JP2001004821A

JP2001004821A - 回折光学素子及びその製造方法

Info

Publication number: JP2001004821A
Application number: JP11178914A
Authority: JP
Inventors: Kenji Tamamori; 研爾玉森; Makoto Ogusu; 誠小楠
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1999-06-24
Filing date: 1999-06-24
Publication date: 2001-01-12

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】回折パターン側面への反射防止膜の成膜を防
止する。【解決手段】表面を洗浄したＳｉ基板４１上に、８層
のＡｌ膜４２と７層のＳｉＯ₂膜４３から成る積層膜を
形成する(b)。Ａｌ膜４２ｈ上にレジスト膜４４を形成
し(c)、レチクル４５ａをマスクとして露光し(d)、レチ
クル４５ａのパターンがレジスト膜４４に転写されてパ
ターン化され、レジストパターン４４ａを形成する。次
に、Ａｌ膜４２ｈをＳｉＯ₂膜４３ｇの表面が露出する
までエッチングする(e)。更に、異方性エッチングが可
能な反応性イオンエッチング装置に装着し、ＳｉＯ₂膜
４３ｇをＡｌ膜４２ｇの表面が露出するまでエッチング
する(ｆ)。その後、レジストパターン４４ａを除去し、
Ｓｉ基板４１上に２段の段差を有するパターンを形成す
る(g)。又、再度(c)と同様にパターン上にレジスト膜４
４を形成し(h)、同様の工程を繰り返すことにより、８
段の反射型回折光学素子を作成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、反射型光学系や屈
折型と反射型から成る光学系に使用する反射型回折光学
素子及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、回折光学素子は分光器の分光
素子として使用されており、その断面形状は所謂鋸歯状
のブレーズドタイプであり、表面反射を考慮しない場合
には、回折効率が１００％に達するものもある。一方、
近年では回折を利用した光学素子として、階段状の格子
断面形状を有するバイナリオプティックス（ＢＯ)素子
が注目されてきている。この所定周期の輪帯状格子を形
成したＢＯ素子は、色消し効果や非球面効果を有してい
るため、新しい光学系への発展に大きな期待が持たれて
いる。

【０００３】このＢＯ素子は現在のブレーズドタイプの
切削加工限界を大幅に超えているが、半導体加工法であ
るフォトリソグラフィ技術を使用することにより、高精
度の微細加工が或る程度可能となってきている。一般
に、可視光領域で使用される光学素子においては、金属
の型材を用いた型加工による合成樹脂及び硝子のモ一ル
ド法で製造が可能であるが、紫外線等の短い波長の領域
において使用するためには、使用できる材料が限定され
る上に、より微細な加工精度及び高い寸法精度が要求さ
れるため、モールド法を用いることは困難である。

【０００４】このために、紫外線や遠紫外線領域のおい
て使用するＢＯ素子は、半導体加工用の紫外線を用いた
フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング加工等を
使用して作製することにより、高精度のＢＯ素子を作製
することができる。

【０００５】図１１は輪帯状の回折格子を形成したＢＯ
素子１１の斜視図を示し、図１２は、このＢＯ素子１１
の断面図を示している。

【０００６】図１３は８段のＢＯ素子１１の製作模式図
を示しており、石英基板の上方に設けたマスク２１〜２
３を順次に用いて、波長λ＝３６５ｎｍのｉ線用ステッ
パにより、マスクパターンを石英基板上のフォトレジス
トに縮小焼き付けした後に現像し、このレジストパター
ンをエッチングマスクとしてドライエッチング（ＲＩ
Ｅ)法を用いて石英基板をエッチング加工する。この工
程をそれぞれのマスク２１〜２３毎に３回繰り返すこと
により、８段形状のＢＯ素子１１を作製することができ
る。

