JP2002055212A - プリズムとそれを用いた光学装置 - Google Patents
プリズムとそれを用いた光学装置Info
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
- G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
- G02B1/115—Multilayers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/04—Prisms
Abstract
(57)【要約】
【課題】 波長が２００ｎｍ以下のレーザ光源を狭帯域
化することができ、レーザエネルギの効率を低下させる
ことのない、透過率の高い反射防止膜を備えたプリズム
と、それを用いた光学装置とを提供することである。 【解決手段】 プリズム１は、互いに交差する第１と
第２の平面を有し、弗化カルシウムからなるプリズム基
材１０と、プリズム基材１０の第１の平面の上に形成さ
れた斜入射用反射防止膜２０と、プリズム基材１０の第
２の平面の上に形成された０°入射用反射防止膜３０と
を備える。斜入射用反射防止膜２０と０°入射用反射防
止膜３０の各々は、相対的に高い屈折率を有する高屈折
率層と、相対的に低い屈折率を有する低屈折率層とを含
む。高屈折率層は弗化トリウムを含み、低屈折率層は弗
化アルミニウムを含む。
化することができ、レーザエネルギの効率を低下させる
ことのない、透過率の高い反射防止膜を備えたプリズム
と、それを用いた光学装置とを提供することである。 【解決手段】 プリズム１は、互いに交差する第１と
第２の平面を有し、弗化カルシウムからなるプリズム基
材１０と、プリズム基材１０の第１の平面の上に形成さ
れた斜入射用反射防止膜２０と、プリズム基材１０の第
２の平面の上に形成された０°入射用反射防止膜３０と
を備える。斜入射用反射防止膜２０と０°入射用反射防
止膜３０の各々は、相対的に高い屈折率を有する高屈折
率層と、相対的に低い屈折率を有する低屈折率層とを含
む。高屈折率層は弗化トリウムを含み、低屈折率層は弗
化アルミニウムを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、一般的にはプリ
ズムとそれを用いた光学装置に関し、特定的には紫外レ
ーザ光源において波長を狭帯域化させるための光学素子
として用いられるプリズムとそれを用いた共振器等の光
学装置に関するものである。
ズムとそれを用いた光学装置に関し、特定的には紫外レ
ーザ光源において波長を狭帯域化させるための光学素子
として用いられるプリズムとそれを用いた共振器等の光
学装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化と高性能化
が光を用いたフォトリソグラフィの解像度の向上によっ
てもたらされてきた。光縮小投影露光装置（ステッパ
ー）によるサブミクロンリソグラフィの開発の１つの方
向としては、用いられる光の短波長化があげられる。
が光を用いたフォトリソグラフィの解像度の向上によっ
てもたらされてきた。光縮小投影露光装置（ステッパ
ー）によるサブミクロンリソグラフィの開発の１つの方
向としては、用いられる光の短波長化があげられる。
【０００３】短波長の光としてエキシマレーザを用いた
リソグラフィ技術が採用されている。たとえば、波長が
２４８ｎｍのＫｒＦレーザ光源を用いたステッパーの実
用化が進み、リソグラフィの解像度の向上にともなって
半導体集積回路装置としてメモリの容量やＣＰＵのクロ
ック周波数が飛躍的に増大している。さらに最近では、
波長が１９３ｎｍのＡｒＦレーザ光源を用いたステッパ
ーの開発が進められている。このステッパーを用いるこ
とによって、線幅が０．１３〜０．１１μｍのパターン
の微細加工が可能になる。したがって、容量が１Ｇビッ
トのダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）
を製造するためにＡｒＦレーザ光源を用いたステッパー
の実用化が期待されている。
リソグラフィ技術が採用されている。たとえば、波長が
２４８ｎｍのＫｒＦレーザ光源を用いたステッパーの実
用化が進み、リソグラフィの解像度の向上にともなって
半導体集積回路装置としてメモリの容量やＣＰＵのクロ
ック周波数が飛躍的に増大している。さらに最近では、
波長が１９３ｎｍのＡｒＦレーザ光源を用いたステッパ
ーの開発が進められている。このステッパーを用いるこ
とによって、線幅が０．１３〜０．１１μｍのパターン
の微細加工が可能になる。したがって、容量が１Ｇビッ
トのダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）
を製造するためにＡｒＦレーザ光源を用いたステッパー
の実用化が期待されている。
【０００４】ステッパーの露光光源には、線幅の極めて
小さい単色レーザ光、具体的にはレーザ発振出力が〜２
０Ｗ、レーザ発振周波数が４ｋＨｚ、レーザの発振スペ
クトルの半値全幅が〜０．５ｐｍのレーザ光が必要であ
る。このようなレーザ光を得るために、露光光源の共振
器内に波長を狭帯域化するための光学素子として回折格
子（グレーティング）とともに拡大プリズムが内挿され
ている。これによって、レーザビームの分散した波長が
選択されるとともにレーザビームが拡大され、出力レー
ザ光の単色化が図られている。
小さい単色レーザ光、具体的にはレーザ発振出力が〜２
０Ｗ、レーザ発振周波数が４ｋＨｚ、レーザの発振スペ
クトルの半値全幅が〜０．５ｐｍのレーザ光が必要であ
る。このようなレーザ光を得るために、露光光源の共振
器内に波長を狭帯域化するための光学素子として回折格
子（グレーティング）とともに拡大プリズムが内挿され
ている。これによって、レーザビームの分散した波長が
選択されるとともにレーザビームが拡大され、出力レー
ザ光の単色化が図られている。
【０００５】そこで、レーザエネルギの効率を低下させ
ることなく、ＡｒＦレーザ光源のような波長が２００ｎ
ｍ以下のレーザ光源を狭帯域化することが可能な、透過
率の高いプリズムが求められている。
ることなく、ＡｒＦレーザ光源のような波長が２００ｎ
ｍ以下のレーザ光源を狭帯域化することが可能な、透過
率の高いプリズムが求められている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】光学素子への深紫外領
域の入射光に対して反射防止効果を有する反射防止膜の
構成が、特開平１０−２５３８０２号公報、特開平１０
−２６８１０６号公報、特開平１１−６４６０４号公報
で提案されている。しかしながら、これらの公報は反射
率を低減した反射防止膜の構成を開示しているだけであ
り、透過率の高い反射防止膜の構成については提案して
いない。また、上記の公報は、ステッパー等の光学系に
おいてレンズ等の光学素子に用いられる反射防止膜の構
成について提案しているが、プリズムという特定した光
学素子に最適な反射防止膜の構成を開示していない。
域の入射光に対して反射防止効果を有する反射防止膜の
構成が、特開平１０−２５３８０２号公報、特開平１０
−２６８１０６号公報、特開平１１−６４６０４号公報
で提案されている。しかしながら、これらの公報は反射
率を低減した反射防止膜の構成を開示しているだけであ
り、透過率の高い反射防止膜の構成については提案して
いない。また、上記の公報は、ステッパー等の光学系に
おいてレンズ等の光学素子に用いられる反射防止膜の構
成について提案しているが、プリズムという特定した光
学素子に最適な反射防止膜の構成を開示していない。
【０００７】そこで、この発明の目的は、波長が２００
ｎｍ以下のレーザ光源を狭帯域化することができ、レー
ザエネルギの効率を低下させることのない、透過率の高
い反射防止膜を備えたプリズムと、それを用いた光学装
置とを提供することである。
ｎｍ以下のレーザ光源を狭帯域化することができ、レー
ザエネルギの効率を低下させることのない、透過率の高
い反射防止膜を備えたプリズムと、それを用いた光学装
置とを提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】まず、本願発明者は、透
過率Ｔ（％）がＴ（％）＝１００−α（％)−Ｒ（％）
（α：吸収率、Ｒ：反射率）で表わされることに着目し
た。この式によれば、透過率Ｔを高めるためには、反射
率Ｒだけでなく、吸収率αも低減する必要がある。そこ
で、本願発明者は、反射率だけでなく、吸収率も小さく
なる反射防止膜の構成を検討した。この検討において、
反射防止膜を構成する膜材料の光学定数として波長λが
２００ｎｍ以下の領域における屈折率ｎ（λ）だけでな
く、消衰係数ｋ（λ）を正確に把握した。
過率Ｔ（％）がＴ（％）＝１００−α（％)−Ｒ（％）
（α：吸収率、Ｒ：反射率）で表わされることに着目し
た。この式によれば、透過率Ｔを高めるためには、反射
率Ｒだけでなく、吸収率αも低減する必要がある。そこ
