JP2627864B2 - 選択された周波数の光を反射するためのミラーおよびそれを形成するための方法 - Google Patents
選択された周波数の光を反射するためのミラーおよびそれを形成するための方法Info
- Publication number
- JP2627864B2 JP2627864B2 JP6110702A JP11070294A JP2627864B2 JP 2627864 B2 JP2627864 B2 JP 2627864B2 JP 6110702 A JP6110702 A JP 6110702A JP 11070294 A JP11070294 A JP 11070294A JP 2627864 B2 JP2627864 B2 JP 2627864B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layers
- dielectric material
- mirror
- hfo
- refractive index
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/08—Mirrors
- G02B5/0816—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers
- G02B5/0825—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers the reflecting layers comprising dielectric materials only
- G02B5/0833—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers the reflecting layers comprising dielectric materials only comprising inorganic materials only
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/08—Mirrors
- G02B5/0891—Ultraviolet [UV] mirrors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
- G02B5/283—Interference filters designed for the ultraviolet
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Gyroscopes (AREA)
- Lasers (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Description
【０００１】
【発明の背景】この発明は、一般に光学表面における特
定の光の波長の反射および透過を制御するための光学コ
ーティングに関する。この発明は特に、リングレーザジ
ャイロスコープのミラーのための光学コーティングに関
する。さらにより特定的には、この発明はリングレーザ
ジャイロスコープにおいて紫外線波長に晒されたミラー
表面の劣化に耐える光学コーティングに関する。
定の光の波長の反射および透過を制御するための光学コ
ーティングに関する。この発明は特に、リングレーザジ
ャイロスコープのミラーのための光学コーティングに関
する。さらにより特定的には、この発明はリングレーザ
ジャイロスコープにおいて紫外線波長に晒されたミラー
表面の劣化に耐える光学コーティングに関する。
【０００２】リングレーザジャイロスコープは、回転を
測定するのにサニャック効果を用いる。閉じた経路の中
で互いに逆方向に伝わる光線は、経路の面に垂直な軸に
ついて回転速度と正比例する異なった遷移時間を有す
る。リングレーザジャイロスコープにおいては、閉じた
経路は光線を経路に沿って導くミラーによって規定され
る。経路は一般に、形状としては四角形または三角形の
いずれかであるが、原理的にはいかなる多角形の閉じた
経路をも使うことができる。閉じた経路は典型的にはガ
ラスセラミック材料で形成されるフレームまたは本体の
中に形成されたキャビティ内にある。
測定するのにサニャック効果を用いる。閉じた経路の中
で互いに逆方向に伝わる光線は、経路の面に垂直な軸に
ついて回転速度と正比例する異なった遷移時間を有す
る。リングレーザジャイロスコープにおいては、閉じた
経路は光線を経路に沿って導くミラーによって規定され
る。経路は一般に、形状としては四角形または三角形の
いずれかであるが、原理的にはいかなる多角形の閉じた
経路をも使うことができる。閉じた経路は典型的にはガ
ラスセラミック材料で形成されるフレームまたは本体の
中に形成されたキャビティ内にある。
【０００３】キャビティは排気されてから、レーザのた
めのゲイン媒体であるヘリウムおよびネオンの混合物で
満たされる。放電によりゲイン媒体が励起され、それに
より光が増幅し、コヒーレント光源がもたらされる。ミ
ラーは、レーザの適正な動作を促進する態様で光線を閉
じた経路に沿って導くべく、正確に整列されなければな
らない。使用可能な信号をもたらすであろうレーザビー
ムの強度を提供するには、ミラー表面に不純物があって
はならない。
めのゲイン媒体であるヘリウムおよびネオンの混合物で
満たされる。放電によりゲイン媒体が励起され、それに
より光が増幅し、コヒーレント光源がもたらされる。ミ
ラーは、レーザの適正な動作を促進する態様で光線を閉
じた経路に沿って導くべく、正確に整列されなければな
らない。使用可能な信号をもたらすであろうレーザビー
ムの強度を提供するには、ミラー表面に不純物があって
はならない。
【０００４】一旦、システム内に共振周波数でレーザ発
振が起こると、互いに逆方向に伝わるレーザ光線が横切
る経路の長さの差が、結果として差周波数またはうなり
周波数をもたらし、これは光検出器によって感知されて
増幅器で増幅される。うなり周波数は、互いに逆方向に
伝わる光線に対し光学的にヘテロダイン効果を起こした
結果生じる。
振が起こると、互いに逆方向に伝わるレーザ光線が横切
る経路の長さの差が、結果として差周波数またはうなり
周波数をもたらし、これは光検出器によって感知されて
増幅器で増幅される。うなり周波数は、互いに逆方向に
伝わる光線に対し光学的にヘテロダイン効果を起こした
結果生じる。
【０００５】ほとんどすべてのレーザで、有効なレーザ
パワー出力はそのレーザの作動寿命にわたって減少す
る。この有効なパワーの減少は、光学素子における損失
によって強められる。比較的低い利得でレーザ光線を発
するレーザでは、有効なパワーが減少することは非常に
重大なことであり得る。高い利得で動作するレーザ（何
らかの可視光の周波数でレーザ光線を発するレーザな
ど）では、光学素子からの損失はしばしば、望ましいも
のではないとはいえ、チューブの作動寿命の間は耐えら
れ得るものである。しかしながら、そのような利得の高
いレーザでも、そのような損失を排除するまたは最小限
にすることが望ましい。光学素子における損失を排除す
るまたは最小限にすることで、チューブの有用寿命を延
ばし、その有用寿命の間チューブの動作をより効率的か
つ正確にすることができる。
パワー出力はそのレーザの作動寿命にわたって減少す
る。この有効なパワーの減少は、光学素子における損失
によって強められる。比較的低い利得でレーザ光線を発
するレーザでは、有効なパワーが減少することは非常に
重大なことであり得る。高い利得で動作するレーザ（何
らかの可視光の周波数でレーザ光線を発するレーザな
ど）では、光学素子からの損失はしばしば、望ましいも
のではないとはいえ、チューブの作動寿命の間は耐えら
れ得るものである。しかしながら、そのような利得の高
いレーザでも、そのような損失を排除するまたは最小限
にすることが望ましい。光学素子における損失を排除す
るまたは最小限にすることで、チューブの有用寿命を延
ばし、その有用寿命の間チューブの動作をより効率的か
つ正確にすることができる。
【０００６】ガスイオンレーザのチューブにおいて発生
されるプラズマアークにより、大きいフォトンフラック
スが生成されうるが、これらのフラックスはそのフラッ
クスに晒された光学素子表面に対し物理変化および化学
変化を開始させることができる。より特定的には、これ
らのフォトンフラックスは、露出された光学素子表面に
おける光減少をもたらすことができる。
されるプラズマアークにより、大きいフォトンフラック
スが生成されうるが、これらのフラックスはそのフラッ
クスに晒された光学素子表面に対し物理変化および化学
変化を開始させることができる。より特定的には、これ
らのフォトンフラックスは、露出された光学素子表面に
おける光減少をもたらすことができる。
【０００７】そのようなレーザで光学素子に用いられて
きた例示的材料は、結晶ＳｉＯ2 、Ｓｉ、溶融Ｓｉ
