２の誘電体材料における選択された周波数に対
応する波長の４分の１に等しい厚さになるまで第１組の
層の上にコーティングされ、第１および第２の材料の層
は第１および第２の材料の層（Ｈ、Ｌ）のスタックをつ
くるべく交互に塗布される、選択された周波数の光を反
射するためのミラー（２０）。
【請求項２】第１の誘電体材料はタンタラＴａ₂Ｏ₅
を含み、第２の誘電体材料はアルミナＡｌ₂Ｏ₃を含
む、請求項１に記載のミラー（２０）。
【請求項３】第１の誘電体材料はＴｉＯ₂を含み、第
２の誘電体材料はＡｌ₂Ｏ₃を含む、請求項１に記載の
ミラー（２０）。
【請求項４】第１の誘電体材料はＴｉＯ₂を含み、第
２の誘電体材料はＳｉＯ₂を含み、スタックには第３お
よび第４の誘電体材料でできた複数個の層（５０、５
２）が加えられる、請求項１に記載のミラー（２０）。
【請求項５】第３の誘電体材料はＳｉＯ₂とＨｆＯ₂
との混合物を含み、第４の誘電体の層はＡｌ₂Ｏ₃を含
む、請求項４に記載のミラー（２０）。
【請求項６】第３の誘電体材料はおよそ２０％がＳｉ
Ｏ₂であり、８０％がＨｆＯ₂である、請求項５に記載
のミラー（２０）。
【請求項７】第３の誘電体材料はＡｌ₂Ｏ₃とＨｆＯ
₂との混合物を含み、第４の誘電体の層はＡｌ₂Ｏ₃を
含む、請求項４に記載のミラー（２０）。
【請求項８】第３の誘電体材料は５％から７％がＡｌ
₂Ｏ₃であり、９５％から９３％がＨｆＯ₂である、請
求項７に記載のミラー（２０）。
【請求項９】選択された周波数の光を反射するための
ミラーを形成するための方法であって、紫外放射に晒された際の物理変化および化学変化に耐え
る、屈折率ｎ₁を有する第１の誘電体材料でできた第１
組の層（４４、Ｈ）を形成するステップを含み、前記第
１組の層は第１の誘電体材料における選択された周波数
に対応する波長の４分の１の厚さになるまで基板上にコ
ーティングされ、さらに紫外放射に晒された際の物理変
化および化学変化に耐える、屈折率ｎ₂を有する第２の
誘電体材料でできた第２組の層（４６、Ｌ）を形成する
ステップを含み、前記第２組の層は第２の誘電体材料に
おける選択された周波数に対応する波長の４分の１に等
しい厚さになるまで第１組の層の上にコーティングさ
れ、第１および第２の材料でできた層（Ｈ、Ｌ）は第１
および第２の材料の層のスタックをつくるべく交互に塗
布される、方法。
【請求項１０】タンタラＴａ₂Ｏ₅を含む材料から第
１組の層（４４）を形成するステップと、アルミナＡｌ
₂Ｏ₃を含む材料から第２組の層（４６）を形成するス
テップとを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】ＴｉＯ₂を含む材料から第１組の層
（４４）を形成するステップと、Ａｌ₂Ｏ₃を含む材料
から第２組の層（４６）を形成するステップとを含む、
請求項９に記載の方法。
【請求項１２】ＴｉＯ₂を含む材料から第１組の層
（４４）を形成するステップと、ＳｉＯ₂を含む材料か
ら第２組の層（４６）を形成するステップと、スタック
に第３および第４の誘電体材料でできた複数の層（５
０、５２）を加えるステップとを含む、請求項９に記載
の方法。
【請求項１３】ＳｉＯ₂およびＨｆＯ₂の混合物を含
む材料から第３の誘電体材料を形成するステップと、Ａ
ｌ₂Ｏ₃を含む材料から第４の誘電体材料を形成するス
テップとを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】第３の誘電体材料の約２０％をＳｉＯ
₂にし、８０％をＨｆＯ₂にするステップを含む、請求
項１３に記載の方法。
【請求項１５】Ａｌ₂Ｏ₃およびＨｆＯ₂の混合物を
含むように第３の誘電体材料を形成するステップと、Ａ
ｌ₂Ｏ₃を含むように第４の誘電体の層を形成するステ
ップとを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】５％から７％がＡｌ₂Ｏ₃であり、９
５％から９３％がＨｆＯ₂であるように第３の誘電体材
料を形成するステップを含む、請求項１５に記載の方
法。