JPH1164604A - 反射防止膜及びそれを施した光学系 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 波長２００ｎｍ以下の紫外光と波長６００ｎ
ｍ〜７００ｎｍの間の可視光の２つの波長領域に対して
極めて有効かつ良好な反射防止特性を有した反射防止膜
及びそれを施した光学系を得ること。 【解決手段】 透明な基板上に該基板側から空気側へ順
に第１層、第２層、第３層、第４層の４つの薄膜を施し
た反射防止膜であって、第１層、第３層はＬａＦ３もし
くはその混合物からなり、第２層、第４層はＭｇＦ２も
しくはその混合物からからり、該ＭｇＦ２もしくはその
混合物の屈折率をｎｍ、該ＬａＦ３もしくはその混合物
の屈折率をｎｌとした場合、波長が１９３ｎｍの光に対
する屈折率が １．６０≦ｎｌ≦１．８０ １．３２≦ｎｍ≦１．５２ を満足すること。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、反射防止膜及びそ
れを施した光学系に関し、特に蛍石や石英等の光学素子
基板の表面に所定の屈折率層（薄膜）を複数積層し、波
長２００ｎｍ以下の紫外光領域と、波長６００ｎｍ〜波
長７００ｎｍの領域の２つの波長域での反射防止を行っ
た、例えば半導体デバイス製造用の各種の光学系に適用
したときに有効なものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より紫外光用の反射防止膜としてＡ
ｌ₂ Ｏ₃ 膜を含む高屈折率層とＳｉＯ₂ を含む低屈折率
層を透明基板面に交互の複数積層した反射防止膜が、例
えば特開平7-218701号公報で提案されている。

【０００３】又、フッ素化物膜を用いた反射防止膜が、
例えば特公平5-8801号公報や、特開平7-244205号公報や
特開平7-244217号公報で提案されている。

【０００４】さらに、波長２４８ｎｍ（ＫｒＦエキシマ
レーザー波長）と他波長（例えば：Ｈｅ−Ｎｅレーザー
波長６３３ｎｍ）の二つの波長で反射防止を行った反射
防止膜が特開平6-160602号公報、特開平6-347603号公
報、特開平7-244202号公報で提案されている。これらの
公報では、酸化物と弗化物を組み合わせた膜構成を用い
ている。

【０００５】又、酸化物膜のみの膜構成を用いた反射防
止膜が特開平7-218701号公報で、又弗化物のみの膜構成
を用いた反射防止膜が特開平7-244203号公報で提案され
ている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従来より紫外光用の反
射防止膜において、波長２００ｎｍ以下の紫外域と、波
長６００ｎｍから波長７００ｎｍまでの領域の２つの波
長域にわたり良好に反射防止する膜構成を得るのは難し
かった。

【０００７】この為、従来より紫外域用の反射防止膜と
して、波長２００ｎｍ以下の紫外域と波長６００ｎｍか
ら波長７００ｎｍの波長域の２つの波長域で良好に反射
防止を行ったものは提案されていない。

【０００８】本発明は、所定の屈折率を有する透明基板
上に高屈折率層と低屈折率層、例えば紫外光域でも光学
的吸収が小さい高屈折率材料であるＬａＦ３と、低屈折
率材料であるＭｇＦ２とを適切な光学的膜厚で積層する
ことによって、波長２００ｎｍ以下の紫外領域と波長６
００ｎｍ〜波長７００ｎｍの波長域の２つの波長域にお
いて良好なる反射防止を行った反射防止膜及びそれを施
した光学系の提供を目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の反射防止膜は、 （１−１） 透明な基板上に該基板側から空気側へ順に
第１層、第２層、第３層、第４層の４つの薄膜を施した
反射防止膜であって、第１層、第３層はＬａＦ３もしく
はその混合物からなり、第２層、第４層はＭｇＦ２もし
くはその混合物からからり、該ＭｇＦ２もしくはその混
合物の屈折率をｎｍ、該ＬａＦ３もしくはその混合物の
屈折率をｎｌとした場合、波長が１９３ｎｍの光に対す
る屈折率が １．６０≦ｎｌ≦１．８０ １．３２≦ｎｍ≦１．５２ を満足することを特徴としている。