Ｏ2 、サファイア、ダイヤモンド、ＢｅＯ、ＭｇＦ2 、
ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＢａＦ2 、ＣａＦ2 、ダイヤモンド
状の炭素、イットリウムアルミニウムガーネット（ＹＡ
Ｇ）、イットリウムリチウムフッ化物（ＹＬＦ）などを
含むが、これらに限定されるわけではない。特定的に
は、リングレーザジャイロスコープのミラーは一般に、
スタックとして配列される交互になったＳｉＯ2 および
ＴｉＯ2 の多層を含む。これらの材料はしばしば、フォ
トンフラックスに晒された表面において物理変化や化学
変化、特に光減少を受ける。ＳｉＯ2 ／ＴｉＯ 2 の多層
スタックでできたＺＬＧミラーは、出力パワー降下とミ
ラーの複屈折シフトとに関連して紫外／プラズマの劣化
を示す。
きた例示的材料は、結晶ＳｉＯ2 、Ｓｉ、溶融Ｓｉ
Ｏ2 、サファイア、ダイヤモンド、ＢｅＯ、ＭｇＦ2 、
ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＢａＦ2 、ＣａＦ2 、ダイヤモンド
状の炭素、イットリウムアルミニウムガーネット（ＹＡ
Ｇ）、イットリウムリチウムフッ化物（ＹＬＦ）などを
含むが、これらに限定されるわけではない。特定的に
は、リングレーザジャイロスコープのミラーは一般に、
スタックとして配列される交互になったＳｉＯ2 および
ＴｉＯ2 の多層を含む。これらの材料はしばしば、フォ
トンフラックスに晒された表面において物理変化や化学
変化、特に光減少を受ける。ＳｉＯ2 ／ＴｉＯ 2 の多層
スタックでできたＺＬＧミラーは、出力パワー降下とミ
ラーの複屈折シフトとに関連して紫外／プラズマの劣化
を示す。
【０００８】光学的応用のための誘電コーティングは、
一般に真空蒸着、スパッタリング、または低温溶液デポ
ジションによって適切なガラス、セラミック、または金
属の基板の上に形成される。ウェイ（Ｗｅｉ）らに対し
１９８９年１月３１日に発行された米国特許Ｒｅ．３
２，８４９号、リー（Ｌｅｅ）に対し１９８９年５月９
日に発行された米国特許第４，８２７，８７０号、およ
びスコット（Ｓｃｏｔｔ）らに対し１９８８年１２月２
７日に発行された米国特許第４，７９３，９８０号は、
ミラー基板上に誘電コーティングを形成するのに用いら
れてよい装置および方法を開示する。米国特許Ｒｅ．３
２，８４９号、４，８２７，８７０号、および４，７９
３，９８０号は、ここでは引用により本開示の中に援用
される。
一般に真空蒸着、スパッタリング、または低温溶液デポ
ジションによって適切なガラス、セラミック、または金
属の基板の上に形成される。ウェイ（Ｗｅｉ）らに対し
１９８９年１月３１日に発行された米国特許Ｒｅ．３
２，８４９号、リー（Ｌｅｅ）に対し１９８９年５月９
日に発行された米国特許第４，８２７，８７０号、およ
びスコット（Ｓｃｏｔｔ）らに対し１９８８年１２月２
７日に発行された米国特許第４，７９３，９８０号は、
ミラー基板上に誘電コーティングを形成するのに用いら
れてよい装置および方法を開示する。米国特許Ｒｅ．３
２，８４９号、４，８２７，８７０号、および４，７９
３，９８０号は、ここでは引用により本開示の中に援用
される。
【０００９】光学コーティングのために用いられる特定
の光学的機能および１つまたは複数の波長は、コーティ
ングの設計を規定する。ここで言うコーティングの設計
という用語は、堆積されるべき材料の個々の層の数、こ
れらの層の厚さ、およびそれらの層を製造する材料のこ
とである。個々の層を形成する材料間の屈折率の差は、
コーティングの設計と組合わせると、そのコーティング
に独特な機能を与えるという物理的特性である。たとえ
ば、コーティングは反射板、反射防止板、偏光子、およ
び他の光学素子として機能するよう設計することができ
る。
の光学的機能および１つまたは複数の波長は、コーティ
ングの設計を規定する。ここで言うコーティングの設計
という用語は、堆積されるべき材料の個々の層の数、こ
れらの層の厚さ、およびそれらの層を製造する材料のこ
とである。個々の層を形成する材料間の屈折率の差は、
コーティングの設計と組合わせると、そのコーティング
に独特な機能を与えるという物理的特性である。たとえ
ば、コーティングは反射板、反射防止板、偏光子、およ
び他の光学素子として機能するよう設計することができ
る。
【００１０】大きいフォトンフラックスに晒されても光
減少を被ることのないレーザ光学部品を提供すること
は、特にそのレーザが動作中に紫外放射を発するもので
ある場合、当該技術における進歩であろう。このような
レーザは紫外放射を、光線に付随させて、または光線の
一部として生じるものであって、貴ガスイオンレーザ、
エキシマレーザ、ＣＯ2 レーザ、自由電子レーザ、原子
金属蒸気レーザなどを含む。
減少を被ることのないレーザ光学部品を提供すること
は、特にそのレーザが動作中に紫外放射を発するもので
ある場合、当該技術における進歩であろう。このような
レーザは紫外放射を、光線に付随させて、または光線の
一部として生じるものであって、貴ガスイオンレーザ、
エキシマレーザ、ＣＯ2 レーザ、自由電子レーザ、原子
金属蒸気レーザなどを含む。
【００１１】
【発明の概要】選択された周波数の光を反射するため
の、この発明に従うミラーは、ゼロドゥア（Ｚｅｒｏｄ
ｕｒ）ガラスセラミック材料または他の、適切な温度の
安定性を有する適切な物質で、形成されてよい基板を含
む。紫外放射に晒された際の物理変化や化学変化に強い
第１の誘電体材料の複数の層が、第１の誘電体材料の選
択された周波数に対応する波長の４分の１に等しい厚さ
になるまで基板上にコーティングされる。紫外放射に晒
された際の物理変化および化学変化に強い第２の誘電体
材料の第２組の層が、第２の誘電体材料における選択さ
れた周波数に対応する波長の４分の１に等しい厚さにな
るまで第１組の層の上にコーティングされる。第１およ
び第２の材料の層は、第１の材料および第２の材料の層
のスタックをつくり出すべく交互に塗布される。
の、この発明に従うミラーは、ゼロドゥア（Ｚｅｒｏｄ
ｕｒ）ガラスセラミック材料または他の、適切な温度の
安定性を有する適切な物質で、形成されてよい基板を含
む。紫外放射に晒された際の物理変化や化学変化に強い
第１の誘電体材料の複数の層が、第１の誘電体材料の選
択された周波数に対応する波長の４分の１に等しい厚さ
になるまで基板上にコーティングされる。紫外放射に晒
された際の物理変化および化学変化に強い第２の誘電体
材料の第２組の層が、第２の誘電体材料における選択さ
れた周波数に対応する波長の４分の１に等しい厚さにな
るまで第１組の層の上にコーティングされる。第１およ
び第２の材料の層は、第１の材料および第２の材料の層
のスタックをつくり出すべく交互に塗布される。
【００１２】第１の誘電体材料は好ましくはタンタラす
なわちＴａ2 Ｏ5 からなり、第２の誘電体はアルミナす
なわちＡｌ2 Ｏ3 からなる。
なわちＴａ2 Ｏ5 からなり、第２の誘電体はアルミナす
なわちＡｌ2 Ｏ3 からなる。
【００１３】第１の誘電体材料は酸化チタンＴｉＯ2 か
らなっていてもよく、第２の誘電体はアルミナＡｌ2 Ｏ
3 からなっていてもよい。
らなっていてもよく、第２の誘電体はアルミナＡｌ2 Ｏ
3 からなっていてもよい。
【００１４】この発明に従うミラーはＴｉＯ2 の交互に
なった層のスタックを含むよう形成されてもよく、第２
の誘電体は二酸化ケイ素ＳｉＯ2 を含む。第３および第
４の誘電体材料の複数層がスタックに加えられる。第３
の誘電体材料はタンタラを含んでもよく、第４の誘電体
の層はアルミナを含んでもよい。代替的には、第３の誘
電体材料はＳｉＯ2 とＨｆＯ2 との混合物またはＡｌ2
Ｏ3 とＨｆＯ2 との混合物を含んでもよく、第４の誘電
体の層はＡｌ2 Ｏ3 を含んでもよい。
なった層のスタックを含むよう形成されてもよく、第２
の誘電体は二酸化ケイ素ＳｉＯ2 を含む。第３および第
４の誘電体材料の複数層がスタックに加えられる。第３
の誘電体材料はタンタラを含んでもよく、第４の誘電体
の層はアルミナを含んでもよい。代替的には、第３の誘
電体材料はＳｉＯ2 とＨｆＯ2 との混合物またはＡｌ2
Ｏ3 とＨｆＯ2 との混合物を含んでもよく、第４の誘電
体の層はＡｌ2 Ｏ3 を含んでもよい。
【００１５】この発明の目的に対する認識、ならびにそ
の構造および動作の方法に対するより完全な理解は、以
下に述べる好ましい実施例の説明を詳細に読み、かつ添
付の図面を参照することによって得られるであろう。
の構造および動作の方法に対するより完全な理解は、以
下に述べる好ましい実施例の説明を詳細に読み、かつ添
付の図面を参照することによって得られるであろう。
【００１６】
【好ましい実施例の説明】図１および２を参照して、基
本的なリングレーザジャイロスコープ１０はフレーム１
２を含み、これは一般的に矩形であって、その角が切り