で、本願発明者は、反射率だけでなく、吸収率も小さく
なる反射防止膜の構成を検討した。この検討において、
反射防止膜を構成する膜材料の光学定数として波長λが
２００ｎｍ以下の領域における屈折率ｎ（λ）だけでな
く、消衰係数ｋ（λ）を正確に把握した。
【０００９】その結果、本願発明者は、相対的に高い屈
折率を有する弗化トリウム（ＴｈＦ 4）を含む層と、相
対的に低い屈折率を有する弗化アルミニウム（Ａｌ
Ｆ3）を含む層とを組み合わせて反射防止膜を構成し、
その反射防止膜を弗化カルシウム（ＣａＦ2）からなる
基材の上に形成することによって、透過率の高いプリズ
ムを得ることができるという知見を得た。
折率を有する弗化トリウム（ＴｈＦ 4）を含む層と、相
対的に低い屈折率を有する弗化アルミニウム（Ａｌ
Ｆ3）を含む層とを組み合わせて反射防止膜を構成し、
その反射防止膜を弗化カルシウム（ＣａＦ2）からなる
基材の上に形成することによって、透過率の高いプリズ
ムを得ることができるという知見を得た。
【００１０】また、本願発明者は、弗化トリウム（Ｔｈ
Ｆ4）と弗化アルミニウム（ＡｌＦ3）が他の膜材料に比
べて弗化カルシウム（ＣａＦ2）との親和性に優れてい
るため、弗化カルシウム（ＣａＦ2）からなるプリズム
の基材に対して相対的に高い付着強度を有するという知
見も得た。
Ｆ4）と弗化アルミニウム（ＡｌＦ3）が他の膜材料に比
べて弗化カルシウム（ＣａＦ2）との親和性に優れてい
るため、弗化カルシウム（ＣａＦ2）からなるプリズム
の基材に対して相対的に高い付着強度を有するという知
見も得た。
【００１１】したがって、この発明にしたがったプリズ
ムは、互いに交差する第１と第２の平面を有し、弗化カ
ルシウムからなる基材と、基材の第１の平面の上に形成
された第１の反射防止膜と、基材の第２の平面の上に形
成された第２の反射防止膜とを備える。第１と第２の反
射防止膜の各々は、相対的に高い屈折率を有する高屈折
率層と、相対的に低い屈折率を有する低屈折率層とを含
む。高屈折率層は弗化トリウムを含み、低屈折率層は弗
化アルミニウムを含む。
ムは、互いに交差する第１と第２の平面を有し、弗化カ
ルシウムからなる基材と、基材の第１の平面の上に形成
された第１の反射防止膜と、基材の第２の平面の上に形
成された第２の反射防止膜とを備える。第１と第２の反
射防止膜の各々は、相対的に高い屈折率を有する高屈折
率層と、相対的に低い屈折率を有する低屈折率層とを含
む。高屈折率層は弗化トリウムを含み、低屈折率層は弗
化アルミニウムを含む。
【００１２】上記のプリズムにおいては、基材の第１の
平面からレーザ光を入射し、第２の平面からレーザ光を
出射した場合、第１と第２の反射防止膜の透過率が高い
ので、それぞれ第１と第２の反射防止膜をレーザ光が通
過する際にレーザエネルギの効率が大きく低下すること
がない。したがって、高い透過率を有するプリズムを得
ることができる。
平面からレーザ光を入射し、第２の平面からレーザ光を
出射した場合、第１と第２の反射防止膜の透過率が高い
ので、それぞれ第１と第２の反射防止膜をレーザ光が通
過する際にレーザエネルギの効率が大きく低下すること
がない。したがって、高い透過率を有するプリズムを得
ることができる。
【００１３】上記のプリズムにおいて、第１と第２の反
射防止膜の各々の最表面は、弗化アルミニウムを含むの
が好ましい。この場合、弗化アルミニウムが弗化トリウ
ムに比べて耐湿性に優れているので、最表面に配置され
る弗化アルミニウムを含む層は、プリズムが置かれる環
境中の湿気に対して保護層の役割を果たすことができ
る。したがって、耐環境性に優れたプリズムを得ること
ができる。
射防止膜の各々の最表面は、弗化アルミニウムを含むの
が好ましい。この場合、弗化アルミニウムが弗化トリウ
ムに比べて耐湿性に優れているので、最表面に配置され
る弗化アルミニウムを含む層は、プリズムが置かれる環
境中の湿気に対して保護層の役割を果たすことができ
る。したがって、耐環境性に優れたプリズムを得ること
ができる。
【００１４】また、上記のプリズムにおいて、第１と第
２の反射防止膜の各々は、交互に積層された高屈折率層
と低屈折率層を含むのが好ましい。
２の反射防止膜の各々は、交互に積層された高屈折率層
と低屈折率層を含むのが好ましい。
【００１５】本発明のプリズムにおいて、２００ｎｍ以
下の波長範囲の任意の設計基準波長λに対して、高屈折
率層は０．２９λ／４以上１．２５λ／４以下の光学膜
厚を有し、低屈折率層は０．２９λ／４以上２．２５λ
／４以下の光学膜厚を有するのが好ましい。
下の波長範囲の任意の設計基準波長λに対して、高屈折
率層は０．２９λ／４以上１．２５λ／４以下の光学膜
厚を有し、低屈折率層は０．２９λ／４以上２．２５λ
／４以下の光学膜厚を有するのが好ましい。
【００１６】本発明のプリズムにおいて、第１の反射防
止膜は奇数の層から構成され、基材の第１の平面の直上
には低屈折率層が配置され、第１の反射防止膜の最表面
には低屈折率層が配置されてもよく、あるいは、第１の
反射防止膜は偶数の層から構成され、基材の第１の平面
の直上には高屈折率層が配置され、第１の反射防止膜の
最表面には低屈折率層が配置されてもよい。
止膜は奇数の層から構成され、基材の第１の平面の直上
には低屈折率層が配置され、第１の反射防止膜の最表面
には低屈折率層が配置されてもよく、あるいは、第１の
反射防止膜は偶数の層から構成され、基材の第１の平面
の直上には高屈折率層が配置され、第１の反射防止膜の
最表面には低屈折率層が配置されてもよい。
【００１７】第１の反射防止膜が偶数の層から構成され
る場合、最大の透過率を得るためには以下のいずれかで
構成されるのが好ましい。
る場合、最大の透過率を得るためには以下のいずれかで
構成されるのが好ましい。
【００１８】（１）第１の反射防止膜は、基材の側から
順に形成された第１と第２の層を含む。２００ｎｍ以下
の波長範囲の任意の設計基準波長λに対して、第１の層
が０．８８λ／４以上０．９５λ／４以下の光学膜厚を
有し、第２の層が０．２９λ／４以上０．３２λ／４以
下の光学膜厚を有する。
順に形成された第１と第２の層を含む。２００ｎｍ以下
の波長範囲の任意の設計基準波長λに対して、第１の層
が０．８８λ／４以上０．９５λ／４以下の光学膜厚を
有し、第２の層が０．２９λ／４以上０．３２λ／４以
下の光学膜厚を有する。
【００１９】（２）第１の反射防止膜は、基材の側から
順に形成された第１と第２と第３と第４の層を含む。２
００ｎｍ以下の波長範囲の任意の設計基準波長λに対し
て、第１の層が１．１５λ／４以上１．２２λ／４以下
の光学膜厚を有し、第２の層が１．３７λ／４以上１．
４０λ／４以下の光学膜厚を有し、第３の層が０．８８
λ／４以上０．９６λ／４以下の光学膜厚を有し、第４
の層が０．２９λ／４以上０．３２λ／４以下の光学膜
厚を有する。
順に形成された第１と第２と第３と第４の層を含む。２
００ｎｍ以下の波長範囲の任意の設計基準波長λに対し
て、第１の層が１．１５λ／４以上１．２２λ／４以下
の光学膜厚を有し、第２の層が１．３７λ／４以上１．
４０λ／４以下の光学膜厚を有し、第３の層が０．８８
λ／４以上０．９６λ／４以下の光学膜厚を有し、第４
の層が０．２９λ／４以上０．３２λ／４以下の光学膜
厚を有する。
【００２０】（３）第１の反射防止膜は、基材の側から
順に形成された第１と第２と第３と第４と第５と第６の
層を含む。２００ｎｍ以下の波長範囲の任意の設計基準
波長λに対して、第１の層が１．０２λ／４以上１．２
２λ／４以下の光学膜厚を有し、第２の層が１．３９λ
／４以上１．４７λ／４以下の光学膜厚を有し、第３の
層が１．０８λ／４以上１．２２λ／４以下の光学膜厚
を有し、第４の層が１．３９λ／４以上１．４８λ／４
以下の光学膜厚を有し、第５の層が０．８４λ／４以上
０．９５λ／４以下の光学膜厚を有し、第６の層が０．
２９λ／４以上０．３２λ／４以下の光学膜厚を有す
る。
順に形成された第１と第２と第３と第４と第５と第６の
層を含む。２００ｎｍ以下の波長範囲の任意の設計基準
波長λに対して、第１の層が１．０２λ／４以上１．２
２λ／４以下の光学膜厚を有し、第２の層が１．３９λ
／４以上１．４７λ／４以下の光学膜厚を有し、第３の
層が１．０８λ／４以上１．２２λ／４以下の光学膜厚
を有し、第４の層が１．３９λ／４以上１．４８λ／４
以下の光学膜厚を有し、第５の層が０．８４λ／４以上
０．９５λ／４以下の光学膜厚を有し、第６の層が０．
２９λ／４以上０．３２λ／４以下の光学膜厚を有す
る。
【００２１】（４）第１の反射防止膜は、基材の側から
順に形成された第１と第２と第３と第４と第５と第６第
７と第８の層を含む。２００ｎｍ以下の波長範囲の任意
の設計基準波長λに対して、第１の層が０．３４λ／４
以上１．２１λ／４以下の光学膜厚を有し、第２の層が
１．４０λ／４以上１．７０λ／４以下の光学膜厚を有
し、第３の層が０．８０λ／４以上１．２２λ／４以下
の光学膜厚を有し、第４の層が１．４０λ／４以上１．
８０λ／４以下の光学膜厚を有し、第５の層が０．７９