【００１０】特に （１−１−１） 前記各層の物理的膜厚を第１層から第
４層まで順にｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４としたとき １００≦ｄ１≦１２０ ４５≦ｄ２≦６７ １８≦ｄ３≦３５ ２０≦ｄ４≦４５ を満足することを特徴としている。

【００１１】（１−２） 透明な基板上に該基板側から
空気側へ順に第１層、第２層、第３層、第４層、第５層
の５つの薄膜を施した反射防止膜であって、第１層、第
３層、第５層はＭｇＦ２もしくはその混合物からなり、
第２層、第４層はＬａＦ３もしくはその混合物からから
なり、該ＭｇＦ２もしくはその混合物の屈折率をｎｍ、
ＬａＦ３もしくはその混合物の屈折率をｎｌとした場
合、波長が１９３ｎｍの光に対する屈折率が １．６０≦ｎｌ≦１．８０ １．３２≦ｎｍ≦１．５２ を満足することを特徴としている。

【００１２】（１−２−１） 前記各層の物理的膜厚を
第１層から第５層まで順にｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４、ｄ
５、としたとき ６３≦ｄ１≦７８ １００≦ｄ２≦１２５ ４４≦ｄ３≦６４ １８≦ｄ４≦３５ ２２≦ｄ５≦４２ を満足することを特徴としている。

【００１３】（１−３） 透明な基板上に該基板側から
空気側へ順に第１層、第２層、第３層、第４層、第５
層、第６層の６つの薄膜を施した反射防止膜であって、
第１層、第３層、第５層はＬａＦ３もしくはその混合物
からなり、第２層、第４層、第６層はＭｇＦ２もしくは
その混合物からなり、ＬａＦ３もしくはその混合物の屈
折率をｎｌ、 ＭｇＦ２もしくはその混合物の屈折率を
ｎｍとした場合、波長が１９３ｎｍの光に対する屈折率
が １．６０≦ｎｌ≦１．８０ １．３２≦ｎｍ≦１．５２ を満足することを特徴としている。

【００１４】（１−３−１） 前記各層の物理的膜厚を
第１層から第６層まで順にｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４、ｄ
５、ｄ６としたとき ５０≦ｄ１≦７０ ６２≦ｄ２≦８５ １０５≦ｄ３≦１２５ ４５≦ｄ４≦６６ １５≦ｄ５≦３６ ２５≦ｄ６≦４３ を満足することを特徴としている。

【００１５】又、構成（１−１）、又は構成（１−２）
又は構成（１−３）において （１−３−２） 前記基板が石英または蛍石であるこ
と。

【００１６】（１−３−３） 前記反射防止膜は、波長
２００ｎｍ以下の紫外光と、波長６００ｎｍから波長７
００ｎｍの光に対して反射防止効果のあること等を特徴
としている。

【００１７】本発明の光学系は、 （２−１） 構成要件（１−１）又は（１−２）又は
（１−３）の反射防止膜を施した光学部材を有している
ことを特徴としている。

【００１８】本発明の照明装置は、 （３−１） 構成（１−１）又は（１−２）又は（１−
３）の反射防止膜を施した光学部材を有した光学系を用
いて光源手段からの光束で所定面上を照明していること
を特徴としている。

【００１９】本発明の露光装置は、 （４−１） 構成要件（１−１）又は（１−２）又は
（１−３）の反射防止膜を施した光学系を用いてレチク
ル面を照明すると共に、レチクル面上のパターンをウエ
ハ面上に投影するようにしていることを特徴としてい
る。

【００２０】本発明のデバイスの製造方法は、 （５−１） 構成（４−１）の露光装置を用いて厚板の
パターンを基板上に転写する工程を有することを特徴と
している。

【００２１】

【発明の実施の形態】図１は本発明の反射防止膜の実施
形態の要部断面概略図である。本実施形態の反射防止膜
は透明な基板Ｇ面上にＬａＦ３を含む高屈折率層とＭｇ
Ｆ２を含む低屈折率層を高屈折率層−低屈折率層の順、
又は低屈折率層−高屈折率層の順でスパッタ法又は真空
蒸着法等で交互に全体として４層、又は５層、又は６層
積層した多層膜より成っている（図１では４層の場合を
示している）。そして基板Ｇとして、蛍石や合成石英等
を用いている。