【０００７】また、このような回折光学素子の表面に反
射膜を形成した素子は反射型回折光学素子と呼ばれ、例
えば特許公報第２７７３４０１号に回折光学素子を作製
した後に、反射膜を形成する反射型回折光学素子の作製
方法が開示されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１４
に示すように蒸着法等によりＢＯ素子１１上に反射膜３
１を成膜すると、ＢＯ素子１１の回折パターンの側面に
も反射膜３１が成膜され、反射膜形状エラーが発生し、
光学性能が劣化するという問題点が生ずる。

【０００９】本発明の目的は、上述の問題点を解消し、
反射膜を成膜しても光学性能が劣化することのない回折
光学素子を提供することにある。

【００１０】また、本発明の他の目的は、反射膜を成膜
しながら光学性能を良好に保持する回折光学素子の製造
方法を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明に係る回折光学素子は、任意の材料から成る基
板上に、反射膜と該反射膜以外の任意の材料との積層膜
で構成される断面が階段状の回折パターンから成ること
を特徴とする。

【００１２】また、本発明に係る回折光学素子の製造方
法は、任意の材料から成る基板上に反射膜と該反射膜以
外の任意の材料との積層膜を任意の成膜手段を用いて予
め成膜する工程と、フォトリソグラフィ技術により前記
反射膜と前記反射膜以外の任意の材料との積層膜で構成
される断面を階段状の回折パターンに加工する工程とを
有することを特徴とする。

【００１３】また、本発明に係る回折光学素子の製造方
法は、任意の材料から成る基板上に反射膜と該反射膜以
外の任意の材料から成る膜と前記反射膜の保護膜から成
る積層膜を任意の成膜手段を用いて予め交互に成膜する
工程と、フォトリソグラフィ技術により前記反射膜と前
記反射膜以外の任意の材料から成る膜と前記反射膜の保
護膜から成る積層膜で構成される断面を階段状の回折パ
ターンに加工する工程とを有することを特徴とする。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明を図示の実施例に基づいて
詳細に説明する。図１〜図３は第１の実施例における８
段形状を有する反射型回折光学素子の製作模式図を示し
ている。図１(a)に示すように表面が洗浄されたＳｉ基
板４１上に、図１(b)に示すように反射膜材料としてＡ
ｌ膜４２ａを真空蒸着法により成膜し、このＡｌ膜４２
ａ上に反射膜以外の任意の材料として、ＳｉＯ₂膜４３
ａをスパッタ法により成膜する。更に、Ａｌ膜４２ｂ〜
４２ｈとＳｉＯ₂膜４３ｂ〜４３ｇを交互に成膜するこ
とにより、８層のＡｌ膜４２と７層のＳｉＯ₂膜４３か
ら成る積層膜を形成する。

【００１５】また、本実施例における基板にはＳｉを用
いたが、他の任意の材料から成る基板を用いてもよい。
更に、反射膜材料としてはＡｌを用いているが、Ａｇ、
Ａｕ、Ｐｔを用いてもよい。同様に、ＳｉＯ₂膜から成
る反射膜以外の任意の材料の代りに、その他の酸化膜や
例えばＳｉ₃Ｎ₄等の窒化膜やＳｉ等を用いることもでき
る。

【００１６】次に、図１(c)に示すようにＡｌ膜４２ｈ
上にフォトレジストを滴下し、スピンコートによりフォ
トレジストを１μｍ程度の薄膜とし、その後にベーク処
理を行うことによりレジスト膜４４を形成する。続い
て、図示しない露光装置にＳｉ基板４１を装着し、図１
(d)に示すように所望のパターンを有するレチクル４５
ａをマスクとして露光する。この際に、レジスト膜４４
にポジタイプのレジストを用いた場合には、露光された
領域は現像液に可溶となり、レチクル４５ａのパターン
がレジスト膜４４に転写されてパターン化され、所望の
寸法のレジストパターン４４ａが形成される。