λ／４以上１．２２λ／４以下の光学膜厚を有し、第６
の層が１．４０λ／４以上１．８１λ／４以下の光学膜
厚を有すし、第７の層が０．７０λ／４以上０．９５λ
／４以下の光学膜厚を有し、第８の層が０．２９λ／４
以上０．３２λ／４以下の光学膜厚を有する。
順に形成された第１と第２と第３と第４と第５と第６第
７と第８の層を含む。２００ｎｍ以下の波長範囲の任意
の設計基準波長λに対して、第１の層が０．３４λ／４
以上１．２１λ／４以下の光学膜厚を有し、第２の層が
１．４０λ／４以上１．７０λ／４以下の光学膜厚を有
し、第３の層が０．８０λ／４以上１．２２λ／４以下
の光学膜厚を有し、第４の層が１．４０λ／４以上１．
８０λ／４以下の光学膜厚を有し、第５の層が０．７９
λ／４以上１．２２λ／４以下の光学膜厚を有し、第６
の層が１．４０λ／４以上１．８１λ／４以下の光学膜
厚を有すし、第７の層が０．７０λ／４以上０．９５λ
／４以下の光学膜厚を有し、第８の層が０．２９λ／４
以上０．３２λ／４以下の光学膜厚を有する。
【００２２】（５）第１の反射防止膜は、前記基材の側
から順に形成された第１と第２と第３と第４と第５と第
６と第７と第８と第９と第１０の層を含む。２００ｎｍ
以下の波長範囲の任意の設計基準波長λに対して、第１
の層が０．３４λ／４以上１．２０λ／４以下の光学膜
厚を有し、第２の層が１．４１λ／４以上１．９４λ／
４以下の光学膜厚を有し、第３の層が０．４５λ／４以
上１．２１λ／４以下の光学膜厚を有し、第４の層が
１．４１λ／４以上２．２０λ／４以下の光学膜厚を有
し、第５の層が０．４９λ／４以上１．２１λ／４以下
の光学膜厚を有し、第６の層が１．４２λ／４以上２．
０９λ／４以下の光学膜厚を有し、第７の層が０．５８
λ／４以上１．２０λ／４以下の光学膜厚を有し、第８
の層が１．４２λ／４以上１．９９λ／４以下の光学膜
厚を有し、第９の層が０．６３λ／４以上０．９４λ／
４以下の光学膜厚を有し、第１０の層が０．２９λ／４
以上０．３２λ／４以下の光学膜厚を有する。
から順に形成された第１と第２と第３と第４と第５と第
６と第７と第８と第９と第１０の層を含む。２００ｎｍ
以下の波長範囲の任意の設計基準波長λに対して、第１
の層が０．３４λ／４以上１．２０λ／４以下の光学膜
厚を有し、第２の層が１．４１λ／４以上１．９４λ／
４以下の光学膜厚を有し、第３の層が０．４５λ／４以
上１．２１λ／４以下の光学膜厚を有し、第４の層が
１．４１λ／４以上２．２０λ／４以下の光学膜厚を有
し、第５の層が０．４９λ／４以上１．２１λ／４以下
の光学膜厚を有し、第６の層が１．４２λ／４以上２．
０９λ／４以下の光学膜厚を有し、第７の層が０．５８
λ／４以上１．２０λ／４以下の光学膜厚を有し、第８
の層が１．４２λ／４以上１．９９λ／４以下の光学膜
厚を有し、第９の層が０．６３λ／４以上０．９４λ／
４以下の光学膜厚を有し、第１０の層が０．２９λ／４
以上０．３２λ／４以下の光学膜厚を有する。
【００２３】また、本発明のプリズムにおいて、第２の
反射防止膜は奇数の層から構成され、基材の第２の平面
の直上には低屈折率層が配置され、第２の反射防止膜の
最表面には低屈折率層が配置されてもよく、あるいは、
第２の反射防止膜は偶数の層から構成され、基材の第２
の平面の直上には高屈折率層が配置され、第２の反射防
止膜の最表面には低屈折率層が配置されてもよい。
反射防止膜は奇数の層から構成され、基材の第２の平面
の直上には低屈折率層が配置され、第２の反射防止膜の
最表面には低屈折率層が配置されてもよく、あるいは、
第２の反射防止膜は偶数の層から構成され、基材の第２
の平面の直上には高屈折率層が配置され、第２の反射防
止膜の最表面には低屈折率層が配置されてもよい。
【００２４】第２の反射防止膜は、最大の透過率を得る
ためには以下のいずれかで構成されるのが好ましい。
ためには以下のいずれかで構成されるのが好ましい。
【００２５】（ａ）第２の反射防止膜は、基材の側から
順に形成された第１と第２の層を含む。２００ｎｍ以下
の波長範囲の任意の設計基準波長λに対して、第１の層
が０．９５λ／４以上１．０１λ／４以下の光学膜厚を
有し、第２の層が０．９８λ／４以上１．０４λ／４以
下の光学膜厚を有する。
順に形成された第１と第２の層を含む。２００ｎｍ以下
の波長範囲の任意の設計基準波長λに対して、第１の層
が０．９５λ／４以上１．０１λ／４以下の光学膜厚を
有し、第２の層が０．９８λ／４以上１．０４λ／４以
下の光学膜厚を有する。
【００２６】（ｂ）第２の反射防止膜は、基材の側から
順に形成された第１と第２と第３の層を含む。２００ｎ
ｍ以下の波長範囲の任意の設計基準波長λに対して、第
１の層が１．３８λ／４以上１．４６λ／４以下の光学
膜厚を有し、第２の層が０．８０λ／４以上０．８４λ
／４以下の光学膜厚を有し、第３の層が０．９６λ／４
以上１．０２λ／４以下の光学膜厚を有する。
順に形成された第１と第２と第３の層を含む。２００ｎ
ｍ以下の波長範囲の任意の設計基準波長λに対して、第
１の層が１．３８λ／４以上１．４６λ／４以下の光学
膜厚を有し、第２の層が０．８０λ／４以上０．８４λ
／４以下の光学膜厚を有し、第３の層が０．９６λ／４
以上１．０２λ／４以下の光学膜厚を有する。
【００２７】（ｃ）第２の反射防止膜は、基材の側から
順に形成された第１と第２と第３と第４の層を含む。２
００ｎｍ以下の波長範囲の任意の設計基準波長λに対し
て、第１の層が０．６６λ／４以上０．７０λ／４以下
の光学膜厚を有し、第２の層が０．７９λ／４以上０．
８３λ／４以下の光学膜厚を有し、第３の層が０．６６
λ／４以上０．７０λ／４以下の光学膜厚を有し、第４
の層が１．３０λ／４以上１．３５λ／４以下の光学膜
厚を有する。
順に形成された第１と第２と第３と第４の層を含む。２
００ｎｍ以下の波長範囲の任意の設計基準波長λに対し
て、第１の層が０．６６λ／４以上０．７０λ／４以下
の光学膜厚を有し、第２の層が０．７９λ／４以上０．
８３λ／４以下の光学膜厚を有し、第３の層が０．６６
λ／４以上０．７０λ／４以下の光学膜厚を有し、第４
の層が１．３０λ／４以上１．３５λ／４以下の光学膜
厚を有する。
【００２８】（ｄ）第２の反射防止膜は、基材の側から
順に形成された第１と第２と第３と第４と第５の層を含
む。２００ｎｍ以下の波長範囲の任意の設計基準波長λ
に対して、第１の層が２．０７λ／４以上２．１９λ／
４以下の光学膜厚を有し、第２の層が０．３３λ／４以
上０．３５λ／４以下の光学膜厚を有し、第３の層が
１．５５λ／４以上１．６５λ／４以下の光学膜厚を有
し、第４の層が０．７６λ／４以上０．８０λ／４以下
の光学膜厚を有し、第５の層が０．９８λ／４以上１．
０４λ／４以下の光学膜厚を有する。
順に形成された第１と第２と第３と第４と第５の層を含
む。２００ｎｍ以下の波長範囲の任意の設計基準波長λ
に対して、第１の層が２．０７λ／４以上２．１９λ／
４以下の光学膜厚を有し、第２の層が０．３３λ／４以
上０．３５λ／４以下の光学膜厚を有し、第３の層が
１．５５λ／４以上１．６５λ／４以下の光学膜厚を有
し、第４の層が０．７６λ／４以上０．８０λ／４以下
の光学膜厚を有し、第５の層が０．９８λ／４以上１．
０４λ／４以下の光学膜厚を有する。
【００２９】なお、上記に示した各層の光学膜厚の範囲
は、最大の透過率を達成できる最適な設計膜厚を基準に
して、実際の成膜時における膜厚制御範囲を考慮して定
められるものである。
は、最大の透過率を達成できる最適な設計膜厚を基準に
して、実際の成膜時における膜厚制御範囲を考慮して定
められるものである。
【００３０】本発明のプリズムの好ましい実施の形態に
よれば、第１の反射防止膜は、２層、４層、６層、８層
および１０層からなる群より選ばれたいずれかの数の層
から構成され、基材の第１の平面の直上には高屈折率層
が配置され、第１の反射防止膜の最表面には低屈折率層
が配置され、第２の反射防止膜は、２層、３層、４層お
よび５層からなる群より選ばれたいずれかの数の層から
構成され、第２の反射防止膜の最表面には低屈折率層が
配置される。
よれば、第１の反射防止膜は、２層、４層、６層、８層
および１０層からなる群より選ばれたいずれかの数の層
から構成され、基材の第１の平面の直上には高屈折率層
が配置され、第１の反射防止膜の最表面には低屈折率層
が配置され、第２の反射防止膜は、２層、３層、４層お
よび５層からなる群より選ばれたいずれかの数の層から
構成され、第２の反射防止膜の最表面には低屈折率層が
配置される。
【００３１】本発明の効果を最大限に発揮するために
は、本発明のプリズムの構成を直角プリズムに適用する
のが好ましい。
は、本発明のプリズムの構成を直角プリズムに適用する
のが好ましい。
【００３２】また、本発明の効果を最大限に発揮するた
めには、入射角が６５°〜８０°の範囲の光が基材の第
１の平面に入射され、入射角が０°の光が基材の第２の
平面に入射されるように本発明のプリズムを用いるのが
好ましい。
めには、入射角が６５°〜８０°の範囲の光が基材の第