【００２２】後述する具体的な数値を示す。

【００２３】実施例１、５では、基板Ｇとして第１層の
高屈折率層の屈折率（１．６３）よりも低い石英（屈折
率１．５６１）を用い、実施例２、６では、基板Ｇとし
て第１層の高屈折率層の屈折率（１．６３）よりも低い
蛍石（屈折率１．５０２）を用い、実施例３では、基板
Ｇとして第１層の低屈折率層の屈折率（１．３９１）よ
りも高い石英（屈折率１．５６１）を用い、実施例４で
は基板Ｇとして第１層の低屈折率層の屈折率（ｎ：１．
３９１）よりも高い蛍石（屈折率１．５０２）を用いて
いる。

【００２４】次に各実施例の特徴について説明する。

【００２５】実施例１、２では、基板側から空気側へ順
に第１層、第２層、第３層、第４層とすると、第１層、
第３層はＬａＦ３もしくはその混合物からなり、第２
層、第４層はＭｇＦ２もしくはその混合物から成る４層
膜構成であり、ＭｇＦ２もしくはその混合物の屈折率を
ｎｍ、ＬａＦ３もしくはその混合物の屈折率をｎｌとし
た場合、波長が１９３ｎｍの光に対する屈折率がそれぞ
れ以下の式で満たすことにより、波長２００ｎｍ以下の
紫外光と波長６００ｎｍから波長７００ｎｍの領域（可
視域）の光に対して反射防止効果のある２つの領域での
反射防止膜を達成している。

【００２６】 １．６０≦ｎｌ≦１．８０ １．３２≦ｎｍ≦１．５２ また、各層の物理的膜厚（実際の厚さ）を第１層から第
４層まで順にｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４としたとき、それ
ぞれが以下の式で満たされることにより、波長２００ｎ
ｍ以下の紫外光と波長６００ｎｍから波長７００ｎｍの
領域の光に対して良好な反射防止効果のある反射防止膜
を達成している。

【００２７】 １００≦ｄ１≦１２０ ４５≦ｄ２≦６７ １８≦ｄ３≦３５ ２０≦ｄ４≦４５ 実施例、３、４では基板側から空気側へ順に第１層、第
２層、第３層、第４層、第５層とすると、第１層、第３
層、第５層はＭｇＦ２もしくはその混合物からなり、第
２層、第４層は、ＬａＦ３もしくはその混合物からなる
５層膜構成であり、ＭｇＦ２もしくはその混合物の屈折
率をｎｍ、ＬａＦ３もしくはその混合物の屈折率をｎｌ
とした場合、波長が１９３ｎｍの光に対する屈折率がそ
れぞれ以下の式で満たされ、波長２００ｎｍ以下の紫外
光と波長６００ｎｍから波長７００ｎｍの領域の光に対
して反射防止効果のある２つの領域での反射防止膜を達
成している。

【００２８】 １．６０≦ｎｌ≦１．８０ １．３２≦ｎｍ≦１．５２ また、各層の物理的膜厚を第１層から第５層まで順にｄ
１、ｄ２、ｄ３、ｄ４、ｄ５としたとき、それぞれが以
下の式で満たされることにより、波長２００ｎｍ以下の
紫外光と波長６００ｎｍから波長７００ｎｍの領域の光
に対して反射防止効果のある反射防止膜を達成してい
る。

【００２９】 ６３≦ｄ１≦７８ １００≦ｄ２≦１２５ ４４≦ｄ３≦６４ １８≦ｄ４≦３５ ２２≦ｄ５≦４２ 実施例５、６では基板側から空気側へ順に第１層、第２
層、第３層、第４層、第５層、第６層とすると、第１
層、第３層、第５層はＬａＦ３もしくはその混合物から
なり、第２層、第４層、第６層はＭｇＦ２もしくはその
混合物からなる６層膜構成であり、ＬａＦ３もしくはそ
の混合物の屈折率をｎｌ、ＭｇＦ２もしくはその混合物
の屈折率をｎｍとした場合、波長が１９３ｎｍの光に対
する屈折率がそれぞれ以下の式で満たすことにより、波
長２００ｎｍ以下の紫外光と波長６００ｎｍから波長７
００ｎｍの領域の光に対して反射防止効果のある２つの
領域での反射防止膜を達成している。