【００１７】次に、Ｓｉ基板４１を異方性エッチングが
可能な反応性イオンエッチング装置に装着し、図１(e)
に示すようにＡｌ膜４２ｈをこのＡｌ膜４２ｈの下層に
位置するＳｉＯ₂膜４３ｇの表面が露出するまでエッチ
ングする。更に、図１(f)に示すように、図１(e)と同様
に異方性エッチングが可能な反応性イオンエッチング装
置に装着し、ＳｉＯ₂膜４３ｇをこの下層に位置するＡ
ｌ膜４２ｇの表面が露出するまでエッチングする。この
とき、Ａｌ膜４２ｇはＳｉＯ₂膜４３ｇをエッチングす
る際のエッチングストッパ層の役割を果たしている。

【００１８】その後に、レジストパターン４４ａを酸素
アッシング法又は剥離液等を用いて除去することによ
り、図１(g)に示すようなＳｉ基板４１上に２段の段差
を有するパターン４６ａを形成することができる。

【００１９】また、図１(h)に示すように再度、図１(c)
と同様にパターン４６ａ上にレジスト膜４４を形成し、
図１(i)に示すようにレチクル４５ａの２倍周期のパタ
ーンを有するレチクル４５ｂをマスクとして用い、図１
(g)において形成したパターン４６ａに対して、露光装
置が有するアライメント精度においてアライメントを行
った後に、レジスト膜４４を露光、現像することにより
レチクル４５ｂによるレジストパターン４４ｂを形成す
る。次に図２(j)に示すように、図１(b)と同様にＡｌ膜
４２ｇ、４２ｈについてドライエッチングを行った後
に、図２(k)に示すように図１(f)と同様にＳｉＯ₂膜４
３ｆ、４３ｇについてドライエッチングを行う。更に図
２(l)に示すように、図１(b)と同様にＡｌ膜４２ｆ、４
２ｇについてドライエッチングを行う。続いて図２(m)
に示すように、図１(f)と同様にＳｉＯ₂膜４３ｅ、４３
ｆについてドライエッチングを行った後に、レジストパ
ターン４４ｂを除去することにより、図２(n)に示すよ
うにＳｉ基板４１上に、４段の段差を有するパターン４
６ｂを形成することができる。

【００２０】そして、図２(o)に示すように図１(h)と同
様に、パターン４６ｂ上にレジスト膜４４を形成する。
続いて図２(p)に示すように、レチクル４５ａの４倍周
期のパターンを有するレチクル４５ｃをマスクとして用
い、レジスト膜４４を露光、現像することによりレジス
トパターン４４ｃを形成する。更に図２(q)〜図３(x)に
おいて、Ａｌ膜４２とＳｉＯ₂膜４３についてドライエ
ッチングを交互に行い、最後に図３(y)に示すようにレ
ジストパターン４４ｃを除去することにより、Ｓｉ基板
４１上に８段の段差を有するパターン４６ｃが形成さ
れ、反射型回折光学素子４７を製造することができる。

【００２１】なお、実施例においては、真空蒸着法及び
スパッタ法を用いてＡｌ膜及びＳｉＯ₂膜を成膜した
が、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、その他の成膜
方法を用いてもよい。また、基板４１とＡｌ膜４２の密
着性を向上させるための膜を成膜したり、反射膜に多層
膜を用いることもできる。

【００２２】パターン４６を形成するための露光光にお
いては、紫外線、遠紫外線、真空紫外線等の光に限ら
ず、電子ビーム、イオンビーム、Ｘ線を用いたり、他の
露光方法を使用してもよい。更に、本実施例においては
エッチングする際に、反応性イオンエッチング法を使用
したが、イオンビームエッチング法やその他のエッチン
グ法を用いてもよい。また、自己整合的にパターニング
を行ってもよい。