取られて４つの装着面１４から１７を形成する。複数個
のミラー１８から２１がそれぞれ装着面１４から１７に
装着される。キャビティ２２がフレーム１２の中に形成
されて、ミラー１８から２１の間でフレーム１２に沿っ
て矩形経路を形成する。リングレーザジャイロスコープ
１０には他の構造が用いられてもよい。具体的には、リ
ングレーザジャイロスコープは３つのミラーを備える三
角形の形態（図示せず）を有していてもよいし、４つよ
り多くのミラーを有していてもよい。リングレーザジャ
イロスコープは平坦な光学経路を有するように形成され
ても平坦なところのない光学経路を有するよう形成され
てもよい。リングレーザジャイロスコープ１０の基本的
な説明は、この発明の有用性を示すために例として提示
されたものであって、特定のリングレーザジャイロスコ
ープ構造にこの発明を限定するためのものではない。
本的なリングレーザジャイロスコープ１０はフレーム１
２を含み、これは一般的に矩形であって、その角が切り
取られて４つの装着面１４から１７を形成する。複数個
のミラー１８から２１がそれぞれ装着面１４から１７に
装着される。キャビティ２２がフレーム１２の中に形成
されて、ミラー１８から２１の間でフレーム１２に沿っ
て矩形経路を形成する。リングレーザジャイロスコープ
１０には他の構造が用いられてもよい。具体的には、リ
ングレーザジャイロスコープは３つのミラーを備える三
角形の形態（図示せず）を有していてもよいし、４つよ
り多くのミラーを有していてもよい。リングレーザジャ
イロスコープは平坦な光学経路を有するように形成され
ても平坦なところのない光学経路を有するよう形成され
てもよい。リングレーザジャイロスコープ１０の基本的
な説明は、この発明の有用性を示すために例として提示
されたものであって、特定のリングレーザジャイロスコ
ープ構造にこの発明を限定するためのものではない。
【００１７】キャビティ２２にはゲイン媒体が入れられ
る。ゲイン媒体は典型的にはヘリウムとネオンとの混合
物であって、電気的に励起されると互いに逆方向に伝わ
る光線２６および２８をキャビティ２２内に生じる。プ
ラズマ放電はキャビティ２２の領域２４に限られる。エ
ネルギは電源（図示せず）によってゲイン媒体に送られ
る。この電源は１対のアノード３２および３４ならびに
カソード３６に適切な電圧を印加するものである。
る。ゲイン媒体は典型的にはヘリウムとネオンとの混合
物であって、電気的に励起されると互いに逆方向に伝わ
る光線２６および２８をキャビティ２２内に生じる。プ
ラズマ放電はキャビティ２２の領域２４に限られる。エ
ネルギは電源（図示せず）によってゲイン媒体に送られ
る。この電源は１対のアノード３２および３４ならびに
カソード３６に適切な電圧を印加するものである。
【００１８】ミラー１８および１９の少なくとも一方
は、部分的に透過性にして光線の一部をキャビティの外
に出して処理できるようにし、それにより回転速度を定
め、かつキャビティの長さを制御するための信号を与え
る。たとえばミラー１８に入射する光線の一部は、ミラ
ー１８を通って結合光学手段２３に伝播する。結合光学
手段２３はプリズムであってもよく、これは内部の反射
によって、キャビティ内のミラー表面に突き当たったと
きには互いに垂直であった光線が平行かつ重ねられた状
態で出るようにする。結合光学手段２３はこのように、
右回りの光線と左回りの光線とが干渉するようにする。
適切な結合光学手段の構造的特徴はよく知られているの
で、ここではこれ以上詳しくは説明しない。
は、部分的に透過性にして光線の一部をキャビティの外
に出して処理できるようにし、それにより回転速度を定
め、かつキャビティの長さを制御するための信号を与え
る。たとえばミラー１８に入射する光線の一部は、ミラ
ー１８を通って結合光学手段２３に伝播する。結合光学
手段２３はプリズムであってもよく、これは内部の反射
によって、キャビティ内のミラー表面に突き当たったと
きには互いに垂直であった光線が平行かつ重ねられた状
態で出るようにする。結合光学手段２３はこのように、
右回りの光線と左回りの光線とが干渉するようにする。
適切な結合光学手段の構造的特徴はよく知られているの
で、ここではこれ以上詳しくは説明しない。
【００１９】光検出器２５が、２つの光線の干渉パター
ンにおける光の強度を示す電気信号を生成する。光検出
器２５から出力された電気信号は、リングレーザジャイ
ロスコープが装着された装置の回転速度を定めるために
処理されてもよい。
ンにおける光の強度を示す電気信号を生成する。光検出
器２５から出力された電気信号は、リングレーザジャイ
ロスコープが装着された装置の回転速度を定めるために
処理されてもよい。
【００２０】ミラー２０および２１は光線の強度におけ
る損失を最小限にするために、可能な限り高い反射率を
有しているべきである。ミラー２０および２１は一般に
適切なアクチュエータ（図示せず）によって動かすこと
ができ、キャビティ２２内における光線の光路長を、ゲ
イン媒体によって放射される光の波長における共振を提
供するよう選択された値に、維持する。
る損失を最小限にするために、可能な限り高い反射率を
有しているべきである。ミラー２０および２１は一般に
適切なアクチュエータ（図示せず）によって動かすこと
ができ、キャビティ２２内における光線の光路長を、ゲ
イン媒体によって放射される光の波長における共振を提
供するよう選択された値に、維持する。
【００２１】この発明はミラー１８から２０の構造に向
けられている。図３を参照して、たとえばミラー２０
は、基板４０と、屈折率の高い材料Ｈおよび屈折率の低
い材料Ｌからなる複数の層とを含む。基板は好ましくは
ゼロドゥア（ＺＥＲＯＤＵＲ）の商標で商業的に入手可
能であるガラスセラミック材料で形成される。このゼロ
ドゥアガラスセラミック材料はリングレーザジャイロス
コープのフレームおよびミラー基板をつくるのに用いら
れる。ゼロドゥアガラスセラミック材料の特性は、リン
グレーザジャイロスコープの技術分野ではよく知られて
いる。これは熱膨張率が非常に低く、したがってリング
レーザジャイロスコープの動作温度範囲内での温度変化
について受ける寸法の変化が非常に小さい。
けられている。図３を参照して、たとえばミラー２０
は、基板４０と、屈折率の高い材料Ｈおよび屈折率の低
い材料Ｌからなる複数の層とを含む。基板は好ましくは
ゼロドゥア（ＺＥＲＯＤＵＲ）の商標で商業的に入手可
能であるガラスセラミック材料で形成される。このゼロ
ドゥアガラスセラミック材料はリングレーザジャイロス
コープのフレームおよびミラー基板をつくるのに用いら
れる。ゼロドゥアガラスセラミック材料の特性は、リン
グレーザジャイロスコープの技術分野ではよく知られて
いる。これは熱膨張率が非常に低く、したがってリング
レーザジャイロスコープの動作温度範囲内での温度変化
について受ける寸法の変化が非常に小さい。
【００２２】基板４０は光学的平面４２を有し、この上
に屈折率の高い材料からなる薄い層４４が形成される。
屈折率の高い層の厚さは好ましくはλ／（４ｎ1 ｃｏｓ
θ１）であり、このときλは真空下でのレーザ光の波長
であり、ｎ1 は屈折率であり、θ１は層４４の表面に対
する法線と、レーザ光線が層４４に突き当たるときの方
向との間で測定される入射角度である。この出願では、
波長は６３２８Åである。屈折率の高い材料は好ましく
はタンタラＴａ2 Ｏ5 であり、その屈折率ｎ1＝２．０
５である。
に屈折率の高い材料からなる薄い層４４が形成される。
屈折率の高い層の厚さは好ましくはλ／（４ｎ1 ｃｏｓ
θ１）であり、このときλは真空下でのレーザ光の波長
であり、ｎ1 は屈折率であり、θ１は層４４の表面に対
する法線と、レーザ光線が層４４に突き当たるときの方
向との間で測定される入射角度である。この出願では、
波長は６３２８Åである。屈折率の高い材料は好ましく
はタンタラＴａ2 Ｏ5 であり、その屈折率ｎ1＝２．０
５である。
【００２３】屈折率の高い層４４の上には屈折率の低い
層４６が形成される。屈折率の低い材料４６の厚さは、
やはりレーザ光の４分の１波長である。屈折率の低い材
料は好ましくは屈折率ｎ2 ＝１．６５のアルミナＡｌ2
Ｏ3 で形成される。各層の厚さＴはλ／（４ｎ2 ｃｏｓ
θ２）に等しく、このときλは真空下でのレーザ光の波
長であり、ｎ2 は屈折率であり、θ２は層４６の表面に
対する法線とレーザ光線が層４６に突き当たる際の方向
との間で測定される入射角度である。
層４６が形成される。屈折率の低い材料４６の厚さは、
やはりレーザ光の４分の１波長である。屈折率の低い材
料は好ましくは屈折率ｎ2 ＝１．６５のアルミナＡｌ2
Ｏ3 で形成される。各層の厚さＴはλ／（４ｎ2 ｃｏｓ
θ２）に等しく、このときλは真空下でのレーザ光の波
長であり、ｎ2 は屈折率であり、θ２は層４６の表面に
対する法線とレーザ光線が層４６に突き当たる際の方向
との間で測定される入射角度である。
【００２４】ミラー２０は好ましくは屈折率の高いＴａ