【００３０】 １．６０≦ｎｌ≦１．８０ １．３２≦ｎｍ≦１．５２ また、各層の物理的膜厚を第１層から第６層まで順にｄ
１、ｄ２、ｄ３、ｄ４、ｄ５、ｄ６としたとき、それぞ
れが以下の式で満たすことにより、波長２００ｎｍ以下
の紫外光と波長６００ｎｍから波長７００ｎｍの領域の
光に対して反射防止効果のある反射防止膜を達成してい
る。

【００３１】 ５０≦ｄ１≦７０ ６２≦ｄ２≦８５ １０５≦ｄ３≦１２５ ４５≦ｄ４≦６６ １５≦ｄ５≦３６ ２５≦ｄ６≦４３ 以上の各実施例では、基板の材質として石英または蛍石
を用いることによって、波長２００ｎｍ以下の紫外光と
波長６００ｎｍから波長７００ｎｍの領域の光に対して
良好な反射防止効果のある反射防止膜を達成している。

【００３２】次に各実施例の具体的な数値例を示す。

【００３３】実施例１ 合成石英ガラス基板上に波長１９３ｎｍの紫外光と波長
６００ｎｍから７００ｎｍの間の可視光の共に反射防止
膜効果のある反射防止膜を、表１に示した膜構成及び膜
厚で真空蒸着法を用いて製作し、その反射特性図を図２
に示した。

【００３４】尚、屈折率は波長１９３ｎｍで測定した値
である。

【００３５】

【表１】 実施例２ 蛍石基板上に波長１９３ｎｍの紫外光と波長６００ｎｍ
から７００ｎｍの間の可視光の共に反射防止膜効果のあ
る反射防止膜を、表２に示した膜構成及び膜厚で真空蒸
着法を用いて製作し、その反射特性図を図３に示した。

【００３６】尚、屈折率は波長１９３ｎｍで測定した値
である。

【００３７】

【表２】 実施例３ 合成石英ガラス基板上に波長１９３ｎｍの紫外光と波長
６００ｎｍから７００ｎｍの間の可視光の共に反射防止
膜効果のある反射防止膜を、表３に示した膜構成及び膜
厚で真空蒸着法を用いて製作し、その反射特性図を図４
に示した。

【００３８】尚、屈折率は波長１９３ｎｍで測定した値
である。

【００３９】

【表３】 実施例４ 蛍石基板上に波長１９３ｎｍの紫外光と波長６００ｎｍ
から７００ｎｍの間の可視光の共に反射防止膜効果のあ
る反射防止膜を、表４に示した膜構成及び膜厚で真空蒸
着法を用いて製作し、その反射特性図を図５に示した。

【００４０】尚、屈折率は波長１９３ｎｍで測定した値
である。

【００４１】

【表４】 実施例５ 合成石英ガラス基板上に波長１９３ｎｍの紫外光と波長
６００ｎｍから７００ｎｍの間の可視光の共に反射防止
膜効果のある反射防止膜を、表５に示した膜構成及び膜
厚で真空蒸着法を用いて製作し、その反射特性図を図６
に示した。

【００４２】尚、屈折率は波長１９３ｎｍで測定した値
である。

【００４３】

【表５】 実施例６ 蛍石基板上に波長１９３ｎｍの紫外光と波長６００ｎｍ
から７００ｎｍの間の可視光の共に反射防止膜効果のあ
る反射防止膜を、表６に示した膜構成及び膜厚で真空蒸
着法を用いて製作し、その反射特性図を図７に示した。

【００４４】尚、屈折率は波長１９３ｎｍで測定した値
である。

【００４５】

【表６】 本発明では前述した構成の反射防止膜を各レンズ面やミ
ラー面等に適用した光学系を紫外光領域を対象とした各
種の装置に用いている。例えば、前述した構成の反射防
止膜を施した光学系を半導体デバイスを製造するときに
回路パターンが形成されているレチクル面を照明すると
きの照明装置やレチクル面上のパターンをウエハ面上に
投影露光するときの露光装置等に用いている。又、この
ときの露光装置によって得られたウエハを現像処理工程
を介してデバイスを製造するようにしている。

