JP6999719B2 - 偏光素子及び液晶プロジェクター - Google Patents
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Description
ることを特徴とする。
1.偏光素子の構成
2.偏光素子の製造方法
3.液晶プロジェクターの構成例
4.実施例
図1は、本発明の一実施の形態に係る偏光素子を示す概略断面図である。図1に示すように、偏光素子は、透明基板10上に使用帯域の光の波長よりも小さいピッチで配列された凹凸構造を有する。すなわち、偏光素子は、凸部が、透明基板10上に一定間隔に並んだ一次元格子状のワイヤーグリッド構造を有する。
次に、図3を参照して本実施の形態における偏光素子の製造方法について説明する。先ず、透明基板10上に高屈折率材料21と低屈折率材料22とを交互に所定の層数、所定のグリッド高さとなるように積層する。各層は、スパッタ法、気相成長法、蒸着法などの一般的な真空成膜法あるいはゾルゲル法(例えばスピンコート法によりゾルをコートし熱硬化によりゲル化させる方法)により成膜することができる。
次に、本発明の一実施の形態に係る液晶プロジェクターについて説明する。液晶プロジェクター100は、光源となるランプと、液晶パネルと、前述した偏光素子とを備える。
以下、本発明の実施例について説明する。ここでは、誘電体を積層した偏光素子と、誘電体及び半導体を積層した偏光素子とを作製し、P偏光の透過率(以下Tpと記す。)、S偏光の反射率(以下Rsと記す。)、及び偏光スループット(以下Tp×Rsと記す。)について評価した。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
先ず、ガラス基板上にTiO2とSiO2とを交互に所定の層数、所定のグリッド高さとなるように積層した。この積層体上に反射防止膜(BRAC)を成膜し、レジストにより所定のグリッドピッチ及びグリッド幅となるように格子状のマスクパターンを形成した。
先ず、ガラス基板上にSiとSiO2とを交互に所定の層数、所定のグリッド高さとなるように積層した。この積層体上に反射防止膜(BRAC)を成膜し、レジストにより所定のグリッドピッチ及びグリッド幅となるように格子状のマスクパターンを形成した。
先ず、ガラス基板上にTiO2とSiO2とを交互に所定の層数、所定のグリッド高さとなるように積層した。この積層体上に反射防止膜(BRAC)を成膜し、レジストにより所定のグリッドピッチ及びグリッド幅となるように格子状のマスクパターンを形成した。また、格子状のマスクパターンに対して交差する使用帯域の波長よりも大きい周期のマスクパターンを形成した。具体的には、干渉露光を用い、150nm周期で露光を行いて格子状のマスクパターンを形成し、所定の方向に基板を回転して1000nm周期で露光を行い、支持グリッド用のマスクパターンを形成した。
Claims (3)
- 透明基板上に使用帯域の光の波長よりも小さいピッチで配列された凹凸構造を有し、
前記凹凸構造の凸部は、Siからなる高屈折率材料と該高屈折率材料よりも屈折率が小さいSiO 2 からなる低屈折率材料とが交互に積層されて構成された金属材料を含まない多層構造からなり、
前記多層構造は、5層構造から7層構造であり、
前記ピッチは、200nm 以下であり、
前記凸部の幅は、前記ピッチの30~70%であり、
前記凹凸構造の凹部のみに、前記凸部間を支持し、前記低屈折率材料よりも屈折率が低い材料からなる支持部が形成された偏光素子。 - 前記凹凸構造の凸部の高さが250nmである請求項1に記載の偏光素子。
- 請求項1又は請求項2に記載の偏光素子と、光源と、液晶パネルとを備える液晶プロジェクター。
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JP2007033559A (ja) | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Nippon Zeon Co Ltd | グリッド偏光子 |
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