2 Ｏ5 の層を３３個有しており、これらは３３個の屈折
率の低いＡｌ2 Ｏ3 の層と交互になって多層のミラーコ
ーティングを形成するための通常の態様でスタックを形
成するよう配列される。屈折率の低いＡｌ2 Ｏ3 の３３
番目の層５０の上にはＡｌ2 Ｏ3 の外側層５２が形成さ
れる。屈折率の低い材料でできた外側層５２は、好まし
くは層５０と同じ厚みを有し、ミラー２０の外側表面に
おける電界を最小限にするようミラー２０の中に含まれ
る。
2 Ｏ5 の層を３３個有しており、これらは３３個の屈折
率の低いＡｌ2 Ｏ3 の層と交互になって多層のミラーコ
ーティングを形成するための通常の態様でスタックを形
成するよう配列される。屈折率の低いＡｌ2 Ｏ3 の３３
番目の層５０の上にはＡｌ2 Ｏ3 の外側層５２が形成さ
れる。屈折率の低い材料でできた外側層５２は、好まし
くは層５０と同じ厚みを有し、ミラー２０の外側表面に
おける電界を最小限にするようミラー２０の中に含まれ
る。
【００２５】上述のように形成されたミラー２０は、１
００％近い反射率を有する。入射してくる光の一部を結
合光学手段２３に透過させるミラー１８は、１９９０年
２月２７日にリュ（Ｌｕ）らに対し発行された米国特許
第４，９０４，０８３号で開示される態様で配列された
Ｔａ2 Ｏ5 およびＡｌ2 Ｏ3 が交互になった層で形成さ
れてよい。リューらは２つの多層の４分の１波長スタッ
クの間に挟まれた、多層の非４分の１波長スタックを開
示する。４分の１波長スタックの１つは基板上に形成さ
れる。
００％近い反射率を有する。入射してくる光の一部を結
合光学手段２３に透過させるミラー１８は、１９９０年
２月２７日にリュ（Ｌｕ）らに対し発行された米国特許
第４，９０４，０８３号で開示される態様で配列された
Ｔａ2 Ｏ5 およびＡｌ2 Ｏ3 が交互になった層で形成さ
れてよい。リューらは２つの多層の４分の１波長スタッ
クの間に挟まれた、多層の非４分の１波長スタックを開
示する。４分の１波長スタックの１つは基板上に形成さ
れる。
【００２６】タンタラおよびアルミナはリングレーザジ
ャイロスコープのミラーコーティングを形成するにあた
り他の材料に優る著しい利点を有している。タンタラお
よびアルミナは紫外放射に長く晒されても劣化によく耐
え、複数の４分の１波長コーティングにおいて形成され
ても結晶化しない。層の間の各インタフェースは、散乱
が起こるかもしれないところである。結晶化は散乱を引
き起こすので望ましくない。
ャイロスコープのミラーコーティングを形成するにあた
り他の材料に優る著しい利点を有している。タンタラお
よびアルミナは紫外放射に長く晒されても劣化によく耐
え、複数の４分の１波長コーティングにおいて形成され
ても結晶化しない。層の間の各インタフェースは、散乱
が起こるかもしれないところである。結晶化は散乱を引
き起こすので望ましくない。
【００２７】タンタラの屈折率とアルミナの屈折率とが
近いため、さらなる利点が得られる。１つの層における
表面の細かい凹凸は、スタックの中を辿って、スタック
に続いて加えられた層に達し、ここで最初に所与の表面
の凹凸が現われる。散乱した光は相関しているものおよ
び相関していないものとして特徴づけられる。相関する
散乱とは、最初の凹凸、および最初の凹凸によって引き
起こされた後続する凹凸からの、散乱した光の強化であ
る。相関する光はしたがって最小限にされなければなら
ない。相関する散乱の量は、比率ｎ1 ／ｎ2 に依存して
おり、したがって屈折率の高い材料と低い材料との屈折
率が互いに近ければ相関する散乱の量を低減する助けと
なる。
近いため、さらなる利点が得られる。１つの層における
表面の細かい凹凸は、スタックの中を辿って、スタック
に続いて加えられた層に達し、ここで最初に所与の表面
の凹凸が現われる。散乱した光は相関しているものおよ
び相関していないものとして特徴づけられる。相関する
散乱とは、最初の凹凸、および最初の凹凸によって引き
起こされた後続する凹凸からの、散乱した光の強化であ
る。相関する光はしたがって最小限にされなければなら
ない。相関する散乱の量は、比率ｎ1 ／ｎ2 に依存して
おり、したがって屈折率の高い材料と低い材料との屈折
率が互いに近ければ相関する散乱の量を低減する助けと
なる。
【００２８】多くの異なったコーティング材料が評価さ
れている。ＳｉＯ2 をドーピングされたＨｆＯ2 および
Ａｌ2 Ｏ3 をドーピングされたコーティングの吸着およ
び複屈折は、紫外放射に晒されても非常に安定している
ということが発見されている。したがって、ＨｆＯ2 は
Ａｌ2 Ｏ3 と結合してＡｌ2 Ｏ3 ／ＳｉＯ2 −ＨｆＯ 2
またはＡｌ2 Ｏ3 ／Ａｌ2 Ｏ3 −ＨｆＯ2 の耐紫外／プ
ラズマのミラーのスタックを形成するのに適切なコーテ
ィング材料である。ＳｉＯ2 −ＨｆＯ2 の屈折率および
Ａｌ2 Ｏ3 の屈折率はそれぞれ１．９５および１．６５
程度であり、反射率の高いミラーをつくり上げるには各
材料の層が約３５個必要である。ドーパントの量はＨｆ
Ｏ2 における結晶化を回避すべく選択される。典型的な
応用では、ＳｉＯ2 −ＨｆＯ2 層はおよそ２０％程度が
ＳｉＯ2 であり、８０％程度がＨｆＯ2 である。アルミ
ナをドーピングされたハフニアが屈折率の高い層として
用いられ、アルミナが屈折率の低い層として用いられた
場合、Ａｌ2 Ｏ3 −ＨｆＯ 2 層は約５％から７％がＡｌ
2 Ｏ3 であり、９５％から９３％がＨｆＯ2 である。
れている。ＳｉＯ2 をドーピングされたＨｆＯ2 および
Ａｌ2 Ｏ3 をドーピングされたコーティングの吸着およ
び複屈折は、紫外放射に晒されても非常に安定している
ということが発見されている。したがって、ＨｆＯ2 は
Ａｌ2 Ｏ3 と結合してＡｌ2 Ｏ3 ／ＳｉＯ2 −ＨｆＯ 2
またはＡｌ2 Ｏ3 ／Ａｌ2 Ｏ3 −ＨｆＯ2 の耐紫外／プ
ラズマのミラーのスタックを形成するのに適切なコーテ
ィング材料である。ＳｉＯ2 −ＨｆＯ2 の屈折率および
Ａｌ2 Ｏ3 の屈折率はそれぞれ１．９５および１．６５
程度であり、反射率の高いミラーをつくり上げるには各
材料の層が約３５個必要である。ドーパントの量はＨｆ
Ｏ2 における結晶化を回避すべく選択される。典型的な
応用では、ＳｉＯ2 −ＨｆＯ2 層はおよそ２０％程度が
ＳｉＯ2 であり、８０％程度がＨｆＯ2 である。アルミ
ナをドーピングされたハフニアが屈折率の高い層として
用いられ、アルミナが屈折率の低い層として用いられた
場合、Ａｌ2 Ｏ3 −ＨｆＯ 2 層は約５％から７％がＡｌ
2 Ｏ3 であり、９５％から９３％がＨｆＯ2 である。
【００２９】図４を参照して、紫外放射に晒されても耐
えることができるという望ましい特性を有する反射率の
高いミラー７０は、従来のＳｉＯ2 ／ＴｉＯ2 多層スタ
ック７２にＡｌ2 Ｏ3 ／ＳｉＯ2 −ＨｆＯ2 またはＡｌ
2 Ｏ3 ／Ａｌ2 Ｏ3 −ＨｆＯ 2 の交互になった層を上か
らコーティングすることによって形成されてもよい。こ
の技術により、耐紫外／プラズマのミラーを構成するの
に必要な層の数を低減することができる。酸化チタンＴ
ｉＯ2 は約２．３２の屈折率を有する。ＳｉＯ 2 は約
１．４６の屈折率を有する。たとえば、スタック７２の
上にＴａ2 Ｏ5 、ＳｉＯ2 −ＨｆＯ2 またはＡｌ2 Ｏ3
−ＨｆＯ2 からなる３つの層７６、７７、および７８を
Ａｌ2 Ｏ3 でできた３つの層７９、８０、および８１と
交互にして、高い反射率と紫外放射に晒された際の耐性
とを達成することができる。上方の層８４はＡｌ2 Ｏ3
でできた４分の１波長の厚みのコーティングである。
えることができるという望ましい特性を有する反射率の
高いミラー７０は、従来のＳｉＯ2 ／ＴｉＯ2 多層スタ
ック７２にＡｌ2 Ｏ3 ／ＳｉＯ2 −ＨｆＯ2 またはＡｌ
2 Ｏ3 ／Ａｌ2 Ｏ3 −ＨｆＯ 2 の交互になった層を上か
らコーティングすることによって形成されてもよい。こ
の技術により、耐紫外／プラズマのミラーを構成するの
に必要な層の数を低減することができる。酸化チタンＴ
ｉＯ2 は約２．３２の屈折率を有する。ＳｉＯ 2 は約
１．４６の屈折率を有する。たとえば、スタック７２の
上にＴａ2 Ｏ5 、ＳｉＯ2 −ＨｆＯ2 またはＡｌ2 Ｏ3
−ＨｆＯ2 からなる３つの層７６、７７、および７８を
Ａｌ2 Ｏ3 でできた３つの層７９、８０、および８１と
交互にして、高い反射率と紫外放射に晒された際の耐性
とを達成することができる。上方の層８４はＡｌ2 Ｏ3
でできた４分の１波長の厚みのコーティングである。
【００３０】ここで説明されるミラーはジーマン（Ｚｅ
ｅｍａｎ）リングレーザジャイロスコープ（ＺＬＧ）、
従来の２モードリングレーザジャイロスコープ、および
紫外／プラズマによるミラーへの損傷が問題となるかも
しれない他の応用で用いるのに適している。
ｅｍａｎ）リングレーザジャイロスコープ（ＺＬＧ）、
従来の２モードリングレーザジャイロスコープ、および