１の平面に入射され、入射角が０°の光が基材の第２の
平面に入射されるように本発明のプリズムを用いるのが
好ましい。
【００３３】この発明のもう１つの局面にしたがった光
学装置は、波長が２００ｎｍ以下のエキシマレーザビー
ムを狭帯域化するための光学素子として、上述のように
構成されるプリズムを用いた光学装置である。その光学
装置はレーザ共振器であるのが好ましい。通常、狭帯域
化するためのプリズム、グレーティング方式においてプ
リズムは３個以上使用される。したがって、プリズム１
個あたりの透過率を１〜２％増加できれば、狭帯域化ユ
ニットの効率（透過率）が３〜６％増加し、レーザ出力
に大きく影響することになる。これにより、レーザの入
力値を下げることができ、光学部品、電極、レーザガス
等の共振器内の構成要素の寿命を延ばすことができると
ともに、レーザビームの狭帯域化を効果的に行なうこと
ができる。
学装置は、波長が２００ｎｍ以下のエキシマレーザビー
ムを狭帯域化するための光学素子として、上述のように
構成されるプリズムを用いた光学装置である。その光学
装置はレーザ共振器であるのが好ましい。通常、狭帯域
化するためのプリズム、グレーティング方式においてプ
リズムは３個以上使用される。したがって、プリズム１
個あたりの透過率を１〜２％増加できれば、狭帯域化ユ
ニットの効率（透過率）が３〜６％増加し、レーザ出力
に大きく影響することになる。これにより、レーザの入
力値を下げることができ、光学部品、電極、レーザガス
等の共振器内の構成要素の寿命を延ばすことができると
ともに、レーザビームの狭帯域化を効果的に行なうこと
ができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】図１は、この発明にしたがったプ
リズムの１つの実施の形態を示す模式的な断面図であ
る。図１に示すように、プリズム１は直角プリズムであ
る。プリズム基材１０は弗化カルシウム（ＣａＦ2）か
らなり、直角プリズムを形成している。プリズム基材１
０の頂角を挟んで互いに交差する２つの平面のそれぞれ
の上に、第１の反射防止膜として斜入射用反射防止膜２
０と、第２の反射防止膜として０°入射用反射防止膜３
０が形成されている。斜入射用反射防止膜２０と０°入
射用反射防止膜３０のそれぞれは、弗化トリウム（Ｔｈ
Ｆ4）を含む高屈折率層と弗化アルミニウム（ＡｌＦ3）
を含む低屈折率層とを積層することによって構成されて
いる。これにより、高い透過率を有する反射防止膜が形
成されている。
リズムの１つの実施の形態を示す模式的な断面図であ
る。図１に示すように、プリズム１は直角プリズムであ
る。プリズム基材１０は弗化カルシウム（ＣａＦ2）か
らなり、直角プリズムを形成している。プリズム基材１
０の頂角を挟んで互いに交差する２つの平面のそれぞれ
の上に、第１の反射防止膜として斜入射用反射防止膜２
０と、第２の反射防止膜として０°入射用反射防止膜３
０が形成されている。斜入射用反射防止膜２０と０°入
射用反射防止膜３０のそれぞれは、弗化トリウム（Ｔｈ
Ｆ4）を含む高屈折率層と弗化アルミニウム（ＡｌＦ3）
を含む低屈折率層とを積層することによって構成されて
いる。これにより、高い透過率を有する反射防止膜が形
成されている。
【００３５】波長が１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ
のような２００ｎｍ以下の波長を有するレーザビーム４
０が、入射角α（６５°〜８０°）で、プリズム基材１
０の第１の平面の上に形成された斜入射用反射防止膜２
０の表面に入射される。入射されたレーザビーム４０は
プリズム基材１０を通過した後、プリズム基材１０の第
２の平面の上に形成された０°入射用反射防止膜３０の
表面に入射されてプリズム１から出る。出射ビーム幅は
入射ビーム幅より広くなる。狭帯域化のために、この拡
大プリズムとリトロー配置型の反射回折格子とを組み合
わせて使用する。ビームの拡大率が分解能にほぼ比例す
るので、通常、拡大プリズムを３個以上使用し、レーザ
ビームを広げ、リトロー配置の反射回折格子に入射し、
狭帯域化を行なう。
のような２００ｎｍ以下の波長を有するレーザビーム４
０が、入射角α（６５°〜８０°）で、プリズム基材１
０の第１の平面の上に形成された斜入射用反射防止膜２
０の表面に入射される。入射されたレーザビーム４０は
プリズム基材１０を通過した後、プリズム基材１０の第
２の平面の上に形成された０°入射用反射防止膜３０の
表面に入射されてプリズム１から出る。出射ビーム幅は
入射ビーム幅より広くなる。狭帯域化のために、この拡
大プリズムとリトロー配置型の反射回折格子とを組み合
わせて使用する。ビームの拡大率が分解能にほぼ比例す
るので、通常、拡大プリズムを３個以上使用し、レーザ
ビームを広げ、リトロー配置の反射回折格子に入射し、
狭帯域化を行なう。
【００３６】図２は、図１における斜入射用反射防止膜
２０が偶数の層から構成される場合の概略的な構成を示
す断面図である。図２に示すように、プリズム基材１０
の直上には弗化トリウム層２１が形成され、最表面には
弗化アルミニウム層２２が形成されている。弗化トリウ
ム層２１と弗化アルミニウム層２２とが順に積層されて
いる。入射角αでレーザビーム５０が最表面の弗化アル
ミニウム層２２に入射され、反射する様子が図２に示さ
れている。
２０が偶数の層から構成される場合の概略的な構成を示
す断面図である。図２に示すように、プリズム基材１０
の直上には弗化トリウム層２１が形成され、最表面には
弗化アルミニウム層２２が形成されている。弗化トリウ
ム層２１と弗化アルミニウム層２２とが順に積層されて
いる。入射角αでレーザビーム５０が最表面の弗化アル
ミニウム層２２に入射され、反射する様子が図２に示さ
れている。
【００３７】図３は、図１における０°入射用反射防止
膜３０が偶数の層から構成される場合の概略的な構成を
示す断面図である。図３に示すように、プリズム基材１
０の直上には弗化トリウム層３１が形成され、最表面に
は弗化アルミニウム層３２が形成されている。弗化トリ
ウム層３１と弗化アルミニウム層３２とが順に積層され
ている。入射角０°でレーザビーム６０が最表面の弗化
アルミニウム層３２に入射され、反射する様子が図３に
示されている。
膜３０が偶数の層から構成される場合の概略的な構成を
示す断面図である。図３に示すように、プリズム基材１
０の直上には弗化トリウム層３１が形成され、最表面に
は弗化アルミニウム層３２が形成されている。弗化トリ
ウム層３１と弗化アルミニウム層３２とが順に積層され
ている。入射角０°でレーザビーム６０が最表面の弗化
アルミニウム層３２に入射され、反射する様子が図３に
示されている。
【００３８】なお、図２と図３では、プリズム基材１０
の側に弗化トリウム層２１または３１を配置した反射防
止膜の構成を示したが、プリズム基材１０の側に弗化ア
ルミニウム層２２または３２を配置してもよい。また、
図２と図３に示す反射防止膜では最表面に弗化アルミニ
ウム層２２または３２を配置することによって耐湿性を
高めているが、透過率の向上のみを考慮するのであれ
ば、最表面に弗化トリウム層２１または３１を配置して
もよい。
の側に弗化トリウム層２１または３１を配置した反射防
止膜の構成を示したが、プリズム基材１０の側に弗化ア
ルミニウム層２２または３２を配置してもよい。また、
図２と図３に示す反射防止膜では最表面に弗化アルミニ
ウム層２２または３２を配置することによって耐湿性を
高めているが、透過率の向上のみを考慮するのであれ
ば、最表面に弗化トリウム層２１または３１を配置して
もよい。
【００３９】
【実施例】図１〜図３に示す斜入射用反射防止膜２０と
０°入射用反射防止膜３０のそれぞれの膜構成を以下の
手順で設計した。
０°入射用反射防止膜３０のそれぞれの膜構成を以下の
手順で設計した。
【００４０】まず、深紫外領域で使用可能な反射防止膜
の材料の実際の成膜レベルでの光学定数（屈折率ｎ、消
衰係数ｋ）を以下のようにして求めた。
の材料の実際の成膜レベルでの光学定数（屈折率ｎ、消
衰係数ｋ）を以下のようにして求めた。
【００４１】本発明で用いられる膜材料だけでなく、従
来から用いられている膜材料も含めて、純度が９９．９
９％以上の弗化トリウム（ＴｈＦ4）、弗化ランタン
（ＬａＦ3）、弗化イットリウム（ＹＦ3）、弗化マグネ
シウム（ＭｇＦ2）、弗化アルミニウム（ＡｌＦ3）の各
膜材料を用いて、合成石英基板の上に基板温度２５０℃
で約０．５μｍの膜厚で単層膜を形成して試料を作製し
た。弗化トリウム（ＴｈＦ4）、弗化アルミニウム（Ａ
ｌＦ3）、弗化マグネシウム（ＭｇＦ2）の各膜材料につ
いては、紫外域用の弗化カルシウム（ＣａＦ2）単結晶
基板の上にも上記と同様の単層膜を形成して試料を作製
して、２つの試料を解析した。
来から用いられている膜材料も含めて、純度が９９．９
９％以上の弗化トリウム（ＴｈＦ4）、弗化ランタン
（ＬａＦ3）、弗化イットリウム（ＹＦ3）、弗化マグネ
シウム（ＭｇＦ2）、弗化アルミニウム（ＡｌＦ3）の各