【００２３】図４〜図６は第２の実施例における８段形
状を有する反射型回折光学素子の製作模式図を示してい
る。図４(a)に示すように表面が洗浄されたＳｉ基板５
１上に、図４(b)に示すように反射膜材料としてＡｌ膜
５２ａを真空蒸着法により成膜し、このＡｌ膜５２ａ上
に光透過性を有する保護膜として、反射膜以外の任意の
材料としてＳｉＯ₂膜５３ａをスパッタ法により成膜す
る。更に、Ａｌ膜５２ｂ〜５２ｈとＳｉＯ₂膜５３ｂ〜
５３ｈとを交互に成膜することにより、８層のＡｌ膜５
２と８層のＳｉＯ₂膜５３から成る積層膜を形成する。

【００２４】また、保護膜にはＳｉＯ₂膜の代りにＳｉ
Ｏ、Ａｌ₂Ｏ₃等の酸化膜、ＭｇＦ₂等のフッ化膜等を用
いてもよい。

【００２５】次に、図４(c)に示すようにＳｉＯ₂膜５３
ｈ上にフォトレジストを滴下し、第１の実施例と同様に
スピンコートによりレジストを１μｍ程度の薄膜とし、
ベーク処理を行うことによりレジスト膜５４を形成す
る。続いて、第１の実施例と同様に図示しない露光装置
にＳｉ基板５１を装着し、図４(d)に示すように所望の
パターンを有するレチクル５５ａをマスクとして露光す
ることにより、露光された領域は現像液に可溶となり、
レチクル５５ａのパターンがレジスト膜５４に転写され
てパターン化され、所望の寸法のレジストパターン５４
ａが形成される。

【００２６】次に、Ｓｉ基板５１を異方性エッチングが
可能な反応性イオンエッチング装置に装着し、図４(e)
の示すようにＳｉＯ₂膜５３ｈをこのＳｉＯ₂膜５３ｈの
下層に位置するＡｌ膜５２ｈの表面が露出するまでエッ
チングする。続いて図４(f)に示すように、Ａｌ膜５２
ｈをこのＡｌ膜５２ｈの下層に位置するＳｉＯ₂膜５３
ｇの表面が露出するまでエッチングする。その後に、図
４(g)に示すようにレジストパターン５４ａを酸素アッ
シング法又は剥離液等を用いて除去することにより、Ｓ
ｉ基板５１上に反射膜であるＡｌ膜５２ｈと保護膜であ
るＳｉＯ₂膜５３ｈから成る２段の段差を有するパター
ン５６ａを形成することができる。

【００２７】また、図４(h)に示すように再度、図４(c)
と同様にＳｉＯ₂膜５３ｇ及びパターン５６ａ上にレジ
スト膜５４を形成し、図４(i)に示すようにレチクル５
５ａの２倍周期のパターンを有するレチクル５５ｂをマ
スクとして用い、アライメントを行った後に、レジスト
膜５４を露光、現像することにより所望のレジストパタ
ーン５４ｂを形成する。次に図５(j)に示すように、図
４(e)と同様にＳｉＯ₂膜５３ｇ、５３ｈについてドライ
エッチングを行い、続いて図５(k)に示すようにＡｌ膜
５２ｇ、５２ｈについてもドライエッチングを行う。

【００２８】同様に、図５(l)〜(m)において、ドライエ
ッチングを繰り返した後に、図５(l)に示すようにレジ
ストパターン５４ｂを除去することにより、Ｓｉ基板５
１上に、反射膜であるＡｌ膜５２及び保護膜であるＳｉ
Ｏ₂膜５３から成る４段の段差を有するパターン５６ｂ
を形成することができる。

【００２９】更に、図５(o)に示すように再度、図４(h)
と同様にパターン５６ｂ上にレジスト膜５４を形成した
後に、図５(p)に示すようにレチクル５５ａの４倍周期
のパターンを有するレチクル５５ｃをマスクとし、レジ
スト膜５４を露光、現像することにより、所望のレジス
トパターン５４ｃを形成することができる。