紫外／プラズマによるミラーへの損傷が問題となるかも
しれない他の応用で用いるのに適している。
【００３１】ここで開示される構造および方法は、本発
明の原理を説明するものである。本発明はその精神また
は本質的な特性から逸脱することなく他の特定的な形式
で実施されてもよい。説明された実施例はあらゆる面に
おいて、限定的なものではなく、例示的かつ説明的なも
のとして考えられるべきである。したがって、この発明
の範囲を規定するのは上の好ましい実施例の説明ではな
く、前掲の特許請求の範囲である。特許請求の範囲と等
価な意味および範囲内にある、ここで説明された実施例
に対する変形はすべて、この発明の範囲内に包含され
る。
明の原理を説明するものである。本発明はその精神また
は本質的な特性から逸脱することなく他の特定的な形式
で実施されてもよい。説明された実施例はあらゆる面に
おいて、限定的なものではなく、例示的かつ説明的なも
のとして考えられるべきである。したがって、この発明
の範囲を規定するのは上の好ましい実施例の説明ではな
く、前掲の特許請求の範囲である。特許請求の範囲と等
価な意味および範囲内にある、ここで説明された実施例
に対する変形はすべて、この発明の範囲内に包含され
る。
【図１】リングレーザジャイロスコープのフレームと装
着装置との間に接続された絶縁リングを示す、リングレ
ーザジャイロスコープの平面図である。
着装置との間に接続された絶縁リングを示す、リングレ
ーザジャイロスコープの平面図である。
【図２】図１のリングレーザジャイロスコープの正面図
である。
である。
【図３】上に複数個の層が形成されている基板を含む、
この発明に従うミラーを示す断面図である。
この発明に従うミラーを示す断面図である。
【図４】従来のミラー上に形成された耐紫外線コーティ
ングを示す断面図である。
ングを示す断面図である。
２０ ミラー ４０ 基板 ４４ 屈折率の高い層 ４６ 屈折率の低い層 Ｈ 屈折率の高い層 Ｌ 屈折率の低い層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ミン−ジャン・サン アメリカ合衆国、91364 カリフォルニ ア州、ウッドランド・ヒルズ、ダグエア ー・アベニュ、3950 (72)発明者 アラン・エフ・スチュワート アメリカ合衆国、91320 カリフォルニ ア州、サウザンド・オークス、スプルー ス・ヒル・コート、892 (72)発明者 アンソニー・ダブリュ・ローダーバック アメリカ合衆国、97405 オレゴン州、 ユージーン、ローレイン・ハイウェイ、 86141 (56)参考文献 特開 平４−32558（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−156838（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−46404（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−12605（ＪＰ，Ａ) 特公 昭60−38681（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (8)
- 【請求項１】 リングレーザジャイロスコープにおける
選択された周波数の光を反射するためのミラー（２０）
であって、 基板（４０）と、 二酸化チタン（ＴｉＯ２）からなり屈折率ｎ１を有する
第１の誘電体材料でできた第１の組の層（４４，Ｈ）と
を含み、前記第１の組の層は第１の誘電体材料における
選択された周波数に対応する波長の４分の１に等しい厚
さになるまで基板（４０）の上にコーティングされ、さ
らに シリカ（ＳｉＯ２）からなりかつ屈折率ｎ２を有する第
２の誘電体材料でできた第２の組の層（４６，Ｌ）を含
み、前記第２の組の層は第２の誘電体材料における選択
された周波数に対応する波長の４分の１に等しい厚さに
なるまで第１組の層の上にコーティングされ、第１およ
び第２の材料の層は第１および第２の材料の層のスタッ
ク（Ｈ，Ｌ）を作るべく交互に塗布され、 第２誘電体材料の最も外側の層の上にコーティングされ
る、ＨｆＯ２を含む第３の誘電体（７６，７７，７８）
と、Ａｌ２Ｏ３からなる第４の誘電体（７９，８０，８
１）との交互層と、 第４の誘電体材料の層（８１）の上にコーティングされ
るＡｌ２Ｏ３でできた外側層（８４）とをさらに含み、
前記外側層（８４）は、紫外線放射に晒される損傷から
第１の組の層、第２の組の層および交互層を保護する、
ミラー。 - 【請求項２】 前記外側層（８４）は選択された周波数
を有する光の４分の１波長の厚さを有する、請求項１に
記載のミラー。 - 【請求項３】 前記第３の誘電体材料はほぼ２０％がＳ
ｉＯ２で、８０％がＨｆＯ２である、請求項１に記載の
ミラー。 - 【請求項４】 前記第３の誘電体材料はほぼ５％ないし
７％がＡｌ２Ｏ３であり９５ないし９３％がＨｆＯ２で
ある、請求項１に記載のミラー。 - 【請求項５】 リングレーザジャイロスコープにおける
選択された周波数の光を反射するためのミラー（２０）
を形成するための方法であって、 二酸化チタン（ＴｉＯ２）からなり屈折率ｎ１を有する
第１の誘電体材料でできた第１の組の層（４４，Ｈ）を
形成するステップを含み、前記第１の組の層は第１の誘
電体材料における選択された周波数に対応する波長の４
分の１に等しい厚さになるまで基板（４０）の上にコー
ティングされ、さらに シリカ（ＳｉＯ２）からなりかつ屈折率ｎ２を有する第
２の誘電体材料でできた第２の組の層（４６，Ｌ）を形
成するステップを含み、前記第２の組の層は第２の誘電
体材料における選択された周波数に対応する波長の４分
の１に等しい厚さになるまで第１組の層の上にコーティ
ングされ、第１および第２の材料の層は第１および第２
の材料の層のスタック（Ｈ，Ｌ）を作るべく交互に塗布
され、 第２誘電体材料の最も外側の層の上にコーティングされ
る、ＨｆＯ２を含む第３の誘電体（７６，７７，７８）
と、Ａｌ２Ｏ３からなる第４の誘電体（７９，８０，８
１）との交互層を形成するステップと、 第４の誘電体材料の層（８１）の上にコーティングされ
るＡｌ２Ｏ３でできた外側層（８４）を形成するステッ
プとをさらに含み、前記外側層（８４）は、紫外線放射
に晒される損傷から第１の組の層、第２の組の層および
交互層を保護する、方法。 - 【請求項６】 前記外側層（８４）が選択された周波数
を有する光の４分の１波長の厚さを有するようにするス
テップを含む、請求項５記載の方法。 - 【請求項７】 第３の誘電体材料の約２０％をＳｉＯ２
にし、８０％をＨｆＯ２にするステップを含む、請求項
５に記載の方法。 - 【請求項８】 第３の誘電体材料の約５ないし７％をＡ
ｌ２Ｏ３にし、９５ないし９３％をＨｆＯ２にするステ
ップを含む、請求項５に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/067,385 US5513039A (en) | 1993-05-26 | 1993-05-26 | Ultraviolet resistive coated mirror and method of fabrication |
| US67385 | 1998-04-27 | ||
| US067385 | 1998-04-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0772330A JPH0772330A (ja) | 1995-03-17 |
| JP2627864B2 true JP2627864B2 (ja) | 1997-07-09 |
Family
ID=22075657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6110702A Expired - Fee Related JP2627864B2 (ja) | 1993-05-26 | 1994-05-25 | 選択された周波数の光を反射するためのミラーおよびそれを形成するための方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5513039A (ja) |
| EP (1) | EP0626597B1 (ja) |
| JP (1) | JP2627864B2 (ja) |
| DE (1) | DE69414458T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101707187B1 (ko) | 2016-07-29 | 2017-02-15 | 한화디펜스 주식회사 | 링 레이저 자이로스코프용 미러 |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5911858A (en) * | 1997-02-18 | 1999-06-15 | Sandia Corporation | Method for high-precision multi-layered thin film deposition for deep and extreme ultraviolet mirrors |