膜材料を用いて、合成石英基板の上に基板温度２５０℃
で約０．５μｍの膜厚で単層膜を形成して試料を作製し
た。弗化トリウム（ＴｈＦ4）、弗化アルミニウム（Ａ
ｌＦ3）、弗化マグネシウム（ＭｇＦ2）の各膜材料につ
いては、紫外域用の弗化カルシウム（ＣａＦ2）単結晶
基板の上にも上記と同様の単層膜を形成して試料を作製
して、２つの試料を解析した。
【００４２】得られた試料を用いて、楕円偏光解析装置
（分光エリプソメータ）と光学スペクトル解析装置（ｎ
ｋアナライザ）の両者で評価することによって、各膜材
料の深紫外領域（波長１９３ｎｍ）での光学定数（ｎ、
ｋ）を求めた。その結果を表１に示す。
（分光エリプソメータ）と光学スペクトル解析装置（ｎ
ｋアナライザ）の両者で評価することによって、各膜材
料の深紫外領域（波長１９３ｎｍ）での光学定数（ｎ、
ｋ）を求めた。その結果を表１に示す。
【００４３】
【表１】
【００４４】表１から明らかなように、本発明において
高屈折率層の材料として弗化トリウムは、従来から有望
視されている弗化ランタンや弗化イットリウムよりも、
深紫外領域での消衰係数ｋが小さいことが理解される。
これは、弗化トリウムの方が弗化ランタンや弗化イット
リウムに比べて、透過性能に悪影響をもたらす深紫外領
域の光の吸収が小さいことを意味する。また、本発明に
おいて低屈折率層の材料として弗化アルミニウムは、弗
化マグネシウムよりも屈折率ｎが小さいことが理解され
る。これらのことから、屈折率の差の大きい材料の組み
合わせとして、光の吸収の小さい高屈折率材料として弗
化トリウムと、低屈折率材料として弗化アルミニウムと
を採用することにより、透過率が高い反射防止膜を構成
することができることが確認された。
高屈折率層の材料として弗化トリウムは、従来から有望
視されている弗化ランタンや弗化イットリウムよりも、
深紫外領域での消衰係数ｋが小さいことが理解される。
これは、弗化トリウムの方が弗化ランタンや弗化イット
リウムに比べて、透過性能に悪影響をもたらす深紫外領
域の光の吸収が小さいことを意味する。また、本発明に
おいて低屈折率層の材料として弗化アルミニウムは、弗
化マグネシウムよりも屈折率ｎが小さいことが理解され
る。これらのことから、屈折率の差の大きい材料の組み
合わせとして、光の吸収の小さい高屈折率材料として弗
化トリウムと、低屈折率材料として弗化アルミニウムと
を採用することにより、透過率が高い反射防止膜を構成
することができることが確認された。
【００４５】次に、得られた膜材料の光学定数に基づ
き、最大の透過率を得ることが可能な、弗化トリウム層
と弗化アルミニウム層とを組み合わせた多層反射防止膜
の構成を以下の手順で設計した。
き、最大の透過率を得ることが可能な、弗化トリウム層
と弗化アルミニウム層とを組み合わせた多層反射防止膜
の構成を以下の手順で設計した。
【００４６】ｉ）計算に使用するプリズム基材材料（弗
化カルシウム）と膜材料（弗化トリウムと弗化アルミニ
ウム）の光学定数（ｎ、ｋ）のデータを注目する波長域
（１８０〜５００ｎｍ）において上記の実験等によって
決定する。
化カルシウム）と膜材料（弗化トリウムと弗化アルミニ
ウム）の光学定数（ｎ、ｋ）のデータを注目する波長域
（１８０〜５００ｎｍ）において上記の実験等によって
決定する。
【００４７】ｉｉ）光学多層膜の自動最適化計算が可能
な市販のシミュレーションソフトウェアを用いて、吸収
のない弗化カルシウム基板の上に設計対象の弗化トリウ
ム層と弗化アルミニウム層とを組み合わせた多層反射防
止膜の系をモデルとする。ただし、耐湿性に優れた弗化
アルミニウム層を最上層にする。
な市販のシミュレーションソフトウェアを用いて、吸収
のない弗化カルシウム基板の上に設計対象の弗化トリウ
ム層と弗化アルミニウム層とを組み合わせた多層反射防
止膜の系をモデルとする。ただし、耐湿性に優れた弗化
アルミニウム層を最上層にする。
【００４８】ｉｉｉ）注目波長（１９３ｎｍ）とその近
傍波長域において最大透過率（１００％）を得ることが
できるように最適化計算による目標値（波長、偏光種、
入射角、目標透過率値）を設定する。なお、各層の膜厚
には、制約条件として実際に成膜が可能な最大膜厚と最
小膜厚を設定する。偏光種と入射角は、斜入射用反射防
止膜に対してはｐ偏光と６５°〜８０°の範囲のいずれ
か、０°入射用反射防止膜に対しては非偏光と０°とす
る。
傍波長域において最大透過率（１００％）を得ることが
できるように最適化計算による目標値（波長、偏光種、
入射角、目標透過率値）を設定する。なお、各層の膜厚
には、制約条件として実際に成膜が可能な最大膜厚と最
小膜厚を設定する。偏光種と入射角は、斜入射用反射防
止膜に対してはｐ偏光と６５°〜８０°の範囲のいずれ
か、０°入射用反射防止膜に対しては非偏光と０°とす
る。
【００４９】ｉｖ）多層反射防止膜の各層の膜厚に対し
て適当な初期膜厚を光学膜厚の値で入力し、目標透過率
値にできるだけ近い値が得られるように最適化計算を実
行する。
て適当な初期膜厚を光学膜厚の値で入力し、目標透過率
値にできるだけ近い値が得られるように最適化計算を実
行する。
【００５０】ｖ）上記の初期膜厚を適当に変更して、そ
の都度、透過率特性を評価して最終的に最適な反射防止
膜の構成の設計値（各層の膜厚）を確定する。
の都度、透過率特性を評価して最終的に最適な反射防止
膜の構成の設計値（各層の膜厚）を確定する。
【００５１】表２は、上述のようにして設計された０°
入射用反射防止膜の構成と、各構成によって得られる最
大透過率（波長１９３ｎｍ）を示す。
入射用反射防止膜の構成と、各構成によって得られる最
大透過率（波長１９３ｎｍ）を示す。
【００５２】
【表２】
【００５３】表２から理解されるように、０°入射用反
射防止膜を６層以上の膜で構成すると最大透過率の値が
飽和するので、５層以下の膜で構成するのが好ましい。
射防止膜を６層以上の膜で構成すると最大透過率の値が
飽和するので、５層以下の膜で構成するのが好ましい。
【００５４】表３、表４、表５は、それぞれ入射角が７
０°、７３°、７５°の場合に、上述のようにして設計
された斜入射用反射防止（ＡＲ）膜の構成と、各構成に
よって得られる最大透過率（波長１９３ｎｍ）を示す。
０°、７３°、７５°の場合に、上述のようにして設計
された斜入射用反射防止（ＡＲ）膜の構成と、各構成に
よって得られる最大透過率（波長１９３ｎｍ）を示す。
【００５５】
【表３】
【００５６】
【表４】
【００５７】
【表５】
【００５８】表２に示された０°入射用反射防止膜と、
表３〜表５に示された斜入射用反射防止膜を弗化カルシ
ウムからなるプリズム基材の２つの平面に、図１に示す
ように形成した場合に得られるプリズムの透過率を計算
した。その結果を表６に示す。
表３〜表５に示された斜入射用反射防止膜を弗化カルシ
ウムからなるプリズム基材の２つの平面に、図１に示す
ように形成した場合に得られるプリズムの透過率を計算
した。その結果を表６に示す。
【００５９】
【表６】
【００６０】たとえば、７３°入射の場合、共振器内に
使用される拡大プリズムは狭帯域化条件（波長１９３ｎ
ｍにおける発振線の半値幅条件）から３個必要である。
したがって、１個のプリズムの透過率がＴであれば、３
個組のプリズム群全体の総合透過率は、共振器内で１往
復で６個分のプリズムを光が透過することになるので、
（Ｔ）6となる。たとえば、本発明のプリズムとして７
３°入射用反射防止膜を８層膜、０°入射用反射防止膜
を３層膜から構成すると、表６の設計値から透過率が９
８．３８％（０．９８３８）である。このプリズムを共
振器内で３個用いると、プリズム群全体の総合透過率は
（０．９８３８）6＝０．９０７である。これに対し
て、弗化ランタン層と弗化マグネシウム層から構成され
る反射防止膜を形成した従来のプリズム１個の透過率は
高々９６％（０．９６０）である。このプリズムを共振
器内で３個用いると、プリズム群全体の総合透過率は
（０．９６０）6＝０．７８３である。プリズム群全体
の総合透過率は、エキシマレーザ光源の出力に寄与す
る。したがって、レーザ光を波長１９３ｎｍで狭帯域化
するために本発明のプリズムを共振器内で拡大プリズム
として使用することにより、従来のプリズムを使用した
場合に比べて、透過率が向上した分だけ、すなわち、約
１６％のレーザ出力の増強を図ることができる。その結
果、パワー損失を抑制し、レーザエネルギ効率を低下さ
せることなく、レーザビームの狭帯域化を効率よく行な
うことができる。
使用される拡大プリズムは狭帯域化条件（波長１９３ｎ
ｍにおける発振線の半値幅条件）から３個必要である。
したがって、１個のプリズムの透過率がＴであれば、３
個組のプリズム群全体の総合透過率は、共振器内で１往
復で６個分のプリズムを光が透過することになるので、
（Ｔ）6となる。たとえば、本発明のプリズムとして７
３°入射用反射防止膜を８層膜、０°入射用反射防止膜
を３層膜から構成すると、表６の設計値から透過率が９
８．３８％（０．９８３８）である。このプリズムを共