【００４６】図８は本発明の反射防止膜を備える光学系
を用いた半導体デバイス製造用の露光装置の要部概略図
である。

【００４７】図中、１はエキシマレーザ等の紫外光を放
射する光源である。２は照明装置であり、光源１からの
光束でレチクル４を照明している。３はミラー面であ
る。５は投影光学系であり、レチクル４面上のパターン
をウエハ６に投影している。

【００４８】本実施形態ではミラー３、そして照明装置
２や投影光学系５に使われているレンズ等の光学要素に
は本発明の反射防止膜が施されている。これによって光
束の各面での反射防止を図り、フレアーやゴーストの発
生を防止して良好なる投影パターン像を得ている。

【００４９】次に上記説明した露光装置を利用した半導
体デバイスの製造方法の実施例を説明する。

【００５０】図９は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、或は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造のフ
ローチャートである。

【００５１】本実施例において、ステップ１（回路設
計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２
（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマ
スクを製作する。

【００５２】一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前行程と呼ばれ、前記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。

【００５３】次のステップ５（組立）は後行程と呼ば
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する行程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。

【００５４】ステップ６（検査）ではステップ５で作製
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。

【００５５】図１０は上記ステップ４のウエハプロセス
の詳細なフローチャートである。まずステップ１１（酸
化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（Ｃ
ＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。

【００５６】ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に
電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打
込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では前記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。

【００５７】ステップ１７（現像）では露光したウエハ
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジス
ト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。

【００５８】尚、本実施形態の製造方法を用いれば、高
集積度の半導体デバイスを容易に製造することができ
る。

【００５９】

【発明の効果】本発明によれば以上のように、所定の屈
折率を有する透明基板上に高屈折率層と低屈折率層、例
えば紫外光域でも光学的吸収が小さい高屈折率材料であ
るＬａＦ３と、低屈折率材料であるＭｇＦ２とを適切な
光学的膜厚で積層することによって、波長２００ｎｍ以
下の紫外領域と波長６００ｎｍ〜７００ｎｍの波長域の
２つの波長域において良好なる反射防止を行った反射防
止膜及びそれを施した光学系を達成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の反射防止膜の要部断面概略図