| US6262830B1 (en) | 1997-09-16 | 2001-07-17 | Michael Scalora | Transparent metallo-dielectric photonic band gap structure |
| US5907427A (en) | 1997-10-24 | 1999-05-25 | Time Domain Corporation | Photonic band gap device and method using a periodicity defect region to increase photonic signal delay |
| US6744552B2 (en) * | 1998-04-02 | 2004-06-01 | Michael Scalora | Photonic signal frequency up and down-conversion using a photonic band gap structure |
| US6304366B1 (en) | 1998-04-02 | 2001-10-16 | Michael Scalora | Photonic signal frequency conversion using a photonic band gap structure |
| DE19815065A1 (de) * | 1998-04-03 | 1999-10-14 | Trumpf Lasertechnik Gmbh | HF-angeregter Gaslaser sowie Laserrohr für einen derartigen Gaslaser |
| US5914817A (en) * | 1998-05-15 | 1999-06-22 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Thin film dichroic color separation filters for color splitters in liquid crystal display systems |
| US6356020B1 (en) * | 1998-07-06 | 2002-03-12 | U.S. Philips Corporation | Electric lamp with optical interference coating |
| US6396617B1 (en) | 1999-05-17 | 2002-05-28 | Michael Scalora | Photonic band gap device and method using a periodicity defect region doped with a gain medium to increase photonic signal delay |
| TW561279B (en) | 1999-07-02 | 2003-11-11 | Asml Netherlands Bv | Reflector for reflecting radiation in a desired wavelength range, lithographic projection apparatus containing the same and method for their preparation |
| GB2352050A (en) * | 1999-07-13 | 2001-01-17 | Coherent Optics | Interference filters |
| US6538794B1 (en) | 1999-09-30 | 2003-03-25 | D'aguanno Giuseppe | Efficient non-linear phase shifting using a photonic band gap structure |
| US6414780B1 (en) | 1999-12-23 | 2002-07-02 | D'aguanno Giuseppe | Photonic signal reflectivity and transmissivity control using a photonic band gap structure |
| US6339493B1 (en) | 1999-12-23 | 2002-01-15 | Michael Scalora | Apparatus and method for controlling optics propagation based on a transparent metal stack |
| JP3679746B2 (ja) * | 2001-01-25 | 2005-08-03 | キヤノン株式会社 | 光学素子、それを用いた液晶プロジェクター及びカメラ |
| JP2003015175A (ja) | 2001-04-27 | 2003-01-15 | Mitsubishi Electric Corp | 固体光源装置 |
| US20030064161A1 (en) * | 2001-06-06 | 2003-04-03 | Malinowski Michael E. | Method for reducing carbon contamination of multilayer mirrors |
| WO2006017311A1 (en) | 2004-07-12 | 2006-02-16 | Cardinal Cg Company | Low-maintenance coatings |
| EP2013150B1 (en) | 2006-04-11 | 2018-02-28 | Cardinal CG Company | Photocatalytic coatings having improved low-maintenance properties |
| US20080011599A1 (en) | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Brabender Dennis M | Sputtering apparatus including novel target mounting and/or control |
| WO2009036284A1 (en) * | 2007-09-14 | 2009-03-19 | Cardinal Cg Company | Low-maintenance coatings, and methods for producing low-maintenance coatings |
| JP4976346B2 (ja) * | 2008-07-16 | 2012-07-18 | 日本航空電子工業株式会社 | 可視光ミラー、可視光発振ガスレーザ、及びＨｅ−Ｎｅリングレーザジャイロ |
| US20100102698A1 (en) * | 2008-10-23 | 2010-04-29 | Zhibo Zhao | High refractive index materials for energy efficient lamps |
| FR2987139B1 (fr) * | 2012-02-21 | 2014-09-05 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif optique de diffraction en reflexion a haute tenue au flux laser. |
| US10604442B2 (en) | 2016-11-17 | 2020-03-31 | Cardinal Cg Company | Static-dissipative coating technology |
| US20190324175A1 (en) * | 2018-04-18 | 2019-10-24 | Honeywell International Inc. | Methods for enhancing the durability and manufacturability of multilayer interference mirrors |
| US20200056889A1 (en) * | 2018-08-17 | 2020-02-20 | Honeywell International Inc. | Enhanced solid-state gain medium for ring laser gyroscopes |