振器内で３個用いると、プリズム群全体の総合透過率は
（０．９８３８）6＝０．９０７である。これに対し
て、弗化ランタン層と弗化マグネシウム層から構成され
る反射防止膜を形成した従来のプリズム１個の透過率は
高々９６％（０．９６０）である。このプリズムを共振
器内で３個用いると、プリズム群全体の総合透過率は
（０．９６０）6＝０．７８３である。プリズム群全体
の総合透過率は、エキシマレーザ光源の出力に寄与す
る。したがって、レーザ光を波長１９３ｎｍで狭帯域化
するために本発明のプリズムを共振器内で拡大プリズム
として使用することにより、従来のプリズムを使用した
場合に比べて、透過率が向上した分だけ、すなわち、約
１６％のレーザ出力の増強を図ることができる。その結
果、パワー損失を抑制し、レーザエネルギ効率を低下さ
せることなく、レーザビームの狭帯域化を効率よく行な
うことができる。
【００６１】具体的に本発明のプリズムの透過性能を確
認するために、図１に示すような直角プリズムの基材の
２つの平面に反射防止膜を形成した。プリズムの仕様と
しては、頂角が３９．６°、プリズム斜面の入射角が７
３°のプリズム基材を用いた。プリズム基材は弗化カル
シウム製のものを用いた。図１に示すプリズム１におい
て、０°入射用反射防止膜３０の構成として表２に示す
２層膜を形成し、斜入射用反射防止膜２０の構成として
表４（７３°入射用反射防止（ＡＲ）膜の場合）に示す
６層膜と８層膜の２種類の多層膜を形成した２種類のプ
リズムを製作した。
認するために、図１に示すような直角プリズムの基材の
２つの平面に反射防止膜を形成した。プリズムの仕様と
しては、頂角が３９．６°、プリズム斜面の入射角が７
３°のプリズム基材を用いた。プリズム基材は弗化カル
シウム製のものを用いた。図１に示すプリズム１におい
て、０°入射用反射防止膜３０の構成として表２に示す
２層膜を形成し、斜入射用反射防止膜２０の構成として
表４（７３°入射用反射防止（ＡＲ）膜の場合）に示す
６層膜と８層膜の２種類の多層膜を形成した２種類のプ
リズムを製作した。
【００６２】反射防止膜を形成する装置として真空蒸着
装置を採用した。図５は、真空蒸着装置の概略的な構成
を示す模式図である。
装置を採用した。図５は、真空蒸着装置の概略的な構成
を示す模式図である。
【００６３】図５に示すように、真空蒸着装置１００の
チャンバの内部には、モリブデン（Ｍｏ）製のるつぼ１
０１が配置されている。るつぼ１０１に膜材料が装入さ
れる。るつぼ１０１の外周には抵抗加熱用ヒータ１０２
が設けられている。抵抗加熱用ヒータ１０２によって、
るつぼ１０１内の膜材料が加熱される。るつぼ１０１に
対向するように蒸着用ドーム１０４が配置されている。
プリズム基材１０５が専用ホルダに取り付けられ、その
専用ホルダが蒸着用ドーム１０４に配置されている。蒸
着用ドーム１０４は公転式に回転することができるよう
になっている。蒸着対象の基材を加熱するために基材加
熱用ヒータ１０６が設けられている。加熱されたるつぼ
１０１内の膜材料が破線１０７で示すように蒸発し、回
転している蒸着用ドーム１０４に配置されたプリズム基
材１０５の表面上に蒸着する。
チャンバの内部には、モリブデン（Ｍｏ）製のるつぼ１
０１が配置されている。るつぼ１０１に膜材料が装入さ
れる。るつぼ１０１の外周には抵抗加熱用ヒータ１０２
が設けられている。抵抗加熱用ヒータ１０２によって、
るつぼ１０１内の膜材料が加熱される。るつぼ１０１に
対向するように蒸着用ドーム１０４が配置されている。
プリズム基材１０５が専用ホルダに取り付けられ、その
専用ホルダが蒸着用ドーム１０４に配置されている。蒸
着用ドーム１０４は公転式に回転することができるよう
になっている。蒸着対象の基材を加熱するために基材加
熱用ヒータ１０６が設けられている。加熱されたるつぼ
１０１内の膜材料が破線１０７で示すように蒸発し、回
転している蒸着用ドーム１０４に配置されたプリズム基
材１０５の表面上に蒸着する。
【００６４】シャッタ１０３は交互蒸着のために用いら
れる。異なる膜材料が装入された２つのるつぼ１０１の
うち、一方のるつぼ１０１の上方をシャッタ１０３から
露出させ、他方のるつぼ１０１の上方をシャッタ１０３
で覆うことによって、一方のるつぼ１０１内の膜材料を
蒸発させて、蒸着用ドーム１０４に配置されたプリズム
基材１０５の表面上に蒸着させる。その後、逆に、他方
のるつぼ１０１の上方をシャッタ１０３から露出させ、
一方のるつぼ１０１の上方をシャッタ１０３で覆うこと
によって、他方のるつぼ１０１内の膜材料を蒸発させ
て、蒸着用ドーム１０４に配置されたプリズム基材１０
５の表面上に蒸着させる。このようにして、異なる種類
の膜材料の蒸着を交互に行なうことによって、２種類の
膜を積層する。
れる。異なる膜材料が装入された２つのるつぼ１０１の
うち、一方のるつぼ１０１の上方をシャッタ１０３から
露出させ、他方のるつぼ１０１の上方をシャッタ１０３
で覆うことによって、一方のるつぼ１０１内の膜材料を
蒸発させて、蒸着用ドーム１０４に配置されたプリズム
基材１０５の表面上に蒸着させる。その後、逆に、他方
のるつぼ１０１の上方をシャッタ１０３から露出させ、
一方のるつぼ１０１の上方をシャッタ１０３で覆うこと
によって、他方のるつぼ１０１内の膜材料を蒸発させ
て、蒸着用ドーム１０４に配置されたプリズム基材１０
５の表面上に蒸着させる。このようにして、異なる種類
の膜材料の蒸着を交互に行なうことによって、２種類の
膜を積層する。
【００６５】蒸着用ドーム１０４には光学膜厚モニター
用ガラス１０８が設けられている。光学膜厚モニター用
投光部１０９から、光が照射され、光学膜厚モニター用
ガラス１０８の表面上に形成された膜を透過し、光学膜
厚モニター用受光部１１０で受け取られる。このように
して、光学膜厚モニター用ガラス１０８の表面上に形成
された膜をモニターすることによって、蒸着ドーム１０
４に配置されたプリズム基材１０５の表面上に形成され
た膜厚制御を行なう。真空蒸着装置１００のチャンバの
内部は、真空排気系１１１を用いて排気され、所定の真
空度に保たれる。真空排気系１１１は、ターボ分子ポン
プ、油拡散ポンプまたはクライオポンプを用いて構成さ
れる。
用ガラス１０８が設けられている。光学膜厚モニター用
投光部１０９から、光が照射され、光学膜厚モニター用
ガラス１０８の表面上に形成された膜を透過し、光学膜
厚モニター用受光部１１０で受け取られる。このように
して、光学膜厚モニター用ガラス１０８の表面上に形成
された膜をモニターすることによって、蒸着ドーム１０
４に配置されたプリズム基材１０５の表面上に形成され
た膜厚制御を行なう。真空蒸着装置１００のチャンバの
内部は、真空排気系１１１を用いて排気され、所定の真
空度に保たれる。真空排気系１１１は、ターボ分子ポン
プ、油拡散ポンプまたはクライオポンプを用いて構成さ
れる。
【００６６】上記の真空蒸着装置では、モリブデン製の
るつぼを用いた抵抗加熱方式を採用しているが、銅製の
水冷るつぼを用いた電子ビーム加熱方式で膜材料を加熱
して蒸発させてもよい。
るつぼを用いた抵抗加熱方式を採用しているが、銅製の
水冷るつぼを用いた電子ビーム加熱方式で膜材料を加熱
して蒸発させてもよい。
【００６７】成膜時の基材温度を２５０〜３５０℃、チ
ャンバの内部の真空度を６×１０-6ｍｂａｒ以下とし、
蒸着速度は、膜厚制御の精度を確保するために弗化トリ
ウム層、弗化アルミニウム層とも２０ｎｍ／分以下、好
ましくは２〜３ｎｍ／分とした。
ャンバの内部の真空度を６×１０-6ｍｂａｒ以下とし、
蒸着速度は、膜厚制御の精度を確保するために弗化トリ
ウム層、弗化アルミニウム層とも２０ｎｍ／分以下、好
ましくは２〜３ｎｍ／分とした。
【００６８】作製された２種類のプリズムを用いて組プ
リズムを製作した。図４は、組プリズムの概略的な構成
を示す模式的な断面図である。
リズムを製作した。図４は、組プリズムの概略的な構成
を示す模式的な断面図である。
【００６９】図４に示すように、プリズム１ａにおいて
は、プリズム基材１０ａの２つの平面の上にそれぞれ斜
入射用反射防止膜２０ａと０°入射用反射防止膜３０ａ
が形成されている。プリズム１ｂにおいては、プリズム
基材１０ｂの２つの平面の上にそれぞれ斜入射用反射防
止膜２０ｂと０°入射用反射防止膜３０ｂが形成されて
いる。斜入射用反射防止膜２０ａと２０ｂとが接するよ
うにプリズム１ａと１ｂを組み合わせて組プリズムを構
成する。
は、プリズム基材１０ａの２つの平面の上にそれぞれ斜
入射用反射防止膜２０ａと０°入射用反射防止膜３０ａ
が形成されている。プリズム１ｂにおいては、プリズム
基材１０ｂの２つの平面の上にそれぞれ斜入射用反射防
止膜２０ｂと０°入射用反射防止膜３０ｂが形成されて
いる。斜入射用反射防止膜２０ａと２０ｂとが接するよ
うにプリズム１ａと１ｂを組み合わせて組プリズムを構
成する。
【００７０】組プリズムを用いて、図４で示す矢印７０
の方向に０°入射面から中間の斜面にてｐ偏光となるよ
うに直線偏光を入射させることによって透過率を測定し