【００３０】そして、図５(q)〜図６(x)に示すように、
ＳｉＯ₂膜５３とＡｌ膜５２についてドライエッチング
を交互に行い、最後に図５(y)に示すようにレジストパ
ターン５４ｃを除去することにより、Ｓｉ基板５１上に
反射膜であるＡｌ膜５２及び保護膜であるＳｉＯ₂膜５
３から成る８段の段差を有するパターン５６ｃを形成す
ることができ、反射型回折光学素子５７を製造すること
ができる。

【００３１】図７は第３の実施例における８段形状を有
する反射型回折光学素子６１の製作模式図を示してい
る。図７(a)は第１の実施例において製作したこの８段
の反射型回折光学素子４７を示しており、本実施例にお
いては図７(b)に示すように、反射型回折光学素子４７
上にＳｉＯ₂の平板から成る保護膜６２をオプティカル
コンタクトにより接着する。また、ＳｉＯ₂の代りにＳ
ｉＯ、Ａｌ₂Ｏ₃等の酸化物、ＭｇＦ₂等のフッ化物等か
ら成る保護膜を用いてもよい。

【００３２】また、反射型回折光学素子４７と保護膜６
２の固定方法は、オプティカルコンタクトの他に接着
剤、セル、その他の手段を用いて固定してもよい。反射
型回折光学素子４７と保護膜６２の間の空間に、Ａｒ、
Ｎ₂等のガスを封入してもよい。また、反射型回折光学
素子の両面に保護膜６２を設けることもでき、更にこの
保護膜６２の両面に所定の反射防止膜を成膜してもよ
い。

【００３３】図８はｉ線或いはＫｒＦ等の紫外線を用い
た半導体用露光装置（ステッパ）７１の構成図を示して
おり、この半導体露光装置７１には光源を含む照明光学
系７２が設けられ、この照明光学系７２の出射方向には
マスクステージ７３に固定されたマスク７４が配置され
ている。更に、このマスク７４を透過した光束の進行方
向には第１の屈折系７５及び偏向ミラー７６が配置され
ており、この偏向ミラー７６の偏向方向には第２の屈折
系７７、２つの直角３角形プリズムの斜面を接合した偏
光ビームスプリッタ７８、反射光学系である１／４波長
板７９及び第２の実施例により作製した反射型回折光学
素子５７が順次に設けられている。更に、偏光ビームス
プリッタ７８の反射方向には、縮小露光のための第３の
屈折系８０、感光基板ステージ８１に固定された感光基
板８２が設けられている。この感光基板８２は半導体を
材料とする所謂ウェハに感光材料（レジスト)を塗布し
たものである。

【００３４】また、マスク７４はマスクステージ７３に
真空吸着等の方法により固定すると共に、図示しない駆
動手段により制御され、矢印方向に駆動可能であり、そ
の位置は図示していないレーザー干渉計等の測長器で計
測される。

【００３５】照明光学系７２を出射した照明光束ＯＰは
マスク７４の原画パターンを照明し、第１の屈折光学系
７５に入射し、この第１の屈折光学系７５を透過した光
束ＯＰは偏向ミラー７６を経て第２の屈折光学系７７に
入射する。そして、光束ＯＰは偏光ビームスプリッタ７
８の接合面を透過する直線偏光光であるため、光束ＯＰ
は偏光ビームスプリッタ７８を透過する。透過した光束
ＯＰは１／４波長板７９によって円偏光光に変換されて
反射型回折光学素子５７に入射する。また、この反射型
回折光学素子５７により反射され集光光束となった光束
ＯＰは再び１／４波長板７９を透過し、これにより円偏
光の光束ＯＰは再び直線偏光の光束ＯＰに変換される
が、その偏光方向は偏光ビームスプリッタ７８に入射し
た際の偏光方向に対して９０度回転している。そのた
め、今度は偏光ビームスプリッタ７８の接合面で反射さ
れ偏光ビームスプリッタ７８を射出する。射出光束は第
３の屈折光学系８０を介して、感光基板８２上に原画パ
ターンのスリット状の一部を結像させる。