【図２】 本発明の実施例１の４層膜構成の合成石英基
板上の反射防止膜の反射特性図

【図３】 本発明の実施例２の４層膜構成の蛍石基板上
の反射防止膜の反射特性図

【図４】 本発明の実施例３の５層膜構成の合成石英基
板上の反射防止膜の反射膜特性図

【図５】 本発明の実施例４の５層膜構成の蛍石基板上
の反射防止膜の反射膜特性図

【図６】 本発明の実施例５の６層膜構成の合成石英基
板上の反射防止膜の反射特性図

【図７】 本発明の実施例６の６層膜構成の蛍石基板上
の反射防止膜の反射特性図

【図８】 本発明の露光装置の要部概略図

【図９】 本発明のデバイスの製造方法のフローチャー
ト

【図１０】本発明のデバイスの製造方法のフローチャー
ト

【符号の説明】

Ｇ 基板 Ｈ 高屈折率層 Ｌ 低屈折率層 １ 光源 ２ 照明装置 ３ ミラー ４、Ｒ レチクル ５ 投影光学系 ６、Ｗ ウエハ

フロントページの続き (72)発明者 枇榔 竜二 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 金沢 秀宏 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明な基板上に該基板側から空気側へ順
   に第１層、第２層、第３層、第４層の４つの薄膜を施し
   た反射防止膜であって、第１層、第３層はＬａＦ３もし
   くはその混合物からなり、第２層、第４層はＭｇＦ２も
   しくはその混合物からからり、該ＭｇＦ２もしくはその
   混合物の屈折率をｎｍ、該ＬａＦ３もしくはその混合物
   の屈折率をｎｌとした場合、波長が１９３ｎｍの光に対
   する屈折率が １．６０≦ｎｌ≦１．８０ １．３２≦ｎｍ≦１．５２ を満足することを特徴とする反射防止膜。
2. 【請求項２】 前記各層の物理的膜厚を第１層から第４
   層まで順にｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４としたとき １００≦ｄ１≦１２０ ４５≦ｄ２≦６７ １８≦ｄ３≦３５ ２０≦ｄ４≦４５ を満足することを特徴とする請求項１の反射防止膜。
3. 【請求項３】 透明な基板上に該基板側から空気側へ順
   に第１層、第２層、第３層、第４層、第５層の５つの薄
   膜を施した反射防止膜であって、第１層、第３層、第５
   層はＭｇＦ２もしくはその混合物からなり、第２層、第
   ４層はＬａＦ３もしくはその混合物からからなり、該Ｍ
   ｇＦ２もしくはその混合物の屈折率をｎｍ、ＬａＦ３も
   しくはその混合物の屈折率をｎｌとした場合、波長が１
   ９３ｎｍの光に対する屈折率が １．６０≦ｎｌ≦１．８０ １．３２≦ｎｍ≦１．５２ を満足することを特徴とする反射防止膜。
4. 【請求項４】 前記各層の物理的膜厚を第１層から第５
   層まで順にｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４、ｄ５、としたとき ６３≦ｄ１≦７８ １００≦ｄ２≦１２５ ４４≦ｄ３≦６４ １８≦ｄ４≦３５ ２２≦ｄ５≦４２ を満足することを特徴とする請求項３の反射防止膜。
5. 【請求項５】 透明な基板上に該基板側から空気側へ順
   に第１層、第２層、第３層、第４層、第５層、第６層の
   ６つの薄膜を施した反射防止膜であって、第１層、第３
   層、第５層はＬａＦ３もしくはその混合物からなり、第
   ２層、第４層、第６層はＭｇＦ２もしくはその混合物か
   らなり、ＬａＦ３もしくはその混合物の屈折率をｎｌ、
   ＭｇＦ２もしくはその混合物の屈折率をｎｍとした場
   合、波長が１９３ｎｍの光に対する屈折率が １．６０≦ｎｌ≦１．８０ １．３２≦ｎｍ≦１．５２ を満足することを特徴とする反射防止膜。
6. 【請求項６】 前記各層の物理的膜厚を第１層から第６
   層まで順にｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４、ｄ５、ｄ６とした
   とき ５０≦ｄ１≦７０ ６２≦ｄ２≦８５ １０５≦ｄ３≦１２５ ４５≦ｄ４≦６６ １５≦ｄ５≦３６ ２５≦ｄ６≦４３ を満足することを特徴とする請求項５の反射防止膜。
7. 【請求項７】 前記基板が石英または蛍石であることを
   特徴とする請求項１から６のいずれか１項記載の反射防
   止膜。
8. 【請求項８】 前記反射防止膜は、波長２００ｎｍ以下
   の紫外光と、波長６００ｎｍから波長７００ｎｍの光に
   対して反射防止効果のあることを特徴とする請求項１か
   ら７のいずれか１項記載の反射防止膜。
9. 【請求項９】 請求項１から８のいずれか１項記載の反
   射防止膜を施したレンズを備えることを特徴とする光学
   系。
10. 【請求項１０】 請求項９の光学系を用いて光源手段か
    らの光束で所定面を照明していることを特徴とする証明
    装置。
11. 【請求項１１】 請求項９の光学系により原版のパター
    ンを基板上に結像することを特徴とする露光装置。
12. 【請求項１２】 請求項９の光学系により原版を証明
    し、かつ該原版のパターンを基板上に投影することを特
    徴とする露光装置。
13. 【請求項１３】 請求項１１又は１２の露光装置を用い
    て原版のパターンを基板上に転写する工程を有すること
    を特徴とするデバイス製造方法。
14. 【請求項１４】 請求項１から８のいずれか１項記載の
    反射防止膜をスパッタ法により形成することを特徴とす
    る反射防止膜の製造方法。
15. 【請求項１５】 請求項１から８のいずれか１項記載の
    反射防止膜を真空蒸着法により形成することを特徴とす
    る反射防止膜の製造方法。