| US10739137B2 (en) | 2018-08-17 | 2020-08-11 | Honeywell International Inc. | Solid state ring laser gyroscope using rare-earth gain dopants in glassy hosts |
| US11385057B2 (en) * | 2019-09-20 | 2022-07-12 | Honeywell International Inc. | Extra thick ultraviolet durability coating |
| US11962118B2 (en) | 2020-10-27 | 2024-04-16 | Honeywell International Inc. | Ultraviolet filter for ring laser gyroscope mirrors |
Family Cites Families (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3528726A (en) * | 1969-07-10 | 1970-09-15 | Perkin Elmer Corp | Narrow band interference light filter |
| US3741657A (en) * | 1971-03-03 | 1973-06-26 | Raytheon Co | Laser gyroscope |
| CH564785A5 (ja) * | 1972-12-08 | 1975-07-31 | Balzers Patent Beteilig Ag | |
| US4063803A (en) * | 1976-06-03 | 1977-12-20 | Spectra-Physics, Inc. | Transmissive end seal for laser tubes |
| USRE32849E (en) * | 1978-04-13 | 1989-01-31 | Litton Systems, Inc. | Method for fabricating multi-layer optical films |
| JPS6038681B2 (ja) * | 1978-09-27 | 1985-09-02 | キヤノン株式会社 | 紫外用多層膜 |
| US4213705A (en) * | 1978-11-09 | 1980-07-22 | Litton Systems, Inc. | Four mode Zeeman laser gyroscope with minimum hole burning competition |
| JPS57181503A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-09 | Nippon Soken Inc | Heat ray reflecting film |
| US4663557A (en) * | 1981-07-20 | 1987-05-05 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Optical coatings for high temperature applications |
| JPS5890604A (ja) * | 1981-11-25 | 1983-05-30 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 赤外線遮蔽積層体 |
| CH651998GA3 (ja) * | 1983-07-08 | 1985-10-31 | ||
| DD219882A1 (de) * | 1983-08-08 | 1985-03-13 | Univ Schiller Jena | Optisches vielschichtsystem |
| US4685110A (en) * | 1984-09-24 | 1987-08-04 | Spectra-Physics, Inc. | Optical component of a laser |
| US4583822A (en) * | 1984-10-31 | 1986-04-22 | Rockwell International Corporation | Quintic refractive index profile antireflection coatings |
| US4666250A (en) * | 1985-04-16 | 1987-05-19 | Rockwell International Corporation | Interference filter design using flip-flop optimization |
| US4809293A (en) * | 1985-09-03 | 1989-02-28 | Spectra-Physics, Inc. | Optical component of a laser |
| JPS6346404A (ja) * | 1986-08-14 | 1988-02-27 | Toshiba Corp | ビ−ムスプリツタ |
| US4854670A (en) * | 1986-12-17 | 1989-08-08 | Gte Products Corporation | Wide angle optical filters |
| US4793908A (en) * | 1986-12-29 | 1988-12-27 | Rockwell International Corporation | Multiple ion source method and apparatus for fabricating multilayer optical films |
| US4934788A (en) * | 1987-03-20 | 1990-06-19 | Rockwell International Corporation | Deposition of gradient index coatings using coevaporation with rate control |
| KR890702064A (ko) * | 1987-09-11 | 1989-12-22 | 원본미기재 | 링 레이저 자이로용의 부분 투광 반사경 |
| US4904083A (en) * | 1987-09-11 | 1990-02-27 | Litton Systems, Inc. | Partially transparent mirror for a ring laser |
| US4827870A (en) * | 1987-10-05 | 1989-05-09 | Honeywell Inc. | Apparatus for applying multilayer optical interference coating on complex curved substrates |
| US4907846A (en) * | 1987-11-20 | 1990-03-13 | Raytheon Company | Thick, impact resistant antireflection coatings for IR transparent optical elements |
| JPH01154001A (ja) * | 1987-12-10 | 1989-06-16 | Minolta Camera Co Ltd | 光学フイルタ |
| US4966437A (en) * | 1988-04-19 | 1990-10-30 | Litton Systems, Inc. | Fault-tolerant anti-reflective coatings |
| US4925259A (en) * | 1988-10-20 | 1990-05-15 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Multilayer optical dielectric coating |
| EP0372438A3 (en) * | 1988-12-05 | 1990-08-01 | Honeywell Inc. | Uv and plasma stable high-reflectance multilayer dielectric mirror |
| DE68928486T2 (de) * | 1989-01-23 | 1998-04-02 | Balzers Hochvakuum | Laser und eine damit gekoppelte optische Schicht aus Ta2O5 |
| DE3902144A1 (de) * | 1989-01-25 | 1990-08-02 | Heraeus Gmbh W C | Deuterium-lampe fuer spektralanalyse-vorrichtungen |