【００３６】この反射型回折光学素子５７は他の光学部
材と同様に露光に使用する紫外領域の波長の露光光束を
良好に反射するように構成し作製されており、従来の非
球面凹面ミラーと同様な集光作用を有すると共に、物体
側の第１の屈折光学系７５、第２の屈折光学系７７及び
像側の第３の屈折光学系８０で発生する収差を、良好に
補正するように格子ピッチを計算し作製している。

【００３７】そして、マスクステージ７３と感光基板ス
テージ８１を、投影光学系の結像倍率比に対応した速度
で同時に移動させることにより、大画面の原画パターン
を感光基板８２に転写する走査露光を行う。

【００３８】図９はＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液
晶パネル或いはＣＣＤ等の半導体デバイスの製造工程の
フローチャート図を示している。先ず、ステップＳ１に
おいて半導体デバイスの回路設計を行い、続いてステッ
プＳ２においてステップＳ１で設計した回路パターンを
ＥＢ描画装置等を用いマスクを作成する。一方、ステッ
プＳ３においてシリコン等の材料を用いてウェハを製造
する。その後に、前工程と呼ばれるステップＳ４におい
て、ステップＳ２、Ｓ３において用意したマスク及びウ
ェハを用い、マスクを露光装置内にローディングし、マ
スクを搬送しマスクチャックにチャッキングする。

【００３９】次に、ウェハをローディングしてアライメ
ントのずれを検出して、ウェハステージを駆動して位置
合わせを行い、アライメントが合致すると露光を行う。
露光の終了後にウェハは次のショットヘステップ移動
し、リソグラフィ技術によってウェハ上に回路を形成す
る。更に、後工程と呼ばれるステップＳ５において、ス
テップＳ４によって製造されたウェハを用いてダイシン
グ、ボンディング等のアッセンブリ工程、チップ封入等
のパッケージング工程を経て半導体チップ化する。チッ
プ化された半導体デバイスについて、ステップＳ６にお
いて動作確認テスト、耐久テスト等の検査を行う。この
ような一連の工程を経て半導体デバイスは完成し、ステ
ップＳ７に進み出荷される。

【００４０】図１０は図９におけるステップＳ４におい
て、ウェハプロセスの詳細な製造工程のフローチャート
図を示している。先ず、ステップＳ１１においてウェハ
表面を酸化させる。続いて、ステップＳ１２においてウ
ェハ表面をＣＶＤ法により絶縁膜を形成し、ステップＳ
１３において電極を蒸着法により形成する。更にステッ
プＳ１４に進みウェハにイオンを打込み、続いてステッ
プＳ１５においてウェハ上に感光剤を塗布する。ステッ
プＳ１６では、半導体露光装置によりマスクの回路パタ
ーンをウェハ上の感光剤上に焼付ける。

【００４１】ステップＳ１７において、ステップＳ１６
において露光したウェハ上の感光剤を現像する。更に、
ステップＳ１８でステップＳ１７において現像したレジ
スト像以外の部分をエッチングする。その後に、ステッ
プＳ１９においてエッチングが済んで不要となったレジ
ストを剥離する。更に、これらの一連の工程を繰り返し
行うことにより、ウェハ上に多重の回路パターンを形成
することができる。

【００４２】この製造方法を用いれば、ステップＳ１６
においてウェハ面に各種の光学的収差が補正された均一
な照明光が照射されるので、従来は製造が困難であった
高集積度の半導体デバイスを容易かつ確実に製造するこ
とができる。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したように本発明に係る回折光
学素子は、回折パターン側壁に反射膜が被覆していない
ために、回折効率が高い反射型とすることができる。

【００４４】また、本発明に係る回折光学素子の製造方
法は、良好な回折効率を有する反射型回折光学素子を容
易に製造することができる。

【００４５】更に、本発明に係る回折光学素子の製造方
法は、良好な回折効率を有し、保護膜を有する反射型回
折光学素子を容易に製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施例の回折光学素子の製作模式図であ
る。

【図２】第１の実施例の回折光学素子の製作模式図であ
る。

【図３】第１の実施例の回折光学素子の製作模式図であ
る。

【図４】第２の実施例の回折光学素子の製作模式図であ
る。

【図５】第２の実施例の回折光学素子の製作模式図であ
る。

【図６】第２の実施例の回折光学素子の製作模式図であ
る。

【図７】第３の実施例の回折光学素子の製作模式図であ
る。

【図８】半導体露光装置の構成図である。

【図９】半導体デバイスの製造工程のフローチャート図
である。

【図１０】ウェハプロセスのフローチャート図である。

【図１１】ＢＯ素子の斜視図である。

【図１２】ＢＯ素子の断面図である。

【図１３】ＢＯ素子の製作模式図である。

【図１４】ＢＯ素子の断面図である。

【符号の説明】

４１、５１基板４２、５２Ａｌ膜４３、５３ＳｉＯ₂膜４４、５４レジスト膜４４ａ、４４ｂ、４４ｃ、５４ａ、５４ｂ、５４ｃレ
ジストパターン４５ａ、４５ｂ、４５ｃ、５５ａ、５５ｂ、５５ｃレ
チクル４６ａ、４６ｂ、４６ｃ、５６ａ、５６ｂ、５６ｃパ
ターン４７、５７、６１反射型回折光学素子６２保護膜７１半導体用露光装置７２照明光学系７３マスクステージ７４マスク７８偏光ビームスプリッタ７９１／４波長板８１感光基板ステージ８２感光基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】任意の材料から成る基板上に、反射膜と
該反射膜以外の任意の材料との積層膜で構成される断面
が階段状の回折パターンから成ることを特徴とする回折
光学素子。
【請求項２】前記反射膜の材料がＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、
Ｐｔの何れか１つであることを特徴とする請求項１に記
載の回折光学素子。
【請求項３】前記反射膜以外の任意の材料をエッチン
グする際に、前記反射膜材料がエッチングストッパ層と
なることを特徴とする請求項１に記載の回折光学素子。
【請求項４】前記任意の材料はＳｉＯ₂等の酸化膜又
はＳｉ₃Ｎ₄等の窒化膜又はＳｉとすることを特徴とする
請求項３に記載の回折光学素子。
【請求項５】表面に光透過性の保護膜を有することを
特徴とする請求項１〜４の何れか１つの請求項に記載の
回折光学素子。
【請求項６】表面に光透過性の保護膜を有することを
特徴とする請求項１〜５の何れか１つの請求項に記載の
回折光学素子。
【請求項７】任意の材料から成る基板上に反射膜と該
反射膜以外の任意の材料との積層膜を任意の成膜手段を
用いて予め成膜する工程と、フォトリソグラフィ技術に
より前記反射膜と前記反射膜以外の任意の材料との積層
膜で構成される断面を階段状の回折パターンに加工する
工程とを有することを特徴とする回折光学素子の製造方
法。
【請求項８】任意の材料から成る基板上に反射膜と該
反射膜以外の任意の材料から成る膜と前記反射膜の保護
膜から成る積層膜を任意の成膜手段を用いて予め交互に
成膜する工程と、フォトリソグラフィ技術により前記反
射膜と前記反射膜以外の任意の材料から成る膜と前記反
射膜の保護膜から成る積層膜で構成される断面を階段状
の回折パターンに加工する工程とを有することを特徴と
する回折光学素子の製造方法。
【請求項９】請求項１〜６の何れか１つの請求項に記
載の回折光学素子を用いることを特徴とする光学系。
【請求項１０】請求項９に記載の光学系を有すること
を特徴とする投影露光装置。
【請求項１１】請求項１０に記載の投影露光装置によ
る露光工程を含むデバイス製造方法。