た。この方法によれば、光のずれがなく、精度の高い測
定が可能になる。
の方向に０°入射面から中間の斜面にてｐ偏光となるよ
うに直線偏光を入射させることによって透過率を測定し
た。この方法によれば、光のずれがなく、精度の高い測
定が可能になる。
【００７１】光源としては分光光度計とＡｒＦレーザ光
源を用いた。分光光度計を用いた場合、紫外線用偏光子
を用いた複光束式測定系で波長１９３ｎｍにおけるブラ
ンク光強度（１００％透過率）に対する、上記のように
光を組プリズムに通過させた後の光強度の割合から透過
率を算出した。また、ＡｒＦレーザ光源を用いた場合、
ＡｒＦ光源を直線偏光化して、この状態での光強度に対
する、上記のように光を組プリズムに通過させた後の光
強度の割合から透過率を算出した。
源を用いた。分光光度計を用いた場合、紫外線用偏光子
を用いた複光束式測定系で波長１９３ｎｍにおけるブラ
ンク光強度（１００％透過率）に対する、上記のように
光を組プリズムに通過させた後の光強度の割合から透過
率を算出した。また、ＡｒＦレーザ光源を用いた場合、
ＡｒＦ光源を直線偏光化して、この状態での光強度に対
する、上記のように光を組プリズムに通過させた後の光
強度の割合から透過率を算出した。
【００７２】算出された組プリズムの透過率から１個の
プリズムの透過率を以下のようにして求めた。
プリズムの透過率を以下のようにして求めた。
【００７３】透過率を求めたいＡ、Ｂ、Ｃの３個のプリ
ズム（ＴＡ、ＴＢ、ＴＣをプリズム個々の透過率とす
る）がある場合、３個の組プリズムの透過率（Ｔ１、Ｔ
２、Ｔ３）は次のように表わされる。
ズム（ＴＡ、ＴＢ、ＴＣをプリズム個々の透過率とす
る）がある場合、３個の組プリズムの透過率（Ｔ１、Ｔ
２、Ｔ３）は次のように表わされる。
【００７４】Ｔ１＝ＴＡ＊ＴＢ Ｔ２＝ＴＢ＊ＴＣ Ｔ３＝ＴＣ＊ＴＡ 上記の式から、個々のプリズムの透過率は以下の式で求
めることができる。
めることができる。
【００７５】ＴＡ＝（Ｔ１＊Ｔ３／Ｔ２）1/2 ＴＢ＝（Ｔ１＊Ｔ２／Ｔ３）1/2 ＴＣ＝（Ｔ２＊Ｔ３／Ｔ１）1/2 したがって、組プリズムの透過率の測定から、各１個の
プリズムの透過率を算出するためには、最低３個のプリ
ズムが必要となる。
プリズムの透過率を算出するためには、最低３個のプリ
ズムが必要となる。
【００７６】以上の手順で求められた２種類のプリズム
の透過率は、０°入射用２層膜／７３°入射用６層膜の
構成で反射防止膜が形成されたプリズムでは９６．３
％、０°入射用２層膜／７３°入射用８層膜の構成で反
射防止膜が形成されたプリズムでは９７．５％であっ
た。これらの透過率の測定値は、表６で示される設計値
とほぼ一致していることが確認された。
の透過率は、０°入射用２層膜／７３°入射用６層膜の
構成で反射防止膜が形成されたプリズムでは９６．３
％、０°入射用２層膜／７３°入射用８層膜の構成で反
射防止膜が形成されたプリズムでは９７．５％であっ
た。これらの透過率の測定値は、表６で示される設計値
とほぼ一致していることが確認された。
【００７７】以上に開示された実施の形態や実施例はす
べての点で例示であって制限的なものではないと考慮さ
れるべきである。本発明の範囲は、以上の実施の形態や
実施例でなく、特許請求の範囲によって示され、特許請
求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての修正や
変更を含むものと意図される。
べての点で例示であって制限的なものではないと考慮さ
れるべきである。本発明の範囲は、以上の実施の形態や
実施例でなく、特許請求の範囲によって示され、特許請
求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての修正や
変更を含むものと意図される。
【００７８】
【発明の効果】この発明によれば、従来のプリズムより
も透過率の高いプリズムを提供することができる。ま
た、反射防止膜の最表面を弗化アルミニウムで構成する
ことによって、耐環境性に優れたプリズムを提供するこ
とができる。さらに、本発明のプリズムを用いた光学装
置において、光の出力損失を抑制することができる。た
とえば、エキシマレーザ光の波長を狭帯域化するために
本発明のプリズムを共振器で用いると、レーザエネルギ
効率を低下させることなく、狭帯域化を効率よく行なう
ことができる。
も透過率の高いプリズムを提供することができる。ま
た、反射防止膜の最表面を弗化アルミニウムで構成する
ことによって、耐環境性に優れたプリズムを提供するこ
とができる。さらに、本発明のプリズムを用いた光学装
置において、光の出力損失を抑制することができる。た
とえば、エキシマレーザ光の波長を狭帯域化するために
本発明のプリズムを共振器で用いると、レーザエネルギ
効率を低下させることなく、狭帯域化を効率よく行なう
ことができる。
【図１】 この発明にしたがったプリズムの１つの実施
の形態を示す模式的な断面図である。
の形態を示す模式的な断面図である。
【図２】 図１における斜入射用反射防止膜２０が偶数
の層から構成される場合の概略的な構成を示す断面図で
ある。
の層から構成される場合の概略的な構成を示す断面図で
ある。
【図３】 図１における０°入射用反射防止膜３０が偶
数の層から構成される場合の概略的な構成を示す断面図
である。
数の層から構成される場合の概略的な構成を示す断面図
である。
【図４】 透過率を測定するために用いられる組プリズ
ムの概略的な構成を示す模式的な断面図である。
ムの概略的な構成を示す模式的な断面図である。
【図５】 本発明の反射防止膜を形成するために用いら
れる真空蒸着装置の概略的な構成を示す模式図である。
れる真空蒸着装置の概略的な構成を示す模式図である。
１，１ａ，１ｂ：プリズム、１０，１０ａ，１０ｂ：プ
リズム基材、２０，２０ａ，２０ｂ：斜入射用反射防止
膜、３０，３０ａ，３０ｂ：０°入射用反射防止膜、２
１，３１：弗化トリウム層、２２，３２：弗化アルミニ
ウム層。
リズム基材、２０，２０ａ，２０ｂ：斜入射用反射防止
膜、３０，３０ａ，３０ｂ：０°入射用反射防止膜、２
１，３１：弗化トリウム層、２２，３２：弗化アルミニ
ウム層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H042 CA00 2K009 AA05 AA06 AA07 AA08 AA09 BB02 CC06 DD03 5F071 AA06 DD04 JJ10
Claims (22)
- 【請求項１】 互いに交差する第１と第２の平面を有
し、弗化カルシウムからなる基材と、 前記基材の第１の平面の上に形成された第１の反射防止
膜と、 前記基材の第２の平面の上に形成された第２の反射防止
膜とを備え、 前記第１と第２の反射防止膜の各々は、相対的に高い屈
折率を有する高屈折率層と、相対的に低い屈折率を有す
る低屈折率層とを含み、 前記高屈折率層は弗化トリウムを含み、前記低屈折率層
は弗化アルミニウムを含む、プリズム。 - 【請求項２】 前記第１と第２の反射防止膜の各々の最
表面は、弗化アルミニウムを含む、請求項１に記載のプ
リズム。 - 【請求項３】 前記第１と第２の反射防止膜の各々は、
交互に積層された前記高屈折率層と前記低屈折率層を含
む、請求項１または請求項２に記載のプリズム。 - 【請求項４】 ２００ｎｍ以下の波長範囲の任意の設計
基準波長λに対して、前記高屈折率層は０．２９λ／４
以上１．２５λ／４以下の光学膜厚を有し、前記低屈折
率層は０．２９λ／４以上２．２５λ／４以下の光学膜
厚を有する、請求項３に記載のプリズム。 - 【請求項５】 前記第１の反射防止膜は奇数の層から構
成され、前記基材の第１の平面の直上には前記低屈折率
層が配置され、前記第１の反射防止膜の最表面には前記
低屈折率層が配置される、請求項３に記載のプリズム。 - 【請求項６】 前記第１の反射防止膜は偶数の層から構
成され、前記基材の第１の平面の直上には前記高屈折率
層が配置され、前記第１の反射防止膜の最表面には前記
低屈折率層が配置される、請求項３に記載のプリズム。 - 【請求項７】 前記第２の反射防止膜は奇数の層から構
成され、前記基材の第２の平面の直上には前記低屈折率
層が配置され、前記第２の反射防止膜の最表面には前記
低屈折率層が配置される、請求項３に記載のプリズム。 - 【請求項８】 前記第２の反射防止膜は偶数の層から構
成され、前記基材の第２の平面の直上には前記高屈折率
層が配置され、前記第２の反射防止膜の最表面には前記
低屈折率層が配置される、請求項３に記載のプリズム。 - 【請求項９】 前記第１の反射防止膜は、前記基材の側
から順に形成された第１と第２の層を含み、２００ｎｍ
以下の波長範囲の任意の設計基準波長λに対して、前記
第１の層が０．８８λ／４以上０．９５λ／４以下の光
学膜厚を有し、前記第２の層が０．２９λ／４以上０．
３２λ／４以下の光学膜厚を有する、請求項６に記載の
プリズム。 - 【請求項１０】 前記第１の反射防止膜は、前記基材の
側から順に形成された第１と第２と第３と第４の層を含
み、２００ｎｍ以下の波長範囲の任意の設計基準波長λ
に対して、前記第１の層が１．１５λ／４以上１．２２
λ／４以下の光学膜厚を有し、前記第２の層が１．３７
λ／４以上１．４０λ／４以下の光学膜厚を有し、前記
第３の層が０．８８λ／４以上０．９６λ／４以下の光
学膜厚を有し、前記第４の層が０．２９λ／４以上０．
３２λ／４以下の光学膜厚を有する、請求項６に記載の
プリズム。 - 【請求項１１】 前記第１の反射防止膜は、前記基材の
側から順に形成された第１と第２と第３と第４と第５と
第６の層を含み、２００ｎｍ以下の波長範囲の任意の設
計基準波長λに対して、前記第１の層が１．０２λ／４
以上１．２２λ／４以下の光学膜厚を有し、前記第２の
層が１．３９λ／４以上１．４７λ／４以下の光学膜厚
を有し、前記第３の層が１．０８λ／４以上１．２２λ
／４以下の光学膜厚を有し、前記第４の層が１．３９λ
／４以上１．４８λ／４以下の光学膜厚を有し、前記第
５の層が０．８４λ／４以上０．９５λ／４以下の光学
膜厚を有し、前記第６の層が０．２９λ／４以上０．３
２λ／４以下の光学膜厚を有する、請求項６に記載のプ
リズム。 - 【請求項１２】 前記第１の反射防止膜は、前記基材の
側から順に形成された第１と第２と第３と第４と第５と
第６第７と第８の層を含み、２００ｎｍ以下の波長範囲
の任意の設計基準波長λに対して、前記第１の層が０．
３４λ／４以上１．２１λ／４以下の光学膜厚を有し、
前記第２の層が１．４０λ／４以上１．７０λ／４以下
の光学膜厚を有し、前記第３の層が０．８０λ／４以上
１．２２λ／４以下の光学膜厚を有し、前記第４の層が
１．４０λ／４以上１．８０λ／４以下の光学膜厚を有
し、前記第５の層が０．７９λ／４以上１．２２λ／４
以下の光学膜厚を有し、前記第６の層が１．４０λ／４
以上１．８１λ／４以下の光学膜厚を有すし、前記第７
の層が０．７０λ／４以上０．９５λ／４以下の光学膜
厚を有し、前記第８の層が０．２９λ／４以上０．３２
λ／４以下の光学膜厚を有する、請求項６に記載のプリ
ズム。 - 【請求項１３】 前記第１の反射防止膜は、前記基材の
側から順に形成された第１と第２と第３と第４と第５と
第６と第７と第８と第９と第１０の層を含み、２００ｎ
ｍ以下の波長範囲の任意の設計基準波長λに対して、前
記第１の層が０．３４λ／４以上１．２０λ／４以下の
光学膜厚を有し、前記第２の層が１．４１λ／４以上
１．９４λ／４以下の光学膜厚を有し、前記第３の層が
０．４５λ／４以上１．２１λ／４以下の光学膜厚を有
し、前記第４の層が１．４１λ／４以上２．２０λ／４
以下の光学膜厚を有し、前記第５の層が０．４９λ／４
以上１．２１λ／４以下の光学膜厚を有し、前記第６の
層が１．４２λ／４以上２．０９λ／４以下の光学膜厚
を有し、前記第７の層が０．５８λ／４以上１．２０λ
／４以下の光学膜厚を有し、前記第８の層が１．４２λ
／４以上１．９９λ／４以下の光学膜厚を有し、前記第
９の層が０．６３λ／４以上０．９４λ／４以下の光学
膜厚を有し、前記第１０の層が０．２９λ／４以上０．
３２λ／４以下の光学膜厚を有する、請求項６に記載の
プリズム。 - 【請求項１４】 前記第２の反射防止膜は、前記基材の
側から順に形成された第１と第２の層を含み、２００ｎ
ｍ以下の波長範囲の任意の設計基準波長λに対して、前
記第１の層が０．９５λ／４以上１．０１λ／４以下の
光学膜厚を有し、前記第２の層が０．９８λ／４以上
１．０４λ／４以下の光学膜厚を有する、請求項８に記
載のプリズム。 - 【請求項１５】 前記第２の反射防止膜は、前記基材の
側から順に形成された第１と第２と第３の層を含み、２
００ｎｍ以下の波長範囲の任意の設計基準波長λに対し
て、前記第１の層が１．３８λ／４以上１．４６λ／４
以下の光学膜厚を有し、前記第２の層が０．８０λ／４
以上０．８４λ／４以下の光学膜厚を有し、前記第３の
層が０．９６λ／４以上１．０２λ／４以下の光学膜厚
を有する、請求項７に記載のプリズム。 - 【請求項１６】 前記第２の反射防止膜は、前記基材の
側から順に形成された第１と第２と第３と第４の層を含
み、２００ｎｍ以下の波長範囲の任意の設計基準波長λ
に対して、前記第１の層が０．６６λ／４以上０．７０
λ／４以下の光学膜厚を有し、前記第２の層が０．７９
λ／４以上０．８３λ／４以下の光学膜厚を有し、前記
第３の層が０．６６λ／４以上０．７０λ／４以下の光
学膜厚を有し、前記第４の層が１．３０λ／４以上１．
３５λ／４以下の光学膜厚を有する、請求項８に記載の
プリズム。 - 【請求項１７】 前記第２の反射防止膜は、前記基材の
側から順に形成された第１と第２と第３と第４と第５の
層を含み、２００ｎｍ以下の波長範囲の任意の設計基準
波長λに対して、前記第１の層が２．０７λ／４以上
２．１９λ／４以下の光学膜厚を有し、前記第２の層が
０．３３λ／４以上０．３５λ／４以下の光学膜厚を有
し、前記第３の層が１．５５λ／４以上１．６５λ／４
以下の光学膜厚を有し、前記第４の層が０．７６λ／４
以上０．８０λ／４以下の光学膜厚を有し、前記第５の
層が０．９８λ／４以上１．０４λ／４以下の光学膜厚
を有する、請求項７に記載のプリズム。 - 【請求項１８】 前記第１の反射防止膜は、２層、４
層、６層、８層および１０層からなる群より選ばれたい
ずれかの数の層から構成され、前記基材の第１の平面の
直上には前記高屈折率層が配置され、前記第１の反射防
止膜の最表面には前記低屈折率層が配置され、前記第２
の反射防止膜は、２層、３層、４層および５層からなる
群より選ばれたいずれかの数の層から構成され、前記第
２の反射防止膜の最表面には前記低屈折率層が配置され
る、請求項３に記載のプリズム。 - 【請求項１９】 当該プリズムは直角プリズムである、
請求項１から請求項１８までのいずれか１項に記載のプ
リズム。 - 【請求項２０】 入射角が６５°〜８０°の範囲の光が
前記基材の第１の平面に入射され、入射角が０°の光が
前記基材の第２の平面に入射される、請求項１から請求
項１９までのいずれか１項に記載のプリズム。 - 【請求項２１】 波長が２００ｎｍ以下のエキシマレー
ザビームを狭帯域化するための光学素子として、請求項
１から請求項２０までのいずれか１項に記載のプリズム
を用いた光学装置。 - 【請求項２２】 当該光学装置はレーザ共振器である、
請求光２１に記載の光学装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000239731A JP2002055212A (ja) | 2000-08-08 | 2000-08-08 | プリズムとそれを用いた光学装置 |
| EP01118712A EP1186912A3 (en) | 2000-08-08 | 2001-08-03 | Prism and optical device using the same |
| US09/923,455 US6501598B2 (en) | 2000-08-08 | 2001-08-08 | Prism and optical device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000239731A JP2002055212A (ja) | 2000-08-08 | 2000-08-08 | プリズムとそれを用いた光学装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002055212A true JP2002055212A (ja) | 2002-02-20 |
Family
ID=18731221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000239731A Pending JP2002055212A (ja) | 2000-08-08 | 2000-08-08 | プリズムとそれを用いた光学装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6501598B2 (ja) |
| EP (1) | EP1186912A3 (ja) |
| JP (1) | JP2002055212A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2001
- 2001-08-03 EP EP01118712A patent/EP1186912A3/en not_active Withdrawn
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6501598B2 (en) | 2002-12-31 |
| EP1186912A2 (en) | 2002-03-13 |
| US20020039234A1 (en) | 2002-04-04 |
| EP1186912A3 (en) | 2003-11-19 |
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