| JPH0312605A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-21 | Topcon Corp | 紫外・可視二波長反射多層膜ミラー |
| JPH03156838A (ja) * | 1989-07-05 | 1991-07-04 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 陰極線管フェースプレート |
| US5073451A (en) * | 1989-07-31 | 1991-12-17 | Central Glass Company, Limited | Heat insulating glass with dielectric multilayer coating |
| DE3941859C1 (ja) * | 1989-12-19 | 1991-01-24 | Deutsche Spezialglas Ag, 3223 Gruenenplan, De | |
| US5170291A (en) * | 1989-12-19 | 1992-12-08 | Leybold Aktiengesellschaft | Coating, composed of an optically effective layer system, for substrates, whereby the layer system has a high anti-reflective effect, and method for manufacturing the coating |
| DE4117256A1 (de) * | 1989-12-19 | 1992-12-03 | Leybold Ag | Belag, bestehend aus einem optisch wirkenden schichtsystem, fuer substrate, wobei das schichtsystem insbesondere eine hohe antireflexwirkung aufweist |
| JP2902729B2 (ja) * | 1990-05-29 | 1999-06-07 | 日本真空光学株式会社 | 誘電体多層膜の製造法 |
| JPH0792527B2 (ja) * | 1991-02-01 | 1995-10-09 | 岡本硝子株式会社 | 反射鏡 |
| JPH04340905A (ja) * | 1991-05-17 | 1992-11-27 | Tokyo Tokushu Glass Kk | 表面反射鏡 |
| US5318830A (en) * | 1991-05-29 | 1994-06-07 | Central Glass Company, Limited | Glass pane with reflectance reducing coating |
| GB2261079B (en) * | 1991-10-31 | 1995-06-14 | Asahi Optical Co Ltd | Surface reflecting mirror |
| US5400179A (en) * | 1992-02-18 | 1995-03-21 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Optical multilayer thin film and beam splitter |
| US5254202A (en) * | 1992-04-07 | 1993-10-19 | International Business Machines Corporation | Fabrication of laser ablation masks by wet etching |
-
1993
- 1993-05-26 US US08/067,385 patent/US5513039A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-05-23 DE DE69414458T patent/DE69414458T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-05-23 EP EP94303685A patent/EP0626597B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-05-25 JP JP6110702A patent/JP2627864B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101707187B1 (ko) | 2016-07-29 | 2017-02-15 | 한화디펜스 주식회사 | 링 레이저 자이로스코프용 미러 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69414458D1 (de) | 1998-12-17 |
| US5513039A (en) | 1996-04-30 |
| EP0626597B1 (en) | 1998-11-11 |
| JPH0772330A (ja) | 1995-03-17 |
| DE69414458T2 (de) | 1999-06-24 |
| EP0626597A1 (en) | 1994-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2627864B2 (ja) | 選択された周波数の光を反射するためのミラーおよびそれを形成するための方法 | |
| US4856019A (en) | Reflector for excimer laser and excimer laser apparatus using the reflector | |
| US6310905B1 (en) | Mirror for an ultraviolet laser and method | |
| EP0626596B1 (en) | Ultraviolet resistive antireflective coating | |
| EP0615319B1 (en) | Quasi-monolithic saturable optical element | |
| JPH02192189A (ja) | 耐紫外線性高反射率多層誘電体ミラー | |
| JPH0117275B2 (ja) | ||
| EP0267672A2 (en) | Mirrors of polarization sensitive reflectivity | |
| US4904083A (en) | Partially transparent mirror for a ring laser | |
| US5608577A (en) | Optical mirror and optical device using the same | |
| US6501598B2 (en) | Prism and optical device using the same | |
| US5581395A (en) | Non-linear optical crystal element | |
| JPH10253802A (ja) | 反射防止膜 | |
| EP0370071B1 (en) | Partly transparent mirror for a ring laser gyro | |
| JP2002258035A (ja) | 多層膜カットフィルター及びその製造方法 | |
| JPH04145677A (ja) | 可視レーザ用高反射鏡 | |
| JPH11101903A (ja) | エキシマレーザ用高反射鏡 | |
| JPH0682862A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JP6999719B2 (ja) | 偏光素子及び液晶プロジェクター | |
| JP2001013304A (ja) | 光学部品 | |
| JPH0461181A (ja) | エタロン | |
| Hodgkinson et al. | Anisotropic antireflection coatings: use as a laser intracavity polarization-direction selector | |
| JPH0779049A (ja) | 誘電体反射膜及びその製造方法 | |
| JP3174794B2 (ja) | 光学薄膜及びレーザ装置 | |
| JPS64831B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970107 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |